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Pattern Exposure Systemの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 360件
Since exposure value dependency of a best focus position to be calculated can be neglected while preventing occurrence of pattern collapse due to defocus, image plane position of a projection optical system can be measured with high accuracy.例文帳に追加
これにより、デフォーカスによってパターン倒れが発生することを抑制しつつ、算出されるベストフォーカス位置の露光量依存性を無視することができるので、投影光学系の像面位置を精度高く計測することができる。 - 特許庁
The exposure apparatus, which exposes a substrate 40 through liquid LW, is provided with a projection optical system 30 which projects a pattern of an original 20 onto the substrate 40; and a substrate stage 45 which holds and moves the substrate 40.例文帳に追加
液体LWを介して基板40を露光する露光装置1において、原版20のパターン像を基板40上に投影する投影光学系30と基板40を保持し且つ移動する基板ステージ45とを備える。 - 特許庁
To develop a means for partly effectively purging an ultraviolet optical path in an aligner, for emitting a photosensitive substrate with a pattern of a mask via a projection optical system by using ultraviolet rays as the exposure light with an inert gas in the apparatus.例文帳に追加
露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする手段を開発する。 - 特許庁
Using a projection optical system 7 provided with at least one reflective surface and a plurality of optical axes bent by the reflective surface, a pattern image of a mask 4 is scanned and exposed on each exposure area of a photosensitive substrate 8.例文帳に追加
少なくとも1つの反射面と該少なくとも1つの反射面によって折り曲げられた複数の光軸とを有する投影光学系(7)を用いて、感光性基板(8)の各露光領域にマスク(4)のパターン像を走査露光する。 - 特許庁
The exposure light from a lighting source is radiated on a wafer vertically through a reflection mask and mirrors of reflective projection optical system, so that an absorber pattern 10 on the reflection mask is exposed on the wafer.例文帳に追加
照明用光源からの露光照明光は、反射型マスク、反射投影光学系のミラー群を介して、鉛直方向からウエハW上に照射され、反射型マスク上の吸収体パターン10がウエハWに露光される。 - 特許庁
Since the thickness of the resist film is measured by means of the spinner having a relatively long margin in its processing time, the processing time of the pattern exposure system is reduced and the throughput of the substrate treating process can be improved as a whole.例文帳に追加
このように比較的処理時間に余裕のあるスピンナにおいてレジスト膜の膜厚を測定することで、パターン露光装置の処理時間が減少し、基板処理工程全体におけるスループットを向上させることができる。 - 特許庁
Here, the coma remaining in the reflection projection optical system is minimized with height H of the absorber pattern 10 being N.λ/2 (where the wavelength of exposure light is λ while N is natural number).例文帳に追加
このとき、露光照明光の波長をλとし、Nを自然数としたときに、吸収体パターン10の高さHをN・λ/2とすることにより、反射投影光学系に残存するコマ収差を最小にすることができる。 - 特許庁
To provide a device for purging an ultraviolet ray path in an aligner partially effectively by inert gas in the aligner that applies a mask pattern to a photosensitive substrate via a projection optical system by using ultraviolet rays as exposure light.例文帳に追加
露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁
The system exposing a mask pattern on a substrate is provided with a memory 20 storing a number of operating parameters for exposure- related processing and a controller 14 switching the operating parameters based on the time slot for processing.例文帳に追加
マスクのパターンを基板に露光する露光装置において、露光に関する処理の動作パラメータを複数記憶する記憶装置20と、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える制御装置14とを備える。 - 特許庁
In addition to a lens barrel 5 which houses a projection optical system 3, a substrate cleaning unit 41 is provided which cleans a substrate S using the same liquid as a liquid which is supplied to an immersion region, prior to exposure of a pattern to the substrate S.例文帳に追加
投影光学系3を収納する鏡筒5に加えて基板洗浄ユニット41を設け、基板Sへのマスクパターンの露光に先立って、液浸領域に供給される液体と同一の液体を用いて基板Sを洗浄する。 - 特許庁
To produce high precision zone patterns each having a large diameter, by reducing the effect of aberration in a projecting lens system in an exposure apparatus on each pattern as mush as possible in the case that divided plural patterns are arranged on one reticle.例文帳に追加
