「Pattern Exposure System」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure system 100 irradiates an original plate 6 by an illumination optical system 4 containing the phase adjustment optical element 2 which converts linearly polarized light to non-polarized light, and projects a pattern of the original plate 6 on a substrate 8 by a projection optical system 7 to expose the substrate 8.例文帳に追加

露光装置１００は、直線偏光を無偏光化する位相調整光学素子２を含む照明光学系４によって原版６を照明し、原版６のパターンを投影光学系７によって基板８に投影して基板８を露光する。 - 特許庁

In a projection exposure apparatus having a projection optical system projecting a pattern formed on an original plate on a substrate to be exposed, at least two oscillation measurement means are provided for measuring oscillation of the projection optical system.例文帳に追加

原版に形成されたパターンを被露光基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置において、前記投影光学系の振動を計測するための少なくとも２個の振動計測手段を設ける。 - 特許庁

To provide a substrate processing system for coating surfaces of substrates to be processed with a film of a processing solution and forming a predetermined pattern on each substrate in cooperation of an exposure device, which system can coat the processing solution on each substrate uniformly and can increase a substrate processing throughput when cooperated with the exposure device.例文帳に追加

被処理基板の表面に処理液の膜を塗布形成し、露光装置と連動して基板に所定のパターンを形成する基板処理システムにおいて、各基板に処理液を均一に塗布することができ、露光装置と連動した際の基板処理のスループットを向上することのできる基板処理システムを提供する。 - 特許庁

An exposure device (100) comprises: a projection optical system (30) for forming an image of a pattern formed on an object surface (11), on an image surface (21); and a position detection unit (50) which has a wavelength different from an exposure wavelength and detects a relative displacement amount between the object surface and the image surface through the projection optical system.例文帳に追加

露光装置（１００）は、物体面（１１）上に形成されたパターンを像（２１）面上に結像させる投影光学系（３０）と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置（５０）を備えている。 - 特許庁

An image forming apparatus employing an electrophotographic system includes a toner amount calculation unit 22 that specifies a distribution pattern of an electrostatic latent image based on an exposure signal for controlling an exposure device 2, specifies the intensity of an electric field of a pixel of interest based on the distribution pattern of an electrostatic latent image, and specifies the toner consumption corresponding to the intensity of an electric field.例文帳に追加

電子写真方式の画像形成装置において、トナー量計算部２２は、露光装置２を制御するための露光信号に基づいて静電潜像の分布パターンを特定し、静電潜像の分布パターンに基づいて注目画素の電界強度を特定し、その電界強度に対応するトナー消費量を特定する。 - 特許庁

This aligner is provided with a lump exposure mechanism 4 forming a circuit by collectively exposing the entire surface by a mask M masking the part of the high density and high thin line pattern Wa, and a partial exposure mechanism 7 (17) forming a circuit by partially exposing the part of the high density and high thin line pattern by an optical system more excellent in resolution.例文帳に追加

高密度・高細線パターンＷａの部分をマスキングしたマスクＭにより全面一括露光し、回路を形成する一括露光機構４と、前記高密度・高細線パターンの部分を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、回路を形成する部分露光機構７（１７）と、を兼備する露光装置として構成した。 - 特許庁

Unevenness of a surface and a gradient of a local curved surface are computed (ST104) from the height distribution data and an imaging position shift of a mask pattern is calculated from the unevenness and gradient, and parameters of an optical system of the exposure device (ST105).例文帳に追加

高さ分布データから表面の凹凸と局所的な曲面の勾配を演算し(ST104)、凹凸と勾配と露光装置の光学系のパラメータからマスクパターンの結像位置ずれを算出する(ST105)。 - 特許庁

To provide a high-precision pattern duplication method that is not subject to mask flexure in spite of a small clearance between the mask and projection optical system and eliminates exposure errors for defocusing.例文帳に追加

マスクと投影光学系との間の空間が少ない場合であっても、マスクの撓みなどの影響を受けることなく、デフォーカスによる露光不良のない高精度なパターンの転写を実現する。 - 特許庁

In the exposure device 1 exposing a mask pattern on a substrate 100 by aligning the substrate 100 and a mask 4, an alignment mark 51 arranged on a stage 2, a laser-length measurement system 6, and cameras 7 are mounted.例文帳に追加

基板１００とフォトマスク４とを位置合わせして基板１００にマスクパターンを露光する露光装置１において、ステージ２に配置されたアライメントマーク５１と、レーザー測長系６と、カメラ７とを備える。 - 特許庁

