「PIEZOELECTRIC THIN FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a compact thin film piezoelectric filter with a function of an unbalance-balance converter wherein the steepness of the attenuation characteristic in the vicinity of the pass band is excellent.例文帳に追加

不平衡—平衡変換器の機能を有し、且つ、通過帯域近傍での減衰特性の急峻性が良好な小型の薄膜圧電フィルタを提供する。 - 特許庁

In the electronic-component attaching structure, an acceleration sensor (piezoelectric element) 48 of a thin-film-shape electronic component is soldered onto a through-hole 45 of a circuit board 44 correspondently to the through-hole 45.例文帳に追加

薄膜形状の電子部品である加速度センサ（圧電素子）４８を回路基板４４のスルーホール４５上に対応するように半田付けさせる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric/ferroelectric thin-film device, capable of having the degrees of freedom for selecting substrate material and eliminating residue of the peel-off layer to a structure without bringing about a damage at the structure.例文帳に追加

基板材料の選択に自由度を持たせることが可能で、構成体へのダメージが生じず、構成体への剥離層の残存がない圧電・強誘電体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator that causes resonance at a high frequency having not realized in a conventional resonator and applicable to a filter or the like operated at a high frequency area.例文帳に追加

従来実現されていなかった大きな周波数で共振を起こし、その高周波数領域で動作するフィルター等に使用可能な薄膜圧電共振子を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device composed of a plurality of piezoelectric thin film resonators which can be formed on the same substrate in a short manufacturing process and have different resonance frequencies, and a manufacturing method of the surface acoustic wave device.例文帳に追加

短い製造工程で同一基板上に形成可能なそれぞれ異なる共振周波数を有する複数の圧電薄膜共振器からなる弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A mirror holding part 15 is fitted to the part of the thin-film piezoelectric body 12 extended from the top surface 11a of the pedestal part 11 and the mirror holding part 15 holds a reflecting mirror 16.例文帳に追加

薄膜圧電体１２の台座部１１の上面１１ａから延設された部位には、ミラー保持部１５が取付けられ、ミラー保持部１５が、反射ミラー１６を保持している。 - 特許庁

To provide a super-thin plate piezoelectric device capable of facilitating electrode film thickness control, attaining the conduction with an external connection terminal by bonding, and preventing the degradation in the CI (crystal impedance) value and the generation of unwanted spurious result.例文帳に追加

電極膜厚制御が容易であると共に、ボンディングによる外部接続端子との導通が可能で、且つＣＩ値の劣化や不要なスプリアス発生を防止出来る超薄板圧電デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric thin film resonant element of which reliability is improved by eliminating contact between a vibrating part and a cover while reducing a package in height, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

パッケージを低背化しながら振動部と蓋体との接触を無くし、信頼性を高めた圧電薄膜共振子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric thin-film element that has large spontaneous polarization, is suitable for thinning and does not have deterioration in the characteristics, and to provide a piezoelectric actuator and a liquid delivery head that uses the same.例文帳に追加

自発分極の大きな、薄膜化に適した、特性の劣化のない強誘電体薄膜素子ならびにこれを用いた圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric thin film resonator that has an excellent resonance characteristic and an excellent temperature characteristic of the resonance frequency and has less defect due to cracked elements, etc.例文帳に追加

良好な共振特性および良好な共振周波数の温度特性を有し、素子の割れなどによる不良が少ない圧電薄膜共振子を提供する。 - 特許庁

A thickness h of the piezoelectric thin film 106 and a pitch p of a finger 110 of the IDT electrode 108 are selected so that a higher-mode Lamb wave with a sound velocity of at least 5000 m/s is excited at a desired frequency.例文帳に追加

圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、音速が５０００ｍ／ｓ以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 - 特許庁

It is because of consideration that acoustic impedance of the piezoelectric thin film 15 greatly differs between the inside and the outside of the free vibration region 192 to make a part being the contour 134 closer to a fixed end.例文帳に追加

これは、圧電体薄膜１５の音響インピーダンスが自由振動領域１９２の内側と外側とで大きく異なり、輪郭１３４となっている部分が固定端に近い状態となっていることを考慮したものである。 - 特許庁

To provide an inkjet head capable of obtaining a driving part of the inkjet head with a thin film piezoelectric body and hence improving electric characteristics of the inkjet head, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

