「HYBRID INTEGRATED CIRCUIT」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a hybrid integrated circuit device which has a structure capable of preventing a deterioration of solder bonding lifetime or strength under high temperature environment without distinction of material of electronic part and undergoing a surface treatment process.例文帳に追加

電子部品の材料を問わず、また、表面処理工程を行わなくても、高温環境下での強度劣化ははんだ接合寿命の低下を防止できる構造の混成集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a hybrid integrated circuit device which enhanced the reliability of the device, and an ignition coil using it by lowering fatigue of a soldered joint between a board and an element.例文帳に追加

素子と基板のはんだ接合部の疲労を低減することによって装置の信頼性を向上させる混成集積回路装置及びそれを用いた点火コイルを提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of noise by transmission, to a metal substrate, of vibration generated by extension/contraction of a ceramic capacitor by turning on/off a switching transistor, in a hybrid integrated circuit device using a metal substrate.例文帳に追加

金属基板を用いた混成集積回路装置において、スイッチングトランジスタのON、OFFによりセラミックコンデンサが伸縮することにより発生する振動が金属基板に伝達され、ノイズが発生するのを防止する。 - 特許庁

A first insulating resin film 14 is formed thick, breakdown voltage characteristic is improved, by mixing a filler the heat of a heater element is transmitted satisfactorily to a hybrid integrated circuit board 11.例文帳に追加

第１の絶縁樹脂膜１４を厚く形成し、耐電圧特性の向上を改善し、且つフィラーの混入により発熱素子の熱を良好に混成集積回路基板１１に伝えられる様にした。 - 特許庁

The backside of the hybrid integrated circuit board 11 is thinned to the utmost, and fillers 18 are mixed in a second insulating resin film 6.例文帳に追加

第１の絶縁樹脂膜１４を厚く形成し、耐電圧特性の向上を改善し、且つフィラーの混入により発熱素子の熱を良好に混成集積回路基板に伝えられる。 - 特許庁

To provide a hybrid integrated circuit device in which the occurrence of a defective power element can be prevented by lessening a shearing force being generated at the bonding part of the power element and a wire member.例文帳に追加

パワー素子とワイヤ部材とのボンディング部に発生する剪断応力を軽減し、パワー素子の不良の発生を防止する混成集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Since the grooves 13 are provided in the sealing resin 12 sealing the electric circuit formed on the surface of the circuit board 16 from one end to the other end, the occurrence of warping in the hybrid integrated circuit device 10 due to thermal stresses can be prevented.例文帳に追加

従って、回路基板１６の表面に形成された電気回路を封止する封止樹脂１２に、端部から対向する端部まで延在する溝１３を設けることにより、熱応力により混成集積回路装置に反りが発生してしまうのを防止することができる。 - 特許庁

Leads provided in the hybrid integrated circuit device 10 include a lead 28A connected only to the first circuit element 22 mounted to the first circuit board 18, a lead 30 connected only to the second circuit element 24 mounted to the second circuit board 20, and leads 28B connected to both the first circuit element 22 and the second circuit element 24.例文帳に追加

そして、混成集積回路装置１０に備えられるリードには、第１回路基板１８に実装された第１回路素子２２のみに接続されるリード２８Ａと、第２回路基板２０に実装された第２回路素子２４のみに接続されるリード３０と、第１回路素子２２および第２回路素子２４の両方に接続されるリード２８Ｂとを備えている。 - 特許庁

This computer system is loaded with an FM transmitter provided with a hybrid IC structure, for which a digital circuit for frequency modulating audio signals, based on an inputted frequency and an analog circuit for transmitting the frequency modulated audio signals from an antenna to external audio equipment are integrated in hybrid manner.例文帳に追加

入力された周波数に基づいてオーディオ信号を周波数変調するデジタル回路と、当該周波数変調されたオーディオ信号をアンテナから外部オーディオ機器へ伝送するアナログ回路とを混成集積させたハイブリッドＩＣ構造を有するＦＭトランスミッタを搭載するコンピュータシステム。 - 特許庁

To provide a thin film surface acoustic wave device for preventing the damage of a board circuit by a surface acoustic wave element forming process and reducing variation in a parasitic capacity, and to provide a method for manufacturing the device, and a hybrid integrated circuit device.例文帳に追加

弾性表面波素子の形成プロセスによる基板回路の損傷を防止するとともに、寄生容量のばらつきを低減することのできる薄膜弾性表面波デバイス、薄膜弾性表面波デバイスの製造方法及びハイブリッド集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the hybrid integrated circuit device 10 is provided with a removal region 32 by partially removing an insulating layer 20 in the periphery of a through-hole 34 penetrating the circuit board 18, so as to suppress the progress of the crack by this removal region 32.例文帳に追加

