「Ge a」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A specific operator for the version, this can be one of: 'has', 'not', 'lt', 'le','eq', 'ne', 'ge', or 'gt' 例文帳に追加

バージョンに対応する演算子で、'has'・'not'・'lt'・'le'・'eq'・'ne'・'ge' あるいは 'gt' のうちのひとつ。 - PEAR

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film.例文帳に追加

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

Kitaro, a main character of "Ge Ge Ge no Kitaro (Kitaro in the Graveyard)" created by Shigeru MIZUKI, is set as a child of this ghost. 例文帳に追加

水木しげるの『ゲゲゲの鬼太郎（墓場の鬼太郎）』の主人公、鬼太郎はこの幽霊の子供という設定になっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To form a Ge oxide film on a surface of a Ge substrate without generating an in-film deficit.例文帳に追加

膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

The adhesion interfacial layer is formed from a Ge-N or Ge-O-N substance.例文帳に追加

前記粘着界面層は、Ｇｅ−ＮまたはＧｅ−Ｏ−Ｎ物質から形成される。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MI means a first element such as Si, Sn, Ge and Pb.例文帳に追加

ＭＩはＳｉ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｐｂなどの第１の元素を表す。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

This metal complex dendrimer is expressed by the general formula (wherein, M is a metal selected from Al, Zn, Be, Ge and Mg; R_1, R_2 are each H or a 1-8C alkyl, and may be the same or different; and X is a halogen).例文帳に追加

一般式(Mは、Al,Zn,Be,Ge,Ge,Mgから選ばれる金属、R_1及びR_2はH又はC1〜8のアルキル基、R_1及びR_2は同じでも異なっても良く、Xはハロゲン。)で示される。 - 特許庁

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

The Ge semiconductor region is a Ge substrate (11), and the insulating film region is a gate insulating film (12).例文帳に追加

前記Ｇｅ半導体領域はＧｅ基板（１１）であり、前記絶縁膜領域はゲート絶縁膜（１２）である。 - 特許庁

To suppress Ge atom from intruding into a compound semiconductor when a Ge crystal as an intermediate layer is used.例文帳に追加

中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。 - 特許庁

An Sb-Te-Ge alloy is used for a recording layer.例文帳に追加

記録層にＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を用いる。 - 特許庁

To enable to obtain a high quality Ge-based epitaxial film in a large area.例文帳に追加

高品質なＧｅ系エピタキシャル膜を大面積で得ること - 特許庁

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

Sunakake-babaa became instantly famous nationwide by a comic book titled "Ge-Ge-Ge no Kitaro" written by Shigeru MIZUKI, in which Sunakake-babaa is a specter who fights against enemies for justice together with the main character, Kitaro. 例文帳に追加

水木しげるによる漫画『ゲゲゲの鬼太郎』で鬼太郎と共に戦う正義の妖怪としての活躍により一躍、全国的に有名な妖怪となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

"San Amida butsu ge" (Hymns in Praise of Amida Buddha) is a tribute to Amida tathagata in poetic verse. 例文帳に追加

『讃阿弥陀仏偈』…阿弥陀如来への讃美の偈文。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a substrate having a Ge film increased in tensile stress.例文帳に追加

引っ張り応力を高めたＧｅ膜を有する基板を提供する。 - 特許庁

The Au alloy has a chemical composition composed mainly of Au and containing, by mass, 0 to 7% Ag, 2 to 12% Cu, 10 to 18% Pd and 0.05 to 3% Ge.例文帳に追加

Auを主成分として、Agを0〜7mass%、Cuを2〜12mass%、Pdを10〜18mass%、およびGeを0.05〜3mass%含有することを特徴とするAu合金。 - 特許庁

The Ge nanocrystal (510) is synthesized through quick thermal annealing of a Ge+SiO_2 layer (516) sputtered simultaneously.例文帳に追加

Ｇｅナノ結晶（５１０）は、同時スパッタリングされたＧｅ＋ＳｉＯ_2層（５１６）の急速熱アニールにより合成される。 - 特許庁

In the pneumatic tire, the difference Gs-Ge between a groove area ratio Gs when a wear ratio is 0% to a groove area ratio Ge when the wear ratio is 100% satisfies an inequality Gs-Ge≥0.10.例文帳に追加

この空気入りタイヤは、摩耗率０［％］のときの溝面積比Ｇｓと摩耗率１００［％］のときの溝面積比Ｇｅとの差Ｇｓ−ＧｅがＧｓ−Ｇｅ≧０．１０の範囲にある。 - 特許庁

Shearing stress of the Ge island 2 is distributed over an inclined side surface and a periphery of a top surface of the Ge island 2, and dislocation of the Ge island 2 can be moved to the side surface and the periphery of the top surface of the Ge island 2.例文帳に追加

