「Gate Value」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A gate drive signal output from a gate pulse generation circuit (21) is output to a sense gate terminal Gs and a main gate terminal Gm and an input end of an MPU (24) via each correction resistor of a gate resistance value correction circuit 1 (22) and a gate resistance value correction circuit 2 (23).例文帳に追加

ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。 - 特許庁

In addition, the gate length dependency of the capacity between the gate source drains is deviated at prescribed gate voltage, the overlapping length ΔL is calculated from the addition capacity value on the basis of the gate length dependency of the capacity, and the fringe capacity value and the gate overlapping capacity value are found.例文帳に追加

また、所定のゲート電圧でのゲート−ソース・ドレイン間の容量のゲート長依存性を導出し、上記容量のゲート長依存性に基づいて上記和容量値からオーバラップ長ΔＬを算出し、上記フリンジ容量値、ゲートオーバラップ容量値を求める。 - 特許庁

Compared to the BT test, the evaluation of the gate current value can be performed in a simpler manner, as the measurement of the gate current value takes short time, for example.例文帳に追加

ゲート電流値の測定は、必要となる時間が短いなど、ＢＴ試験と比較して簡便な方法によって評価を行うことが可能である。 - 特許庁

The gate driver comprises a means for measuring the gate current flowing through a gate resistor or a means for integrating the gate current, and a means for comparing it with a normal value range, and a means for transmitting a signal to a gate drive circuit.例文帳に追加

ゲート抵抗に流れるゲート電流を測定する手段、あるいはゲート電流を積分する手段を設け、正常値範囲と比較し、ゲート駆動回路に信号を伝達する手段を設ける。 - 特許庁

To accurately stop a gate in a position corresponding to a target opening value.例文帳に追加

ゲートを目標開度値に対応する位置に正確に停止させること。 - 特許庁

ULTRASONIC IMAGE AND CALIBRATION OF GATE-CONTROLLED POSITION MEASUREMENT VALUE例文帳に追加

超音波画像およびゲート制御された位置測定値の較正 - 特許庁

An adjustment value storage memory 24 stores an adjustment value to set a gate voltage of the FET.例文帳に追加

調整値格納メモリ２４は、ＦＥＴのゲート電圧値を設定するための調整値を格納している。 - 特許庁

The digital synchronization system is provided with a gate circuit that outputs the zero cross signal, by using a gate signal and controlling the gate phase of the gate signal with an integrated value of the gate outputs, can generate a synchronizing signal by minimizing the integrated value.例文帳に追加

この零クロス信号をゲート信号でゲート出力するゲート回路を設け、このゲート出力の積算値で前記ゲート信号のゲート位相を制御して積算値が極小値になるようにして同期信号を生成するようにしたものである。 - 特許庁

The addition capacity value of a fringe capacity value and a gate overlapping capacity value between a plurality of MISFET sharing gate source drains is deviated from the analysis of the difference of the differentiation value.例文帳に追加

そして、上記微分値の差の分析から複数のＭＩＳＦＥＴ共通のゲート−ソース・ドレイン間のフリンジ容量値とゲートオーバラップ容量値の和容量値を導出する。 - 特許庁

Independently of a main gate current to an IGBT 1 applied through a gate resistance A by a gate drive circuit 2, a voltage-compensated gate control circuit 3-6 injects a voltage-compensated gate current via a gate resistance B when a collector-emitter voltage Vce of the IGBT 1 exceeds a threshold value, and stops injecting the voltage-compensated gate current when the voltage Vce falls below the threshold value.例文帳に追加

ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。 - 特許庁

SCR is usually in an off state, but is turned on when the voltage of the gate exceeds a prescribed threshold value, and a prescribed gate current flows between the gate and a cathode, so that a current flows between the gate and the cathode.例文帳に追加

ＳＣＲは、通常はオフ状態であるが、ゲートの電圧が所定のしきい値を超えてゲート・カソード間に所定のゲート電流が流れると、ＳＣＲはトリガーされてオンとなり、アノード・カソード間に電流が流れる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a gate stack of a gate dielectric layer and a gate electrode on a semiconductor substrate, wherein the V_T value of the gate stack can be easily adjusted.例文帳に追加

本発明は、半導体基板上にゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、ゲートスタックのＶ_Ｔ値を容易に調整することができる方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, a gate-on means keeps the gate signal of the faulty semiconductor device under an on- condition, and turns off the gate signal of the semiconductor device after the current of the semiconductor device becomes lower than a prescribed value by a gate throttle means 12.例文帳に追加

一方、ゲートオン手段は、異常となった半導体素子のゲート信号をオン状態に保持し、ゲート絞り手段１２により半導体素子の電流が所定値より小さくなってから半導体素子のゲート信号をオフする。 - 特許庁

Consequently, the finished gate lengths of the transistors TrA-TrF can be fixed roughly to a fixed value by suppressing the effect of the increase in the gate length caused by a hammer head and the increase in the gate length caused by gate flaring.例文帳に追加

