「Pattern Exposure System」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An electron-beam exposure system is focused while the stepped pattern 11 is irradiated with a drawing electron beam and the secondary-electron image of the edge 15 is observed.例文帳に追加

電子線描画のフォーカス合わせを、段差状パターン１１に描画電子ビームを当ててエッジ１５の二次電子像を観察しながら行う。 - 特許庁

To provide a pattern drawing apparatus capable of performing high accuracy exposure drawing in which the amount of light can be changed properly in an irradiation optical system.例文帳に追加

照射光学系で光量が適正に変更される高精度の露光描画を行うことができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁

To make readable a hologram pattern representing information even in an image pickup system whose exposure time is relatively long and also to make readable it regardless of the carrying direction.例文帳に追加

情報を表すホログラムパターンを露光時間が比較的長い撮像系であっても読み取り、また、搬送方向に関係なく読み取る。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM OF DRIVING MOVABLE BODY, METHOD AND DEVICE OF FORMING PATTERN, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND MEASURING METHOD例文帳に追加

移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びに計測方法 - 特許庁

To provide a projection optical system which can project the image of a pattern for multiplex exposure efficiently on a substrate by controlling fall of throughput.例文帳に追加

スループットの低下を抑制し、多重露光するためのパターンの像を基板上に効率良く投影できる投影光学系を提供する。 - 特許庁

To precisely and speedily transfer a pattern by providing an accurate alignment system suitable to a charged particle beam exposure device of a reflection type.例文帳に追加

反射型の荷電粒子ビーム露光装置に適した高精度なアライメント方式を提供し、高精度・高速度なパターン転写を可能とする。 - 特許庁

SYSTEM/METHOD FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, APPARATUS/METHOD FOR PREPARING LAYOUT PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, AND APERTURE例文帳に追加

荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、レイアウトパターンの作成装置、レイアウトパターンの作成方法、半導体装置の製造方法、及び、アパーチャ - 特許庁

To provide an electron beam projection exposure system for efficiently determining the sectional shape of an electron beam for exposing to a pattern to be exposed to light.例文帳に追加

露光すべき電子ビームの断面形状を、露光すべきパターンに対して効率よく定めることができる電子ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a step-system proximity exposure method that can enhance the transfer accuracy of an exposure pattern onto a substrate, even when detection accuracy of an optical measurement sensor, such as a laser interferometer, tends to deteriorate.例文帳に追加

レーザ干渉計等の光学的計測センサの検出精度が低下しやすい場合であっても、基板上の露光パターンの転写精度を高めてることができるステップ式近接露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure method and a device, where image forming conditions can be efficiently corrected on shape astigmatism caused by a pattern distribution difference between sub-fields in a charged particle beam exposure method of a split transfer system, and resultantly, a pattern of high resolution and high accuracy can be projected for exposure and transferred.例文帳に追加

分割転写方式の荷電ビーム露光において、各サブ・フィールド内のパターン分布の相違に起因する形状非点収差等の結像条件の補正を効率良く実行でき、結果的に高解像・高精度のパターン転写露光を実現できる荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

An aligner 9 by which the pattern of the mask R is exposed by exposure light B on the base plate P through a projection optical system 12, is provided with a line width detector to detect the pattern line width of the mask R and a controller 23 to control the exposure of the exposure light B based on the detected result of the line width detector.例文帳に追加

露光光ＢによりマスクＲのパターンを投影光学系１２を介して基板Ｐに露光する露光装置９において、マスクＲのパターン線幅を検出する線幅検出装置と、線幅検出装置の検出結果に基づいて、露光光Ｂの露光量を制御する制御装置２３とを備える。 - 特許庁

In the exposure method, the pattern of a mask (M) disposed on the object surface of a projection optical system (PL) is exposed on the photosensitive substrate (W) disposed on the image surface of the projection optical system to form the pattern of a desired line width on the photosensitive substrate.例文帳に追加

投影光学系（ＰＬ）の物体面に設置されたマスク（Ｍ）のパターンを、投影光学系の像面に設置された感光性基板（Ｗ）上に露光して、感光性基板上に所望線幅のパターンを形成する露光方法。 - 特許庁

