「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

Since each of the nonvolatile memory elements in the memory cell array 102 has memory-function films on both sides of a gate electrode, the gate insulating film can be thin for the miniaturization to shrink the circuit area of the memory cell array 102.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０２の不揮発性メモリ素子は、ゲート電極の両側にメモリ機能膜を有するので、ゲート絶縁膜を薄くして微細化を行なって、メモリセルアレイ１０２の回路面積を縮小できる。 - 特許庁

A memory access management device 3 which uses a flash memory 11 as a memory device is provided with a data operation region (access buffer 15) and a flash memory wiring region (copy buffer 17) in a RAM 9.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１を記憶装置として用いるメモリアクセス管理装置３であって、ＲＡＭ９にデータ操作用領域（アクセスバッファ１５）とフラッシュメモリ書き込み用領域（コピーバッファ１７）を設ける。 - 特許庁

To reduce package size furthermore in an MCP semiconductor memory device where a stacked memory chip consisting of a plurality of stacked memory chips and a memory control chip are juxtaposed on a substrate.例文帳に追加

積層された複数のメモリチップからなる積層メモリチップとメモリコントロールチップとを基板上に並置した構成のＭＣＰ型半導体メモリ装置において、パッケージサイズの更なる小面積化を実現する。 - 特許庁

Each DRAM 10 comprises a memory cell array 50, saving address register 12, 14 for storing the defective address information, and a redundant memory cell 11 to be substituted for a defective memory cell in the memory cell array 50.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１０は、メモリセルアレイ５０と、不良アドレス情報を格納するための救済アドレスレジスタ１２、１４と、メモリセルアレイ５０の欠陥があるメモリセルに対して代替される冗長メモリセル１１と、を有する。 - 特許庁

To accurately diagnose a memory size and conduct the diagnosis as to whether the memory operates normally or not even in the case where a physical memory configuration of an option substrate is inconsistent with the size of a memory block to be diagnosed.例文帳に追加

オプション基板の物理的なメモリ構成と診断するメモリブッロクのサイズと一致しない場合においても、メモリサイズを正確に診断し、かつメモリが正常に動作しているかの診断を行なう。 - 特許庁

When a second command is outputted by the CPU when the first command is being processed by the memory controller chip, the logic circuit responds to the memory controller chip by making the second memory hold the second command in the second memory.例文帳に追加

メモリコントローラチップが第１のコマンドを処理している時にCPUが第２のコマンドを出した場合には、論理回路はメモリコントローラチップにその第２のコマンドを第２メモリに保持させることによって応答する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of simply and easily controlling the setting of a reference memory cell when a value stored in a core memory cell is determined based on the reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを基にコアメモリセルに記憶されている値を判定する際に、リファレンスメモリセルの設定の制御を簡単かつ容易にすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

As a semiconductor memory, a SRAM10 is provided with a memory cell array 11 made of a plurality of memory cells 21 and a timing control circuit 18 which conducts timing control to make access to the data in the memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置としてのＳＲＡＭ１０は、複数のメモリセル２１からなるメモリセルアレイ１１と、該メモリセルのデータにアクセスするためのタイミング制御を行うタイミング制御回路１８とを備える。 - 特許庁

The memory macro operation setting circuits are provided within the plurality of respective memory macros to set the operating statuses of the memory macros in response to the memory macro operation specification signals supplied from the macro-compatible common register.例文帳に追加

上記メモリマクロ動作設定回路は、複数のメモリマクロ中にそれぞれ設けられ、前記マクロ間共通レジスタから供給されるメモリマクロ動作規定信号を受けてメモリマクロの動作状態を設定する。 - 特許庁

In a multi-probe two dimensional memory system, a relative position of the multi-prove and the two dimensional memory is controlled based on a recording signal from the memory unit itself and a recording signal from whole arrangement of the memory unit.例文帳に追加

マルチプローブ２次元メモリシステムにおいて、マルチプローブと２次元メモリとの相対位置をメモリユニット自身からの記録信号やメモリユニットの配列全体からの記録信号などに基づいて制御する。 - 特許庁

To provide a device for not changing the number of external pins from the time before incorporation even at the time of incorporating a shared memory by incorporating the shared memory in one control LSI and switching signals from the circuit of the control LSI to the incorporated memory and the signals from the outside to the incorporated memory by an operation mode.例文帳に追加

他のＬＳＩと共用するメモリを一つのＬＳＩに内蔵すると、そのＬＳＩのピン数は、内蔵したメモリのピン数分だけ増加して、小型化の効果を損なう。 - 特許庁

To manage the free space of a buffer memory through a small memory space and easily determine an overflow of the buffer memory, in a chain system buffer memory device and a free space management method therefor.例文帳に追加