インクジェットヘッドの駆動部を薄膜型圧電体で実現でき、これによりインクジェットヘッドの電気的特性を改善できる、インクジェットヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a piezoelectric layer 4, an aerosol deposition method which does not require a sintering process (the method of forming a thin film by spraying an aerosol containing material particles and sticking the particles) is used.例文帳に追加

これとともに、圧電層４の形成に、焼成工程を必要としないエアロゾルデポジション法（材料粒子を含むエアロゾルを噴き付けてこの粒子を付着させることにより薄膜を形成する方法）を用いる。 - 特許庁

A reception band filter 130 having series-connected elements 131, 133 and 135 as a thin film piezoelectric resonator and ground connection shunt elements 132, 134 and 136 is connected between a reception port 104 and the antenna port 106.例文帳に追加

受信ポート１０４とアンテナポート１０６との間には、薄膜圧電共振器からなる直列素子１３１，１３３，１３５及びグランド接続分路素子１３２，１３４，１３６を備えた受信帯域フィルタ１３０が接続されている。 - 特許庁

The conductive cloth 5 is fixed in such a state as to be pressed to the thin layer electrode 3 by folding leg parts 4a of the caulking metal fitting 4, which protrude to the rear face of the piezoelectric film 2.例文帳に追加

圧電フィルム２の裏面に突出したカシメ金具４の脚部４ａが折り曲げられることで、導電布５が薄層電極３に押圧した状態で固定されている。 - 特許庁

A thin piezoelectric oscillation element is provided, where a countermeasure to sub vibration is taken, by processing a thin board by forming a protective film on a main surface in the shape of a convex lens and soaking it in etchant for dissolving a crystal, while protecting the shape of the lens, etc.例文帳に追加

凸レンズ形状の主面に保護膜を形成し、凸レンズ形状を保護しつつ、水晶を溶解するエッチング用液へ浸けるなどして、板厚を薄く加工することで副振動対策のなされた薄板の圧電振動素子を提供する。 - 特許庁

To increase the changing amount of a frequency (frequency variable amount) by the trimming of the metal film of a thin portion for frequency adjustment by thinning the thin portion for the frequency adjustment at the distal end of vibrating arms even when a tuning-fork type piezoelectric vibrating piece is miniaturized.例文帳に追加

音叉型圧電振動片を小型化した場合であっても、振動腕の先端部の周波数調整用の肉薄部を薄くすることにより、周波数調整用の肉薄部の金属膜のトリミングによって周波数が変化する量（周波数可変量）を大きくする。 - 特許庁

In a thin film piezoelectric actuator of a double-clamped beam structure having a plurality of driving parts connected in a manner of reversed polarities, two or more via holes are formed perpendicularly to the driving shaft of the actuator in the piezoelectric film, and in each area of the via holes, a first upper electrode and a second lower electrode, or the second upper electrode and the first lower electrode, are overlapped and connected.例文帳に追加

逆極性に接続した複数の圧電駆動部を持つ両持ち梁構造の薄膜圧電アクチュエータにおいて、アクチュエータの圧電膜にアクチュエータの駆動軸に対して垂直方向に２個以上のヴィアホールを作成し、それぞれのヴィアホールの領域で第１の上部電極と第２の下部電極、あるいは第２の上部電極と第１の下部電極をオーバーラップさせて形成し接続する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、この単結晶基板１上に形成された結晶膜からなるバッファー層２と、バッファー層２上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜３とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element is provided with an acoustic multilayer film 105 formed by alternately laminating an Al_2O_3 layer (high acoustic impedance layer) 102 and a SiO_2 layer (low acoustic impedance layer) 103 on a substrate 101 comprising single crystal silicon or the like and the uppermost layer of which is a SiO_2 layer 104.例文帳に追加

単結晶シリコンなどから構成された基板１０１の上に、Ａｌ_2Ｏ_3層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ_2層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ_2層１０４とされた音響多層膜１０５を備えている。 - 特許庁

The shape of the piezoelectric film 82 is changed in shape by applying a voltage to the inside, an air bearing surface S is expanded/contracted by the shape change, and thus a space between the thin film magnetic head 11 and the hard disk 2, i.e., a head floating amount, is adjusted.例文帳に追加

圧電膜８２は、内部に電圧が印加されることで形状が変化し、その形状の変化によってエアベアリング面Ｓを膨張あるいは収縮させて、薄膜磁気ヘッド１１とハードディスク２との間隔、すなわちヘッド浮上量を調整する。 - 特許庁