The aligner EX is provided with a lighting optical system IL for illuminating a mask M forming a pattern by exposure light EL from the light source 10, and a projection optical system PL for transferring a pattern image on a photosensitive substrate P.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、光源１０からの露光光ＥＬで、パターンが形成されたマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、パターンの像を感光基板Ｐ上に転写する投影光学系ＰＬとを備えている。 - 特許庁

At exposing, an exposure process is carried out to restore the originally designed pattern by subjecting the projection optical system and/or the stage operation to a correction reverse to the above correction.例文帳に追加

露光時には、投影光学系及び／又はステージ動作に前記補正の逆の補正を行って本来の設計パターンを復元するように露光する。 - 特許庁

The method for adjusting the landing angle in the charged particle beam exposure system includes a step of disposing a minute point pattern 51 regarded as being substantially a point on a mask stage 11, and a step of disposing a minute first pin hole 61 on the surface of a wafer.例文帳に追加

マスクステージ１１上にほぼ点とみなせる微小な点パターン５１を配置し、ウェハ面上に微小な第１ピンホール６１を配置する。 - 特許庁

METHOD OF CALCULATING IRRADIATION ENERGY, METHOD OF CALCULATING PROXIMITY EFFECT, METHOD OF DESIGNING MASK OR RETICLE PATTERN, CHARGED-PARTICLE-BEAM EXPOSURE SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

照射エネルギーの計算方法、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To provide an electron beam exposure system which can rapidly adjust the line width of a pattern exposed to a wafer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ウェハに露光されるパターンの線幅の調整を迅速に行うことのできる電子ビーム露光装置及び半導体素子製造方法を提供する。 - 特許庁

The immersion exposure apparatus 100 includes a projection optical system 2 configured to project a pattern of an original 10 onto the substrate 44 via a liquid 42 to expose the substrate 44 to light.例文帳に追加

液浸露光装置１００は、原版１０のパターンを投影光学系２および液体４２を介して基板４４に投影して基板４４を露光する。 - 特許庁

The substrate formed with the resist film is transferred to an exposure device which is provided with a reticle formed with a pattern and a projection optical system (step ST105).例文帳に追加

前記レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する（ステップＳＴ１０５）。 - 特許庁

The transfer mask consists of a mask body, having a mask pattern and a mask holder 70 for holding this mask body and is to be used for the electron beam exposure system.例文帳に追加

マスクパターンを有するマスク本体と、このマスク本体を保持するマスクホルダ７０とから構成され、電子ビーム露光装置に使用される転写用マスクである。 - 特許庁

The exposure apparatus EX exposes a substrate P by projecting an image of a pattern on the substrate P through a projection optical system PL and the liquid LQ.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐ上にパターンの像を投影することによって、基板Ｐを露光する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of easily exchanging patterns of a slit system and a reticle, and accurately forming a pattern of a mask.例文帳に追加

本発明は、スリットシステムとレチクルのパターンの両方を簡単に交換でき、マスクのパターンを正確に形成することができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure apparatus for exposing a desired pattern by suppressing the generation of other aberrations when performing an astigmatic correction of an electronic optical system for contraction.例文帳に追加

縮小電子光学系の非点を補正する際、他の収差の発生を抑え、所望パターンを露光できる荷電粒子線描画装置を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR PATTERN FORMING, SYSTEM AND METHOD FOR MOBILE DRIVING, DEVICE AND METHOD FOR EXPOSURE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - 特許庁

This electron beam exposure system exposes a pattern on a wafer by an electron beam, and has a wafer stage 152 and an electron beam generating section for generating the electron beam.例文帳に追加

電子ビームによりウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置は、ウェハステージ１５２と、電子ビームを発生する電子ビーム発生部とを備える。 - 特許庁

To obtain an apparatus a method for X-ray beam exposure system, with which a pattern of high resolution can be obtained, using X rays within a range of 0.45 to 0.7 nm.例文帳に追加

０．４５ｎｍ〜０．７ｎｍの範囲内のＸ線を用いて高解像度のパターンが得られるＸ線露光装置やＸ線露光方法を得ること - 特許庁

An exposure apparatus comprises a stage 4 for holding a substrate to which a pattern is projected by a projection optical system PL, and the nozzle 70 for treating liquid between the projection optical system PL and the substrate.例文帳に追加

投影光学系ＰＬによりパターンが投影される基板を保持するステージ４と、投影光学系ＰＬと基板との間で液体を処理するノズル部７０とを有する。 - 特許庁

The exposure apparatus exposes a substrate by filling a liquid between a projection optical system and the substrate, and projects the image of a pattern onto the substrate through the projection optical system and the liquid.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と基板との間を液体で満たし、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって基板を露光する。 - 特許庁

