「INTER-METALLIC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The generation of a carbonized inter-metallic compound is suppressed by preliminarily decreasing the content of carbon at the friction joining zone.例文帳に追加

摩擦接合部分の炭素量を低減しておくことによって、金属問炭素化合物の生成を抑制する。 - 特許庁

To provide a plating treatment device which is effective for forming metallic films free of voids within grooves or inter-layer connecting holes.例文帳に追加

溝や層間接続孔の内部にボイドのない金属膜を形成するのに有効なめっき処理装置を提供すること。 - 特許庁

To enable to reduce definitely the inter-wiring capacitance of a semiconductor device having the metallic wiring structure with an air-gap.例文帳に追加

エアギャップを有する金属配線構造を備えた半導体装置の配線間容量を確実に低減できるようにする。 - 特許庁

The coating layer 13 in the adhesion region area has an inter-wiring separation region 13A between adjacent metallic wires 51.例文帳に追加

貼合領域において被覆層１３は、隣り合った金属配線５１の間に配線間分離領域１３Ａを有する。 - 特許庁

(b) Components manufactured from metallic matrix composite materials, ceramic matrix, inter-metallic compounds or inter-metallic reinforcing materials that fall under Article 4, item (xii) or components manufactured from the composite materials that fall under item (xv) of the same Article using the resin that falls under item (xiii) of the same Article 例文帳に追加

ロ　第四条第十二号に該当する金属マトリックス複合材、セラミックマトリックス、金属間化合物若しくは金属間化合物強化材料から製造された部分品又は同条第十三号に該当する樹脂を用いて同条第十五号に該当する複合材から製造された部分品 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To prevent the failure of inter-metallic wiring short-circuit in the same layer embedded in a wiring groove even when a film whose mechanical strength is weak such as a carbon content silicon oxide film is used for inter-wiring layer insulating film.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜のような機械的強度の弱い膜を配線層間の絶縁膜に用いても、配線溝に埋め込み形成される同層の金属配線間の短絡不良を防止する。 - 特許庁

Plural metallic wirings 113 are formed on a lower inter-layer insulating film 101 that is mounted on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上に設けられた下層の層間絶縁膜１０１の上に複数の金属配線１１３が形成されている。 - 特許庁

To prevent factors of causing wiring crack, void and broken line in the formation of a wiring at an upper layer part of metallic wires by eliminating a step difference of an inter-layer insulation film covering the metallic wires in the case of forming the metallic wires made of a thick aluminum film on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に厚いアルミニウム膜の金属配線形成した際、それを被覆する層間絶縁膜の段差を取り除く事で、その上層部での配線形成における配線クラック、ボイド、断線の要因を防止する。 - 特許庁

The metallic cylindrical inter-cylinder 18 is press-fitted to the internal peripheral surface of the cylinder member 10 made of synthetic resin, and slipping off preventive bars 30 are projected on the external peripheral surface of the inter-cylinder 18 to bite the internal peripheral surface of the cylinder member 10 for preventing the cylindrical inter-cylinder 18 from slipping off.例文帳に追加

合成樹脂製のシリンダ部材１０の内周面に円筒状の金属製のシリンダ内筒１８を圧入し、このシリンダ内筒１８の外周面には上記のシリンダ部材１０の内周面に食い込んでこのシリンダ内筒の抜け止めをなす抜止突条３０を突設した。 - 特許庁

A carbon content insulating film(third insulating film 106) whose density or carbon density is continuously changing to a thickness direction is used as an inter-layer insulating film between lower layer metallic wiring 104 and upper layer metallic wiring 113.例文帳に追加

下層金属配線１０４と上層金属配線１１３との間の層間絶縁膜として、密度又は炭素濃度が厚さ方向に連続的に変化する炭素含有絶縁膜（第３の絶縁膜１０６）を用いる。 - 特許庁

The supporting substrate 70 is stuck on the element 20 side of the element layer 11 while interposing an inter-layer insulating film 61 and metallic wiring layers 62A, 62B and 62C.例文帳に追加

