「Element 113」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The device further comprises: a plurality of first semiconductor regions 111, 112, and 113 of a first conductive type that are separated by the element isolation insulating film one another; and a second semiconductor region 115 of a first conductive type that is formed on the element isolation insulating film in a lattice shape in the substrate and functions as a pixel isolation region.例文帳に追加

更に、前記装置は前記素子分離絶縁膜により互いに分離された第１導電型の複数の第１半導体領域１１１，１１２，１１３と、前記基板内において前記素子分離絶縁膜上に格子状に形成され、画素分離領域として機能する第１導電型の第２半導体領域１１５とを備える。 - 特許庁

The power generation element 100 includes: a first piezoelectric elements 110 including electrodes 111 sequentially laminated on a base material 102, a first piezoelectric material layer 113, and an electrode 112; a second piezoelectric element 120 including electrodes 121 sequentially laminated on the base material 102, a second piezoelectric material layer 123, and an electrode 112; and a vibrating member 101.例文帳に追加

本発明の発電素子１００は、基材１０２上に順に積層された電極１１１、第１の圧電体層１１３および電極１１２を含む第１の圧電素子１１０と、基材１０２上に順に積層された電極１２１、第２の圧電体層１２３および電極１１２を含む第２の圧電素子１２０と、振動部材１０１とを含む。 - 特許庁

A security management countermeasure selection unit 123 selects from a security management countermeasure-protection model corresponding table 113 a security management countermeasure (for example, installation of a virus countermeasure gateway and introduction of a virus countermeasure software) corresponding to a combination of the threat and the selected element.例文帳に追加

セキュリティ管理策選定部１２３は、セキュリティ管理策−防御モデル対応テーブル１１３から、当該脅威と、選定された要素との組み合わせに対応するセキュリティ管理策（例えば、ウィルス対策ゲートウェイの設置やウィルス対策ソフトウェアの導入）を選定する。 - 特許庁

A candidate steering vector generated by a candidate vector generating part 113 is corrected, using a correction value calculated by a correction value calculating part 108, and a steering vector with the antenna element for omnidirectivity as a standard is generated by a steering vector generating part 109.例文帳に追加

ステアリングベクトル生成部１０９において、候補ベクトル生成部１１３において生成した候補ステアリングベクトルが補正値算出部１０８において算出した補正値を用いて補正され、オムニ用アンテナ素子を基準とするステアリングベクトルが生成される。 - 特許庁

A semiconductor chip 100 provided with a plurality of pads 105 in the vicinity of inner circumference of an element region 111 is further provided with a part 107 where a plurality of layers 103 are embedded in a silicon substrate 101, in an outer circumferential region 113.例文帳に追加

素子領域１１１の内部の周縁部近傍に複数のパッド１０５が設けられた半導体チップ１００において、外周領域１１３においてシリコン基板１０１に埋設された複数の埋込層１０３からなる埋込層形成部１０７を設ける。 - 特許庁

The pixel circuit 101 is disposed at the intersection of a scan line WSL101 and a signal DTL101, and includes an electrooptical element 117, a holding capacitor C111, a drive transistor 111, a first detection transistor 114, and a second detection transistor 113.例文帳に追加

画素回路１０１は、走査線ＷＳＬ１０１と信号線ＤＴＬ１０１とが交差する部分に配されており、電気光学素子１１７と、保持容量Ｃ１１１と、ドライブトランジスタ１１１と、第１検知トランジスタ１１４と、第２検知トランジスタ１１３とを備えている。 - 特許庁

The pressure detecting element 100 has the Si semiconductor substrate including the pressure-sensing resistor 113 and the temperature-sensitive resistor 114, an insulating layer in which contact holes 115C, 115D are bored, and a wiring layer 116 connected to upper surfaces 113U, 114U of the resistors.例文帳に追加

圧力検出素子１００は、感圧抵抗体１１３及び感温抵抗体１１４と、コンタクトホール１１５Ｃ，１１５Ｄが穿孔された絶縁層と、抵抗体の上面１１３Ｕ，１１４Ｕに接続する配線層１１６と、を有するＳｉ半導体基板を備える。 - 特許庁

