「N-source」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An N well of a P type MOS transistor 6 is connected to a source of itself instead of a power source line, and a source potential becomes a well potential.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６のＮウェルは電源ラインではなくそれ自身のソースに接続されており、ソース電位がウェル電位となる。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

A printed wiring board has n kinds of power sources, and is provided with a plurality of power source wiring including the first power source wiring of a first voltage V1 to n-th power source wiring of n-th voltage Vn, and ground wiring making pairs with the power source wiring.例文帳に追加

プリント配線基板は、ｎ種類の電源を有し、第１の電圧Ｖ１を有する第１の電源配線から、第ｎの電圧Ｖｎを有する第ｎの電源配線までを含む複数の電源配線と、電源配線と対をなすグランド配線とが設けられている。 - 特許庁

Arsenic ion implantation 13 is conducted to a source-drain contact aperture of an N-channel MOS transistor, and ion implantation layers 14 are formed in an N^+ source layer 9 and an N^+ drain layer 10.例文帳に追加

本発明では、ＮｃｈＭＯＳトランジスタのソース・ドレインコンタクト開口部に砒素イオン注入１３を行い、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内にイオン注入層１４を形成する。 - 特許庁

A p+ substrate 12, n-drift region 14, n-channel region 14a, n+ source region 20, and source electrode 22 are formed on a drain electrode 10.例文帳に追加

ドレイン電極１０上にｐ＋基板１２、ｎドリフト領域１４、ｎチャネル領域１４ａ、ｎ＋ソース領域２０、ソース電極２２を形成する。 - 特許庁

A Ti/Al source drain electrode is formed on the n-type GaN and a recess, wherein a part of the n-type Al_0.25Ga_0.75N is exposed, is formed between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

n型GaN上にTi/Alソース・ドレイン電極が形成され、ソース電極とドレイン電極の間にｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎの一部が露出した凹部が形成されている。 - 特許庁

An n+ substrate 12, an(n)drift region 14, a p-channel region 16, an n+ source region 17, a trench gate 18, a source electrode 22 are formed on a drain electrode 10 in order.例文帳に追加

ドレイン電極１０上に、順次ｎ＋基板１２、ｎドリフト領域１４、ｐ−チャネル領域１６、ｎ＋ソース領域１７、トレンチゲート１８、及びソース電極２２を形成する。 - 特許庁

To make a power converter 3 having an output of n-phase AC (n is an integer of n≥2) connected to a DC power source 1 and a smoothing means 2 provided between the DC power source 1 and the power converter 3 small in capacity.例文帳に追加

直流電源１に接続されるｎ相交流（ｎはｎ≧２となる整数）出力を有する電力変換器３と、前記直流電源１と前記電力変換器３との間に設けられた平滑手段２を小容量化する。 - 特許庁

The monitor unit includes an N-type MOSFET for leak current cancellation which adds a source-drain current to the drain of the monitor N-type MOSFET when a gate and a source of the N-type MOSFET for leak current cancellation have substantially equal potential.例文帳に追加

モニタ部は、リーク電流キャンセル用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを有し、そのゲートとソースが略同電位である際のソース−ドレイン間の電流をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに加算する。 - 特許庁

Thereby, even if n type impurities injected in forming the n^+ type source region 4 intrude to a deep position relative to a desired depth of the n^+ source region 4, it is compensated by the p^+ type layer 6.例文帳に追加

これにより、ｎ^+型ソース領域４を形成する際に注入されたｎ型不純物がｎ^+型ソース領域４の所望深さよりも深い位置まで入り込んだとしても、それをｐ^+型層６にて補償することが可能となる。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^＋型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^−型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^＋型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^+型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^-型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^+型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

A groove 10 is formed in such a manner that it penetrates the surface of an n+-type source area 4, the n+-type source area 4, a p-type well area 3 to the midway of an n-type silicon epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域４の表面から該ｎ^+形ソース領域４およびｐ形ウェル領域３を貫通してｎ形シリコンエピタキシャル層２の途中まで溝１０が形成されている。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

An image projected on an imaging element is captured as a source image of n×m pixels and also captured as a reduced image of n'×m' pixels (n>n' and m>m').例文帳に追加

撮像素子に投影されている画像をｎ×ｍ画素の元画像として取り込むとともに、ｎ’×ｍ’画素（ｎ＞ｎ’、ｍ＞ｍ’）の縮小画像として取り込む。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁

An n^+ source area 11, an n^+ drain area 12, and an n^- offset drain area 16 in contact with the n^+ drain area 12 are formed on the surface layer of a p base area 2.例文帳に追加

ｐベース領域２の表面層にｎ^+ ソース領域１１とｎ^+ ドレイン領域１２とｎ^+ ドレイン領域１２と接するｎ^- オフセットドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

N digital images, where N is equal to or greater than 2, the image content in the overlapped region of contiguous images is the same, and the end edge of a screen nearest to an X-ray source is present in both contiguous images, are provided.例文帳に追加

連続した画像の重複領域部分の画像内容は同一であってＸ線源に最も近いスクリーンの端縁が両隣の連続した画像内に存在するN(N≧２)のデジタル画像を供給する。 - 特許庁

Source/drain regions 17 separated by a channel region 12 include the n-type impurity regions (n^- regions) 171 of low concentration and the n-type impurity regions (n^+ regions) 172 of high concentration.例文帳に追加

チャネル領域１２を隔てたソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^−領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^＋領域）１７２を含む。 - 特許庁