素子層１１の固体撮像素子２０側には、層間絶縁膜６１および金属配線層６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃを間にして支持基板７０が貼り合わせられている。 - 特許庁

To surely prevent a metallic cylindrical inter-cylinder 18 press-fitted to the internal surface of the cylinder member 10 of a piston cylinder mechanism 3 made of synthetic resin from loosening and reduce production costs.例文帳に追加

合成樹脂製のピストン・シリンダ機構３のシリンダ部材１０の内面に圧入された金属製のシリンダ内筒１８の緩みを確実に防止し、また製造コストを低減する。 - 特許庁

Thus, it is possible to activate the impurity after forming a metallic layer, or a metallic alloy layer, and an inter-layer insulation film on the semiconductor substrate or to activate the impurity, after a process of cladding an adhesive coating film and a support substrate to the semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、例えば、半導体基板上に金属層または金属合金層や層間絶縁膜を形成した後に活性化を行ったり、半導体基板に接着性塗布膜及び支持基板を張り合わせる工程の後に活性化を行うことも可能となる。 - 特許庁

To provide a method by which the addition of a thickness to a diluted zone, required in a conventional overlay welding, is unnecessary, and a metallic composite material is produced which is a combination of materials for which an overlay welding is impossible heretofore because a hard and brittle inter- metallic composite is formed at the diluted zone.例文帳に追加

従来の肉盛溶接で必要であった希釈部の板厚付加を必要とせず、また、従来は希釈部に硬くて脆い金属間化合物を生成して肉盛溶接が不可能であった材質組み合わせの金属複合材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the process, only the solder ball 6 can be heated, an adverse effect is not applied to an IC chip 3, and the solder balls 6 can be restored to an initial state having no inter-metallic compound.例文帳に追加

この工程によれば、半田ボール６のみを加熱でき、ＩＣチップ３に悪影響はなく、また、リペア工程においては、半田ボール６を金属間化合物の無い初期状態に復元できる。 - 特許庁

To provide a means by which a high strength in lap joining can be obtained by suppressing formation of an inter-metallic compound in the joined boundary between overlapped first and second materials to be joined.例文帳に追加

積み重ねられた第１の接合材料と第２の接合材料との接合界面に、金属間化合物が生成するのを抑制し、重ね接合で高強度を得ることができる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a vibration control bush with an inter-ring having superior handling workability by including inter-ring integrated type advantages, requiring no cavity part to be provided on a part of a circumference of an elastic body and causing no complication of a metallic mold structure and no considerable lowering of a static spring constant in the cavity direction.例文帳に追加

インターリング一体タイプの利点を備えて取り扱い作業性が良好であり、しかもそのうえで、弾性体の円周上一部に空洞部を設ける必要がなく、よって金型構造の複雑化や空洞方向における静ばね定数の著しい低下を招くことがないインターリング入りの防振ブッシュを提供する。 - 特許庁

To reduce equipment cost and equipment maintenance cost while enhancing the values of recovered materials by entirely eliminating powdered metallic lock pins and enabling the classification free from inter-inclusion as the pretreatment method for classification and recovery of glass materials and metallic lock pins which are the component members of cathode ray tubes of waste television receivers.例文帳に追加

廃棄テレビジョン受信機のブラウン管の構成部材であるガラス材と金属製固定ピンの分別回収のための前処理方法として、金属製固定ピンの粉末状の発生を皆無にし、且つ相互混入のない分別を可能ならしめ、回収素材の有価性を高める一方、設備費および設備維持費の軽減を図る。 - 特許庁

A thermoelectric conversion material, principally contains an inter-metallic compound, represented by general formula XYZ (where X, Y and Z represent at least one kind of metallic element, respectively), and contains a glass component which contains boron oxide, silicon oxide and alkaline-earth metal oxides such as Ca, Ba, and the like, in the range of less than 15 vol.% (excluding 0 vol.%).例文帳に追加