A negative/positive conversion parameter for display is judged whether it is calculated or not when photographed film 200 is a negative film, i.e., an image of film obtained by an imaging element 112 and a image pickup circuit 113 is the negative image by a system controller 114.例文帳に追加

システムコントローラ１１４は、撮影済フィルム２００がネガフィルムの場合、つまり撮像素子１１２および撮像回路１１３によって得られたフィルムの画像がネガ画像である場合は、表示用のネガポジ変換パラメータが算出済であるか否かを判断する。 - 特許庁

The body part 110 includes a horizontal direction adjusting device 112 and a vertical direction adjusting device 113 used exclusively for operating a video adjusting function to correct the video consisting of the light emitted from the projection element 154 on the projection surface 300.例文帳に追加

本体部１１０は、投写素子１５４から出射される光によって構成される映像を投写面３００上において補正する映像調整機能の操作に専用で用いる水平方向調整具１１２及び垂直方向調整具１１３を有する。 - 特許庁

Power supply to a laser light-emitting element unit 113 in a transmission side interface 15 is carried out through a first metal wire 132 capable of power feeding from an input device and a second metal wire 133 in which the first metal wire 132 is folded back from a receiving side interface 12.例文帳に追加

送信側インターフェース１５内のレーザ発光素子ユニット１１３への給電を、入力装置から給電可能な第１のメタル線１３２と、この第１のメタル線１３２を受信側インターフェース１２から折り返した第２のメタル線１３３とを経由して行う。 - 特許庁

Light of wavelength λ1 condensed by the optical system 112 diverges after passing through a condensed position, is collimated by an optical system 113, is condensed by an optical system 114 through a diffraction grating element 122 and is made incident to the end surface of an optical fiber 22.例文帳に追加

光学系１１２により集光された波長λ１の光は、集光位置を経た後に発散し、光学系１１３によりコリメートされ、回折格子素子１２２を経て、光学系１１４により集光されて光ファイバ２２の端面に入射する。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

A capacitor element 114 comprising a capacitor lower electrode 111, a capacitor insulation film 112 and a capacitor upper electrode 113 is formed on the first conductive plug 107 and a conductive hydrogen anti- permeation film 115 is formed on the second conductive plug 108.例文帳に追加

第１の導電性プラグ１０７の上には、容量下部電極１１１、容量絶縁膜１１２及び容量上部電極１１３よりなる容量素子１１４が形成され、第２の導電性プラグ１０８の上には導電性水素透過防止膜１１５が形成されている。 - 特許庁

At the same time, the deviation distribution of the measurement light diffused spectrally through a prism 113 is detected by a split photodetecting element 125 and according to it, a measurable/ unmeasurable state deciding part 126 decides whether or not measurement can be performed by every measurement point, when deviation is larger than is specified, the measurement data are discarded.例文帳に追加

また、同時に、プリズム１１３を介して分光させた測定光の偏り分布を分割受光素子１２５で検出し、これに基づいて測定可否判断部１２６で測定点毎に測定の可否を判断し、偏りが一定以上の場合には測定データを破棄する。 - 特許庁

A functional element 120 comprises a piezoelectric body layer 121, and an upper electrode 122 and a lower electrode 123 formed in a way of holding the layer 121 therebetween, and is formed via an insulating film (not shown) or the like, on a board 110 formed with a cavity 113 provided so as not to hinder the mechanical vibration of the functional section.例文帳に追加

機能素子１２０は、圧電体層１２１とそれを挟むように形成された上部電極１２２、下部電極１２３とからなり、機能部の機械振動を阻害しないように備えられた空洞１１３が形成された基板１１０に、絶縁膜（図示せず）等を介して形成される。 - 特許庁

This image processor has a blur correcting means 113 for performing coordinates conversion processing of an input image generated by using an image pickup element 102 on the basis of blur information and a method changing means 112 for changing coordinates conversion methods in the coordinates conversion processing.例文帳に追加