In order to expose a plurality of patterns having various CD values by an electron beam exposure method using a VSB system, a CD design value of one pattern selected from the plurality of patterns is determined.例文帳に追加

様々なＣＤを有する複数のパターンをＶＳＢ方式の電子ビーム露光方法により露光するために、前記複数のパターンから選択される一つのパターンのＣＤ設計値を決定する。 - 特許庁

To improve performance such as an exposure accuracy, throughput, etc. by correcting a deviation of at least one of the position and the shape of a mirror in an aligner for transferring a pattern to a substrate by a mirror optical system.例文帳に追加

ミラー光学系により基板にパターンを転写する露光装置において、ミラーの位置及び形状の少なくとも一方のずれを補正し、これにより露光精度及びスループット等の性能を改善する。 - 特許庁

The exposure device EX is provided with an exposure part S for exposing a pattern of mask M to a substrate P, a library LB which can keep a mask case C for storing the mask M used by the exposure part S, and a conveyance system H1 having an arm 20 for conveying to library LB while being able to hold each of the mask M and the mask case C.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光部Ｓと、露光部Ｓで用いるマスクＭを収納するマスクケースＣを保管可能なライブラリＬＢと、マスクＭとマスクケースＣとのそれぞれを保持可能であるとともに、ライブラリＬＢに対して搬送するアーム部２０を有する搬送系Ｈ１とを備えている。 - 特許庁

In the exposure device equipped with a projection optical system having a plurality of reflectors for exposure transferring a pattern formed on a mask to a photosensitive substrate by using extreme UV-light, at least one of the plurality of reflectors is provided with an apparatus 111 for monitoring the reflectivity of exposure light.例文帳に追加

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つに露光光の反射率を監視する機器１１１を備えたことを特徴とする露光装置である。 - 特許庁

To provide a projection optical system which has the focus position less varied and allows a deep focal depth to be secured and to provide an exposure device and a method of forming a circuit pattern which allow a minute pattern to be faithfully and efficiently formed by providing the projection optical system.例文帳に追加

合焦位置変動が少なく実質的に深い焦点深度を確保することができる投影光学系を提供するとともに、当該投影光学系を備えることで微細なパターンを忠実に且つ効率的に形成することができる露光装置及び回路パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method, and exposure apparatus, a method of manufacturing a device, and a device, where a pattern having a line width larger than resolution limit is transferred in desired contrast to secure desired resolution when a projection optical system clearing in midsection and a phase shift mask are used.例文帳に追加

本発明は、中抜けのある投影光学系と位相シフトマスクを使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an exposure system capable of effectively cooling an optical material without vibration, a detrerioration in positional stability, response to a positional control, or the like to decrease a failure rate of the wafer by precisely exposure transcribing a circuit pattern, which manufactures a high performance device.例文帳に追加

光学部材を、振動・位置安定性・位置制御の応答性の悪化等を伴わずに効果的に冷却することができ、その結果、高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique of replacing the space approximately closed by an original plate and a pellicle film with inert gas with an exposure device for replacing the interior of the device with the inert gas and irradiating a photosensitive substrate with the pattern of the plate across a projection optical system using UV light as exposure light.例文帳に追加

露光光として紫外光を用い、装置内を不活性ガスで置換し、原版のパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、原版とペリクル膜で略閉じられた空間を不活性ガスで有効に置換する技術を提供する。 - 特許庁

The wet etching system includes: an exposure means for exposing a copper-containing material having a surface on which a pattern of a positive type photosensitive resist has been formed, to light; and a wet etching means for wet-etching the copper-containing material exposed to light by the exposure means.例文帳に追加

本発明は、ポジ型感光性レジストのパターンが表面に形成された銅含有材料を露光する露光手段と、前記露光手段により露光された銅含有材料をウエットエッチングするウエットエッチング手段とを有することを特徴とするウエットエッチングシステムである。 - 特許庁

A light exposure is altered within a scope of at least an appropriate light exposure or below, while sequentially transferring a measuring pattern disposed on a reticle R to a wafer W disposed on an image plane side of a projection optical system PL to form a first region composed of a plurality of block regions on the wafer.例文帳に追加

少なくとも適正露光量以下の範囲内で露光量を変更しながら、レチクルＲ上に配置された計測用パターンを投影光学系ＰＬの像面側に配置されたウエハＷに順次転写して複数の区画領域から成る第１領域をウエハ上に形成する。 - 特許庁