レチクル上に複数個に分割したパターンを配置する場合、各パターンが露光装置の投影レンズ系の収差の影響を受けることをできるだけ少なくして、大口径、高精度のゾーンパターンを製作することを可能にする。 - 特許庁
To provide an illumination optical system which achieves a suitable illumination condition by varying polarization states of the illumination light according to pattern characteristics of a mask while suppressing the loss of the amount of light when mounted on an exposure apparatus.例文帳に追加
たとえば露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁
An exposure device EX exposes a substrate P by projecting a pattern image on the substrate P through a projection optical system PL and liquid 1, and comprises a liquid supply mechanism 10 supplying the liquid 1 to a location between the projection optical system PL and the substrate P.例文帳に追加
露光装置EXは、投影光学系PLと液体1とを介してパターン像を基板P上に投影することによって基板Pを露光するものであって、投影光学系PLと基板Pとの間へ液体1を供給する液体供給機構10を備えている。 - 特許庁
An immersion exposure system wherein the pattern of an original plate is exposed over a substrate by means of a liquid layer between a projection optical system and the substrate is provided with a means to remove an immersion liquid adhered onto the substrate or filled thereon by turning or moving a substrate holding member.例文帳に追加
投影光学系と基板との間の液体層を介して原版のパターンを基板に露光する液浸露光装置を、基板保持部材を回動または移動させることにより、基板上に付着した、または基板上に満たされた液浸液を除去する手段を備えたものとする。 - 特許庁
To provide a developing device and an exposing/developing method for facilitating pattern formation with high resolution, improving mass-productivity and providing a product of high quality by exposure using a proximity exposure system in the exposing/developing steps of a method for manufacturing a color filter for processing a photosensitive resin composition applied on a substrate into a black matrix or a colored pattern.例文帳に追加
本発明は、基板上に塗布された感光性樹脂組成物をブラックマトリクス、若しくは着色パタ−ンとして形成するカラ−フィルタ製造方法の露光・現像工程において、プロキシミティ露光方式を用いた露光で、高解像度のパターン形成を可能にし、量産性を向上させ、かつ、高品質の製品を提供するための現像装置及び露光・現像方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method or manufacturing a diffraction optical element by which a blaze diffraction pattern having a fine pattern pitch can easily be manufactured highly precisely, and to provide a diffraction optical element manufactured by the method, an optical system having the element, an exposure device, a method for manufacturing a device and the device.例文帳に追加
微細なパターンピッチを有するブレーズ型回折パターンを容易にかつ高精度に製造することができる回折光学素子の製造方法、該回折光学素子の製造方法によって製造した回折光学素子、および該回折光学素子を有する光学系、露光装置、デバイス製造方法、デバイスを提供する。 - 特許庁
In the objective exposure system in which a substrate 4, e.g. for producing a working reticle is exposed through a master reticle with a formed pattern, the substrate 4 is provided with three first supporting members 52 which support the substrate 4 in a nearly horizontal state in three places except the illumination areas (pattern area 25, alignment mark areas MA1 and information mark areas MA2) of the substrate 4.例文帳に追加
パターンが形成されたマスターレチクルを介して、例えばワーキングレチクル製造用の基板4を露光する露光装置において、基板4を該基板4の照明エリア(パターンエリア25,アライメントマークエリアMA1,情報マークエリアMA2)以外の3箇所でほぼ水平に支持する3本の第1支持部材52を備えて構成される。 - 特許庁
The exposure device is equipped with a lighting system for providing a projection radiation beam, a support structure which is equipped with a pattern and supports equipment functioning to impart a pattern to a section of the projection beam, a table for holding a target object, a projection system for projecting a patterned beam on the target object, and the tilt equipment for providing a tilted projection beam.例文帳に追加
本発明は、投影放射ビームを提供するための照明システムと、パターンを備えた、投影ビームの断面にパターンを付与するように機能する機器を支持するための支持構造と、目標対象を保持するためのテーブルと、パターン化されたビームを目標対象に投射するための投影システムと、傾斜した投影ビームを提供するための傾斜機器とを備えた露光装置に関する。 - 特許庁
