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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > In Memoryの意味・解説 > In Memoryに関連した英語例文

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In Memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

The memory bank controller specifies use memory banks to be used in the next cycle and unused memory banks not to be used in the next cycle from the instruction address to the very long instruction and information on the number of memory banks relating to the very long instruction, and controls the operation of the unused memory banks not to be used in the next cycle.例文帳に追加

メモリバンク制御装置は、超長命令に対する前述の命令アドレスと、超長命令と関連するメモリバンク数の情報から、次サイクルで使われる使用メモリバンクと次サイクルで使われない不使用メモリバンクを特定し、次サイクルで使われない不使用メモリバンクの動作を制御する。 - 特許庁

In a two dimensional memory which performs read-out and/or write-in of information of a memory unit by the multi-probe, arrangement of memory units has sixfold symmetry, the memory unit has polarity in the prescribed characteristic, or has at least double hierarchical structure sharing symmetry on arrangement of the memory unit.例文帳に追加

マルチプローブによりメモリユニットの情報の読み出しおよび/または書き込みを行う2次元メモリにおいて、メモリユニットの配列に6回対称性を持たせ、メモリユニットに所定の特性において極性を持たせあるいはメモリユニットの配列に対称性を共有する少なくとも2重の階層構造を持たせる。 - 特許庁

Parity data control logic is configured to store and retrieve parity information associated with data stored in the first data memory and the second data memory, the parity data control logic configured to interleave, within the parity memory, parity data associated with data stored in the first data memory with parity data associated with data stored in the second data memory.例文帳に追加

パリティ・データ制御ロジックは、第1および第2のデータ・メモリ内のデータと関連付けられたパリティ情報を記憶して取り出し、パリティ・データ制御ロジックは、第1のデータ・メモリ内のデータと関連付けられたパリティ・データを、前記第2のデータ・メモリ内のデータと関連付けられたパリティ・データと、パリティ・メモリ内でインタリーブする。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a memory cell array divided into plural memory mats, a memory mat selecting circuit 71 selecting a memory mat to be activated, and a burn-in test mode detecting circuit 76 generating a burn-in test mode detecting signal BI being made an active state when a burn-in test is performed.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、複数のメモリマットに分割されたメモリセルアレイと、活性化されるメモリマットを選択するメモリマット選択回路と、バーンイン試験が実施される場合に活性状態となるバーンイン試験モード検出信号BIを生成するバーンイン試験モード検出回路76を備える。 - 特許庁

例文

The access logic reads data from the memory into line buffers for supplying the data stored in the memory to the wavelet transform and to store coefficients in the memory, such that after the data stored at a first pair of lines are read from the memory, they are accumulated in the buffers of the access logic.例文帳に追加

アクセス論理は、メモリに記憶されたデータをウェーブレット変換に供給し且つ、メモリからアクセス論理のバッファへ第1の組のラインに記憶されたデータが読み出された後にメモリ内に係数を蓄積するために、メモリからラインバッファ内にデータを読出す。 - 特許庁


例文

To so mount surely in the connector of a data recorder its memory card mounted in its memory slot as to improve its vibrational safety, in the data reorder whereto its memory cartridge for storing therein its memory card to be a data recording medium is attached removably.例文帳に追加

データ記録媒体となるメモリカードを収容してなるメモリカートリッジを着脱可能となるようにしたデータ記録装置において、メモリスロットへ装着したメモリカードのコネクタへの装着が確実なものとなるようにし、振動に対する安全性を向上する。 - 特許庁

To provide a disk drive apparatus that minimizes a reduction in available memory capacity by controlling data read and write in accordance with the reliability (error history) of a nonvolatile memory without stopping the use of the nonvolatile memory immediately after an error occurs in the nonvolatile memory.例文帳に追加

エラーが発生した不揮発性メモリを即座に使用中止せずに、不揮発性メモリの信頼性(エラー履歴)に合わせてデータの読み書きを制御することで、使用可能なメモリ容量の減少を最小限にすることができるディスクドライブ装置を提供する。 - 特許庁

To enable a defective memory cell to be automatically replaced with a memory cell for redundancy or a memory cell block for redundancy so as to maintain a write-in/erasure characteristic as before, when the writ-in/erasure characteristic of a non-volatile memory cell becomes defective in use of a flash EEPROM.例文帳に追加