The exposure apparatus fills a space between a projection optical system and a substrate with liquid and exposes the substrate by projecting an image of a pattern onto the substrate via the projection optical system and the liquid.例文帳に追加

この露光装置は、投影光学系と基板との間を液体で満たし、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって基板を露光する。 - 特許庁

To correct non-uniformity of exposure illuminance in a non-scanning direction in a scan exposure apparatus which scans an original and a substrate with respect to a projection optical system for transfer and expose a pattern image formed on the original through the projection optical system onto the substrate.例文帳に追加

原版と基板とを投影光学系に対して走査することにより、原版に形成されたパターン像を、投影光学系を介して基板上に転写露光する走査露光装置において、非走査方向の露光照度ムラを修整する。 - 特許庁

The third position detecting system 14c observes an optional position located inside and outside a lighting range of exposure light, and the standby position of the third position detecting system 14c when the image of an original pattern is projected onto a substrate 8 for exposure is substantially at the same position as a part of its detecting range or adjacent to it.例文帳に追加

そして、第３位置検出系１４ｃは露光光の照明領域内外を検出し、原版パターンを基板８に露光する際の待機位置と検出範囲の一部とが実質的に同一の位置或いはその近傍にある。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises imaging a plurality of kinds of copper thicknesses of test substrates forming a test pattern including the pattern lines of various line widths by an image recognizing means 60, and preparing a correction table indicating corresponding relationship of the copper thickness, the line width and an exposure correction amount by really measuring the line width of the pattern line.例文帳に追加

様々な線幅のパターン線を含むテストパターンが形成された複数種類の銅厚のテスト基板を画像認識手段６０により撮像し、パターン線の線幅を実測して銅厚、線幅、及び露光補正量の対応関係を示す補正テーブルを作成する。 - 特許庁

In the method of deflecting the collimating mirror in the illumination optical system of the exposure device, the luminous flux of exposure light rays from an illumination light source is made into parallel luminous flux by the deflected collimating mirror, and a pattern of a mask is transferred to an object to be transferred by the exposure light rays.例文帳に追加

露光装置の照明光学系におけるコリメートミラーの撓ませ方法において、照明光源からの露光光の光束を撓ませたコリメートミラーにより平行光束とし、該露光光によってマスクのパターンを被転写物体に転写する。 - 特許庁

The exposure device EX comprises an exposure unit which exposes a substrate P to be exposed with a circuit pattern, and an alignment system 4 provided to penetrate the substrate P and to detect the position of the substrate P by passing light through an alignment mark AM becoming a position reference of exposure.例文帳に追加

本発明の露光装置ＥＸは、露光対象の基板Ｐに回路パターンを露光する露光部と、基板Ｐを貫通して設けられ、露光の位置基準となるアライメントマークＡＭに光を通して基板Ｐの位置を検出するアライメント系４を備える。 - 特許庁

To provide an aligner capable of carrying out exposure at high accuracy, by carrying out a relative alignment between a projection position of an exposure pattern of a projection optical system and a detection position of a position detection optical system, without having to move the position detection optical system on a rear surface side.例文帳に追加

、裏面側の位置検出光学系を移動させることなく、投影光学系の露光パターンの投影位置及び位置検出光学系の検出位置の相対的な位置合わせをより正確に行って、露光を高精度に行うことが可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reticle with which an exposure region of the light emitting from an illumination optical system of an exposure apparatus can be aligned to a specified position of an inspection pattern so as to inspect the performance of the exposure apparatus with high reproducibility, to provide a method for inspecting an exposure apparatus by using the reticle, and to provide a method for manufacturing a reticle.例文帳に追加

露光装置の性能検査を再現性よく行うために、露光装置の照明光学系から照射される光の露光領域を検査用パターンの特定の位置に合わせることが可能なレチクル、そのレチクルを用いた露光装置の検査方法及びレチクル製造方法を提供する。 - 特許庁

In the exposure system, a mask 30 on which the pattern of an inscribing numeric or symbol is drawn is selected, and exposure is conducted by a mask storage controller 22 and a mask shifter 23 at every column of wafer-discrimination information.例文帳に追加