The insulating layer 21 having the above chemical structure can allow a frequency temperature coefficient of the surface acoustic wave element to approximate to zero within a range of a thin film thickness of the insulating layer 21, irrespective of the material of the piezoelectric substrate 12, compared to the conventional case that a silicon dioxide film is used as an insulating layer.例文帳に追加

上記の化学構造を有する絶縁層２１により、従来、絶縁層として二酸化ケイ素膜を用いたときに比べて、前記圧電性基板１２の材質にかかわらず、前記絶縁層２１を薄い膜厚の範囲内で、弾性表面波素子の周波数温度係数を０に効果的に近づけることが出来る。 - 特許庁

In a piezoelectric thin film 107, the region corresponding to the part between a plurality of individual liquid chambers 102 has a film thickness smaller than that of the regions corresponding to the individual liquid chambers 102 and covers the entire lower electrode 106 which is provided at least in the region corresponding to the part between the plurality of individual liquid chambers 102.例文帳に追加

圧電体薄膜１０７は、複数の個別液室１０２同士の間に対応する領域が個別液室１０２に対応する領域よりも膜厚が小さく、少なくとも複数の個別液室１０２同士の間に対応する領域に設けられた下電極１０６をすべて覆う。 - 特許庁

In a specific deformation system of the optical element in the projection exposure machine especially having the projection lens of the micro- lithography use in the imaging apparatus for removing the image error or actively adjusting the image error, a piezoelectric element 3 is adhered to or integrated into the surface to be deformed as an actuator of the thin plate, thin film, or thin layer.例文帳に追加

イメージエラーを除去したり、能動的に調整するためのイメージング装置内の、特にマイクロリソグラフィー用途の投射レンズを有した投射露出マシン内の光学要素の特定変形システムにおいて、圧電素子３は変形される表面に薄板、薄膜または薄層状のアクチュエータとして付着されるか統合されている。 - 特許庁

The hydrogen gas sensor includes: a board-like piezoelectric body 11; a thin film-shaped gas sensitive part 32 arranged on a part of the surface of the piezoelectric body 11, and composed of a palladium-platinum alloy; and a comb tooth-shaped electrode 22 functioning as a detection part for detecting a change of a physical property of the gas sensitive part 32 depending on a hydrogen concentration of gas in contact with the gas sensitive part 32.例文帳に追加

板状の圧電体１１、圧電体１１の表面の一部に配置されたパラジウム—プラチナ合金からなる薄膜状のガス感応部３２、及びガス感応部３２に接するガスの水素濃度に依存するガス感応部３２の物性の変化を検出する検出部として機能する櫛歯状の電極２２を備える水素ガスセンサを提供する。 - 特許庁

On a bare chip 10 constituting a ladder type piezoelectric filter 1, parallel arm resonators 101 and 103 are formed on the side of a region 185 between regions 185 and 186 formed by dividing a continuous piezoelectric thin film 15 by a straight line 181, and a series arm resonator 102 is formed on the side of the region 186.例文帳に追加

ラダー型圧電フィルタ１を構成するベアチップ１０においては、連続する圧電体薄膜１５を直線１８１で分割して得られる領域１８５，１８６のうち、領域１８５の側に並列腕共振子１０１，１０３を形成し、領域１８６の側に直列腕共振子１０２を形成している。 - 特許庁

This inertia sensor is provided with an oscillation driving part 15 and an oscillation detecting part 17 constituted of a piezoelectric element having structure layered respectively with lower side electrodes 19, 21, piezoelectric thin film layers 23, 25 and an upper side electrode 27, to be juxtaposed along a direction orthogonal to a direction aligned with the first and second node parts N1, N2, on one face 6 of the substrate 5.例文帳に追加

基板５の片面６上に、第１及び第２の節部Ｎ１及びＮ２が並ぶ方向と直交する方向に並ぶように、それぞれ下側電極層１９，２１と圧電体薄膜層２３，２５と上側電極層２７とが積層された構造を有する圧電素子から構成された振動駆動部１５及び振動検出部１７とを備えている。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

To provide a high-performance piezoelectric element that does not contain Pb and can be directly packaged onto an Si substrate for enabling formation in a thin-film process, and to provide an ink-jet type recording head using the piezoelectric element, an ink-jet printer, a surface acoustic wave device, a frequency filter, an oscillator, an electronic circuit, and electronic equipment.例文帳に追加