フラッシュフラッシュEEPROMの使用時における不揮発性メモリセルの書込み/消去特性が悪くなった場合、書込み/消去特性を以前と同様に維持するように自動的に冗長用のメモリセルまたはメモリセルブロックに置換できるようにする。 - 特許庁

When a memory card in which a program is stored is inserted into a memory slot, a write control part makes a control processor stop, and rewrites the program stored in a rewritable memory into a program stored in the memory card, and releases the stop of the control processor.例文帳に追加

プログラムが格納されたメモリカードがメモリスロットに挿入されると、書き込み制御部は制御プロセッサを停止させ、書き換え可能メモリに格納されたプログラムをメモリカードに格納されたプログラムに書き換えた後、制御プロセッサの停止を解除するようにした。 - 特許庁

例文

As for enlargement control, the asynchronous write control part 0107 controls read-out prohibition from the frame memory 0102 and write prohibition in the line memory 0110 in the vertical direction, and the line memory read control part 0109 executes repeated read-out control of the same data from the line memory 0110 in the horizontal direction.例文帳に追加

拡大制御は垂直方向を該非同期ライト制御部0107が該フレームメモリ0102からの読み出し禁止及び,該ラインメモリ0110への書き込み禁止を制御し,水平方向を該ラインメモリ・リード制御部0109が該ラインメモリ0110から繰り返し同じデータを読み出す制御を行う。 - 特許庁

例文

In S12, a control part (CPU) 10 writes all-white (or all-black) data in the designated area of the memory or in the whole area of the memory, and internally issues a pseudo job that image data are inputted to the designated area of the memory or to the all area of the memory.例文帳に追加

S12において、制御部(CPU)10が、メモリの指定領域またはメモリの全領域に、全白(または全黒)のデータをライトし、そして、擬似的に、メモリの指定領域またはメモリの全領域に画像データが入力されたというジョブを内部で発行する。 - 特許庁

In a memory cell 81 of the memory element 80, a first memory region wherein the quantity of residual ink in the ink cartridge 107K or 107F is assigned in a region where the accessing is applied prior to the accessing to a second memory region wherein read-only data is to be stored.例文帳に追加

また、記憶素子80のメモリセル81において、インクカートリッジ107K、107Fのインク残量が書き換えられる第1の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第2の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

In a memory cell array 1 in which a plurality of memory cells MC are arranged in an array, a specific characteristic of the memory cells MC is controlled, and potentials of word lines wl_0 to wl_m are adjusted on the basis of a distribution of characteristics when the specific characteristic of the memory cells MC is controlled.例文帳に追加

複数のメモリセルMCがアレイ状に配列されたメモリセルアレイ1において、メモリセルMCの特定の特性を制御し、メモリセルMCの特定の特性が制御された時の特性の分布に基づいて、ワード線wl_0〜wl_mの電位を調整する。 - 特許庁

A memory controller is provided to store newest management information in the volatile memory, to store old management information in the first nonvolatile memory, and to store differential data between the newest management information and the old management information in the second nonvolatile memory.例文帳に追加

前記揮発性メモリに最新管理情報を記憶し、前記第1の不揮発性メモリに旧管理情報を記憶し、および前記第2の不揮発性メモリに前記最新管理情報と前記旧管理情報の差分データを記憶するメモリコントローラが設けられる。 - 特許庁

To provide a mobile wireless communication terminal device and a memory managing method that can realize a MAC-hs buffer and an RLC buffer with physically one memory when packet data in MAC-hs PDU units are stored in the MAC-hs buffer and suppress an increase in memory capacity without using any complicated memory control method.例文帳に追加

MAC−hs PDU単位のパケットデータをMAC−hsバッファに格納する際に、MAC−hsバッファとRLCバッファとを物理的に1つのメモリで実現でき、かつ複雑なメモリ制御方法を用いることなくメモリ量の増加も抑制する。 - 特許庁

In spite of the fact that picture data to be additionally recorded is actually stored in an image memory 80, the remaining capacity of the memory for displaying including data amount of the picture data to be additionally recorded in the remaining capacity of the memory is displayed as a memory remaining capacity rate R on a display unit 70.例文帳に追加