一般式ＸＹＺ（ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ少なくとも一種の金属元素を示す。）で表される金属間化合物を主成分とし、酸化ホウ素、酸化ケイ素、及びＣａやＢａ等のアルカリ土類金属酸化物を含有したガラス成分が、１５vol％未満（０vol％を含まず。）の範囲で含まれている。 - 特許庁

Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.例文帳に追加

その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁

To provide a novel lubricating oil composition for a metal belt continuously variable transmission capable of achieving a high inter-metal friction coefficient between a belt and a pulley and excellent transmission properties when being used for a metallic belt type continuously variable transmission.例文帳に追加

金属ベルト式無段変速機に用いた場合に、ベルト−プーリー間の高い金属間摩擦係数を達成できる一方、変速特性にも優れた新規な金属ベルト式無段変速機用潤滑油組成物を提供する。 - 特許庁

Since the wiring connecting the circuit boards A and B to each other are composed of the metallic sheets having relatively large areas as compared with the conventional example in which wire-like wiring is used, the inter-line capacitances of the wiring increases and the function of a filter which reduces high-frequency noise can be improved.例文帳に追加

回路基板間で、配線を従来のような針金状でなく面積の比較的広い板状にすることにより、配線の線間キャパシタンスが増加し、高周波ノイズを低減させるフィルタの機能を強めることができる。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

Different kinds of materials composed of pure Ti/copper alloy (inserting material)/cryogenic stainless steel are directly superimposed and then processed by high temperature isotropic pressurization (HIP), so that nonfused joining is performed without forming a reaction layer such as an inter-metallic compound in the contact area.例文帳に追加

純Ｔｉ／銅合金（間挿入材）／極低温用ステンレスからなる異種材を直接重ね合わせ、これを高温等方加圧（ＨＩＰ）することにより、接触箇所に金属間化合物等の反応層を形成させずに無溶解接合する。 - 特許庁

The semiconductor device has a capacitance element composed of an upper electrode 33, a dielectric film 32 and a lower electrode 31, and a semiconductor element, and plugs 9 comprising a high melting-point metallic material are formed in connecting holes formed to inter-layer insulating films on the semiconductor element in the semiconductor device.例文帳に追加

上部電極３３、誘電体膜３２、下部電極３１からなる容量素子と半導体素子とを有し、半導体素子上の層間絶縁膜に形成された接続孔内に高融点金属材料からなるプラグ９を設けた半導体装置である。 - 特許庁

A solar battery element is formed by using a good-conductivity metallic belt as a base material, laminating the film of microcrystal silicon or noncrystal silicon, and further laminating a transparent electrode, and the electric connection thereof is made by surface-activating a projection on a straight line formed on the base material and a metallic film formed on the transparent electrode and making an inter-metal connection between the both.例文帳に追加

良導電性金属帯を基材として微結晶シリコン及びまたは非結晶シリコンを積層成膜し、さらに透明電極を成膜積層して太陽電池素子とし、その電気的な接続を基材に形成する直線上の小突起と、透明電極上に形成する金属膜を表面活性化手段によって表面活性化し両者を金属間接合する。 - 特許庁

A manifold body 40 of each of manifolds M1, M2 for supplying/exhausting fuel gas to/from an inter connector 12 is constituted by stacking a manifold member 44 constituting a metallic gas passage forming member and a manifold connector 45 constituting an insulating material gas passage forming member.例文帳に追加

金属製のガス通路形成部材を構成するマニホールド部材４４と、絶縁材製のガス通路形成部材を構成するマニホールドコネクタ４５を交互に積層することにより、燃料ガスをインターコネクタ１２に給排気するマニホールドＭ１，Ｍ２のマニホールド本体４０をそれぞれ構成する。 - 特許庁