更に、混成集積回路装置１０では、回路基板１８を貫通する貫通孔３４の周辺部の絶縁層２０を部分的に除去して除去領域３２を設け、この除去領域３２によりクラックの進行を抑制している。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device 10 is constituted of a circuit board 16 on which an electric circuit composed of a conductive pattern 18 and a circuit element is formed, a sealing resin 12 which covers at least the surface of the circuit board by sealing the electric circuit, and grooves 13 which are extended from one side edge of the sealing resin 12 to the other side edge of the resin 12.例文帳に追加

本発明の混成集積回路装置１０は、導電パターン１８と回路素子とから成る電気回路が表面に形成された回路基板と、前記電気回路を封止して、少なくとも前記回路基板の表面を被覆する封止樹脂と、前記封止樹脂の一側辺から、前記一側辺に対向する他の側辺まで延在する溝とから構成されている。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device 10 mainly includes a circuit board 18 made of a metal, a power substrate 13 formed on an upper surface of the circuit board 18, a control substrate 11 disposed on the upper surface of the circuit board 18 in adjacent to the power substrate 13, and a case material 12 defining a space for sealing with a resin in contact with an upper peripheral surface of the circuit board 18.例文帳に追加

本発明の混成集積回路装置１０は、金属から成る回路基板１８と、回路基板１８の上面に配置されたパワー基板１３と、パワー基板１３に隣接するように回路基板１８の上面に配置される制御基板１１と、回路基板１８の周辺部上面に接触して樹脂封止の為の空間を形成するケース材１２とを主要に備えている。 - 特許庁

The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660.例文帳に追加

光電子集積回路６００は、ＳＯＳ基板６１０のサファイア基板６１１を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜６１１をコアとした光導波路と、該シリコン膜６１１に形成された電子集積回路６４０と、光ファイバ６７０，６８０を固定する溝６２１，６２２とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ６５０およびレーザダイオードアレイ６６０がハイブリッドに搭載される。 - 特許庁

To provide an extremely epochal optical frequency branching filter and an optical device for a hybrid optical integrated circuit capable of realizing the basic output of digital arithmetic operation by branching and conducting an optical signal in accordance with frequency with extremely simple constitution, constituting an optical frequency branching function at extremely low cost and further constituting the hybrid optical integrated circuit by using the optical device having the optical frequency branching function.例文帳に追加

本発明は、極めて簡易な構成で光信号を周波数に応じて分波導出することができ、極めてコスト安に光周波数分波機能を構成できることになり、更に、この光周波数分波機能を有する光学素子を用いてハイブリッド光集積回路を構成することで、デジタル演算の基礎出力とすることもできる極めて画期的な光周波数分波フィルタ及びハイブリッド光集積回路用光学素子を提供するものである。 - 特許庁

The manufacturing method for a hybrid integrated circuit device 10 is constituted such that a first electric conduction film 28A is made to laminate via a first insulating layer 17A, and a first wiring layer 18A is formed by patterning a first electric conduction film 28A.例文帳に追加

本発明の混成集積回路装置１０およびその製造方法は、第1の絶縁層１７Ａを介して第1の導電膜２８Ａを積層させて、第1の導電膜２８Ａをパターニングすることにより、第1の配線層１８Ａを形成する。 - 特許庁

When the semiconductor device is fixed on the semiconductor fixing area 21, a hybrid integrated circuit stably and firmly adhering the semiconductor device is obtained since the thickness of the adhesive 43 applied on the inside of the semiconductor fixing area 21 is uniform by the projections 31, 32, 33, 34.例文帳に追加

半導体素子を半導体固着領域２１に固着する際に、半導体固着領域２１の内部に塗布される接着剤４３の厚さが、突起部３１，３２，３３，３４により、均一になるので、半導体素子を安定且つ強固に接着した、混成集積回路が得られる。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device 10 is provided with a power source 35 on the upper surface of a metal substrate 11 that generates DC voltage of a specified level and an amplifier 36 close to the power source 35 that switches the DC voltage generated in the power source 35.例文帳に追加

本発明の回路装置である混成集積回路装置１０は、所定の電圧の直流電圧を生成する電源部３５が金属基板１１の上面に形成され、電源部３５に接近した位置に、電源部３５により生成された直流電圧のスイッチングを行う増幅部３６が形成されている。 - 特許庁

To achieve stable, high-efficiency optical coupling by enhancing stabilization of optical coupling in a hybrid integrated optical module in which at least two optical circuit boards each having at least either one of an optical waveguide board and an optical function element are mounted on an optical component mounting board.例文帳に追加

光導波路基板と光機能素子の少なくとも１つを有する光回路基板の少なくとも２つを光部品搭載基板上に搭載するハイブリッド集積光モジュールにおいて光結合の安定化を向上させ、安定で高効率な光結合を実現する。 - 特許庁