Then, each counting of two mutually-adjacent channels corresponding to a whole absorption peak of the gamma ray from a reference radiation source, namely, each counting n_i-1 and n_i of the channels c_i-1 and c_i is compared each other.例文帳に追加

そして、基準線源のガンマ線の全吸収ピークに対応した互いに隣接する二つのチャンネルの計数、つまり、チャンネルc_i-1とc_iの計数n_i-1とn_iが比較される。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

A source/drain region 17 is composed of an N type impurity region (N^- region) 171 of low concentration and an N^- type impurity region (N^+ region) 172 of high concentration.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^-領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^+領域）１７２からなる。 - 特許庁

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

Alternatively, you can select it from the Persistence category in the New File wizard (Ctrl-N).In the Database Tables panel, select the jdbc/sample data source. 例文帳に追加

または、「新規ファイル」ウィザード (Ctrl-N) にある「持続性」カテゴリから選択することも可能です。 「データベース表」パネルで、「jdbc/sample」データソースを選択します。 - NetBeans

The organic metal source compound is reacted with N_yO_x/O_2 mixed oxidation gas in which a volume ratio of N_yO_x is at least 50%.例文帳に追加

有機金属ソース化合物はＮ_ｙＯ_ｘの嵩比が少なくとも５０％であるＮ_ｙＯ_ｘ／Ｏ_２混合酸化ガスと反応する。 - 特許庁

The n-channel transistor TPA precharges the wiring LT0 to the voltage Vs, connects the source to the voltage Vs and the drain to the wiring LT0.例文帳に追加

nチャンネルトランジスタTPAは、配線LT0を電圧Vsにプリチャージし、ソースが電圧Vsに、ドレインが配線LT0に接続されている。 - 特許庁

A generation part generates mixed sound source signals obtained by adding the n band noise signals and the n band pulse signals.例文帳に追加

生成部は、ｎ個の帯域雑音信号とｎ個の帯域パルス信号とを加算した混合音源信号を生成する。 - 特許庁

On the n-AlGaN layer 104, a source electrode 201, a drain electrode 202, and a gate electrode 203 are formed on the n-AlGaN layer 104.例文帳に追加

ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４上には、ソース電極２０１、ドレイン電極２０２、及びゲート電極２０３が形成されている。 - 特許庁

In the source and drain regions of the semiconductor layer 102, n-type SiC semiconductor regions 103 are formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のソースおよびドレイン領域にn型SiC半導体領域１０３が形成される。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

A p-type channel region 2c is formed between the n^--layer of the drain region 2d and the n^--layer of the source region 2s.例文帳に追加

ドレイン領域２ｄのｎ^−層とソース領域２ｓのｎ^−層の間にｐ型のチャネル領域２ｃが形成されている。 - 特許庁

A p-type base layer is selectively formed on an n-type active layer, and an n-type source layer is positioned on the p-type base layer.例文帳に追加

ｎ型活性層上に選択的にｐ型ベース層が形成され、そのｐ型ベース層上にｎ型ソース層が位置する。 - 特許庁

N-type impurities are injected to the polysilicon film 123, and the n-type source/ drain region of LDD structure is formed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜１２３にｎ型不純物を注入し、ＬＤＤ構造のｎ型ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The n-type source/drain region 4 is formed in such a manner as to pinch the n-channel region on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ソース／ドレイン領域４は、半導体基板１上にｎチャネル領域を挟むように形成されている。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

A memory cell portion (a) has a source N+ layer 4, a drain N+ layer 5, and a floating gate 7a formed on a gate oxide film 6a.例文帳に追加

メモリセル部ａは、ソースＮ＋層４、ドレインＮ＋層５、及びゲート酸化膜６ａ上に形成されるフローティングゲート７ａを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, n-type drain regions 7 and 7' arranged inside are formed to surround n-type source regions 8 and 8'.例文帳に追加

半導体装置は、その内部に設けられたｎ型ドレイン領域７，７’が、ｎ型ソース領域８，８’を取り囲むように形成される。 - 特許庁

A reverse bias voltage is applied to the light modulation region 2 by a voltage source 12 through the p-side electrode 8 and the n-side common electrode 7.例文帳に追加

光変調領域2にはp側電極8とn側共通電極とを介して電圧源12によって逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

An n^+-type source layer 14 having the impurity concentration higher than the n^--type offset layer 13 is formed at the p-type body layer 12.例文帳に追加

ｐ-型ボディ層１２には、ｎ-型オフセット層１３より高い不純物濃度を有するｎ+型ソース層１４が形成されている。 - 特許庁

Right-and-left digital sound signals r(n) and l(n) are input to a section 26 for estimating the sound-source direction.例文帳に追加

左右のディジタル音響信号ｌ（ｎ）およびｒ（ｎ）が、音源方向推定部２６に入力される。 - 特許庁

A deep n+ diffusion layer 14 is formed, so that is extends form the n+ source layer 4 along the peripheral face of the trench 9 around the recess 13.例文帳に追加

凹部１３の周囲でトレンチ９の周面に沿ってｎ+ ソース層４から延在するように、深いｎ^+ 拡散層１４が形成される。 - 特許庁

The transistor comprises an n-source 310 and an n-drain 312 with shallow regions 311 and 313, respectively, extending as far as the gate.例文帳に追加

このトランジスタは、ｎ−ソース３１０およびｎ−ドレイン３１２を有し、これらは各々、ゲートまで伸びる浅い領域３１１，３１３を含む。 - 特許庁