To provide a computer-readable recording medium recording a program for making a computer execute a method of determining a pattern of a mask and an effective light source distribution with which the mask is illuminated, both of which are used for an exposure apparatus including an illumination optical system which illuminates a mask with light from a light source and a projection optical system which projects a pattern of the mask onto a substrate.例文帳に追加
光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられるマスクのパターンとマスクを照明する際の有効光源分布とを決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁
To provide an optical lithography system in which particles adhering to a substrate holding part and causing failure of a resist pattern due to dull focus can be cleaned off quickly without destroying or contaminating the exposure atmosphere.例文帳に追加
露光装置において、基板を保持する基板保持部にパーティクルが付着していると、フォーカスぼけによるレジストパターン不良の原因の一つとなり、このパーティクルを迅速かつ露光雰囲気を破壊、汚染せずにクリーニングすることが可能な露光装置を提供する。 - 特許庁
The fluid heat regulation module determines an actuator command for aberration correction of the optical element in the liquid immersion lithography system, based on the one or a plurality of change or changes in the amount of the fluid of a liquid immersion liquid, an exposure dose, and a reticule pattern image.例文帳に追加
流体加熱調整モジュールは、液浸液の流量、露光ドーズ、およびレチクルパターンイメージのうちの1つまたは複数の変化に基づいて、液浸リソグラフィシステム内の光学素子に収差調整を行うためのアクチュエータコマンドを決定する。 - 特許庁
In this exposure system, a pitch dimension of the exposed pattern is measured, a displacement amount is calculated based on the measured pitch dimension, a defocus amount is calculated based on the calculated displacement amount, and focus management is performed based on the calculated defocus amount.例文帳に追加
露光されたパターンのピッチ寸法を測定し、測定されたピッチ寸法に基づいて位置ずれ量を演算し、演算された位置ずれ量に基づいてデフォーカス量を演算し、演算されたデフォーカス量に基づいて焦点管理を行う露光システム。 - 特許庁
The polarization direction of the illumination beam is aligned with a polarizing conversion optical system 20 in a direction parallel to an edge 1a of the mask pattern 1A, so that the slopes caused by the diffraction of the diffraction images formed on the exposure object substrate 2 are made sharper.例文帳に追加
また、偏光変換光学系20により、照明光の偏光方向を、マスクパターン1Aのエッジ1aと平行な方向に揃えて、露光対象基板2上に形成される回折像の回折によるスロープを急峻化する構成としてある。 - 特許庁
In a digital exposure system 2, an electronic magnification process for correcting deviation in recording position of a drawing pattern caused by deviation from a reference size of a drawn object 14 is executed separately in two steps: a reference magnification process part 76 and an adjustment magnification process part 72.例文帳に追加
デジタル露光システム2では、被描画体14の基準サイズからのずれに起因する描画パターンの記録位置のずれを補正するための電子変倍処理を、基準変倍処理部76と調整変倍処理部72の二段階に分けて行う。 - 特許庁
In the exposure apparatus for exposing a circuit pattern on the original plate on the substrate under the vacuum environment, the optical beam scanning means is provided to scan the laser beam with the scanning optical system.例文帳に追加
真空環境下で原板上の回路パターンを基板上に露光する露光装置において、原板の近傍の空間に、レーザービームを走査光学系で走査することが可能な光ビーム走査手段を設けていることを特徴とする露光装置。 - 特許庁
In the exposure system, the pattern of wafer-discrimination information is exposed to a resist layer formed on the wafer 1 for inscribing wafer-discrimination information by utilizing the patterned resist layer to the wafer 1, on which a plurality of the thin-film elements are formed collectively.例文帳に追加
露光装置は、複数個の薄膜素子が一括して形成されるウエハ1に対して、パターニングされたレジスト層を利用してウエハ識別情報を記入するために、ウエハ1に形成されたレジスト層に対してウエハ識別情報のパターンを露光する。 - 特許庁
In the charged particle beam exposure system comprising a charged particle beam source, an illumination optical system for irradiating a reticle with a charged particle beam from the charged particle beam source and a projection optical system for projecting a focused image of pattern formed to the reticle on a sensitive substrate, and a reticle-cleaning mechanism is further included for cleaning the reticle.例文帳に追加