The exposure device 10 includes the wafer stage 16 on which a wafer is mounted, the optical system unit 18 which projects a pattern of a photomask on the wafer on the wafer stage 16, a frame 20 which supports the wafer stage 16 and optical system unit 18, and a liquid supply means 35.例文帳に追加

ウエハが載置されるウエハステージ１６と、フォトマスクのパターンをウエハステージ１６上のウエハに投影する光学系ユニット１８と、ウエハステージ１６と光学系ユニット１８を支持するフレーム２０と、流体供給手段３５を有する露光装置１０。 - 特許庁

In the exposure method where a mask formed with a desired pattern and an auxiliary pattern having dimensions smaller than those of the desired pattern is illuminated and light passed through the masks are projected to a body exposed through a projection optical system, the body is exposed at a position shifted from a best image focusing position when the auxiliary pattern is resolved.例文帳に追加

所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを照明して当該マスクを経た光を投影光学系を介して被露光体に投影し露光する露光方法において、前記補助パターンが解像されてしまう場合に、最良結像フォーカス位置からずれた位置で前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁

In a method for irradiating the mask pattern of a photomask with light from an exposure light source and projection-aligning the image of the mask pattern on the surface to be exposed of a substrate to be treated by a projection optical system, the photomask is housed in a casing and scanned to be projection-aligned together with this housing.例文帳に追加

露光光源からの光でフォトマスクのマスクパターンを照射して、マスクパターンの像を、投影光学系により被処理基板の被露光面に投影露光する方法において、前記フォトマスクを筐体に収容し、この筐体ごと走査して投影露光を行う。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

The projection optical system for exposing a photosensitive surface by projecting the image of the pattern surface on an original plate M to the photosensitive surface on a substrate P satisfies the conditions L/Ei<7 where L: the distance on the optical axis from the pattern surface and Ei: the diameter of the exposure region where the photosensitive surface is exposed.例文帳に追加

原版Ｍ上のパターン面の像を、基板Ｐ上の感光面に投影して感光面を露光する投影光学系において、Ｌ：パターン面から感光面までの光軸上の距離、Ｅｉ：感光面を露光する露光領域の直径、とするとき、Ｌ／Ｅｉ＜７なる条件を満足する。 - 特許庁

By a CAD system 18, comprising a CAD tool and an operation controlling portion utilizing a mask-pattern data base, liquid-crystal driving and controlling signals are obtained so as to control the alignment of liquid-crystal molecules in the respective segments of a panel displaying portion 171 and to form a mask pattern for passing/intercepting exposure lights.例文帳に追加

ＣＡＤツール及びマスクパターンデータベースを利用した演算制御部により構成されるＣＡＤシステム１８により液晶駆動制御信号が得られ、パネル表示部１７１における各セグメントで液晶分子の配向が制御され露光光が通過／遮断されるマスクパターンが形成される。 - 特許庁

To provide a laser exposure device that makes it possible to arbitrarily select repetition intervals of a laser spot on the focus surface of a projection optical system, enables extremely accurate irradiation on the laser spot, and can obtain extremely accurate printed matter and a circuit pattern.例文帳に追加

投影光学系のフォーカス面でのレーザスポットの繰返し間隔を任意に選択できてレーザスポットを極めて正確に照射させることができ、極めて正確な印刷物や回路パターンが得られるレーザ露光装置。 - 特許庁

To provide a pattern forming method preventing an optical system from being damaged with EUV (Extreme Ultra-Violet) exposure to prevent a reduction in reflectivity, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device, a dehydrator and an aligner.例文帳に追加

ＥＵＶ露光における光学系の損傷を防止して反射率の低下を防止することが可能なパターン形成方法、半導体装置の製造方法、脱水装置および露光装置を提供すること。 - 特許庁

Further, the light which transmits the reticle 30 is transmitted through a projection optical system 40 and illuminated to a semiconductor wafer W mounted on a stage 50, and exposed in response to the exposure pattern formed on the reticle 30.例文帳に追加

さらに、レチクル３０を透過した光は、投影光学系４０を通過してステージ５０上に載置された半導体ウェハＷに照射されて、レチクル３０に形成された露光パターンに応じた露光が行われる。 - 特許庁

To provide a surface forming method capable of forming a desired pattern by a chemical method without damaging the surface of calcium fluoride and to provide an optical element, an exposure system, a method for manufacturing a device and the device.例文帳に追加

