| 意味 | 例文 |
In Memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
TIMING SYSTEM REDUCED IN SKEWNESS FOR WRITE-IN CIRCUIT USED FOR MEMORY CIRCUIT例文帳に追加
メモリ回路において使われる書き込み回路のためのスキューを削減したタイミング方式 - 特許庁
To obtain high interpolation precision, while suppressing increase in the memory quantity in a chrominance converter.例文帳に追加
色変換装置において、メモリ量の増加を抑制しつつ高い補間精度を得る。 - 特許庁
These correction data are stored in a memory device, and used in the later part mounting work.例文帳に追加
これらの補正データは記憶装置に記憶され、その後の部品搭載作業に用いられる。 - 特許庁
Thereby, operation in which write-in is performed for the memory bank B changing a column address is not required.例文帳に追加
メモリバンクBに対しカラムアドレスを変えて書き込みを行うという動作は不要となる。 - 特許庁
Then, the data in a page, other than the specified bytes in the flash memory 14, are sent to the RAM 12.例文帳に追加
次に、フラッシュメモリ14内の指定バイト以外のページのデータをRAM12に送る。 - 特許庁
According to this method, the memory element, high in the efficiency and high in the degree of integration, can be realized.例文帳に追加
これにより、高効率且つ高集積度のメモリ素子を具現することができる。 - 特許庁
A semiconductor integrated circuit 1 is provided with a logic circuit 2 connected to external terminals 10-12, a built-in memory 3 connected to this logic circuit, and a burn-in test circuit 4 writing the prescribed data in the built-in memory when a burn-in test of this built-in memory is performed.例文帳に追加
半導体集積回路1に、外部端子10〜12と接続されたロジック回路2と、このロジック回路と接続された内蔵メモリ3と、この内蔵メモリのバーンイン・テストを行う際に、前記内蔵メモリに所定のデータを書き込むバーンイン・テスト回路4とを設けた。 - 特許庁
In receiving the data from the RF part 20, in the case that the same data as the received data are present in a buffer memory 23, a control part 22a integrates the two pieces of the data, and in the case that the same data are not present in the buffer memory 23, it stores the received data in the buffer memory 23.例文帳に追加
制御部22aは、RF部20からデータを受信したとき、受信データと同一のデータがバッファメモリ23に存在する場合、この2つのデータを統合し、同一のデータがバッファメモリ23に存在しない場合、受信データをバッファメモリ23に格納する。 - 特許庁
In a setup storing mode, when a memory card 27 is arranged in a range communicable with an antenna 26 and setup storing is started, setup data recorded in a built-in memory 25 are transmitted from the antenna 26 and stored in the memory card 27.例文帳に追加
設定保存モード下において、アンテナ26と交信可能な範囲に設定保存カード27を配して設定保存を開始すると、内蔵メモリ25に記録されている設定データは、アンテナ26より送信されて設定保存カード27に保存される。 - 特許庁
In the case of copying an image, it is read in a scanner 10, passed through an image processing LSI 10a and stored in a page memory (image memory) 3a and the stored image in the page memory 3a is read through a printer LSI 11a and recorded and outputted in a printer 11.例文帳に追加
画像をコピーする場合は、スキャナ10で読み取り、画処理LSI10aを経て、ページメモリ(イメージメモリ)3aに格納し、このページメモリ3aの格納した画像をプリンタLSI11aを介して読み取り、プリンタ11で記録出力する。 - 特許庁
Accordingly, a data volume for the CRC code data for the determination that are stored in the code memory unit 15, can be reduced in terms of a data volume in comparison with a method to be used in the conventional technology, in which the whole CRC code data corresponding to the data stored in the data memory unit 14 is stored in the code memory unit 15.例文帳に追加
したがって、データ記憶部14に記憶されるデータに対応する判定用CRC符合データをコード記憶部15に記憶する従来の技術に比べて、コード記憶部15に記憶する判定用CRC符合データのデータ量を少なくすることができる。 - 特許庁
To provide structure of a non-volatile memory TEG in which all memory cells in TEG can be simultaneously operated excluding a memory cell in which a current between a source and a drain is made to flow in the reverse direction when voltage is applied to each TEG electrode.例文帳に追加
各TEG電極に電圧を印加した時にソース・ドレイン間電流が逆方向に導通するメモリセルを除いてTEG内の全メモリセルを同時に動作可能な不揮発性メモリTEGの構造を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device using a TMR element as a memory cell in which a write-in current at the time of write-in for a memory cell can be outputted accurately and temperature dependencies of write-in margin and read-out margin are eliminated.例文帳に追加