荷電粒子線源と、前記荷電粒子線源からの荷電粒子線をレチクルに照射する照明光学系と、前記レチクルに形成されたパターンを感応基板上に投影結像する投影光学系とを有する荷電粒子線露光装置において、 前記レチクルを洗浄するレチクル洗浄機構をさらに有するようにした。 - 特許庁
In this enclosed aligner, an exposure light from an exposure light source 1 is projected via an illuminating optical system on a mask 8 serving as the original plate, and the pattern formed on the mask 8 is then projected via a projection lens 11 on a wafer 12 for the exposure of the wafer 12 serving as the photosensitive substrate.例文帳に追加
露光光源1からの露光光により照明光学系を介して原版としてのマスク8を照明し、マスク8に形成されたパターンを投影レンズ11を介して感光基板としてのウエハ12上に投影露光する露光装置であって、露光光源1から投影レンズ11に至る露光光の光路上に配置される光学系素子を内部に配置した複数の筐体3,4,5,6,7と、該複数の筐体3〜7をガス置換するガス置換手段とを有する。 - 特許庁
The exposure device includes an illumination optical system illuminating a reflection-type mask (M) installed on a first surface, by using a light from a light-condensing point (1a) on which light emitted from a light source (1) is condensed; and a projection optical system (PO) projecting a pattern of the mask to a photoreceptive substrate (W) installed on a second surface.例文帳に追加
本発明の露光装置は、光源(1)より射出された光が集光する集光点(1a)からの光を用いて、第1面に設置される反射型のマスク(M)を照明する照明光学系と、マスクのパターンを第2面に設置される感光性基板(W)に投影する投影光学系(PO)とを備えている。 - 特許庁
To provide a reflection optical device which is used for an exposure device having an EUV light source, an illumination optical system for guiding the EUV light from the light source to a reticle and a projection light system for projecting a reticle pattern on a sensitive substrate and in which the surface figure is varied to prevent deformation due to local heat generation.例文帳に追加
EUV光源と、光源からのEUV光をレチクルに導く照明光学系と、レチクルパターンを感応基板上に投影させる投影光学系とを有する露光装置に用いられる反射光学素子であって、局所的な熱の発生による変形を防止するように表面形状を変形可能とする。 - 特許庁
In the exposure equipment for projecting the pattern of a reticle 1 on the wafer 3 through the optical projection system 2, the projection system 2 separated from a wafer base 7 mounted a wafer stage 5 is supported by flexible three rods 19A to 19C extending from a structure supporting a reticle stage 4 and a reticle base 9.例文帳に追加
レチクル1のパターンを投影光学系2を介してウエハ3上に投影する露光装置において、ウエハステージ5が載置されるウエハベース7とは分離されるとともに、レチクルステージ4及びレチクルベース9を支持する構造体6から延びる3本の柔構造のロッド19A〜19Cにより投影光学系2を支持する。 - 特許庁
When a plurality of sectioned regions on a wafer are exposed by the step-and-scan system, a processing for enhancing the precision of alignment between a pattern and an object is performed based on the measurements of the encoder systems for every exposure start point where the measurement error of the encoder system caused by acceleration of the wafer stage WST is reduced.例文帳に追加
すなわち、ウエハ上の複数の区画領域をステップ・アンド・スキャン方式で露光する際に、ウエハステージWST体の加速度に起因するエンコーダシステムの計測誤差が小さくなる露光開始点毎に、エンコーダシステムの計測値に基づいてパターンと物体との位置合わせ精度を向上させるための処理が行なわれる。 - 特許庁
To provide a system such that when a shape of a shot during exposure is distorted as a circuit pattern becomes finer, a decrease in throughput during wafer inspection with an electron microscope and a decrease in automation rate are recognized, and a position correcting operation for the shot distortion is carried out.例文帳に追加
回路パターンの微細化に伴い、露光の際のショットの形状の歪みがある場合には、電子顕微鏡によるウェーハ検査時のスループットの低下や自動化率の低下が認められ、ショット歪みに対する位置補正動作を実行する方式を提供する。 - 特許庁
To provide a projection aligner, which corrects the irrotational symmetric property of the optical characteristics of a lens that accompanies a thermal change in the lens due to the absorption of exposure light by an aligner using a step-and scan system and can obtain a high-resolution pattern image, and to provide a method of manufacturing a device using the projection aligner.例文帳に追加
ステップアンドスキャン方式を用いた露光装置で露光光吸収によるレンズの熱的変化に伴う光学特性を補正し、高解像度のパターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を得ること。 - 特許庁
