「PIEZOELECTRIC THIN FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a piezoelectric thin film vibrator comprising a piezoelectric element formed using a thin film forming technology, a driving device and a piezoelectric motor using it, the piezoelectric thin film vibrator manufacturable at a low cost, and a manufacturing method thereof; and to provide a driving device and a piezoelectric motor using it.例文帳に追加

本発明は、薄膜形成技術を用いて形成された圧電素子を備えた圧電薄膜振動子およびその製造方法、並びにそれを用いた駆動装置および圧電モータに関し、低コストで製造できる圧電薄膜振動子およびその製造方法、並びにそれを用いた駆動装置および圧電モータを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that separates, when manufacturing a piezoelectric compound substrate through smart-cutting, even if an ion implantation layer is formed while fixing the piezoelectric substrate at some places around the piezoelectric substrate using a fixing tool, a piezoelectric thin film from the piezoelectric substrate without fail.例文帳に追加

スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film piezoelectric resonator includes: a piezoelectric resonance stack 12 having a piezoelectric layer 2 and an upper electrode 10 and a lower electrode 8 formed so as to be opposite to each other on both sides of the piezoelectric layer 2; a gap 4 formed under the piezoelectric resonance stack 12; and a substrate 6 supporting the piezoelectric resonance stack 12.例文帳に追加

圧電層２とそれを挟んで互いに対向するように形成された上部電極１０及び下部電極８とを有する圧電共振スタック１２と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタック１２を支持する基板６とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC PUMP, INKJET-TYPE RECORDING HEAD, INKJET PRINTER, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT, THIN FILM PIEZOELECTRIC RESONATOR AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 - 特許庁

The subject instrument contains the piezoelectric device having a piezoelectric element consisting of a piezoelectric material and a plurality of electrodes each of which is arranged on both sides of the piezoelectric element and formed by a thin metallic film pattern.例文帳に追加

本発明の機器は、圧電材料からなる圧電素子と該圧電素子の両面に設けられ金属薄膜パターンによって形成された複数の電極とを有する圧電デバイスを含む。 - 特許庁

The present invention relates to a piezoelectric thin film resonator including a piezoelectric resonant stack 14 comprising a piezoelectric layer 2, an upper electrode 12 and a lower electrode 10, a gap 4 formed thereunder, and a substrate 8 supporting the piezoelectric resonant stack.例文帳に追加

圧電層２と上部電極１２及び下部電極１０とを有する圧電共振スタック１４と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタックを支持する基板８とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC PUMP, INK-JET TYPE RECORDING HEAD, INK-JET PRINTER, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT, THIN-FILM PIEZOELECTRIC RESONATOR, AND ELECTRONIC APPLIANCE例文帳に追加

圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振子、および電子機器 - 特許庁

To provide methods of manufacturing a piezoelectric element, having consistently high piezoelectric characteristics and an ink-jet recording head using the piezoelectric element, by obtaining the degree of orientation that is suitable for a piezoelectric thin film in stable manner and with good reproducibility.例文帳に追加

圧電体薄膜に適した配向度を安定して再現性良く得ることにより、安定した高い圧電特性を備えた圧電体素子及びこれを用いたインクジェト式記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film resonator 10 is such that n layers (n is a natural number of 3 or above) of piezoelectric layers (first piezoelectric layer 111, second piezoelectric layer 112, third piezoelectric layer...) are provided between a first electrode 121 and a second electrode 122.例文帳に追加

薄膜共振子１０は、第１電極１２１と第２電極１２２の間にn層（nは3以上の自然数）の圧電体層（第１圧電体層１１１、第２圧電体層１１２、第３圧電体層. - 特許庁

To provide a piezoelectric laminate having a high electromechanical coupling coefficient, stable temperature properties, and a high surface acoustic wave propagation velocity, a surface acoustic wave device including the piezoelectric laminate, a thin-film piezoelectric resonator, and a piezoelectric actuator.例文帳に追加

大きな電気機械結合係数、安定な温度特性、大きな表面弾性波伝播速度を有する圧電体積層体と、当該圧電体積層体を含む表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To stably manufacture a dielectric thin film having higher characteristics when a dielectric thin film (piezoelectric thin film 23) is manufactured by depositing a film of dielectric material onto a substrate 41 by means of plasma.例文帳に追加