化学的な方法を用いて弗化カルシウムの表面にダメージを残すことなく所望のパターンを形成することができる表面形成方法、光学素子、露光装置、デバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

The exposure apparatus includes: the projection optical system for projecting the pattern image on the substrate; and a cleaning device for cleaning the exposed substrate before the substrate is conveyed to a treatment device for treating the exposed substrate.例文帳に追加

露光装置は、パターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置とを備えている。 - 特許庁

To provide a projection exposure device which enables a mask and an exposed body to be positioned with high precision as a projection exposure device which forms an image of a mask on an exposed body coated with a photosensitizer by a projection optical system after transmitting luminous flux emitted by a light source through the mask where a specified pattern is formed and then transfers the specified pattern to the exposed body.例文帳に追加

光源の発する光束を所定のパターンが形成されたマスクに透過させたうえで投影光学系によって前記マスクの像を感光剤が塗布された被露光体上で結像させ、前記所定のパターンを前記被露光体に転写する、投影露光装置であって、マスクと被露光体との高精度の位置合わせが可能な投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

The exposure device exposes the substrate by projecting an image of the pattern on the substrate via the projection optical system and the liquid, and includes a liquid-removing mechanism removing the liquid left on a part, arranged in the vicinity of the image of the projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影し、基板を露光する露光装置であって、投影光学系の像面付近に配置された部品上に残留した液体を除去する液体除去機構を備えている。 - 特許庁

The exposure device exposes the substrate by projecting an image of the pattern on the substrate via the projection optical system and the liquid, and prepares a liquid-removing mechanism removing the liquid left on a part, arranged near the image of the projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影し、基板を露光する露光装置であって、投影光学系の像面付近に配置された部品上に残留した液体を除去する液体除去機構を備えている。 - 特許庁

An exposure apparatus exposes a substrate by projecting an image of a pattern on the substrate via a projection optical system and liquid, and comprises a liquid-removing mechanism for removing the liquid left on a component, arranged in the vicinity of an image surface of the projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影し、基板を露光する露光装置であって、投影光学系の像面付近に配置された部品上に残留した液体を除去する液体除去機構を備えている。 - 特許庁

The exposure equipment, to expose a substrate by projecting a pattern image onto the substrate via the projection optical system and the liquid, comprises a liquid removing mechanism to remove a residual liquid on a component disposed in the vicinity of an image plane of the projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影し、基板を露光する露光装置であって、投影光学系の像面付近に配置された部品上に残留した液体を除去する液体除去機構を備えている。 - 特許庁

The photomask film 1 to be used for forming a resist pattern by an adhesion exposure system in the manufacture of a printed wiring board has a continuous groove 3 from one end of the photomask to the other end in the center of the photomask by partially layering a thin film 2 on a film surface side so as to form an air passage by the groove 3 on vacuum adhesion between the object for exposure and the photomask film during exposure.例文帳に追加

印刷配線板の製造におけるレジストパターン形成を密着露光方式により行う際に使用するフォトマスクフィルム１において、膜面側に部分的に薄膜フィルム２を配置することで、フォトマスク中央にフォトマスク端部から端部まで連続した溝３を有し、露光の際の被露光体とフォトマスクフィルムを真空密着時に溝３により空気の通路を形成する。 - 特許庁

The lithography equipment used for pattern-forming a substrate comprises a lighting system for supplying a projection beam of radiation, an array of individually controllable elements for imparting the cross-section of the projection beam with a pattern, and a substrate table for supporting the substrate at the time of exposure operation, and a projection system projects the patterned beam to a target part of the substrate.例文帳に追加

基板をパターン形成するために使用されるリソグラフィー装置において、放射の投影ビームを供給するための照明系と、投影ビームの断面にパターンを与えるための個別制御可能要素のアレイと、露光動作時に基板を支持するための基板テーブルとを具備し、投影系が、パターン形成されたビームを基板の標的部分の上に投影する。 - 特許庁

The aligner has a projection optical system, which uses an optical member showing double refraction and projects a pattern formed in a mask to a workpiece and a polarization direction deciding means for deciding the polarization direction of exposure light so that the exposure light which exposes the workpiece becomes linearly polarized.例文帳に追加

複屈折を示す光学部材を使用し、マスクに形成されたパターンを被処理体に投影する投影光学系と、前記被処理体を露光する露光光が直線偏光になるように、当該露光光の偏光方向を決定する偏光方向決定手段とを有することを特徴とする露光装置を提供する。 - 特許庁