メモリセルの書込時の書込電流を正確に出力できるように、そして書込マージン及び読出マージンの温度依存性を排除するようにした、メモリセルとしてTMR素子を使用した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The memory cards 10 are stacked in layers and stored in a cartridge 6, which is loaded in the memory card recorder 5; and the memory cards 101 are supplied in order from the bottom one and recorded or reproduced.例文帳に追加
複数のメモリーカードを層状に積み重ねてカートリッジ6に収納し、このカートリッジ6をメモリーカード記録機5に装着して最下端の一枚から順次メモリーカード101を供給して記録または再生を行なうようにする。 - 特許庁
When inserting a USB memory 35 into the waveform observing apparatus 1, the sixteenth and seventeenth measurement data preserved temporarily in a buffer memory 30 are filed, and stored in a body memory 31 in the stored state in the fourth measurement data file 004.例文帳に追加
波形観測装置1にUSBメモリ35を挿入すると、バッファメモリ30に一時保存されている第16、第17計測データがファイル化されて第4計測データファイル004に収容された状態で本体メモリ31に格納される。 - 特許庁
Map data are stored in a memory 25 for map data, and map data indicating in detail at least part of a map indicated by the map data stored in the memory 25 for map data are stored in an external memory 33a for navigation.例文帳に追加
地図データ用メモリ25には地図データが記憶され、ナビゲーション用外部メモリ33aには地図データ用メモリ25に記憶される地図データが表す地図の少なくとも一部分を、詳細に表す地図データが記憶されている。 - 特許庁
This memory writing device for writing data in a memory whose number of write times is restricted exchanges the high order data with the low order data in the write data on the basis of the prescribed data in the write data and then writes the write data in the memory.例文帳に追加
書込回数に制限のあるメモリにデータを書き込むメモリ書込装置であって、書込データ内の所定データに基づき、前記書込データ内の上位データと下位データとを入れ替えた後、前記メモリに前記書込データを書き込む。 - 特許庁
When reading is performed in a memory block C in the state 2, specified data stored in the second non-volatile memory area 202 is connected to a calculated result held in the volatile memory 204 and is supplied to the electronic apparatus 100.例文帳に追加
状態2で、メモリブロックCの読み出しがあったときに、揮発性メモリ204に保管している演算結果に、第2不揮発性メモリ領域202に記憶されている特定のデータを結合して電子機器100に供給する。 - 特許庁
Also, data in memories 410 and 510 of a new monitoring device slave station are arranged in a master station memory 110 as they are, and common data in which memory data are arranged in the master station memory 110 of the monitoring device master station is finally generated.例文帳に追加
また、新規の監視装置子局のメモリ410,510内のデータは、そのまま親局メモリ110内に並べられ、最終的に監視装置親局の親局メモリ110内に共通のデータが並んだメモリデータが生成される。 - 特許庁
A control part of a cell-phone, for instance, when still image content has been stored in the memory, retrieves still image content related to the still image content stored in the memory this time from among still image contents stored in the memory in the past.例文帳に追加
携帯電話機の制御部は、例えば静止画像コンテンツをメモリに保存した場合、過去にメモリに保存した静止画像コンテンツの中から、今回、メモリに保存した静止画像コンテンツに関連する静止画像コンテンツを検索する。 - 特許庁
To provide a RAID apparatus that utilizes data in a backup memory effectively at a power supply start even in case of anomaly in a nonvolatile memory for holding the reliability of the data in the backup memory at a power supply stop.例文帳に追加
給電停止時に、バックアップメモリ中のデータの信頼性の有無を保持しておく不揮発性メモリに異常が生じた場合でも、給電開始時にバックアップメモリ中のデータを有効に活用するRAID装置の提供。 - 特許庁
Map data is stored in a memory 25 for map data, and map data indicating in detail, at least a part of a map indicated by the map data stored in the memory 25 for map data, is stored in an external memory 33a for navigation.例文帳に追加
地図データ用メモリ25には地図データが記憶され、ナビゲーション用外部メモリ33aには地図データ用メモリ25に記憶される地図データが表す地図の少なくとも一部分を、詳細に表す地図データが記憶されている。 - 特許庁
A constant current circuit 1 and a non-volatile memory cell 2 are connected in series, and writing is performed in the non-volatile memory cell in a write state in a read or retention mode using the connecting point of the constant current circuit 1 and the non-volatile memory cell 2 as an output.例文帳に追加
定電流回路1と不揮発性メモリセル2を直列接続し、前記両者の接続点を出力とし、読出、もしくは保持モードにおいて、WRITE状態の不揮発性メモリセルには書き込みがおきる。 - 特許庁