プラズマを用いて基板４１上に誘電体材料を成膜することにより誘電体薄膜（圧電体薄膜２３）を製造する場合に、より高い特性を有する誘電体薄膜を安定的に製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for film deposition capable of obtaining a high quality perovskite type oxide thin film, and to provide an oxide thin film element having a piezoelectric element formed of a thin film formed by this method.例文帳に追加

良質なペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることのできる成膜方法、該成膜方法により成膜した薄膜からなる圧電体を有する酸化物薄膜素子を提供する。 - 特許庁

A metal thin film 4 as an electrode is fitted onto an upper surface of the piezoelectric ceramic film 3, and metal wire meshes 5 are fitted onto an upper surface of the metal thin film 4 to cover the metal thin film 4.例文帳に追加

電極である金属薄膜４が圧電セラミックス膜３の上面に取り付けられ、金属線メッシュ５が、金属薄膜４を覆って金属薄膜４の上面に取り付けられる。 - 特許庁

It is desirable that the piezoelectric thin-films and the metallic thin-films can be formed alternately and continuously without an extraction to the outside from the inside of one deposition device, in the piezoelectric thin-film element to be manufactured in a forming process for the laminated region 3.例文帳に追加

この積層領域３の形成工程においては、製造すべき圧電薄膜素子を、一つの成膜装置内から外部に出すことなく圧電体薄膜と金属薄膜を交互に、且つ連続的に成膜することが望ましい。 - 特許庁

A resist film 91 as a mask layer is formed on a substrate S, thin film piezoelectric material 73, and a second electrode film 75b.例文帳に追加

基板Ｓ、薄膜圧電体７３及び第２の電極膜７５ｂの上にマスク層としてのレジスト膜９１を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film 2 is formed with the moisture pressure of the vacuum film-forming device being 2×10^-5Pa or more during film formation.例文帳に追加

圧電薄膜２は、真空成膜装置の成膜中の水分圧が２×１０^-5Ｐａ以上で形成する。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric thin film that indicates excellent film quality characteristics without being affected by reformed film interface that is the surface of a lower electrode layer.例文帳に追加

下部電極層の表面である再成膜界面の影響を受けずに、良好な膜質特性を示す圧電体薄膜を得ること。 - 特許庁

For the peeled surface protective film 25, a material for preventing mutual diffusion between the film and the piezoelectric thin film 10 in the following heat treatment is used.例文帳に追加

剥離面保護膜２５は、次の熱処理で圧電薄膜１０との相互拡散を防ぐ材料を用いる。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12.例文帳に追加

基板１２のビアホール２０に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層１３、下部電極１５、圧電体薄膜１６および上部電極１７がこの順に積層された圧電積層構造体１４を備える。 - 特許庁

Upper-surface electrodes 161 and 162 respectively face the lower-surface electrode 14 interposing the piezoelectric thin-film 15 in an exciting region E1 to form piezoelectric thin-film resonators R1 and R2.例文帳に追加

上面電極１６１及び１６２は、それぞれ、励振領域Ｅ１において圧電体薄膜１５を挟んで下面電極１４と対向して圧電薄膜共振子Ｒ１及びＲ２を形成する。 - 特許庁

Since a piezoelectric thin film 5 provided on a lower electrode 4 comprises a single crystal AlN, crystallinity of a crystal comprising the piezoelectric thin film 5 is improved.例文帳に追加

下部電極４上に設けられる圧電薄膜５が単結晶のＡｌＮからなるので、当該圧電薄膜５を構成する結晶の結晶性が高くなる。 - 特許庁

The piezoelectric thin-film resonator is equipped with a pair of opposed excitation electrodes 16, 20, a piezoelectric thin film 14 arranged between the pair of the excitation electrodes 16, 20, and a substrate 12 for supporting one electrode 20 of the pair of the excitation electrodes.例文帳に追加

対向する一対の励振電極１６，２０と、一対の励振電極１６，２０の間に配置された圧電薄膜１４と、一対の励振電極の一方２０を支持する基板１２とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film piezoelectric resonator capable of preventing a lower electrode from being damaged resulting from dry etching during forming a piezoelectric thin film pattern.例文帳に追加