画像処理装置は、振れ情報に基づいて、撮像素子１０２を用いて生成された入力画像に対する座標変換処理を行う振れ補正手段１１３と、該座標変換処理における座標変換方式を変更する方式変更手段１１２とを有する。 - 特許庁

At least a part of a capacitive element 112 comprising a capacitive lower electrode 109, a capacitance insulating film 110 and a capacitive upper electrode 111 is coated with a second hydrogen barrier film 113 formed of at least one of bismuth tantalate, bismuth niobate and bismuth tantalum niobate.例文帳に追加

容量下部電極１０９、容量絶縁膜１１０及び容量上部電極１１１からなる容量素子１１２の少なくとも一部分を、タンタル酸ビスマス、ニオブ酸ビスマス及びタンタルニオブ酸ビスマスの少なくとも１つからなる第２の水素バリア膜１１３によって被覆する。 - 特許庁

In an optical waveguide type diffraction grating element 100, diffraction gratings 113 based on refraction factor modulation are formed over a prescribed range W in a lengthwise direction in an optical fiber 110 of quartz adding GeO_2 to a core area 111 including the center of an optical axis.例文帳に追加

光導波路型回折格子素子１００は、光軸中心を含むコア領域１１１にＧｅＯ_2が添加された石英系の光ファイバ１１０において、長手方向に沿った所定範囲Ｗに亘って屈折率変調による回折格子１１３が形成されている。 - 特許庁

A digital camera 100 includes: a focus lens 101; a focus lens drive motor 107; an imaging element 102; an AF evaluation value calculation circuit 104; a focus control circuit 108; a comparison processing circuit 109; a CPU 106; a monitor display device 113; and an image recording medium 115.例文帳に追加

デジタルカメラ１００は、フォーカスレンズ１０１と、フォーカスレンズ駆動モータ１０７と、撮像素子１０２と、ＡＦ評価値算出回路１０４と、フォーカス制御回路１０８と、比較処理回路１０９と、ＣＰＵ１０６と、モニタディスプレイ１１３と、画像記録用メディア１１５とを備える。 - 特許庁

In the optical waveguide type diffraction grating element 100, a diffraction grating 113 on the basis of refractive index modulation is formed in a prescribed range along the longitudinal direction of a quartz-based optical fiber 110, in the core region 111 including the optical axis center to which GeO_2 is added.例文帳に追加

光導波路型回折格子素子１００は、光軸中心を含むコア領域１１１にＧｅＯ_2が添加された石英系の光ファイバ１１０において、長手方向に沿った所定範囲に亘って屈折率変調による回折格子１１３が形成されている。 - 特許庁

Image data imaged by an imaging element 111 is input to a CPU 114 through an analog signal processing part 112 and an A/D converting part 113, and the CPU 114 emphasizes contrast of the input image data and displays the image data on an EVF (electronic viewfinder) 117 through a D/A converting part 116.例文帳に追加

撮像素子１１１で撮像された画像データをアナログ信号処理部１１２及びＡ／Ｄ変換部１１３を介してＣＰＵ１１４に入力し、ＣＰＵ１１４では、入力された画像データのコントラストを強調して、Ｄ／Ａ変換部１１６を介して、ＥＶＦ１１７に表示する。 - 特許庁

An image processing part 123 executes a negative/positive conversion processing to convert a negative image into a positive image when photographed film 200 is the negative film, i.e., an image of film obtained by an imaging element 112 and an imaging circuit 113 is the negative image by a system controller 114.例文帳に追加

システムコントローラ１１４は、撮影済フィルム２００がネガフィルムの場合、つまり撮像素子１１２および撮像回路１１３によって得られたフィルムの画像がネガ画像である場合は、画像処理部１２３に、ネガ画像をポジ画像に変換させるためのネガポジ変換処理を実行させる。 - 特許庁

