「N-source」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The FET 101 has an n type well 122, a gate electrode 124, a source layer 125 and a drain layer 126.例文帳に追加

ＦＥＴ１０１は、ｎ型ウェル１２２，ゲート電極１２４，ソース層１２５及びドレイン層１２６を有している。 - 特許庁

A light source drive circuit 40 drives light sources 31-1 to 31-n corresponding to first to n-th regions.例文帳に追加

光源駆動回路４０は、第１領域から第ｎ領域までに対応する光源３１−１〜３１−ｎを駆動する。 - 特許庁

The p^+-type diffusion layer 3p forms the source/drain of an MIS transistor, and the n^+-type diffusion layer 4n forms a tap TP1.例文帳に追加

ｐ^＋型拡散層３ｐはＭＩＳトランジスタのソース／ドレインを構成し、ｎ^＋型拡散層４ｎはタップＴＰ１を構成する。 - 特許庁

In the well region 11, an N+ source/drain region 152 is stretched outside from the vicinity of the end of the insulating film 14.例文帳に追加

ウェル領域１１において側壁絶縁膜１４の終端近傍から外側にＮ^+ ソース，ドレイン領域１５１が延在している。 - 特許庁

Around the noise source 1, N-pieces of additional sound sources 3 and a sound pressure evaluating microphone 6 for detecting the sound pressure at the microphone placing position are arranged.例文帳に追加

騒音源１の周囲には、Ｎ個の付加音源３と、配置位置における音圧を検出する音圧評価用マイクロホン６が配置される。 - 特許庁

A probe 40 supplies the source voltage V to one of the plurality of bonding pads 4-1 to 4-(n+1) in the probe test.例文帳に追加

プローブ４０は、プローブテスト時に複数のボンディングパッド４−１〜４−（ｎ＋１）のうちの１つに電源電圧Ｖを供給する。 - 特許庁

Thereafter, source/drain diffusion layers 22a, 22b are formed deeper than the N-type diffusion layer 17.例文帳に追加

その後、非シリサイド領域２４を除く部位に、Ｎ型拡散層１７よりも深く、ソース／ドレイン拡散層２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR OBTAINING LIGHT/HEAT SOURCE BY FOCUSING/ CONCENTRATING SUNLIGHT BY USING ONE OR N REFLECTING MIRRORS LAUNCHED ON SATELLITE ORBIT例文帳に追加

衛星軌道上に打ち上げた１個又はｎ個の反射鏡を用いて、太陽光を集束・集中せしめ、光・熱源を得る方法。 - 特許庁

Furthermore, an n- layer 28 and a p- layer 30 for serving as a source and a drain, respectively, are made within the semiconductor substrate 2 on both sides of the gate electrode 22.例文帳に追加

さらに、ゲート電極２２の両側の半導体基板２内にソース、ドレインとなるｎ^−層２８、ｐ^−層３０を形成する。 - 特許庁

A field insulating film 15 is disposed on the surface of a semiconductor substrate 1, between the gate insulating film 7 and an N+ source region 11s.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７とＮ＋ソース領域１１ｓの間の半導体基板１表面にフィールド絶縁膜１５配置されている。 - 特許庁

Thus, n-type impurities are subjected to ion implantation in the opened drain/source formation regions by using the resist R15A as it is without removing it.例文帳に追加

レジストＲ１５Ａを除去することなくそのまま用いて、開口したドレイン／ソース形成領域にｎ形不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A region where a source electrode 10 is in contact with a channel layer 7 is formed over the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

また、このｎ型半導体層２１，２の上の領域には、ソース電極１０とチャネル層７とが接する領域が設けられている。 - 特許庁

A converter ψ 11 generates a feature vector y=[y_1, ..., y_m] by a function ψ from an information source of an n-th dimensional input vector.例文帳に追加

変換器ψ１１は、ｎ次元入力ベクトルの情報源ｘから関数ψにより特徴ベクトルｙ＝［ｙ_１，・・・，ｙ_ｍ］を生成する。 - 特許庁

When a radiation source 24 is slanted, distances where the radiation transmitted through breasts N travels to reach the radiation detector 32 partially vary.例文帳に追加