その目的は圧電体薄膜パターンの形成時にドライエッチングに起因する下部電極のダメージを防止できる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING MEMORY ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC ELEMENT AND OXIDE THIN FILM, MEMORY ELEMENT AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PRODUCED BY THESE PRODUCTION METHODS例文帳に追加

酸化物薄膜の製造方法、メモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びにこれらの製造方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric thin film resonance device that can provide an air gap excellently under its lower electrode and to provide the piezoelectric thin film resonance device manufactured by the method.例文帳に追加

下部電極の下方に良好に空隙部を設けることができる圧電薄膜共振素子の製造方法、および、これにより製造された圧電薄膜共振素子を提供すること。 - 特許庁

Then, there is no possibility that the lower electrode is etched by plasma when plasmatizing reactive gas for dry etching to form a pattern of the piezoelectric thin film by etching the piezoelectric thin film by the plasma.例文帳に追加

従って、ドライエッチング用の反応性ガスをプラズマ化し、このプラズマにより圧電体薄膜をエッチングして圧電体薄膜のパターンを形成する際に、下部電極がプラズマによりエッチングされるおそれがない。 - 特許庁

The crystal orientation of the piezoelectric thin film 106 is selected so as to sufficiently reduce an etching rate for a hydrofluoric acid at an underside 1062 of the piezoelectric thin film 106 on the support structure 122.例文帳に追加

圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a piezoelectric thin film element using a highly reliable KNN piezoelectric thin film having durability which can be applied to an ink jet printer head or the like.例文帳に追加

インクジェットプリンタヘッドなどに適用可能な耐久性を有する信頼性の高いＫＮＮ圧電薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供する。 - 特許庁

The structure of this piezoelectric sensor 10 wherein a lower electrode 2, a piezoelectric thin film 3, and a top electrode 4 are provided on a substrate 1, has moreover an air gap layer 6 between the thin film 3 and the top electrode 4.例文帳に追加

本発明の圧電センサ１０は、基板１上に下部電極２、圧電体薄膜３および上部電極４を設ける構造において、圧電体薄膜３と上部電極４との間に空隙層６をさらに設けた構成である。 - 特許庁

A piezoelectric thin film resonator 1 has such a structure as an adhesive layer 12, a lower surface electrode 13, a piezoelectric thin film 14 and an upper surface electrode 15 are laminated in this order on a supporting substrate 11.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。 - 特許庁

The pass property is changed by changing at least one of the resonation property of the series thin film piezoelectric resonator or the parallel thin film piezoelectric resonator by changing the voltage V1 or V2 in the variable voltage circuit.例文帳に追加

可変電圧回路の電圧Ｖ１，Ｖ２を変化させることによって、直列薄膜圧電共振器及び並列薄膜圧電共振器の少なくとも一方の共振特性をシフトさせて、通過特性を変化させる。 - 特許庁

A substrate, formed by PZT in thin film excellent in piezoelectric characteristic, can be provided even on the material substrate such as silicon substrate, on which PZT thin film of satisfactory piezoelectric characteristics is hard to be formed by direct sputtering method.例文帳に追加

本発明によると、シリコン基板などに直接スパッタリングなどの方法では圧電特性の良いＰＺＴ薄膜を形成し難い材料基板の上に、圧電特性の良いＰＺＴを薄膜状態で設置した基板を提供できる。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator with a high Q value for suppressing production of a transverse acoustic mode and to easily provide a thin film piezoelectric resonator filter capable of achieving a low insertion loss.例文帳に追加

横音響モードの発生を抑制した高いＱ値を有する薄膜圧電共振器を提供するとともに、低挿入損失を実現できる薄膜圧電共振器フィルタを容易に提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric thin film resonator having a stabilized temperature characteristic of resonant frequency, a method for manufacturing the same, and a communication apparatus using the piezoelectric thin film resonator.例文帳に追加