Pattern of a master mask 11 is reduction projected onto a mask substrate 13 using a reduction projection optical system 12, e.g. EUVL, and unmagnified exposure is performed by means of an electron beam or hard X-rays using an unmagnified mask 13' made of the mask substrate 13.例文帳に追加
EUVLと同等の縮小投影光学系12を用いて、マスターマスク11のパターンをマスク基板13上に縮小投影し、マスク基板13から作成される等倍マスク13’を用いて、電子ビームあるいは硬X線による等倍露光を行う。 - 特許庁
The scanning exposure apparatus 100 uses a down scaling projection optical system 104 for projecting a pattern scaled down to 1/6 or 1/8 in a laser beam irradiating area 103 of a mask 102 on a wafer 105 mounted on a wafer stage 106.例文帳に追加
本発明のスキャン型露光装置100では、マスク102におけるレーザ光照射領域103内のパターンは、縮小投影光学系104によって、1/6又は1/8に縮小されてウエハステージ106に載せられたウエハ105上に投影される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a three-dimensional device, by which a desired three-dimensional figure can be formed in a thick film resist with high accuracy by deriving a transfer function of an exposure system by use of a test reticle and designing a mask pattern using the transfer function as a feedback.例文帳に追加
テストレチクルを用いて露光システムの伝達関数を導出し、この伝達関数をマスクパターンの設計にフィードバックさせて、厚膜レジストに所望する三次元形状を精度よく形成することが可能な三次元デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, the system controller 104 positions a plurality of pieces of image data generated by performing imaging a plurality of times for an exposure time shorter than a proper exposure time while changing an imaging visual field with the area of matched patterns by pattern matching as reference, adds the respective positioned image data and generates image data corresponding to a visual field wider than an imaging visual field of a CCD 103.例文帳に追加
続いて、システムコントローラ104は、撮像視野を変えながら適正露出時間よりも短い露出時間で複数回撮像することで生成した複数の画像データに対して、パターンマッチングにより一致した領域を基準にして位置合わせを行い、位置合わせ後の各々の画像データを加算し、CCD103の撮像視野よりも広い視野に対応した画像データを生成する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the color filter provided with a laminate photospacer including a color pixel of at least ≥3 layers and a color pattern of at least one or more layers on a glass substrate, the color pixel and the laminate spacer are formed using a small-sized mask continuous exposure system.例文帳に追加
ガラス基板上に、少なくとも3レイヤー以上の着色画素と、少なくとも1レイヤー以上の着色パターンを含む積層フォトスペーサを設けるカラーフィルタの製造方法において、前記着色画素と前記積層スペーサとを小型マスク連続露光方式を用いて形成する。 - 特許庁
In this case, a scanning direction of the mask and the photosensitive substrate is aligned with the projection optical system, and the mask and the photosensitive substrate are moved along the scanning direction in a condition where alignment have been performed, and the pattern image of the mask is scanned and exposed on each exposure area of the photosensitive substrate.例文帳に追加
この場合、本発明では、マスクおよび感光性基板の走査方向を投影光学系に対して位置合わせし、位置合わせした状態においてマスクと感光性基板とを走査方向に沿って移動させて、感光性基板の各露光領域にマスクのパターン像を走査露光する。 - 特許庁
In a step 424, a target dosage is changed, centering on the optimum dosage, in a plurality of steps at a finer step pitch and the pattern is transferred to the plurality of regions on the wafer through the projection optical system by exposure processing similar to that in the step 406.例文帳に追加
そして、ステップ424で、目標ドーズ量を、上記最適ドーズ量を中心としてより細かいステップピッチで複数段階で変化させて、ステップ406と同様の露光処理により前記パターンが投影光学系を介してウエハ上の複数の領域に転写される。 - 特許庁
To provide a curable composition for an inkjet which is coated by an inkjet system, is optically settable with efficiency even if exposure is low, and further, can make thermosettability after optical setting satisfactory, thus can form a fine resist pattern with high precision.例文帳に追加
インクジェット方式により塗工される硬化性組成物であって、露光量が少なくても、効率的に光硬化させることができ、更に光硬化後の熱硬化性を良好にすることができ、従って微細なレジストパターンを精度よく形成することができるインクジェット用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a projection aligner for controlling the image formation characteristic variation of a projection optical system due to exposure heat within an allowable value, and for easily obtaining a pattern with high resolution without extremely deteriorating productivity, and to provide a method for manufacturing a device by using this.例文帳に追加