To prevent a printed board from becoming larger in size due to terminal electrodes for test with which conducting probes are brought into contact when a plurality of printed boards of hybrid integrated circuit devices, etc., is simultaneously manufactured by using a base material substrate and the manufactured printed boards are tested.例文帳に追加

ハイブリッド集積回路装置等のプリント基板２の複数枚を、素材基板１を使用して同時に製作して、そのテストを行う場合に、通電用プローブを接触するテスト用端子電極７を設けることのためにプリント基板が大型化することを防止する。 - 特許庁

To provide a led terminal array, which enables electronic components to be transported by using a stick suitable for automatic mounting, a component- supplying jig, a hybrid integrated circuit device using the jig, a stick for transferring electronic components suitable for automatic mounting of electronic components, and a method and device for mounting electronic components using the stick.例文帳に追加

自動実装に適したスティックを用いた搬送を可能にするリード端子アレイ、部品供給治具、及びこれを用いた混成集積回路装置、並びに電子部品の自動実装に適した電子部品搬送用スティック、さらにはこれを用いた電子部品実装方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

By making the portions where specified leads 39a, 39b whose interval is kept constant connect with a first connection part 53 come in contact with guide pins 46a, 46b provided on the mold, the position of the hybrid integrated circuit substrate 31 can be fixed.例文帳に追加

間隔が一定に保たれた特定のリード３９ａ、３９ｂが第１の連結部５３と連続する部分を、金型に設けられたガイドピン４６ａ、４６ｂに当接させることにより、混成集積回路基板３１の位置を固定することができる。 - 特許庁

In a manufacturing method of a hybrid integrated circuit device of the present invention, a curve surface 31d formed on the back side of a substrate 31 is provided on a lower mold 44 side and a burr 31c formed on the face side of the substrate 31 is provided on an upper mold 45 side, and then a transfer mold is done.例文帳に追加

本発明の混成集積回路装置の製造方法では、基板３１裏面に形成される曲面３１ｄを下金型４４側に、基板３１表面に形成されるバリ３１ｃを上金型４５側に設置しトランスファーモールドする。 - 特許庁

The hybrid integrated optical circuit includes: silicon nanowire waveguides 12a, 12b; and a LiNbO_3 nanowire waveguide 14 which is provided at a position separated from the silicon nanowire waveguides by a distance in which an optical coupling is possible on the same line on which the silicon nanowire waveguides are mounted.例文帳に追加

シリコン細線光導波路１２ａ，１２ｂと、シリコン細線光導波路に対して光結合可能な距離だけ離間してシリコン細線光導波路と一直線上に設けられたＬｉＮｂＯ_３細線光導波路１４とを備える。 - 特許庁

In the hybrid integrated circuit device, a terminal electrode 6 is provided on both the left and right surfaces in the bar-like leg body, and the terminal electrode at both the left and right sides is soldered to a wiring pattern 4 for connecting electronic components formed on the lower surface of the insulating substrate 1, or is adhered by a conductive paste.例文帳に追加

前記端子電極６を，前記棒状脚体における左右両面に設けて，この左右両側における端子電極を，前記絶縁基板１の下面に形成されている前記電子部品接続用配線パターン４に対して半田付けするか，或いは，導電性ペーストにて接着する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a hybrid integrated circuit apparatus wherein assembling processes can be reduced largely, by preparing previously a semiconductor device having an incorporated semiconductor element and thin metal wires, etc., thereinto, and by reducing bonding performed by the thin metal wires in its processes.例文帳に追加

あらかじめ半導体素子、金属細線等を内蔵した半導体装置を準備しておくことにより、工程内の金属細線によるボンディングを減らし、組立工数を大幅に減少できる混成集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain the wiring board which can tightly be joined to a substrate of a protection glass, a resistance body, a Cu plating layer, and a wiring conductor for a ceramic insulating substrate and suitable to a hybrid integrated circuit board equipped with a reliable thick-film resistance body layer.例文帳に追加

セラミック絶縁基板に対して保護ガラス−抵抗体−Ｃｕめっき層−配線導体の基板に対して強固な接合が得られ、信頼性の高い厚膜抵抗体層を具備した混成集積回路基板に適した配線基板を得る。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device is provided with a metal base board 11 provided with an insulation layer 12 on the surface thereof, a conductive pattern 20 provided on the insulation layer 12, and connecting means C grounding the conductive pattern 20 operated as an earth potential, to the metal base board 11.例文帳に追加

表面に絶縁層１２が設けられた金属基板１１と、絶縁層１２上に設けられた導電パターン２０と、導電パターン２０上に実装された回路素子と、接地電位として働く前記導電パターン２０を金属基板１１に接地させる接続手段Ｃとを具備する。 - 特許庁

In the protective structure of a hybrid integrated circuit against external surge voltage employing the gap of print pattern on a substrate, the gap is formed in the direction perpendicular to the surface of the substrate on contrary to the prior art gap of print pattern formed in the lateral direction horizontal to the surface of the substrate.例文帳に追加