高性能でＰｂを含有せず、しかもＳｉ基板上への直接的な実装を可能にして薄膜プロセスでの形成を可能にした圧電素子と、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element comprising a piezoelectric ceramic sandwiched by upper and lower electrodes has a lower field region (70 kV/cm or below) where the displacement δ in a field vs displacement characteristic curve A depends on the field E, and an intermediate field region (70 kV/cm-140 kV/cm) where the displacement δ does not depend on the field E but has a constant value.例文帳に追加

本発明の圧電体薄膜素子は、上部電極と下部電極に挟まれた圧電性セラミックスを備える圧電体薄膜素子であって、電界対変位特性曲線Ａが、変位δが電界Ｅに依存する低電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以下）と、変位δが電界Ｅに依存せずに一定の値を有する中電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以上１４０ｋＶ／ｃｍ以下）とを有する。 - 特許庁

An external electrode 16 thin film formed on surfaces of two external electrode faces having the pulled-out internal electrodes 15 is constituted so as to have the external electrode structures separated by one or a plurality of machined slits 17 in protection portions 13 of a piezoelectric ceramic layer.例文帳に追加

内部電極１５が引き出される２つの外部電極面の表面に形成された外部電極１６薄膜が圧電セラミック層の保護部分１３において、１つまたは複数の機械加工されたスリット１７によって分離された外部電極構造を有するよう構成する。 - 特許庁

A top-surface electrode 171 faces a lower surface electrode 151 across a piezoelectric thin film 26 in an opposition region E11 to constitute a resonator (series resonator) R11 including the top-surface electrode 171 and lower surface electrode 151 as driving electrodes.例文帳に追加

上面電極１７１は、対向領域Ｅ１１において、圧電体薄膜２６を挟んで下面電極１５１と対向し、上面電極１７１及び下面電極１５１を駆動電極とする共振器（直列共振器）Ｒ１１を構成している。 - 特許庁

In a ladder-type band pass filter 1 having a plurality of piezoelectric thin film resonators, the width of a wiring part 11 connecting two series resonators 110 arranged in a serial arm is designed to be wider than that of the series resonator 110.例文帳に追加

複数の圧電薄膜共振器を有して構成されたラダー（梯子）型のバンドパスフィルタ１において、直列腕に配された２つの直列共振器１１０間を接続する配線部分１１の幅を直列共振器１１０の幅よりも広く設計する。 - 特許庁

In this surface acoustic element 12, at least one kind of metal among Cu, Ta, W and Ti is segregated in a thin film electrode 18 provided on a piezoelectric substrate 28 and made of single crystal aluminum.例文帳に追加

本発明に係る表面弾性波素子１２は、圧電性基板２８上に設けられた、単結晶アルミニウムで構成された薄膜電極１８に、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉのうち少なくとも１種類の金属が偏析していることを特徴とする。 - 特許庁

This piezoelectric device is produced by epitaxially growing a dielectric crystal thin film 2 which polarizes to a direction opposite to the direction of the polarization and has high curie temp. higher than epitaxial growth by a liquid phase epitaxy on the one main surface of a dielectric crystal substrate 1 polarized in one direction.例文帳に追加

一方向に分極した誘電体結晶基板１の一主面上に、その分極の方向と反対方向に分極し、かつエピタキシャル成長の温度よりも高いキュリー温度を有する誘電体結晶薄膜２を液相エピタキシー法によりエピタキシャル成長させ、圧電装置を製造する。 - 特許庁

In the electrode formation processing method having such characteristics, bonding between the piezoelectric wafer 100 and the base wafer 200 is performed by direct bonding, and it is desirable to set temperature during heat treatment to be lower than a melting point of a thin film for electrode formation.例文帳に追加

このような特徴を有する電極形成処理方法では、前記圧電ウェハ１００と前記ベースウェハ２００との接合は、直接接合により成すこととし、加熱処理時の温度を前記電極形成用薄膜の融点よりも低く設定すると良い。 - 特許庁

To stably provide a high performance piezoelectric thin film acoustic resonator which is improved so as to reduce leak of vibration energy and efficiently confine it, and has excellent anti-resonant characteristics and high acoustic quality without severe control for manufacturing conditions.例文帳に追加