また、放射線源２４が傾けられると、乳房Ｎを透過した放射線が放射線検出器３２に到達するまでの距離が部分的に異なる。 - 特許庁

An N-type impurity region (source/drain region) 13 is formed on a P-type semiconductor substrate 11 separated by a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１上にチャネル領域１２を隔ててＮ型の不純物領域（ソース・ドレイン領域）１３が形成されている。 - 特許庁

In a light source unit 10, the plural beam P(n) of a lead frame 23 are protruded outside from the inside of a package 20.例文帳に追加

光源ユニット１０では、リードフレーム２３の複数のリードＰ（ｎ）が、パッケージ２０の内部から外部に突出している。 - 特許庁

A channel region is positioned in the surface layer of a silicon substrate 1 and is sandwiched in between N-type source/drain regions 31.例文帳に追加

シリコン基板１の表面層にチャネル領域が位置し、このチャネル領域を挟むようにＮ型ソース／ドレイン領域３１が形成されている。 - 特許庁

A voltage source 11b applies a potential higher than the potential of the p^+ diffusion layer 43 to the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven.例文帳に追加

電圧源１１ｂは、駆動対象のセルを除く他のセル中のＮ^＋拡散層４１に対して、Ｐ^＋拡散層４３よりも高い電位を与える。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 9 is formed which has a contact hole 9a reaching the n-type source/drain region 4.例文帳に追加

このｎ型ソース／ドレイン領域４に達するコンタクトホール９ａを有する層間絶縁層９が形成される。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

The registered member Z receives a specific incentive by the sales source from all the registered members in the 1st to Pth zones (P<N).例文帳に追加

登録会員Ｚは、第１ゾーンから第Ｐゾーン（Ｐ＜Ｎ）までのすべての登録会員から所定のインセンティブを販売元から受け取る。 - 特許庁

Length-n random uncompressed source data are drawn according to a distribution p_x(x), and serve as input data to an encoder.例文帳に追加

長さｎの無作為の解凍されたソースデータは、分布ｐ_ｘ（ｘ）にしたがって描かれ、エンコーダへの入力データとして働く。 - 特許庁

Consequently, electrostatic that has entered from an electrical source terminal 1 passes through the n-channel transistor 3 to a ground line 1 (L2).例文帳に追加

これにより、電源端子１から入った静電気は、Ｎチャネルトランジスタ３を通してグランドライン１（Ｌ２）へ逃げる。 - 特許庁

The protruding directions of these leads P(n) is the optical axial direction of a laser lean emitted from the light source unit 10.例文帳に追加

これらのリードＰ（ｎ）の突出する方向は、光源ユニット１０から出射されるレーザ光の光軸方向である。 - 特許庁

At the ends of the n-type body region 4, there are provided the places wherein the gate electrode 7 is not adjacent to the p^+-source regions 8.例文帳に追加

更に、Ｎ型ボディ領域４の端において、ゲート電極７とＰ^＋ソース領域８とが隣接していない箇所を有するものである。 - 特許庁

That is, feedback action takes effect, the output current I_1 is settled into a value of N×Iref (a current supplied by a current source 3).例文帳に追加

つまり帰還がかかり、出力電流Ｉ１の電流値は、Ｉｒｅｆ（電流源３の供給する電流値）×Ｎで落ち着く。 - 特許庁

A body region 15 is formed in the drain region 121, and an N-type source region 16 is formed in the body region 15.例文帳に追加

ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成される。 - 特許庁

A shutter member 23 rotating in synchronization with the exposure operation of the micromirrors M (m and n) is disposed between the forming surface and a light source.例文帳に追加

描画面と光源との間にマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の露光作動に同期して回転するシャッタ部材２３を設ける。 - 特許庁

If the press-down of the power source key is continued after the software time counts n-seconds, processing for power-off is executed.例文帳に追加

そして、ソフトウェアタイマがｎ秒を計時すると、電源キーの押下が継続していれば電源オフのための処理を実行する。 - 特許庁

An n^+-type source region 14 is formed along the opening of a trench 10a on the surface region of a p-type channel region 13.例文帳に追加

Ｐ型チャネル領域１３の表面領域には、トレンチ溝１０ａの開口に沿って、Ｎ^＋型ソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

The source electrode of an n-type MOS high-voltage transistor 8 is connected to a GND, while a gate electrode is connected to the charge pump circuit 4.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳ高圧トランジスタ８のソース電極はＧＮＤに接続され、ゲート電極はチャージポンプ回路４と接続されている。 - 特許庁

An intermediate node drive N channel MOS transistor is connected between a connection node and a low side power source (VDL) of this series object.例文帳に追加

この直列体のトランジスタの接続ノードとロー側電源（ＶＤＬ）との間に、中間ノードドライブＮチャネルＭＯＳトランジスタを接続する。 - 特許庁

On the 2nd gate region 6, an n^+-type source region 7 is formed and a 3rd gate region 8 is formed.例文帳に追加

そして、第２ゲート領域６の上にｎ^+型ソース領域７を形成すると共に第３ゲート領域８を形成する。 - 特許庁

A negative boosted voltage supply applies a negative boosted voltage to the p-type well and a source of the n-channel transistor.例文帳に追加

負極性のブースト電圧供給源から前記ｐ型ウェルおよび前記ｎチャネルトランジスタのソースに負極性ブースト電圧を供給する。 - 特許庁

An n^+-type source region 3 is formed within the base region 5 at a predetermined distance from the channel connecting region 4.例文帳に追加

ベース領域５内には、チャネル接続領域４から所定間隔離れてｎ^+型のソース領域３を形成する。 - 特許庁

An n-type body layer 63 extended from the side of a source layer 55 to the lower portion of a gate electrode 54 is formed.例文帳に追加

ソース層５５の側からゲート電極５４の下方へ延びたＮ型のボディ層６３が形成されている。 - 特許庁

A channel region is formed in the surface layer of an N-type silicon substrate 1, and a source area is formed in the surface layer of the channel region.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１の表層部にチャネル領域が形成されるとともに、チャネル領域の表層部にソース領域が形成されている。 - 特許庁

The charge stored in the n+ layer 53 is swept away by a reset drain power source 64 by turning on a reset transistor 63.例文帳に追加

ｎ＋層５３に蓄積された電荷はリセットトランジスタ６３をオンすることで、リセットドレイン電源６４に掃き捨てられる。 - 特許庁

An n-type source/drain diffusion layer 15 is formed on the surface of a p-type Si substrate 11 via a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型のＳｉ基板１１表面に、チャネル領域１２を隔ててＮ型のソース／ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an n-type impurity is poured through the oxide film 122 whereby a source drain 128 is formed in the upper main surface of the SOI layer 106.例文帳に追加

次に、Ｎ型不純物を酸化膜１２２ごしに注入することにより、ＳＯＩ層１０６上主面内にソースドレイン１２８を形成する。 - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p^+-type source region 126 and a p^+-type drain region 122 are also formed.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域１２１の上面内に、ｐ^+型ソース領域１２６及びｐ^+型ドレイン領域１２２が形成されている。 - 特許庁

The source electrode 21 is electrically connected to the p- and n^+-type semiconductor regions 12 and 13 via the silicide layer 19.例文帳に追加

ソース電極２１は、当該シリサイド層１９を介して、ｐ型半導体領域１２とｎ＋型半導体領域１３とに電気的に接続される。 - 特許庁

The drive transistors Q3, Q4 of one memory cell do not share the drive transistors Q3, Q4 of the other memory cell and an n-type source area 11a1.例文帳に追加

一のメモリセルの駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4は、他のメモリセルの駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4とｎ^+型ソース領域１１ａ１を共有しない。 - 特許庁

Then, the switch 11 connects the source line S_1 to the wiring 5 for setting the potential V_p or the wiring 6 for setting the potential V_n.例文帳に追加

このとき、スイッチ１１は、ソースラインＳ_１をＶ_ｐ設定用配線５またはＶ_ｎ設定用配線６に接続させる。 - 特許庁

An n+-type source layer 21 and a p+-layer contact layer 23 are formed adjacent on the surface of the base layer 15.例文帳に追加

ベース層１５の表面には、ｎ^+ 型のソース層２１とｐ^+ 型のコンタクト層２３とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