本発明は、露光熱による投影光学系の結像特性変動が許容値を越えないように制御し、生産性を著しく低下させることなく高解像度のパターンが容易に得られる投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
In a method, in which the image of a photomask pattern provided on a photomask is projected and exposed upon and on a surface to be exposed by irradiating the photomask with light from an exposure light source by means of a projection optical system, the image is projected and exposed upon the surface to be exposed by scanning the photomask, while the photomask is housed in a hermetically sealable enclosure.例文帳に追加
露光光源からの光でフォトマスク上のフォトマスクパターンを照射して、フォトマスクパターンの像を、投影光学系により被露光面に投影露光する方法において、前記フォトマスクを、密閉可能な筐体に収装し、前記筐体内部において走査させ、投影露光する。 - 特許庁
To provide a projection aligner which can improve the positioning precision of a substrate surface by precisely detecting the tilting of a substrate without making an optical system complex, even when a step is formed on the substrate surface and then precisely projects a fine pattern for exposure.例文帳に追加
光学系を複雑化することなく基板表面に段差が形成されていても基板の傾きを精度良く検出して基板表面の位置決め精度の向上を図り、その結果、微細なパターンの投影露光を精度良く行うことのできる投影露光装置を提供する。 - 特許庁
In this resist development method for forming the fine pattern of a resist film on a substrate, a resist film is formed with chemical amplification system resist, and an alternating electric field is applied to a resist film on the substrate after an exposure process to expose the resist film and before the resist development process.例文帳に追加
基板上にレジスト膜の微細パタンを形成するレジスト現像方法において、レジスト膜を化学増幅系レジストで形成するとともに、レジスト膜を露光する露光工程の後で、かつ、レジスト現像工程の前に、基板上のレジスト膜に交番電界を印加する。 - 特許庁
To provide a method for creating writing data for electron beam exposure and electron beam writing, and a method for manufacturing a photo mask, an X-ray mask, and a mask for charged beam projection aligning for creating a mask pattern exactly same as a designed value with an existing low accelerating voltage electron beam writing system by a variable shaped method.例文帳に追加
既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するための、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Patterns adjusting the aperture rate are successively arranged at pitches below a resolution limit so as not to resolve the patterns by a projection optical system and further while pattern sizes and pitches are sequentially calculated by successive places by grasping a residual film thickness characteristic of the photosensitive material to an exposure quantity, the patterns are arranged.例文帳に追加
開口率を調整するパターンを投影光学系によって解像させないために、解像限界以下のピッチでパターンを連続配置し、また露光量に対する感光性材料の残存膜厚特性を把握して連続した場所毎にパターンサイズとピッチを逐次計算しつつパターンを配置するように構成する。 - 特許庁
To provide a monotone image forming infrared-sensitive silver halide photographic sensitive material which can be developed similarly with a color photographic sensitive material, is excellent in pattern forming property by an infrared effect, ensures uniform lightness of a reproduced image of a subject independently of the level of exposure and is excellent also in printing work efficiency and to provide a printing system.例文帳に追加
カラー写真感光材料と共通な現像処理が可能で、かつ赤外効果の描写性に優れ、被写体の再現画像の明度が露光レベルによってばらついたりせず、プリント作業性に優れたモノトーン画像形成赤外感光性ハロゲン化銀写真感光材料及びプリントシステムの提供。 - 特許庁
The aligner exposes a pattern formed in a negative plate on a substrate, such as a wafer and a plate, while irradiating the negative plate, such as a reticle and a mask via a lighting optical system by exposing light from an exposure light source, including at least respectively one air supply port and one exhaust port in the stage space so as to control air current distribution in the space.例文帳に追加
露光光源からの露光光により照明光学系を介してレチクル、マスク等の原板を照明し、前記原板に形成されたパターンをウエハ、プレート等の基板上に露光する露光装置であって、ステージ空間に少なくとも1個づつの給気ポートと排気ポートを備え、その空間内の気流分布を制御する。 - 特許庁
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