A semiconductor laser element 10 is disposed on an SiN film 105, which is formed on a p-type layer 100, via Ti layers 110a and 110b, Au layers 111a and 111b, a heatsink layer 113, and a solder layer 114 (e.g. about 4 μm in thickness).例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、ｐ型層１００上に形成されたＳｉＮ膜１０５との間に、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂに加えてヒートシンク層１１３およびはんだ層１１４（例えば、層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁

A resistance value of the resistance element 113 is set to a resistance value for carrying current of a smaller value than a maximum current value to make lighting of the LED 115 impossible to the LED 115 when the installation detecting switch 111 is in an OFF state (tongs are installed in a buckle).例文帳に追加

抵抗素子１１３の抵抗値は、装着検出スイッチ１１１がオフ状態となっている（トングがバックルに装着されている）時に、ＬＥＤ１１５が点灯不能な最大電流値より小さい値の電流がＬＥＤ１１５に流れるような抵抗値に設定される。 - 特許庁

The first substrate 101 and the second substrate 106 are bonded together so that each first concave part 111 contain the optical element 110 and each second concave part 113 contain the lead terminal 108 to form a multi-panel equipped with a plurality of optical panel-forming regions with the third concave parts 117 as boundaries.例文帳に追加

第１の凹部１１１が光学素子１１０を、第２の凹部１１３がリード端子１０８を収容するように第１の基板１０１と第２の基板１０６とを貼り合わせ、第３の凹部１１７を境界とする複数の光学パネル形成領域を備えたマルチパネルを形成する。 - 特許庁

A TV receiver 100 includes a display driving circuit 111, a flat type rectangular display panel 112 composed of an LCD, a PDP, a FED, etc., an X driver 113 and a Y driver 114, etc., and further includes an imaging element 121 for imaging the display panel 112, a picture measurement unit 119, etc.例文帳に追加

ＴＶ受像機１００には、表示駆動回路１１１、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＦＥＤ等からなる平面型で矩形の表示パネル１１２、Ｘドライバ１１３及びＹドライバ１１４等を備えるとともに、表示パネル１１２を撮像する撮像素子１２１、画面計測部１１９等を備えている。 - 特許庁

A load 109 is connected with a DC power supply 107 through a main circuit switching circuit 114 constituted of parallel connection of series circuits 112 and 113 each consisting of series connection of the primary winding of a current transformer 102, 103 (not shown) and a switching element 104, 105.例文帳に追加

カレントトランス１０２，１０３の図示しない一次巻線とスイッチング素子１０４、１０５とが直列に接続された直列回路１１２，１１３を並列に接続して構成した主回路開閉回路１１４を介して負荷１０９が直流電源１０７に接続されている。 - 特許庁

The position of the image pickup lens can be adjusted in the direction of the optical axis by a screw 121, axially rotated by a motor 122 for AF to resolve the chromatic aberration of the image pickup lens 112 due to different color light, and the formed image of each color light is focused on the image pickup element 113.例文帳に追加

撮像レンズをＡＦ用モータ１２２によっ軸転するスクリュ１２１によって光軸方向に位置調整可能とすることで、異なる色光による撮像レンズ１１２の色収差を解消し、各色光の結像画像をそれぞれ撮像素子１１３に合焦させる。 - 特許庁

Pixels 102 containing an EL element with a pixel electrode 105 connected to a TFT for current control 104 are set in array on a substrate, and on a counter substrate 110, a light-shield film is formed at a place corresponding to the edge of the pixels 102, and a color filter 113 at a place corresponding to the pixels 102.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ１０４に接続された画素電極１０５を陰極とするＥＬ素子を含む画素１０２が基板上に配列され、対向基板１１０には画素１０２の縁に対応した位置に遮光膜１１２が、画素１０２に対応した位置にカラーフィルター１１３が形成される。 - 特許庁

A pixel 102 including an EL element having a pixel electrode 105 connected to a current control TFT 104 as a cathode is arranged on a substrate, and a counter electrode 110 has a shading film 112 formed at a position corresponding to an edge of the pixel 102 and a color filter 113 formed at a position corresponding to the pixel 102.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ１０４に接続された画素電極１０５を陰極とするＥＬ素子を含む画素１０２が基板上に配列され、対向基板１１０には画素１０２の縁に対応した位置に遮光膜１１２が、画素１０２に対応した位置にカラーフィルター１１３が形成される。 - 特許庁

Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask.例文帳に追加

そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 - 特許庁

This light quantity measuring apparatus 11 is arranged to face the exposure device 3 and has the photoelectron multiplier tube 111, a uniaxial stage 112 for moving the photoelectron multiplier tube 111 in parallel to the PLZT element array 31 of the exposure device 3 and a regulator 113 for regulating the sensitivity voltage of the photoelectron multiplier tube 111.例文帳に追加

光量測定装置１１は、露光装置３に対向配置され、光電子増倍管１１１と、光電子増倍管１１１を露光装置３のＰＬＺＴ素子アレイ３１に対して平行に移動させる１軸ステージ１１２と、光電子増倍管１１１の感度電圧を調整する調整器１１３とを備えている。 - 特許庁

The constitution has a light guide plate 115 arranged on the surface opposite to the fluorescent screen 113 of the photoelectric conversion element array 111, a photodetector 116 for detecting the first light through the light guide plate 115, and a light generator 118 for irradiating the second light through the light guide plate 115.例文帳に追加

この構成で、光電変換素子アレイ１１１の蛍光板１１３と対向した面に配置される導光板１１５と、導光板１１５を介して第１の光を検出するための光検出器１１６と、導光板１１５を介して第２の光を照射する光発生器１１８とを有する。 - 特許庁

In the optical pickup, a first objective lens 113 and a second objective lens 207 are arranged in the tangential direction of an information recording medium and they are mounted on an objective lens drive unit 114, and the optical pickup includes an optical path change optical element 107 formed by an integrated type prism which has two internal reflection planes and in which these reflection planes are almost orthogonal.例文帳に追加

第１の対物レンズ１１３と第２の対物レンズ２０７を情報記録媒体の接線方向に配置して対物レンズ駆動ユニット１１４に搭載し、２つの内部反射面を有しそれらの反射面が略直交する一体プリズムにより形成された光路変更光学素子１０７を設ける。 - 特許庁

The container made of foamed resin is equipped with a valve element 113 on an opening to a first draining path 111a on a second draining path 112a formed on a body 110 of the container for opening the second path 112a to drain the water from the second path 112a when the predetermined or larger weight of water is applied.例文帳に追加

発泡樹脂製容器本体１１０に設けられる第２排水通路１１２ａの第１排水通路１１１ａへの開口部に、所定以上の水の重量が加わった場合に、第２排水通路１１２ａから水を排出するため、第２排水通路１１２ａを開放する弁体１１３が設けられている。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。 - 特許庁

The sun visor 101 for the vehicle comprises the sun visor body 103, a spindle 105 for mounting the sun visor body on the vehicle side, a long sliding passage 113 which is provided on the sun visor body and is made of metallic material, and a sliding element which is fixed to the spindle, and slides in the sliding passage.例文帳に追加

本発明の車両用サンバイザ１０１は、サンバイザ本体１０３と、サンバイザ本体を車両側に装着する支軸１０５と、サンバイザ本体に設けられるとともに金属材料によって形成された長尺状の摺動路１１３と、支軸に取り付けられるとともに摺動路内を摺動する摺動体とを有する。 - 特許庁

When the detection signal is inputted from the waveform detecting circuit 111, the CPU 115 stops the switching operation of a switching element 132 in a power factor improving circuit 113; and by the power factor improving function stop, when the waveform of the input voltage is a rectangular wave, stable operation can be obtained.例文帳に追加

CPU１１５は、波形検出回路１１１から検出信号が入力された場合、力率改善回路１１３のスイッチング素子１３２のスイッチング動作を停止させて、力率改善機能を停止させることで、入力電圧の波形が矩形波となる場合に、安定して動作させることができるようになる。 - 特許庁