チェーン方式によるバッファメモリ装置及びその空き領域管理方法に関し、バッファメモリの空き領域の管理を少ないメモリ領域で行い、また、バッファメモリのオーバーフローを簡易に判定可能にする。 - 特許庁

An image input/output system 100 has a mode memory downloading function for acquiring a mode memory registered in another digital copying machine 403 on a LAN 400, so as to register the mode memory as a mode memory of the system itself.例文帳に追加

画像入出力システム１００は、ＬＡＮ４００上の他のデジタル複写機４０３に登録されているモードメモリを取得して自装置のモードメモリとして登録するためのモードメモリダウンロード機能を有する。 - 特許庁

To achieve efficient image-formation in an image forming apparatus where a memory mounted imaging cartridge on which a memory is mounted and a memory non-mounted imaging cartridge on which a memory is not mounted exist.例文帳に追加

メモリが搭載されたメモリ搭載イメージングカートリッジと、メモリが搭載されていないメモリ不搭載イメージングカートリッジとが存在する画像形成装置において、効率のよい画像形成が行えるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which replacement efficiency when a defective memory cell is replaced by a redundant memory cell and redundancy selecting speed when a redundant memory cell is selected can be selectively changed.例文帳に追加

不良メモリセルを冗長メモリセルに置換する際の置換効率と冗長メモリセルを選択する際の冗長選択スピードとを選択的に変更できるようにした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory unit which continues to normally operate using the semiconductor memory without exchanging the semiconductor memory even when a defective cell occurs in the semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリに不良セルが生じた場合でも、半導体メモリを交換することなく半導体メモリを用いた装置は正常な動作を続けることができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To correctly transmit a signal waveform to a memory bus up to a minimum installing time from a maximum installing time of memory modules in a computer system having a plurality of memory slots for installing the memory modules.例文帳に追加

メモリモジュールを装着する複数のメモリスロットを備えたコンピュータシステムにおいて、メモリモジュールの最大装着時から最小装着時まで、メモリバスに信号波形が正しく伝送されるようにする。 - 特許庁

To increase the number of memory dial registration items by assigning memory areas used for a simple automatic answering function to memory areas used for memory dial in the case that the simple automatic answering function is not required.例文帳に追加

本発明は、簡易留守録音機能を必要としない場合に簡易留守録音機能で使用するメモリをメモリダイヤルで使用するメモリに割り付けることで、メモリダイヤル登録件数を増やすことにある。 - 特許庁

A memory usage rate monitor means 2 acquires memory usage rate data of a CPU built in the exchange 4 from the exchange 4 and outputs a memory usage rate fault signal when the memory usage rate data exceeds a threshold.例文帳に追加

メモリ使用率監視手段２は交換機４内蔵のＣＰＵのメモリ使用率データを交換機４から取得し、メモリ使用率データがしきい値を超えたときメモリ使用率異常信号を出力する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell capable of electrically obtaining operation of a nonvolatile memory in simple structure by means of an organic transistor, nonvolatile memory and control method of the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

有機トランジスタにより簡単な構造で電気的に不揮発性メモリの動作が得られる不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system which includes a memory controller equipped with an address-scrambling function to a flash memory device which stores 2N+1 bit data, and also provide a method for scrambling address data in the memory system.例文帳に追加

２Ｎ＋１ビットデータを格納するフラッシュメモリ装置に対するアドレススクランブル機能付きメモリ制御器を含むメモリシステム、およびそのメモリシステムにおいてアドレスデータをスクランブルする方法を提供する。 - 特許庁

In electronic equipment incorporating a flash memory 2, this equipment is provided with an auxiliary non-volatile memory 10 for recording the information of a bus for connecting the flash memory 2 and a control part for controlling that memory at prescribed timing.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリを内蔵する電子機器において、フラッシュメモリとそれを制御する制御部とを接続するバスの情報を、所定のタイミングで記録する補助不揮発性メモリを有する。 - 特許庁

The CPU 9 transfers the arithmetic results to be recorded in the memory 14 to a predetermined location of the memory 8 via the CPU bus 10 and the bus conversion part 12 after transferring the data from the memory 7 to the memory 8.例文帳に追加

ＣＰＵ９は、メモリ７からデータをメモリ８に転送した後、メモリ１４に記録される演算結果をＣＰＵバス１０及びバス変換部１２を介してメモリ８の所定の位置に転送する。 - 特許庁