混成集積回路の外部サージ電圧に対する保護構造として基板上に印刷パターンのギャップを用いたものにおいて、従来の印刷パターンのギャップが基板面に水平な横方向に形成されていたのに対し、基板面に垂直な方向にギャップを形成することを特徴とする。 - 特許庁

This device for equalizing magnetic lines of force has a magnetic force measuring detecting means 11 of a hybrid integrated circuit comprising a Hall element, an operation amplifying circuit or the like fitted in a casing 1 arranged and fixed on a straight line L1, a detected bias magnetic field means 12 moving on an approximately-straight line L2.例文帳に追加

本発明の磁力線を均一化する装置は、一直線Ｌ１上に配置・固定されたケーシング１に嵌め込まれたホール素子、演算増幅回路等からなる混成集積回路（Ｈｙｂｒｉｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ， すなわちＨＩＣ）の磁力測定検出手段１１と、略一直線Ｌ２上を移動する被検出バイアス磁界手段１２と、を有する。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device 10 is provided with a metal substrate 11 wherein an insulating layer 17 is formed on its surface, a conductive pattern 12 formed on the surface of the insulating layer 17, a circuit element fixed onto the conductive pattern 12, and a lead 14 as an external connection means that is fixed onto the conductive pattern 12 around the metal substrate 11.例文帳に追加

本発明の回路装置である混成集積回路装置１０は、表面に絶縁層１７が設けられた金属基板１１と、絶縁層１７の表面に形成された導電パターン１２と、導電パターン１２上に固着された回路素子と、金属基板１１の周辺部で導電パターン１２に固着された外部接続手段としてのリード１４とを具備する。 - 特許庁

A hybrid integrated circuit device consists of an insulated substrate 10, a thick film circuit 25 formed on a substrate which has the copper conductive films 21 and 22 made by baking the copper conductive pastes 21A and 22A where organic metals have been added to metal powders, and electronic components 38 soldered on the copper conductive films by solders 35 and 36.例文帳に追加

混成集積回路装置は、絶縁性の基板１０と、基板上に形成され銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペースト２１Ａ及び２２Ａを焼成して成る銅導体膜２１及び２２とを含む厚膜回路基板２５と、銅導体膜上にはんだ３５及び３６によりはんだ付けされた電子部品３８とから成る。 - 特許庁

In the semiconductor device used for the hybrid integrated circuit apparatus, especially the semiconductor device having an incorporated power transistor 13 thereinto, the power transistor 13 is fastened onto a heat sink 11 and connected by thin metal wires 16 to a deriving electrode 12 adjacent to the transistor and further, they are molded with an insulation resin 17.例文帳に追加

混成集積回路装置に用いる半導体装置、特にパワートランジスタ１３を内蔵した半導体装置は、ヒートシンク１１上にパワートランジスタ１３を固着し、パワートランジスタ１３と隣接して設けられた取り出し電極１２とを金属細線１６で接続し、絶縁性樹脂１７でモールドされている。 - 特許庁

In the semiconductor device used for the hybrid integrated circuit device, especially the semiconductor device with a built-in power transistor 13, a power transistor 13 is stuck onto a heat sink 11, the power transistor 13 is connected to an adjacent demountable electrode 12 by the small-gauge metal wire 16, and molded with an insulating resin 16.例文帳に追加

本発明では、混成集積回路装置に用いる半導体装置、特にパワートランジスタ１３を内蔵した半導体装置は、ヒートシンク１１上にパワートランジスタ１３を固着し、パワートランジスタ１３と隣接して設けられた取り出し電極１２とを金属細線１６で接続し、絶縁性樹脂１７でモールドされている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor used for the hybrid integrated circuit device or particularly the semiconductor containing a power transistor 13 comprises steps of fixing the power transistor on a heat sink 11, connecting an extracting electrode 12 provided adjacent to the transistor 13 by a fine metal wire 16, and molding them with an insulating resin 17.例文帳に追加

混成集積回路装置に用いる半導体装置、特にパワートランジスタ１３を内蔵した半導体装置は、ヒートシンク１１上にパワートランジスタ１３を固着し、パワートランジスタ１３と隣接して設けられた取り出し電極１２とを金属細線１６で接続し、絶縁性樹脂１７でモールドされている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a large number of semiconductor devices at one time and remarkably improving a manufacturing process and a manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device for realizing simple assembling steps by omitting a wire bonding step of a fine wire or a die bonding step of a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体装置を一度に大量に形成することができ、製造工程および製造コストを大幅に改善することができる半導体装置の製造方法、および金属細線のワイヤーボンディング工程や半導体素子をダイボンディングする工程等を省略し簡素な組み立て工程を実現する混成集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