Further, provided are a single light converging means which converges received light incident on the photodetector and transmitted light emitted from the light emitting element and a ferrule holder 113 on which the transmission lien end of an optical fiber can be mounted at a distance from the stem member and forms the other end part of the housing.例文帳に追加

さらに、受光素子に入射する受信光及び発光素子から出射する送信光を集光する単一の集光手段と、ステム部材に対して離隔した位置に光ファイバの伝送路端を装着することが可能で、筐体の他端部を形成するフェルールホルダー１１３とを備える。 - 特許庁

The process simulator comprises an analyzing region extractor 119 for extracting regions for optimizing manufacturing process conditions among all semiconductor element regions, an optimizing processor 118 for selectively executing a process simulation on the extracted regions to optimize the manufacturing process conditions, and process simulation parts 113, 114, 115, 116 for executing process simulations on all the semiconductor element regions using the optimized manufacturing process conditions.例文帳に追加

半導体素子領域全体の中から製造プロセス条件を最適化する領域を抽出する解析領域抽出部１１９と、抽出された領域に対して選択的にプロセスシミュレーションを実行し、製造プロセス条件を最適化する最適化処理部１１８と、最適化された製造プロセス条件を用いて、半導体素子領域全体のプロセスシミュレーションを実行するプロセスシミュレーション部１１３,１１４,１１５,１１６を備える。 - 特許庁

In an element substrate 10, a conductive film 11 for detecting temperature, in which impurity is doped in a semiconductor layer formed at the same time with a semiconductor layer of field effect transistors 30, is provided, and the data conversion part 113 performs correction corresponding to resistance change of the conductive film 11 for detecting temperature, when the digital driving signal is created.例文帳に追加

素子基板１０には、電界効果型トランジスター３０の半導体層と同時に形成された半導体層に不純物をドープしてなる温度検出用導電膜１１が設けられており、データ変換部１１３は、デジタル駆動信号を生成する際に温度検出用導電膜１１の抵抗変化に対応する補正を行なう。 - 特許庁

A transparent base board 111, on which an alignment film 112 is formed, and a transparent base board 115, on which a transparent electrode 121 and an alignment film 114 are formed, are bonded together via a seal 117 so that the alignment film 112 faces the alignment film 114 to prepare a large-size liquid crystal element 1a having a polymer liquid crystal layer 113 between the transparent base boards 111 and 115.例文帳に追加

配向膜１１２が形成された透明基板１１１と、透明電極１２１及び配向膜１１４が形成された透明基板１１５とを、配向膜１１２，１１４同士が向き合うようにシール１１７を介して張り合わせ、透明基板１１１，１１５間に高分子液晶層１１３を備えた大判液晶素子１ａを作製する。 - 特許庁

A line selection circuit 114 for selecting horizontal and vertical lines is provided on a prior AE sensor, and a line read to a later stage circuit is selected with the line selection circuit 114 to alter an effective picture element area, by applying temporal filtering to a SYNC pulse 113 for transmitting pulse timing of a photographing signal to the later stage circuit.例文帳に追加

従来のＡＥセンサに水平および垂直ライン選択用のライン選択回路１１４を設け、このライン選択回路１１４によって撮像信号のパルスタイミングを後段の回路に伝えるＳＹＮＣパルス１１３に時間的なフィルタをかけることにより、後段の回路に読み出すラインを選択して有効画素領域の変更を行う。 - 特許庁

A fetch address generation circuit 20 formed of adders 21 and 22 generates a fetch address based on an execution address generated by a program counter circuit 110 formed of a flip flop 111, an adder 112 and a multiplexer 113 and on a differential address generated by a differential address generation circuit 10 formed of a flip flop 11 and a computing element 12.例文帳に追加

フリップフロップ１１１と加算器１１２とマルチプレクサ１１３からなるプログラムカウンタ回路１１０により生成された実行アドレスと、フリップフロップ１１と演算器１２からなる差分アドレス生成回路１０により生成された差分アドレスとに基づいて、加算器２１，２２からなるフェッチアドレス生成回路２０でフェッチアドレスを生成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