実際には画像メモリ80に追加記録するための画データをも記憶しているにも拘わらず、その追加記録するための画データのデータ量をメモリ残量に含めた表示用のメモリ残量をメモリ残量率Rで表示部70に表示している。 - 特許庁

In addition, in a memory cell 81 of the memory element 80, a first memory region for rewriting the ink residual amount in the ink cartridges 107K and 107F is provided so as to be accessed prior to a second memory region for storing the data only to be read out.例文帳に追加

また、記憶素子80のメモリセル81において、インクカートリッジ107K、107Fのインク残量が書き換えられる第1の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第2の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

To extend the life of a flash memory by efficiently enabling storage of the latest learning value in the flash memory.例文帳に追加

効率的に、フラッシュメモリ内に最新の学習値を記憶できるようにすることで、フラッシュメモリを長寿命化する。 - 特許庁

To store an output pattern of a device under test in the main memory, without increasing the band width request for the main memory by a testing apparatus.例文帳に追加

試験装置のメインメモリの要求バンド幅を増やすことなく、被試験デバイスの出力パターンをメインメモリに格納する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device that has a large charge storage amount in terms of an individual memory cell and its production process.例文帳に追加

個々のメモリセルの電荷蓄積量が多い不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control circuit capable of accurately outputting data stored in a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリに記憶されているデータを正確に出力可能なメモリ制御回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a system that set the write protection region of a memory block in a non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置のメモリブロックの書き込み防止領域を設定する装置およびシステムを提供する。 - 特許庁

If the instruction of the branch destination is stored in the instruction cache memory 5, the instruction is read from the instruction cache memory 5.例文帳に追加

命令キャッシュメモリ5に分岐先の命令が格納されている場合、当該命令を命令キャッシュメモリ5から読み出す。 - 特許庁

To simply connect a memory card and to effectively utilize space in an aperture into which the memory card is to be inserted.例文帳に追加

メモリカードを簡単に接続でき、しかも、メモリカードが挿入される開口内の空間を有効利用できるようにする。 - 特許庁

A note number of a key depressed this time and a note number of a key depressed last time are stored in a first memory and a second memory, respectively.例文帳に追加

第1メモリ、第2メモリにはそれぞれ、今回押鍵の鍵のノートナンバ、前回押鍵の鍵のノートナンバが記憶される。 - 特許庁

To realize a high-integrated and high-speed nonvolatile memory stably operating a phase change memory in a short operation cycle time.例文帳に追加

短い動作サイクル時間で、相変化メモリの安定動作を可能とし、高集積な高速不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁

To improve the operability of replacing a memory card or the like in an imaging apparatus using the memory card as a storage medium.例文帳に追加

メモリカードを記憶媒体として使用した撮像装置において、メモリカードの交換などの使い勝手を向上させる。 - 特許庁

Supposed that a memory utilizable capacity is LR, a transmission data amount exceeds the memory utilizable capacity in the segments S1-S3.例文帳に追加

メモリ利用可能容量がLRであるとすると、セグメントS1〜S3で、送信データ量>メモリ利用可能容量となる。 - 特許庁

The method for judging correct lamination of a tape member comprises a step of storing the imaging pattern of the board 2A in a first memory 73 (first memory) before the ACF4 is adhered.例文帳に追加

ACF4が貼付される前の基板2Aの撮像パターンを第1メモリ73(第1のメモリ)に記憶する。 - 特許庁

A DV compression circuit 34 compresses the still pictures in the memory 30 with a DV compression format and writes the still pictures to a track memory 36.例文帳に追加

DV圧縮回路34は、メモリ30の静止画をDV圧縮形式で圧縮し、トラックメモリ36に書き込む。 - 特許庁

A plurality of memory cells are provided in the memory cell region and they are connected by shared word lines and further, coupled to a first level shifter.例文帳に追加

メモリセル領域には複数のメモリセルを設けて共同ワードラインで接続し、さらには第1レベルシフターにカップリングする。 - 特許庁

When data are accumulated in the output data memory 20, the data are written into an external memory under the control of an encoding controller.例文帳に追加

出力データメモリ20にデータが蓄積すると符号化コントローラの制御により、外部のメモリに書き込みを行う。 - 特許庁

Therefore, a virtual failure bit can be inserted to the memory 2 accordingly even when practically no failure bit exists in the memory 2.例文帳に追加