共振周波数の温度特性を安定させた圧電薄膜共振子、その製造方法および圧電薄膜共振子を用いた電子通信機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, the oxide films 20A, 20B has small influence affecting the reduction of the displacing amount of the piezoelectric material films 16A, 16B, as compared with the MgO thin film retaining in a conventional thin-film piezoelectric material element.例文帳に追加

そのため、この酸化物膜２０Ａ，２０Ｂは、従来の薄膜圧電体素子に残留するＭｇＯ薄膜に比べて、圧電体膜１６Ａ，１６Ｂの変位量の低減に及ぼす影響が小さい。 - 特許庁

Specifically, when forming the piezoelectric thin film layer 16 by a sputtering method, a bias not less than -30V nor more than 0V is applied to the substrate 11 at the time of sputtering to apply compressive stress to the piezoelectric thin film layer 16.例文帳に追加

具体的には、スパッタ法により圧電体薄膜層１６を形成する場合、そのスパッタ時に、基板１１に−３０Ｖ以上０Ｖ以下のバイアスを印加することで、圧電体薄膜層１６に圧縮応力を付与する。 - 特許庁

Among the pole plates of each pair of the thin film piezoelectric resonator 103, the pole plates fitted to the different surfaces of the thin film piezoelectric resonator 103 are grounded to obtain a resonance output whose phase is inverted to the phase of an input signal.例文帳に追加

この薄膜圧電共振器１０３各対の極板のうち薄膜圧電体１０３の異なる面に取り付けられる極板を接地することにより、入力信号に対して位相の反転した共振出力を得る。 - 特許庁

Before a thin piezoelectric film depositing process (S5), an etching stopper layer 2 is formed on a silicon substrate (S1) and, after a thin piezoelectric film 7 is deposited (S5), a prescribed spot of the silicon substrate 1 is etched (S7).例文帳に追加

圧電薄膜の堆積工程（Ｓ５）より前に、シリコン基板１上にエッチングストッパ層２を形成し（Ｓ１）、圧電薄膜７の堆積工程（Ｓ５）以降に、シリコン基板１の所定箇所をエッチングする（Ｓ７）。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is provided with a crystal substrate 1, a thin film 2 made of a piezoelectric material and formed on the crystal substrate 1, a thin film 3 made of a non-piezoelectric material, and electrodes 4.例文帳に追加

水晶基板１と該水晶基板１上に形成された圧電材料からなる薄膜２と非圧電材料からなる薄膜３と電極４を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A piezoelectric thin-film is formed by AlN deposition in the piezoelectric thin-film acoustic wave element.例文帳に追加

このような場合には、圧電薄膜弾性波素子の損失が増加するため、受信系では受信感度が低下するおそれがあり、送信系では送信強度を高める必要が生じて省電力化に好ましくない。 - 特許庁

To provide a piezoelectric thin film resonator which improves the orientation of a piezoelectric thin film, is large in electric-mechanic coupling factor, and is high in acoustic quality coefficient Q, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

圧電薄膜の配向性を向上し、電気機械結合係数が大きく、音響的品質係数Ｑが高い、圧電薄膜共振子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make the precise Δf adjustment of a piezoelectric thin film resonator possible and to highly accurately adjust the center frequency of a filter constituted of the piezoelectric thin film resonators.例文帳に追加

圧電薄膜共振子の精密なΔｆ調整を可能とし、かつこれら圧電薄膜共振子で構成されたフィルタの中心周波数を高精度で調整すること。 - 特許庁

To provide a high quality piezoelectric element having a small quantity of defects, and also to provide a method of forming a thin film, which enables the formation of a high-quality piezoelectric thin film.例文帳に追加

圧電体素子において、欠陥の少ない高品質の圧電体素子、および圧電体素子に用いられる圧電体薄膜を品質良く形成するための薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, since the piezoelectric thin film 5 is disposed on an upper surface 4b consisting mainly of a signal crystal Ru, reaction can be avoided from happening at the interface with the lower electrode 4, and the interface of the piezoelectric thin film 5 can be flattened.例文帳に追加

しかも、この圧電薄膜５が単結晶のＲｕを主成分とする上面４ｂ上に配置されるので、下部電極４との界面で反応が起こるのを回避でき、圧電薄膜５の界面を平坦にすることができる。 - 特許庁