An insulating film 10, formed on the main face side of a semiconductor substrate, is constituted of plural grain-shaped insulating regions 11 made of metallic oxide and an inter-grain insulating region 12 made of amorphous insulating insulators formed among the adjacent grain-shaped insulating regions.例文帳に追加

半導体基板の主面側に形成された絶縁膜１０を有し、絶縁膜１０が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域１１と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域１２と、から構成されている。 - 特許庁

To provide a method of welding different kinds of metals by resistance seam welding, a method capable of removing an oxidized film in a welding boundary while suppressing formation of an inter-metallic compound in the welding process and capable of obtaining strong welding, and also to provide a welding structure of different kinds of meals by such resistance seam welding.例文帳に追加

抵抗シーム溶接による異種金属の接合において、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、このような抵抗シーム溶接による異種金属の接合構造を提供する。 - 特許庁

While metallic wiring formed simultaneously with the film 120 is used for a second wiring pattern 12 from a packaging terminal 160 to a first inter-substrate conduction terminal 170, the wiring is interrupted in the portions exposed from the second substrate 20 and in these portions, the wring formed simultaneously with the first driving electrode 150 is formed.例文帳に追加

実装端子１６０から第１の基板間導通端子１７０への第２の配線パターン１２には、光反射膜１２０と同時形成された金属配線が用いられているが、第２の基板２０から露出部分では途切れており、この部分には、第１の駆動電極１５０と同時形成された配線が形成されている。 - 特許庁

In a base material (10) for a multilayer wiring board, the insulating adhesive layer (15) with the tops (12A) of the bumps exposed or projected therefrom by optically processing a photosensitive insulating material (13) having adhesive properties is formed on the bump forming surface of a metallic layer (11), in which the bumps (12) for the inter-layer conduction are formed to one surface.例文帳に追加

多層配線板用基材（１０）は、片面に層間導通用のバンプ（１２）が形成された金属層（１１）のバンプ形成面に、接着性を有する感光性絶縁材料（１３）を光学処理することでバンプの頂部（１２Ａ）が露出または突出した絶縁接着層（１５）を形成した。 - 特許庁

The band for the timepiece has a plurality of inter-connected links each including at least a first portion formed at least principally of a metallic material and a second portion formed at least principally of an injection moldable material and fixed on the first portion and molded thereover by injection molding.例文帳に追加

本発明により、少なくとも主として金属材料により形成される第１の部分と、少なくとも主として射出成形できる材料により形成され、第１の部分上に射出成形によって成形されて取り付けられる第２の部分を有してなる、相互に接続される複数のリンクを有してなる計時装置用バンドが提供される。 - 特許庁

To solve the problem of inability to secure soundness in a joined part, a problem caused by formation of a brittle and low-strength inter-metallic compound in a joined surface between different kinds of materials in a brazing or welding method, although welding of a jacket material to a different kind of material is required for example in a superconducting coil jacket in an ITER device (nuclear fusion reactor).例文帳に追加

ＩＴＥＲ装置（核融合炉）における超伝導コイル用ジャケット等の超伝導コイルジャケット部では、ジャケット材との異種材接合が必要であるが、異種材接合は、ろう接や溶接法では、接合面に脆く強度の低い金属間化合物が形成するため、接合部の健全性を確保することができない。 - 特許庁

The original plate of lithographic printing plate has an image recording layer comprising an infrared ray-absorbing pigment (A) and a hydrophobic thermoplastic particle (B), on a support, wherein the support is formed by using an aluminum alloy plate in which the density, on the surface, of an inter-metallic compound having a circle-equivalent diameter of 0.2 μm or more is 35,000 pieces/mm^2 or more.例文帳に追加

支持体上に、（Ａ）赤外線吸収色素、および、（Ｂ）疎水性熱可塑性粒子を含む画像記録層を有する平版印刷版原版において、前記支持体が、表面における円相当直径が０．２μｍ以上の金属間化合物の密度が３５０００個／ｍｍ^2以上のアルミニウム合金板を用いて作成されることを特徴とする平版印刷版原版。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