In addition, the DMAC 43 reads out data from the one-dimensional data access memory 41, and writes the data in the two-dimensional data access memory 10 so that the data read out are disposed in the rectangular area in the logical two-dimensional space of the two-dimensional data access memory 10.例文帳に追加
また、1次元データ・アクセス・メモリ41からデータを読み出し、読み出したデータが2次元データ・アクセス・メモリ10の論理2次元空間における矩形領域に配置されるようにそのデータを2次元データ・アクセス・メモリ10に書き込む。 - 特許庁
On the contrary, the system reads data in 32-bit data from the memory 6 and writes data in 16-bit data in the parallel memories 4.例文帳に追加
逆に、メモリ6からの32ビットデータをリードし、並列のメモリ4には16ビットデータでライトする。 - 特許庁
In step S1, processing in which still picture frame data are segmented from a moving picture signal and are stored in a memory is performed.例文帳に追加
ステップS1は、動画信号より静止画フレームデータを切りだし、メモリに保存する処理を行う。 - 特許庁
In storing data in the NAND type flash memory 11, data are stored by using respective pages in order.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリ11にデータを保存する際、各ページを順番に使用してデータを保存する。 - 特許庁
The numerical data of the data in the C region are added at each time and memorized in D region in the memory 4.例文帳に追加
C領域のデータを各時間毎に数値データを加算していき、メモリ4のD領域に記憶する。 - 特許庁
These outputs are sequentially taken in prescribed times in a sampling time 1, and stored in the memory 112.例文帳に追加
これをあるサンプリング時間1にて所定回数分順次取り込み、記憶装置112に格納する。 - 特許庁
In the step S505, the set current value obtained in the step S504 is stored in a non-volatile memory.例文帳に追加
ステップS505では、不揮発性メモリに、ステップS504で求めた設定電流値Isを格納する。 - 特許庁
In the optical interface module 4, the value is written in a memory section inside the FPGA, which was mounted in its interior.例文帳に追加
光インタフェースモジュール4は、その内部に実装されたFPGA内部のメモリ部にその値を書込む。 - 特許庁
To obtain a nonvolatile semiconductor memory device that is reduced in variation in erasing a characteristic and stabilized in characteristic.例文帳に追加
消去特性の変動が小さく、特性の安定した不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁
In finalizing, the text data is read from the memory, and written as TOC information in the read-in of the CD-R.例文帳に追加
ファイナライズ時、メモリからテキストデータを読み出し、TOC情報としてCD−Rのリードインに書き込む。 - 特許庁
To provide a non-volatile memory in which highly accurate threshold value control can be performed in write-in operation.例文帳に追加
書き込み動作において高精度のしきい値制御を可能とする不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
To suppress an increase in the package area of a semiconductor device having built-in ASIC and memory in one package.例文帳に追加
1つのパッケージにASICとメモリを内蔵する半導体装置のパッケージ面積の増大を抑制 - 特許庁
To register data referred to in a document in a cache memory of a printing apparatus in accordance with the location of reference.例文帳に追加
文書内で参照されるデータを参照場所に応じて印刷装置のキャッシュメモリに登録する。 - 特許庁
A control section takes in destination information stored in an external memory and stores it in an import data storage section.例文帳に追加
制御部は外部メモリーに記憶された宛先情報を取り込んで、インポートデータ記憶部に記憶させる。 - 特許庁
In the gain control circuit, an echo signal is A/D converted and stored in a memory to reduce the level difference in the echo signal.例文帳に追加
エコー信号のレベル差を低減するために、前記エコー信号をA/D変換してメモリに記憶する。 - 特許庁
With the image that has been taken in as a first image, the first image is stored in an internal memory 42 in a step S16.例文帳に追加
取り込まれた画像を第1画像とし、ステップS16で、第1画像を内部メモリ42に記憶する。 - 特許庁
To permit efficient processing by a processor by storing a floating- point number in register form in a memory in both 'Endian' forms according to Endian control bit without conversion from the register form.例文帳に追加
浮動小数点数をレジスタ形式からの変換なくバイエンディアンでメモリに記憶する。 - 特許庁
The download channel is stored in a non-volatile memory or the like in S18, and processing is terminated in S19.例文帳に追加
S18でダウンロードチャネルを不揮発性メモリなどに格納し、S19において処理を終了する。 - 特許庁
Using an assignment changeover circuit, the semiconductor memory stores the first data in the first real memory cell group and stores the second data in the second real memory cell group in a first error correction mode, and stores real data that has different assignment from the first data in the first real memory cell group and stores real data that has different assignment from the second data in the second real memory cell group in a second error correction mode.例文帳に追加