ここでは、Ｇｅアイランド２の剪断応力が、Ｇｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁に分布し、Ｇｅアイランド２の転位をＧｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁まで移動させることができる。 - 特許庁

The Ge concentration may increase gradually as a deposition thickness.例文帳に追加

Ｇｅ濃度は、堆積厚につれて段階的に増加してもよい。 - 特許庁

The semiconductor device has a hole 6a formed on a Ge substrate 2, and an insulating film 6b covering the upper face of the hole and containing Ge.例文帳に追加

Ｇｅ基板２に設けられた空孔６ａと、空孔の上面を覆いＧｅを含む絶縁膜６ｂと、を備えている。 - 特許庁

The recombinant nucleic acid comprises the gE-gene or a part thereof.例文帳に追加

ｇＥ−遺伝子またはその一部から成る再結合核酸。 - 特許庁

To provide a Ge channel element small in hysteresis in a C-V characteristic.例文帳に追加

Ｃ−Ｖ特性におけるヒステリシスの小さなＧｅチャネル素子を得る。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加

ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Preferably, a molar ratio (Ti:Zn+Ge) of titanium (Ti) to zinc and germanium (Zn+Ge) are 1:3 to 3:1.例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）と、亜鉛及びゲルマニウム（Ｚｎ＋Ｇｅ）のモル比（Ｔｉ：Ｚｎ＋Ｇｅ）が、１：３〜３：１であることが好ましい。 - 特許庁

A second reflection surface pair 16, a third reflection surface pair 22, and a fourth reflection surface pair 28 are used for diffracting the X-ray by Ge {400} plane, Ge {422} plane, and Ge {511}plane, respectively.例文帳に追加

第２の反射面ペア１６はＧｅ｛４００｝面、第３の反射面ペア２２はＧｅ｛４２２｝面、第４の反射面ペア２８はＧｅ｛５１１｝面でそれぞれＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁

To provide a method of film-forming a Ge-Sb-Te film capable of obtaining a highly smooth Ge-Sb-Te film by CVD.例文帳に追加

ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for analyzing and measuring a present state and abundance without destroying and contacting in a dopant Ge in a dopant atom dope Ge.例文帳に追加

ドーパント原子ドープＧｅにおけるドーパントのＧｅ中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。 - 特許庁

This Article "Kokushi-shijin" (envoys of provincial governors) provided rules and regulations for a provincial governor to dispatch an envoy carrying a message called "ge" from a lower-ranked official to his superior. 例文帳に追加

国司使人（国司が解を持った使者を派遣する際の規定） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The insulating film 32 functions as a protective film to the Ge oxide film 33 to prevent degradation of the formed Ge oxide film 33.例文帳に追加

絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

The channel layer 40 comprises a Ge granular crystal formed on the drift layer 30 and a cap layer covering the Ge granular crystal.例文帳に追加

チャネル層４０は、ドリフト層３０上に形成されたＧｅ粒状結晶と該Ｇｅ粒状結晶を覆うキャップ層とで構成される。 - 特許庁

To provide a Ge-containing high strength titanium alloy having excellent cold workability.例文帳に追加

冷間加工性に優れたＧｅ含有高強度チタン合金の提供。 - 特許庁

The solder alloy has a composition comprising, by mass, 3.0 to 10.0% Sb, 0.01 to 1.0% Ni and 0.01 to 1.0% Ge, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

Sbを3.0〜10.0質量％、Niを0.01〜1.0質量％、Geを0.01〜1.0質量％含有し、残部はSn及び不可避的不純物からなるものとする。 - 特許庁

A film 31 comprised of a fluorescent material and a film 33 containing, as the constitutional element, at least one element selected from Si and Ge are laminated on a substrate 34.例文帳に追加

蛍光材料からなる膜３１及びSi,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜３３が、基板３４上に積層して配されてなる。 - 特許庁

The color conversion layer containing a rare-earth element, Si or Ge is formed by a dry process.例文帳に追加

希土類元素、ＳｉまたはＧｅを含む色変換層をドライプロセスで形成する。 - 特許庁

The 'O' and 'ge' in her name mean 'a lot of' and 'food' respectively, and she is a deity of grain and food. 例文帳に追加

名前の「オオ」は「多」の意味、「ケ」は食物の意で、穀物や食物の神である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス