「N-source」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sound pickup device that separates one sound source signal from a plurality of acoustic signals of sound sources with high S/N.例文帳に追加

複数の音源の音響信号から１つの音源信号を高いＳ／Ｎで分離する収音装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate the deterioration in S/N of super-continuum light by reducing the noise component of a multi-wavelength light source used for wavelength multiplex transmission.例文帳に追加

波長多重伝送に用いる多波長光源の雑音成分を低減して、スーパーコンティニウム光のＳ／Ｎの劣化を解消すること。 - 特許庁

A second n-type source/drain area 10n is formed on the semiconductor substrate 1 positioned below the side of the second side wall 9n.例文帳に追加

そして、第２のサイドウォール９ｎの側方下に位置する半導体基板１には第２のｎ型ソース／ドレイン領域１０ｎが形成されている。 - 特許庁

An N^+-type source region 9 is formed on a surface layer portion of the epitaxial layer 3 along the trench 6.例文帳に追加

また、エピタキシャル層３の表層部には、Ｎ^+型のソース領域９がトレンチ６に沿って形成されている。 - 特許庁

The n+ film 25 and the a-Si film 26 are etched between the source/drain electrodes 27 of the switch TFT to form a TFT gap part.例文帳に追加

スイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極２７間において、ｎ＋膜２５、ａ−Ｓｉ膜２６をエッチングしてＴＦＴギャップ部を形成する。 - 特許庁

At the source side, an audio clock CLK_Arg is obtained by the received CTSr, TMDS clock and frequency dividing ratio value N.例文帳に追加

ソース側では、受信したＣＴＳｒ、TMDSクロック、及び分周比値ＮによりオーディオクロックCLK_Argを得る。 - 特許庁

n-type impurities are implanted from above the substrate 1, and the gate electrode 4, a source region 6 and a drain region 7 are formed.例文帳に追加

そして、基板１の上方からｎ型の不純物を注入することで、ゲート電極４や、ソース領域６、ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

By implanting ions into a predetermined area of the semiconductor layer 22, an n^+-type source region 4 is formed.例文帳に追加

そして、半導体層２２の所定領域にイオン注入を行うことで、ｎ^+型ソース領域５を形成する。 - 特許庁

As a result, the ion implantation for the P body 4a and the ion implantation for the N source 5a are carried out by self alignment.例文帳に追加

これにより、Ｐボディ４ａ用のイオン注入とＮソース５ａ用のイオン注入はセルフアラインで行なわれる。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 is provided with a source/drain 21, 22 that is the N+ type semiconductor layer, and thus a NMOS transistor 2 is formed.例文帳に追加

半導体層２０にはＮ^+型半導体層であるソース／ドレイン２１，２２が設けられ、ＮＭＯＳトランジスタ２を形成する。 - 特許庁

In the n+ regions 6 exposed from the openings 12 of the gate insulation film 9, source electrodes 14 are formed.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜９の開口１２から露出するｎ^+型領域６には、ソース電極１４が形成されている。 - 特許庁

The radiation beam generated from a light source (1) is converted into a optical beam array of m×n lines in matrix by a 2-dimensional diffraction grating (3).例文帳に追加

光源（１）から発生した放射ビームを２次元回折格子（３）によりｍ×ｎ本のマトリックス状の光ビームアレイに変換する。 - 特許庁

Next, ion implantation with the films 21 and 24 as masks is performed to form an n^+ type source region 4.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜２１、２４をマスクとしたイオン注入を行ってｎ^+型ソース領域４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加

その後、サイドウォール絶縁膜１７を形成し、Ｐのイオン注入を行うことにより、Ｎ型ソース・ドレイン拡散層１８を形成する。 - 特許庁

In the region D, a switching transistor containing a gate electrode 7 and n^+ type source drain regions 5a-5c, and a capacitor are formed.例文帳に追加

領域Ｄではゲート電極７およびＮ＋型ソース・ドレイン領域５ａ〜５ｃを含むスイッチングトランジスタとキャパシタが形成される。 - 特許庁

A pumping light source (133) supplies N-channel backward pumping light of wavelengths λ_p1 to λ_pN to the optical fiber (110).例文帳に追加

励起光源(133)は、波長λ_ｐ１〜λ_ｐNのＮチャネル後方励起光を光ファイバ(110)に供給する。 - 特許庁

The gate (24) is provided between the source (13) and the drain (17) and on an n-conductive-type channel layer (18).例文帳に追加

このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。 - 特許庁

An n^+ source region 6 is formed at a surface layer section in a site between adjacent trenches 3 in the epitaxial layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル層２における隣り合うトレンチ３の間の部位での表層部にｎ^+ソース領域６が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, n^+-type source regions 105 are formed in the gate trenches 110 formed in stripe shapes.例文帳に追加

半導体装置１００は、Ｎ^＋型ソース領域１０５をストライプ状に形成されたゲートトレンチ１１０の内部に形成している。 - 特許庁

The bipolar structure consisting of P+ source drain regions 19, 19 and an N well 9 is the same at PMOS transistors 3p, 5p.例文帳に追加

Ｐ＋ソースドレイン領域１９，１９及びＮウェル９からなるバイポーラ構造はＰＭＯＳトランジスタ３ｐ，５ｐで同じである。 - 特許庁

An N type source region 8 is formed on the side of the trench 5 in the top layer of the body region 4.例文帳に追加

ボディ領域４の表層部には、トレンチ５の側方に、Ｎ型のソース領域８が形成されている。 - 特許庁

In the interrupting step, a gas which is different from the source of N of the well layer 13a and barrier layer 13b is supplied.例文帳に追加

また中断する工程では、井戸層１３ａおよびバリア層１３ｂのＮの供給源と異なるガスを供給する。 - 特許庁

The bipolar structure consisting of N+ source drain regions 15 and 15 and a P well 7 is the same at NMOS transistors 3n, 5n.例文帳に追加

Ｎ＋ソースドレイン領域１５，１５及びＰウェル７からなるバイポーラ構造はＮＭＯＳトランジスタ３ｎ，５ｎで同じである。 - 特許庁

In this case, compared with the case when the driving of the N scanning lines is performed, voltage level at the time of the selection of the scanning line is lowered by a variable power source 510.例文帳に追加

その場合には、Ｎ本の走査線の駆動を行う場合に比べて、可変電源５１０によって走査線の選択時の電圧レベルを低くする。 - 特許庁

A p-type base layer 4 is formed on the surface of the drain layer 3 and an n+-type source layer 5 is formed in the base layer 4.例文帳に追加

このドレイン層３の表面にｐ型ベース層４が形成され、このベース層４内にｎ^+型ソース層５が形成される。 - 特許庁

This etched masking layer is used as a P+ type body diffused layer and an ion implantation mask for N- type and source offset layer.例文帳に追加

このエッチング加工したマスク層は、Ｐ^+ 型ボディー拡散層、Ｎ^- 型のソースオフセット層のイオン注入マスクとして利用される。 - 特許庁

The surface of the source electrode 70 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 form shot key junction.例文帳に追加

ソース電極７０とＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面とは、ショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To enable to evaluate simultaneously voltage dependency of a semiconductor circuit of N pieces with a single power source, in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、単一電源でＮ個同時に半導体回路の電圧依存性が評価できるようにする。 - 特許庁

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10.例文帳に追加

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。 - 特許庁

Source and drain regions 20 including n-type impurities are formed on a silicon substrate 10 including p-type impurities.例文帳に追加

Ｐ型不純物を含有するシリコン基板１０に、Ｎ型不純物を含有するソースドレイン領域２０を形成する。 - 特許庁

A source 13a and a drain 13d are formed on both sides of the channel region 7 on the surface of the n-well region 5.例文帳に追加

Ｎウエル領域５表面部のチャネル領域７の両側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが形成されている。 - 特許庁

An n^+ type source region 3 is formed on the p type base region 2 to bury the inside of the trench 21 completely.例文帳に追加

そして、ｎ^＋型ソース領域３をｐ型ベース領域２の上に形成することで、トレンチ２１の内部を完全に埋め込む。 - 特許庁

The neutron detection sensor 1 can detect the two-dimensional position of a generating source of the neutron n radiated from the nuclear material W.例文帳に追加

中性子検出センサ１は、核物質Ｗから放出される中性子ｎの発生源の二次元位置が検出可能とされている。 - 特許庁

In addition, a power MISFET source area and protection diode n^+-type semiconductor area 15 are formed in the same process.例文帳に追加

また、パワーＭＩＳＦＥＴのソース領域と保護ダイオードのｎ^＋型半導体領域１５を同一工程で形成する。 - 特許庁

The bus bar 10 is equipped with a P bus bar 11 and an N bus bar 12 which supply power from a power source.例文帳に追加

バスバー１０は、電源から電力を供給するＰバスバー１１及びＮバスバー１２を備える。 - 特許庁

The Matching voltage is the continuity threshold voltage of N channel field effect transistor(FET), generally is smaller than half of the source power voltage.例文帳に追加

一致検出電圧は、ほぼ、Ｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の導通閾値電圧であり、通常、電源電圧の半分よりも小さい。 - 特許庁

An n-type source region 4 is formed to be a multilayer structure having a first layer 4a as an upper layer and a second layer 4b as a lower layer.例文帳に追加

ｎ型ソース領域４を上層部となる第１層４ａおよび下層部となる第２層４ｂを備えた多層構造にする。 - 特許庁

Thereafter, after a sidewall 12 is formed on the side face of the gate electrode 8, an n-type source/drain injection layer 13 is formed.例文帳に追加

その後、ゲート電極部８の側面上にサイドウォール１２を形成した後、ｎ型ソース・ドレイン注入層１３を形成する。 - 特許庁

In a surface layer portion of the body region 10, N^+-type source regions 12 are formed on the sides of the trench 11.例文帳に追加

ボディ領域１０の表層部において、トレンチ１１の側方には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

A pair of n-type source/drain regions BL1 and BL2 are formed on a semiconductor substrate 12 sandwiching the protruding part 13b.例文帳に追加

ｎ型の一対のソース・ドレイン領域ＢＬ１， ＢＬ２が、凸部１３ｂを挟む半導体基板１２の表面に形成されている。 - 特許庁

Furthermore, n^+-type areas 17 are arranged as the heavily doped layer of source/drain at the both sides with the area of a gate electrode 15 interposed.例文帳に追加

さらにソース・ドレインの高濃度拡散層としてＮ^＋型領域１７がゲート電極１５の領域を隔てて両側に設けられている。 - 特許庁

However, a source electrode 13 is formed in contact with the top face of the n-type GaN layer 5 of the nitride semiconductor lamination 2.例文帳に追加

一方、窒化物半導体積層構造部２のｎ型ＧａＮ層５の頂面には、ソース電極１３が接触形成されている。 - 特許庁

A p-type diamond thin film formed by a CVD method from a carbon source is subjected to an inert gas, thereby converting it into an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

炭素源からのＣＶＤ法により形成されたｐ型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでｎ型ダイヤモンド半導体に変換する。 - 特許庁

To suppress an off-leakage current in an N-channel MISFET having a silicided source/drain region formed in an Si (110) substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板に形成され、シリサイド化されたソース／ドレイン領域を有するＮチャネルＭＩＳＦＥＴにおいて、オフリーク電流を抑制する。 - 特許庁

More preferably, impurity injection into an n^+ source/drain area 13 is also performed after forming the oxide film 15 and the sidewall 16.例文帳に追加

さらに好ましくは、Ｎ＋ソース／ドレイン領域１３の注入についても、酸化膜１５およびサイドウォール１６の形成後に行なう。 - 特許庁