振動エネルギーの漏れを抑え効率よく閉じ込めるよう改良された、反共振特性に優れ高い音響品質を有する高性能の圧電薄膜音響共振器を製造条件の厳しい制御を要することなく安定して提供する。 - 特許庁

The HGA 3 includes the slider 203', a suspension 213' to load the slider 203', and at least one thin film or ceramic piezoelectric element for the flying height adjustment arranged between the slider 203' and the suspension 213'.例文帳に追加

ＨＧＡ３は、スライダ２０３’と、スライダ２０３’を装着するサスペンション２１３’と、スライダ２０３’とサスペンション２１３’の間に配置されるフライングハイト調整のための少なくとも一つの薄膜又はセラミックの圧電素子を具備する。 - 特許庁

This thin-film acoustic piezoelectric resonator 23 of the integrated circuit is formed in the area of a silicon substrate 1 of a first conducting type, including a stack with plural alternate non-porous silicon layers 3, 7, 11 and porous silicon layers 5, 9, 13.例文帳に追加

複数の交互の非多孔質シリコン層（３，７，１１）と多孔質シリコン層（５，９，１３）を有するスタックを含む第一の導電形式のシリコン基板（１）の領域に集積回路の薄膜音響圧電共振器（２３）が形成されている。 - 特許庁

There is provided the piezoelectric thin film made of perovskite metal oxide, such that the crystal system of the perovskite metal oxide is a mixed system having at least the rhombohedral structure and tetragonal structure, and the ratio of an (a)-axial length and a (c)-axial length of the tetragonal structure satisfies 1.15≤c/a≤1.30.例文帳に追加

ペロブスカイト型金属酸化物よりなる圧電薄膜であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物の結晶系が少なくとも菱面体晶構造と正方晶構造を有する混在系であり、かつ前記正方晶構造のａ軸長とｃ軸長の比が１．１５≦ｃ／ａ≦１．３０である圧電薄膜。 - 特許庁

Accordingly, a rinsing process (S3) can be executed, by using water without limits for removing toxicity to human bodies and environmental load, thereby obtaining the method for manufacturing the piezoelectric thin film 70, by using the rinsing liquid without limit; removing toxicity to human bodies and environmental load, while preventing increase in the afilm thickness, at an outer circumferential pportion 105 and liquid dripping.例文帳に追加

したがって、人体への毒性および環境への負荷が限りなくない水を使ってリンス工程（Ｓ３）が行え、外周部１０５での厚膜化、液だれを防ぎつつ、人体への毒性および環境への負荷を限りなくなくしたリンス液を用いた圧電体薄膜７０の製造方法を得ることができる。 - 特許庁

The transmission transducers 2a and 2b and the reception transducers 3a and 3b are constituted by forming, for example, a comb shaped electrode on one main face of a thin film piezoelectric element composed of AlN, ZnO, etc., and forming a planar solid electrode in the other side main face.例文帳に追加

送信用トランスディーサ２ａ、２ｂおよび受信用トランスディーサ３ａ、３ｂは、例えばＡｌＮやＺｎＯなどからなる薄膜状の圧電体の一方主面に櫛形電極を形成し、他方主面に平板のベタ電極を形成して構成されている。 - 特許庁

The propagation route PA of surface acoustic wave signals from the comb-line electrodes 13 for the transmission elements to the comb-line electrodes 14 for the reception elements is provided obliquely to four sides of the touch area 12 and the touch area side end part of the piezoelectric thin film 15 is formed linearly along the side of the touch area 12.例文帳に追加

発信素子用櫛形電極１３から受信素子用櫛形電極１４への表面弾性波信号の伝播経路ＰＡがタッチ領域１２の４辺に対して斜めに設けられ、圧電薄膜１５のタッチ領域側端部がタッチ領域１２の辺に沿って直線状に形成されている。 - 特許庁

The driven element 2 for exciting a surface acoustic wave into two directions and the reception element 3 for receiving the surface acoustic wave from two directions are constituted so that a interdigital electrode 5 is formed on the surface of a thin film piezoelectric body 4 and a plane electrode 6 is formed on the rear surface thereof.例文帳に追加

２方向へ表面弾性波を励振する励振素子２及び２方向からの表面弾性波を受信する受信素子３は、薄膜状の圧電体４の表面に櫛形電極５、裏面に平板電極６を形成して構成されている。 - 特許庁