その結果、ハンマヘッドによるゲート長太り及びゲートフレアリングによるゲート長太りの効果が抑制され、ＴｒＡ〜ＴｒＦの仕上がりゲート長をほぼ一定値にすることが可能となる。 - 特許庁

The gate threshold voltage is detected at the time of turn-off, a determination is made whether that voltage is higher than a predetermined value or not, and then gate drive conditions such as the gate on resistance at the time of next turn on or the gate on power supply voltage are switched.例文帳に追加

ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。 - 特許庁

The forward voltage (gate voltage VG) across the gate-source of the JFET 2 is limited to a voltage value (Vo) lower than a built-in voltage between the gate and source, and therefore a gate current is also restrained.例文帳に追加

ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間の順方向電圧（ゲート電圧VG）は、ゲート−ソース間のビルトイン電圧よりも低い値（Vo）に抑制され、ゲート電流IGも抑制されることになる。 - 特許庁

To freely and continuously control a work function viewed from the gate insulating film side of a gate electrode to a value different from the characteristic value of the materials of the gate electrode, and to continuously control Vth in an MIS type transistor.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタにおいて、ゲート電極のゲート絶縁膜側から見た仕事関数を、そのゲート電極の材料のもつ特性値とは異なる値に自由に連続的に制御し、それによりVthを連続的に制御する。 - 特許庁

The other-side ends of the gate resistor R1 and R2 are connected with a control circuit 6, and the resistance value of the gate resistor R2 is higher than the resistance value of the gate resistor R1.例文帳に追加

ゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の他端は、制御回路６に接続され、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値がゲート抵抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きくなっている。 - 特許庁

An adjustment circuit 20 adjusts the resistance value of the gate resistance of the transistor gate 30 based on the current value of the negative gate currents Ig(-) of the transistor 30.例文帳に追加

調整回路２０は、トランジスタ３０の負のゲート電流Ig(-)の電流値に基づいて、トランジスタ３０のゲート抵抗の抵抗値を調整する。 - 特許庁

The light intensity value near the gate edge of the gate pattern is calculated and the dimension shift quantity of the gate line width by a proximity effect is calculated in accordance with the light intensity value in a dimension shift quantity calculating section 605.例文帳に追加

ゲートパタンのゲートエッジ近傍における光強度値を計算し、寸法シフト量計算部６０５で光強度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸法シフト量を計算する。 - 特許庁

The gate discharge resistor portion 101 changes a resistance value from a resistance value of a resistance 4 to a resistance value provided by a synthetic resistance of a resistance 4 and a resistance 5.例文帳に追加

ゲート放電抵抗部１０１は、抵抗値を抵抗４の抵抗値から抵抗４と抵抗５の合成抵抗で与えられる抵抗値に変更する。 - 特許庁

When the calculation value is within a range from a first set value to a second set value, the size of the antenna violation gate group is adjusted.例文帳に追加

その算出値が第１設定値から第２設定値の範囲である場合、アンテナ違反ゲート群の大きさを調整する。 - 特許庁

To form a gate electrode having a proper work function value with a low resistance while maintaining the interface state of a gate electrode in a low status.例文帳に追加

ゲート電極の界面準位を低い状態に維持しつつ、低抵抗で適性な仕事関数値を有するゲート電極の形成を可能とする。 - 特許庁

An initial value of a gate leak current is measured by placing a measurement voltage across a substrate and a gate electrode of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の基板とゲート電極との間に測定電圧を印加して、ゲートリーク電流の初期値を測定する。 - 特許庁

To provide a trench gate type transistor and a method of manufacturing the same, wherein the resistance value of a gate electrode provided in a trench is made small.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法において、トレンチ内に設けられたゲート電極の抵抗値を小さくする。 - 特許庁

A third voltage which is a predetermined value lower than the first voltage is applied to a drain-side selection gate line and a source-side selection gate line.例文帳に追加

ドレイン側選択ゲート線、及びソース側選択ゲート線には、第１電圧よりも所定の値だけ低い第３電圧を印加する。 - 特許庁

A handle wheel controls closing of a gate valve or opening of the gate value to release gas from the cylinder.例文帳に追加

ハンドル車は、ゲート弁を閉鎖するかまたはシリンダから気体を解放するためにゲート弁を開口するのを制御する。 - 特許庁

The resistance value of the gate electrode 14 is reduced, as going toward the center part 16, starting from both the ends 15 of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極１４の抵抗値が、ゲート電極の両端１５から中央部１６に向かうに従って減少することを特徴とする。 - 特許庁

If the determination section determines to increase the gate voltage, the decision section decides an increased gate voltage in accordance with the predetermined value.例文帳に追加

決定部は、判定部によりゲート電圧を増加させると判定された場合に、所定値に応じて増加後のゲート電圧を決定する。 - 特許庁

A gate of the MOS transistor Tp3 is connected to a grounded, and a gate of the MOS transistor Tp4 is connected to an initial value setting circuit 34.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタＴｐ３のゲートをグランドに接続し、ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲートを初期値設定回路３４に接続した。 - 特許庁