The device production system SYS has an exposure body portion EX which exposes a substrate P to light to transfer a pattern to the substrate P; conveying units H1 and H2 for conveying the substrate P from the exposure body portion EX to a stage portion ST; and a conveying unit H3 for conveying the substrate P from the stage portion ST to a substrate housing apparatus F.例文帳に追加

デバイス製造システムＳＹＳは、パターンを基板Ｐに露光する露光本体部ＥＸと、露光本体部ＥＸからステージ部ＳＴまで基板Ｐを搬送する搬送装置Ｈ１，Ｈ２と、ステージ部ＳＴから基板収納装置Ｆまで基板Ｐを搬送する搬送装置Ｈ３とを有している。 - 特許庁

An exposure system projects a mask pattern onto a photosensitive substrate using a fluorine excimer laser as a light source, where the beam of the excimer laser whose wavelengths are in a wavelength range of vacuum ultraviolet rays are used as an exposure light, and an optical axis aligning means in which visible light or infrared beams emitted from the fluorine excimer laser at the same time are used is provided.例文帳に追加

フッ素エキシマレーザを光源とし、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、前記フッ素エキシマレーザ光の真空紫外域の波長を露光光とし、前記フッ素エキシマレーザ光が同時に発光する可視光または赤外光を用いた光軸合わせ手段を設ける。 - 特許庁

An optical electronic apparatus with a vibration-proof function having a vibration-proof system has control means (PWM1 and PWM2) which change the driving pattern of the vibration-proof system before and after the change of energy consumption of actuators of a shutter for exposure control, etc., when energy consumption of the actuators are changed during driving of the vibration-proof system.例文帳に追加

防振システムを有する防振機能付き光学電子機器において、防振システム駆動中に、露出制御用のシャッタ等の他のアクチュエータの消費エネルギーを変化させる場合は、該他のアクチュエータの消費エネルギー変化の前後で、前記防振システムの駆動パターンを変化させる制御手段（ＰＷＭ１とＰＷＭ２）を有する。 - 特許庁

In a method for manufacturing an aligner, a reticle R1 held by a reticle stage system RST is illuminated via illumination systems IL1, IL2 with exposed lights from an exposure light source 16, and images of a pattern of the reticle R1 are projected on a wafer W1 held by a wafer stage system WST via a projection optical system PL.例文帳に追加

露光光源１６からの露光光で、照明系ＩＬ１，ＩＬ２を介してレチクルステージ系ＲＳＴに保持されているレチクルＲ１を照明し、レチクルＲ１のパターンの像を投影光学系ＰＬを介してウエハステージ系ＷＳＴに保持されているウエハＷ１上に投影する露光装置の製造方法である。 - 特許庁

This exposure device has an illumination optical system (IL) for illuminating a mask (M) formed with prescribed patterns and the projection optical system (PL) having the plural projection optical units (PL1 to PL5) arranged along a prescribed direction and subjects the pattern images of the mask to projection aligning on a photosensitive substrate (P) by means of the projection optical system.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスク（Ｍ）を照明するための照明光学系（ＩＬ）と、所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニット（ＰＬ１〜ＰＬ５）を有する投影光学系（ＰＬ）とを備え、投影光学系を介してマスクのパターン像を感光性基板（Ｐ）へ投影露光する露光装置。 - 特許庁

Secondary electrons are more generated at the edge 15 than at the other region, so that the secondary electron image of the edge 15 becomes brighter on a CRT, and the electron-beam exposure system is focused on the pattern of the reticle 10 at a position where the secondary electron image of the edge 15 becomes brightest.例文帳に追加

エッジ１５での二次電子の発生効率が高いため、エッジの部分の二次電子像がＣＲＴ上で明るく見え、エッジ１５の二次電子像が最も鮮明に見える位置でパターンのフォーカスも合うことになる。 - 特許庁

This exposure apparatus includes: a projection optical system (PL); a first stage mechanism (PS) for moving a photosensitive substrate (P) while holding it; and a second stage mechanism (MS) for moving an object (M) having a pattern while holding it.例文帳に追加

本発明の態様にかかる露光装置は、投影光学系（ＰＬ）と、感光性を有する基板（Ｐ）を保持して移動する第１ステージ機構（ＰＳ）と、パターンを有する物体（Ｍ）を保持して移動する第２ステージ機構（ＭＳ）と、を備える。 - 特許庁