Vertical transistors (SV0, SV1) and a memory block having memory cells constituted of memory elements (PCM0, PCM1), in which the resistance value changes with the temperature given to the upper parts, are laminated, and a non-volatile memory of high integration is formed.例文帳に追加

縦型トランジスタ(SV0,SV1)と、その上方に与えられる温度によりその抵抗値が変化する記憶素子(PCM0,PCM1)で構成されるメモリセルを有するメモリブロックを、積層させ、高集積な不揮発メモリを実現する。 - 特許庁

Evaluating memory allocation in the multi-node computer including calculating, in dependence upon a normalized measure of page frame demand, a weighted coefficient of memory affinity, the weighted coefficient representing desirability of allocating memory from the node, and allocating memory, may include allocating memory in dependence upon the weighted coefficient of memory affinity.例文帳に追加

ページフレームデマンドの正規化された尺度、すなわちノードからのメモリ割当ての好ましさを表すメモリ親和性の重み付けされた係数に基づいて計算することと、メモリを割当てることを含む、マルチノードコンピュータのメモリ割当てを評価することは、メモリ親和性の重み付けされた係数に基づいてメモリを割当てることを含むことができる。 - 特許庁

A semiconductor memory in the present invention comprises: a memory cell array 100 including multiple memory cells which are arranged in a form of matrix and are capable of accumulating an electric charge; row selection means for selecting a memory cell in a row direction of the memory cell array; and write control means for writing data by applying a write pulse to the memory cell selected by the row selection means.例文帳に追加

本発明の半導体メモリは、行列状に配列され、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイ１００と、メモリセルアレイの行方向のメモリセルを選択する行選択手段と、行選択手段によって選択されたメモリセルに書込みパルスを印加することによってデータの書込みを行う書込み制御手段とを有する。 - 特許庁

In a memory card attachment where one slot is shared by at least two memory cards different in thickness and size this lock device for the memory attachment is characteristically equipped with a lock device for blocking entry of another memory card by projecting, when one of the memory card is located in the slot, to an empty space of the slot by pressing of the one of the memory cards.例文帳に追加

１つのスロットを厚さと大きさの異なる少なくとも２つのメモリカードが共用するメモリカードアタッチメントにおいて、１のメモリカードがスロット中にある時、該１のメモリカードの押圧で該スロットの空きスペースに突出して他のメモリカードの進入を阻止するロック装置を具備することを特徴とするメモリカードアタッチメントのロック装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a plurality of semiconductor memory chips and capable of improving reliability by dealing with a failure of a semiconductor memory chip while dealing with variation in the capacity of a usable memory area in each semiconductor memory chip, and avoiding an increase in the number of writes to the semiconductor memory chips.例文帳に追加

複数の半導体記憶チップを備える半導体記憶装置において、各半導体記憶チップにおける使用可能な記憶領域の容量のばらつきに対応しながら、半導体記憶チップへの書き込み回数が増大するのを抑制しつつ、半導体記憶チップの故障に対応して信頼性を向上可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加

前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁

In the mobile station of a train radio system, a memory region for editing is provided on a memory of a control unit, in addition to a memory region for operation, thereby operation and editing are performed simultaneously.例文帳に追加

列車無線システムの移動局において、制御部のメモリに、運用のメモリ領域とは別に、編集用のメモリ領域を設け、運用と編集を同時に行うことを特徴とする。 - 特許庁

Before the post-processing test of a flash memory 1 is performed, data of chip codes stored in each flash memory 1, defective block information, etc. are stored in each memory 30 while using pattern data as address data.例文帳に追加

フラッシュメモリ１の後工程試験を行う前に、各メモリ３０は、パターンデータをアドレスデータとして用いて、各フラッシュメモリ１に記憶されたチップコード、不良ブロック情報等のデータを記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which is provided with a second regular memory domain for storing a rewriting program or the like in addition to a first regular memory domain for storing data, and small in chip area.例文帳に追加

データを格納する第１の正規メモリ領域の他に書換えプログラム等を格納する第２の正規メモリ領域を備え、かつチップ面積の小さな半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory domain in which the rewritten data is written is determined by referring to the vacant information flags of the deletion table and rewriting is not performed in the same memory domain as the memory domain before rewriting.例文帳に追加

書き換えデータを書き込むメモリ領域は消去テーブルの空き情報フラグを参照して決定し、書き換え前のメモリ領域と同じメモリ領域で書き換えを行わない。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device provided with a mechanism in which the specific memory domain of a single product and the specific memory chip of an MCP product decided to be defective in a test process are separated.例文帳に追加