A gate of the MOS transistor Tp3 is then connected to a ground and a gate of the MOS transistor Tp4 is connected to an initial value setting circuit 34.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタＴｐ３のゲートをグランドに接続し、ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲートを初期値設定回路３４に接続した。 - 特許庁

The control device compares the estimated value (mcpest) with the measured value (mafm) of the intake flow rate, and adjusts the correspondence relation between the estimated value (wgv) of the waste gate valve opening and the operation quantity of the waste gate valve on the basis of the comparison results.例文帳に追加

そして、その推定値（mcpest）と吸気流量の計測値（mafm）とを比較し、その比較結果に基づいてウェイストゲートバルブ開度の推定値（wgv）とウェイストゲートバルブの操作量との対応関係を調整する。 - 特許庁

The gate voltage control part 33 controls a voltage value applied to a gate terminal of the field effect transistor 31 such that the current value detected by the current value detection part 32 becomes constant.例文帳に追加

ゲート電圧制御部３３は、電流値検出部３２により検出された電流値が一定となるように、電界効果トランジスタ３１のゲート端子に与える電圧値を制御する。 - 特許庁

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable.例文帳に追加

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第１及び第２の導電層（金属ゲート電極材料）へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートＣＭＯＳ型の半導体装置を実現する。 - 特許庁

To suppress gate leakage and to thin a gate insulated film by forming at least the side of the gate insulated film of a gate electrode of a film containing hafnium and silicon, obtaining a work function value equivalent to Poly-Si and reducing the reaction of the base gate insulated film and hafnium.例文帳に追加

ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムとシリコンとを含む膜で形成することで、Ｐｏｌｙ−Ｓｉと同等の仕事関数値を得るともに、下地のゲート絶縁膜とハフニウムとの反応性を低減してゲートリークを抑制し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁

A driving method of the liquid crystal display device comprises: a process of calculating a difference value between a number of gate lines and a number of the gate channels; a process of generating a gate shift clock signal including at least one dummy shift clock, based on the difference value; and a process of supplying gate pulses to the gate lines in accordance with the gate clock signal.例文帳に追加

また、本発明の１つの実施の形態に係る液晶表示装置の駆動方法は、ゲートラインの本数とゲートチャンネルの個数の差分を演算するステップと、差分に基づいて少なくとも１つのダミーシフトクロックを含むゲートシフトクロック信号を生成するステップと、ゲートシフトクロック信号に従ってゲートラインへゲートパルスを供給するステップとを含む。 - 特許庁

For the value of the capacitor 7 for through-current prevention, an optimum value exists from the relation among the gate capacity value of an n-channel power MOSFET 9, the gate capacity value of a p-channel power MOSFET 12, and the resistance value of a PNP emitter follower bias.例文帳に追加

貫通電流防止用コンデンサ７の値はＮチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴ９のゲート容量値とＰチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴ１２のゲート容量値とＰＮＰエミッタフォロワーバイアス抵抗値の関係から最適な値が存在する。 - 特許庁

An automatic ticket gate system 3 through which the employees pass subtracts a traffic fare from the electronic value balances of the credit cards 1a to 1c for performing prepaid settlement, and when the electronic value balance is not more than the charge judgment value, the automatic ticket gate system performs credit settlement for charging electronic values of the same value as the charge value.例文帳に追加

従業者が通過する自動改札システム３は、クレジットカード１ａ〜１ｃの電子バリュー残高から乗車料金を差し引いてプリペイド決済を行い、電子バリュー残高が補充判定額以下になるときは、補充額と同額の電子バリューを補充するクレジット決済を行う。 - 特許庁

a person who walks from house to house and performs some type of entertainment at the gate of the house in hopes of receiving money or other goods of value 例文帳に追加

人家の門口で芸能を演じ金品をもらい受けて歩く人 - EDR日英対訳辞書

When a signal level exceeds a prescribed threshold value, a write gate signal is switched off, and write processing is prohibited.例文帳に追加

信号レベルが所定の閾値を超える場合にはライトゲート信号をオフし、ライト処理を禁止する。 - 特許庁

To reduce the gate electrode depletion layer, and to decrease the threshold voltage absolute value.例文帳に追加

ゲート電極の空乏層を低減するとともに、閾値電圧の絶対値を小さくする。 - 特許庁

The converter operates as a variable resistor varying a resistance value between a source and drain according to a gate voltage.例文帳に追加

ゲート電圧に応じてソース・ドレイン間の抵抗値が変化する可変抵抗器として動作する。 - 特許庁

A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7.例文帳に追加

そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with a control gate having an intended resistance value.例文帳に追加

所望の抵抗値を有する制御ゲートを備えた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A variable resistor 22 is set to the gate resistance value in response to the control signal.例文帳に追加

可変抵抗２２は制御信号に応答して前記ゲート抵抗値に設定される。 - 特許庁