そのため、実際にはメモリ2に故障ビットが存在しない場合でも、メモリ2に仮想的な故障ビットを挿入できる。 - 特許庁

The memory controller performs control such that a data block and the error correction code are written in parallel with the plurality of memory chips.例文帳に追加

メモリコントローラは、データブロック及び誤り訂正符号が複数のメモリチップに並列して書き込まれるように制御する。 - 特許庁

When the USB memory 6 is connected to the communication interface of an image processing device, the data in the USB memory 6 are scanned.例文帳に追加

USBメモリ6を画像処理装置の通信インターフェースに接続したとき、USBメモリ6内のデータがスキャンされる。 - 特許庁

One pipe buffer for retrieving an even segment and its corresponding odd segment by one memory access to the memory is also included in the graphics controller.例文帳に追加

メモリへの1回のメモリアクセスで偶数セグメント及び対応する奇数セグメントを検索する1つのパイプバッファを有する。 - 特許庁

Transfer means transfers the program stored in the read-only memory to random access memory by the program module.例文帳に追加

転送手段は、前記リードオンリーメモリに格納された前記プログラムを、前記プログラムモジュール単位でランダムアクセスメモリに転送する。 - 特許庁

Readout from the second memory into a first memory is executed during the initialization of a STB(set top box) in which the system integrated circuit is built.例文帳に追加

二次記憶から一次記憶への読み出しはシステム集積回路が組み込まれているSTBの初期化時に行われる。 - 特許庁

Further, an output memory control section 107 grasps the storage amount of encode data stored in an output buffer memory 106.例文帳に追加

また出力メモリ制御部107も、出力バッファメモリ106に保持されるエンコードデータの蓄積量を把握する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which circuit area is comparatively small and a holding characteristic of data of a memory cell is improved.例文帳に追加

回路面積が比較的小さく、メモリセルのデータの保持特性を向上させた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a memory control circuit 22 controlling access by a corresponding data memory, a control form is defined according to the configuration information.例文帳に追加

メモリ制御回路(22)は対応するデータメモリのアクセスを制御し、制御形態が構成情報に基づいて定義される。 - 特許庁

To stabilize and secure a data transfer band between a first memory and a second memory to enhance efficiency in the use of the data transfer band.例文帳に追加

第1のメモリと第2のメモリとの間のデータ転送帯域の安定確保を図り、その使用効率を高くする。 - 特許庁

The nonvolatile memory 1 includes a memory cell array 2, a first sense amplifier 3, a second sense amplifier 4, and a write-in part 5.例文帳に追加

不揮発性メモリ1は、メモリセルアレイ2と、第1のセンスアンプ3と、第2のセンスアンプ4と、書き込み部5とを有している。 - 特許庁

In the memory circuit for image, one-dimensional mode and two-dimensional mode are prepared as access modes to a plurality of memory regions.例文帳に追加

画像用メモリ回路は、複数のメモリ領域へのアクセスモードとして、一次元モードと二次元モードとが用意されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MFMOS memory transistor and an MFMS memory transistor, in which precision etching treatment is not required.例文帳に追加

精密なエッチング処理を必要としない、MFMOSおよびMFMSメモリトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To increase-speed of access to a memory cell array in a NAND type flash memory with a floating gate structure.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲート構造のNAND型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイへのアクセスを高速化できるようにする。 - 特許庁

To shorten the time required for recording vehicle information stored in a volatile memory to a non-volatile memory.例文帳に追加

揮発性メモリに記憶されている車両情報を不揮発性メモリに記録するために要する時間を短縮する。 - 特許庁

To improve the shape and characteristics of a ferroelectric capacitor at the terminal end of a memory block in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリブロック終端における強誘電体キャパシタの形状および特性を向上させる。 - 特許庁

The master memory 2 and the slave memory 3 are brought into mirroring constitution by a mirroring control unit 13, in accompaniment to the finish of the initialization.例文帳に追加

また、初期化の終了によりミラー化制御部13によりマスターメモリ2とスレーブメモリ3をミラー化構成にする。 - 特許庁

例文

To provide a nonvolatile semiconductor memory element storing more information while suppressing an increase in a memory region.例文帳に追加

記憶領域の増大を抑制しつつ、より多くの情報を記憶できる不揮発性半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁




  
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