テスト工程において不良と判定された単体製品の特定メモリ領域やＭＣＰ製品の特定メモリチップを切り離す機構を備えた半導体記憶装置を得ること。 - 特許庁

A memory array 16 outputs fail data stored in the address of memory units A-D when an address is inputted or writes inputted fail data in the address of the memory units A-D.例文帳に追加

メモリアレイ１６は、アドレスが入力されると、メモリユニットＡ〜Ｄの該アドレスに記憶されているフェイルデータを出力するか、または、入力されたフェイルデータをメモリユニットＡ〜Ｄの該アドレスに書き込む。 - 特許庁

The controller 150 is allocated in the main circuit board 110 to control the memory 120, and memory information is provided to the display 130 to display the memory information in the unit.例文帳に追加

コントローラ１５０はメイン回路基板１１０に配置され、メモリチップ１２０を制御し、そのメモリ情報を表示ユニット１３０に提供して該ユニットにメモリ情報を表示させる。 - 特許庁

Memory cells are three-dimensionally arranged in the inside of a solid-like medium which is not in contact with a surface of the medium, and the memory cell has resonance characteristics to electromagnetic waves depending on the space coordinates of the memory cell.例文帳に追加

固体状の媒体の表面に接していない内部に、３次元的にメモリセルを配置しメモリセルに、その空間座標に依存した電磁波の共鳴特性を持たせる。 - 特許庁

The moving picture data are written in a memory area for reproducing moving picture and the other data are written in different memory areas from the memory areas for moving picture reproduction on the basis of the identification information ID.例文帳に追加

この識別用情報ＩＤに基づいて、動画データは動画再生用のメモリエリアに書き込み、その他のデータは前記動画再生用のメモリエリアとは別個のメモリエリアに書き込む。 - 特許庁

Thus, since the address of the defective memory present in the memory areas for the 16 word lines is stored in the second memory array 2, the addresses of the defective memories of a wider range are stored.例文帳に追加

このように、ワード線１６本分のメモリ領域内に存在する欠陥メモリのアドレスを第２のメモリアレイ２に格納することから、より広い範囲の欠陥メモリのアドレスを記憶できる。 - 特許庁

In the composite memory chip and the data transfer method, data transfer between built-in memory devices is performed through a data transmission line shared by the memory devices.例文帳に追加

前述した本発明の複合メモリチップおよびデータ移動方法によれば、内蔵されるメモリデバイス間のデータ移動は、前記メモリデバイスによって共有されるデータ伝送ラインを介して行われる。 - 特許庁

The memory controller 106 resets the CPU in the computer, and allows the CPU to start accessing at a specified place (recognized by the memory controller with respect to the CPU) in the memory.例文帳に追加

メモリコントローラ１０６は、ＣＰＵをコンピュータにおいてリセットし、ＣＰＵがメモリの特定の場所（ＣＰＵに対してメモリコントローラによって識別される）でアクセスを開始できるようにする。 - 特許庁

For memory cell transistors M11-Mmn, the neighboring memory cell transistors are connected in common to the drain lines D1, D2, etc., and the other neighboring memory cell transistors are connected in common to the source lines S1, S2, etc.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭ11〜Ｍmnは、隣接メモリセルトランジスタどうしがドレイン線Ｄ1 ，Ｄ2 ，・・・に共通接続され、他方の隣接メモリセルトランジスタどうしがソース線Ｓ1 ，Ｓ2 ，・・・に共通接続される。 - 特許庁

Then, the local memory 22 is divided into two, and the same data are stored in each of the memory areas, and the data are doubled in order to collateralize the RAS function of the local memory divided so as to be used.例文帳に追加

そして分割使用可能とされたローカルメモリのRAS機能を担保するため、ローカルメモリ領域２２を２分割しそれぞれのメモリ領域に同じデータを記憶させてデータを二重化する。 - 特許庁

A flag storage unit 202 stores multiplex flags indicating whether or not the parameters stored in the memory blocks should be multiplexed and stored in also other memory blocks by associating the flags with the respective memory blocks.例文帳に追加

フラグ記憶部２０２はメモリブロックに記憶されたパラメータを他のメモリブロックにも多重化して記憶するか否かを示す多重化フラグを各メモリブロックに対応付けて記憶する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which determination of normal/defective states of a memory cell can be performed in a short time without applying stress to the memory cell.例文帳に追加

メモリセルにストレスをかけることなく、短時間にメモリセルの良否判定を行うことができる強誘電体メモリ装置および強誘電体メモリ装置のスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