露光装置は、ウエハ識別情報の各桁毎に、マスク格納コントローラ２２およびマスク移載機２３によって、記入する数字または記号のパターンが描画されたマスク３０を選択して露光を行う。 - 特許庁

This exposure system is equipped with an illuminating optical system which has a mask 27 irradiated with illuminating light and a projection optical system which projects an illuminating light onto a substrate 30, and a mask pattern is transferred onto a substrate through irradiation with illumination light.例文帳に追加

マスク２７に照明光を照射する照明光学系と、照明光を基板３０上に投射する投影光学系２９とを備え、照明光の照射によってマスクのパターンを基板上に転写する。 - 特許庁

The numerical aperture of the illumination optical system 2 is variable in a range necessary to adjust a parallel degree of the illumination light from the light source in an exposure machine carrying out the proximity exposure; and the front focal plane of the objective lens system 4 is moved from the pattern surface of the photomask 3 within a distance corresponding to the proximity gap in the exposure machine.例文帳に追加

照明光学系２の開口数はプロキシミティ露光を行う露光機における光源からの照明光の平行度調整に必要とされる範囲において設定可能で、対物レンズ系４は、前側焦点面がフォトマスク３のパターン面から露光機におけるプロキシミティギャップに対応する距離だけ移動可能である。 - 特許庁

The exposure apparatus that transcribes a pattern of a reticle 2 to a substrate 6 via a projection optical system 3, has a controller 14 that corrects an image of the pattern imaged on the substrate 6 according to a shape of the reticle 2 in a waiting state until start of an exposure operation.例文帳に追加

本発明は、投影光学系３を介してレチクル２のパターンを基板６に転写する露光装置であって、露光動作が開始されるまでの待機状態における前記レチクル２の形状に応じて、前記基板６の上に結像される前記パターンの像を補正する制御器１４を備える。 - 特許庁

In a step 417, an optimum dosage for exposure for a measurement pattern for optical characteristic measurement of the projection optical system is temporarily determined on the basis of the detection result of a formation state of an image of the measurement pattern formed in a plurality of regions on a wafer through exposure processing in a step 406.例文帳に追加

ステップ４１７において、ステップ４０６の露光処理によってウエハ上の複数の領域に形成された計測用パターンの像の形成状態の検出結果に基づいて、投影光学系の光学特性計測のための前記パターンの露光の最適ドーズ量が仮に決定される。 - 特許庁

In the scanning exposure method for scanning and exposing an image of a pattern formed in a reticle on a substrate via a projection optical system, the reticle pattern surface is measured in parallel with other inspection process which scans a reticle stage and a substrate stage in the same stage driving state as in exposure.例文帳に追加

レチクルに形成されたパターンの像を投影光学系を介して基板上に走査露光する走査露光方法において、レチクルステージ及び基板ステージを露光時と同じステージ駆動状態で走査させる他の検査工程と並行してレチクルパターン面測定を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an aligner which prevents the mixing of atmosphere from outside into a substitution space upon exchanging and adjusting a component in the optical system of the exposure device for transferring the mask pattern of a mask with a transferring pattern, onto a photoreceptor by illumination light for exposure.例文帳に追加

転写用パターンが形成されたマスクのマスクパターンを露光用の照明光により感光体上に転写する露光装置の光学系において、部品交換及び調整を行う際に、置換空間に外部から大気の混入を防止する露光装置を提供する。 - 特許庁

The exposure apparatus projects a pattern image on the substrate via the projection optical system, and the liquid and exposes the substrate; and the exposure apparatus includes a liquid removing mechanism that removes the liquid left on a component disposed near the image surface of the projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影し、基板を露光する露光装置であって、投影光学系の像面付近に配置された部品上に残留した液体を除去する液体除去機構を備えている。 - 特許庁

When an exposure process is carried out, for instance the blur of the energy beam in the X direction is set smaller than that in the Y direction, the wafer is adjusted in position so as to make the direction of the gate line width coincident with the X direction in the exposure system and loaded into the exposure device, and a gate pattern is exposed.例文帳に追加

露光にあたり、例えばエネルギービームのぼけ量について、Ｘ方向のぼけ量を小さくＹ方向のぼけ量を大きく設定し、露光装置内でゲート線幅方向とＸ方向が合うようにウェハの向きを調整して搬入し、ゲートパターンを露光する。 - 特許庁