半導体メモリは、割り当て切り替え回路を用いて、第1エラー訂正モード中に、第1データを第1リアルメモリセル群に記憶し、第2データを第2リアルメモリセル群に記憶し、第2エラー訂正モード中に、第1データと割り当てが異なるリアルデータを第1リアルメモリセル群に記憶し、第2データと割り当てが異なるリアルデータを第2リアルメモリセル群に記憶する。 - 特許庁
To provide a memory control system, memory control method, memory control means and control method in the memory control means allowing a data requestor to read data from memory and recognize the abnormality in the data strobe signal upon receiving the data, even when an abnormality occurs in the data strobe signal.例文帳に追加
データストローブ信号に異常が生じた場合であっても、データ要求元がメモリからデータを読み出すことが可能であり、かつ、データ要求元がデータ受取時にデータストローブ信号の異常を認識可能なメモリ制御システム、メモリ制御方法、メモリ制御手段およびメモリ制御手段における制御方法を提供する。 - 特許庁
A USB memory interface part 114 in a host computer 110 and a USB memory controller 126 in a reader writer 120 communicate with each other by transmission protocols in a USB memory, and the USB memory controller 126 transmits information read from an IC card or an IC tag 130 to the USB memory interface part 114.例文帳に追加
ホストコンピュータ110内のUSBメモリインタフェース部114とリーダライタ120内のUSBメモリコントローラ126とは、USBメモリの伝送プロトコルにより互いに通信を行い、USBメモリコントローラ126は、USBメモリインタフェース部114に対して、ICカード又はICタグ130から読み取られた情報を送信する。 - 特許庁
In a memory checking apparatus (cellphone) having a ROM 16 and a RAM 14 for a CPU 11 provided with a built-in memory 13, a check flag area 131 for setting the timing of checking the memory check and for storing a check flag for setting the status of the memory check is provided inside the built-in memory 13.例文帳に追加
内蔵メモリ13を設けたCPU11に対してROM16およびRAM14を有するメモリチェック装置(携帯電話機)において、メモリチェックのチェックタイミングを設定し、かつそのメモリチェック状況を設定するチェックフラグを記憶するチェックフラグエリア131を前記内蔵メモリ内13に設けている。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes a plurality of memory mats MAT0 to MAT8 arranged in line and a column of sense amplifier array SAA disposed between the neighboring memory mats, and activates each dummy word line DWL in the memory mats neighboring to the selected memory mat by responding to an activated word line WL in the selected memory mat.例文帳に追加
一列に配列された複数のメモリマットMAT0〜MAT8と、隣り合うメモリマットの間に配置されたセンスアンプ列SAAとを備え、選択されたメモリマットにおけるワード線WLの活性化に応答して、当該選択されたメモリマットの隣にあるメモリマットにおけるダミーワード線DWLを活性化する。 - 特許庁
When one threshold level out of the plurality of threshold level is written in a first memory cell in the memory cell array, a slightly lower threshold level than the original threshold level is written, when write is not performed continuously for a second memory cell being adjacent to the first memory cell, the original threshold level is written in the first memory cell.例文帳に追加
制御回路は、メモリセルアレイ内の第1のメモリセルに複数の閾値レベルのうちの1つの閾値レベルを書き込むとき、本来の閾値レベルより僅かに低い閾値レベルに書き込み、第1のメモリセルと隣接する第2のメモリセルに連続して書き込みが行なわれない場合、第1のメモリセルに本来の閾値レベルを書き込む。 - 特許庁
Measured data stored in the measured data memory 120b_1 is corrected based on reference data stored in the reference data memory 120b_2, stored in a corrected data memory 120b_3, and the remaining capacity of the fuel cell is obtained from output of the corrected data memory 120b_3 and output of the measured data memory 120b_1.例文帳に追加
そして、基準データ記憶部120b_2 に記憶された基準データに基づいて、測定データ記憶部120b_1 に記憶された測定データが補正されて補正データ記憶部120b_3 に記憶され、その出力と上記測定データ記憶部120b_1 の出力から燃料電池の残容量が求められる。 - 特許庁
This PU 11 carries a MMU 20 provided with an area decoder 21 allowing access of a built-in memory 1 based on address data showing the built-in memory 1 and a cache control function 22 allowing the built-in memory 1 to access as a cache memory based on address data of an external memory 2.例文帳に追加
内蔵メモリ1を、内蔵メモリ1を示すアドレスデータに基づきアクセスすることを可能とする領域デコーダ21と、内蔵メモリ1を、外部メモリ2のアドレスデータに基づきキャッシュメモリとしてアクセスすることを可能とするキャッシュ制御機能22とを備えたMMU20を搭載したPU11を提供する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|