「Pattern Exposure System」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure apparatus for exposing a substrate includes a lighting optical system 30 to light an original plate 15 by lighting light, and a projection optical system 16 to project the pattern of the original plate 15 to a substrate 17.例文帳に追加

基板を露光する露光装置は、照明光で原版１５を照明する照明光学系３０と、原版１５のパターンを基板１７に投影する投影光学系１６とを備える。 - 特許庁

There is provided an exposure apparatus which exposes a substrate with a pattern formed on a reticle, and includes a projection optical system including an optical element and a reflecting surface which reflects light toward the projection optical system.例文帳に追加

本発明は、レチクルに形成されたパターンで基板を露光する露光装置であって、光学素子を含む投影光学系と、投影光学系に向けた光を反射する反射面とを備える。 - 特許庁

The projection aligner includes an illumination lighting system ILS for illuminating the illumination light from an exposure light source 1 to a reticule R, and a projection light system PL for projecting the image of the pattern of the reticule R onto a wafer W.例文帳に追加

露光光源１からの照明光をレチクルＲに照射する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬとを有する。 - 特許庁

In this exposure apparatus, at least a portion of a space between a projection optical system and a substrate is filled with a liquid, and the image of the pattern is projected on the substrate via the projection optical system and the liquid to expose the substrate.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たし、投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影し、基板を露光する。 - 特許庁

A method is provided for manufacturing the optical component to be used in the exposure apparatus which exposes a substrate by projecting a pattern of a reticle on the substrate via a projection optical system.例文帳に追加

投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において使用される光学部品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aligner which can suppress deterioration of a pattern image projected on a substrate for the exposure conducted by filling the space between a projecting optical system and a substrate with the water.例文帳に追加

投影光学系と基板との間を水で満たして露光する際、基板上に投影されるパターン像の劣化を抑えることができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To improve throughput and yield as the whole of processes at the time of forming an element pattern of different design rule by an exposure system different in resolution in a post stage.例文帳に追加

後工程で異なる解像度の露光系により異なるデザインルールの素子パターンを形成する際の工程全体としてのスループットと歩留まりの向上を図る。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure system which can prevent thermal deformation of a reticle mark to the utmost and a mark part on a reticle stage and form a more accurate pattern.例文帳に追加

レチクルマークやレチクルステージ上のマーク部の熱変形を極力防止し、より高精度なパターン形成を行うことができる荷電粒子ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The exposure equipment EX projects a pattern of an original plate onto a substrate held by a substrate stage having a top plate 21 through the intermediary of a projection optical system, thus exposing the substrate.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、天板２１を有する基板ステージによって保持された基板に投影光学系を介して原版のパターンを投影して該基板を露光する。 - 特許庁

To provide a system and method for exposure by which a fine pattern can be transferred without lowering a beam current, and to provide a stencil mask and a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

ビーム電流を下げることなく、微細なパターンを転写することができる露光装置、露光方法、ステンシルマスク、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of achieving transfer of a pattern onto a substrate substantially free of defocusing without always providing a focus position detection system etc.例文帳に追加

焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of achieving transfer of a pattern onto an almost defocus-free substrate without necessarily forming a focus position detection system or the like.例文帳に追加

焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

In the method for reducing the fogging effect in an electron beam lithography system, exposure is controlled in order to obtain a pattern matched to design data after processing.例文帳に追加

本発明は、電子ビームリソグラフィーシステムにおけるかぶり効果を減少させる方法に関し、設計データに一致する処理後のパターンを得るために露光が制御される。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure system and electron lens, which focus a plurality of electron beams separately and thereby makes a wafer to be exposed on the electron beams to accurately form an accurate pattern.例文帳に追加

複数の電子ビームをそれぞれ独立に集束させ、精度よくウェハにパターンを露光することができる電子ビーム露光装置及び電子レンズを提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for electron beam exposure by which a pattern can be exposed on a wafer with accuracy, by correcting the irradiation time of an electron beam upon the wafer.例文帳に追加

ウェハに対する電子ビームの照射時間を補正し、精度よくウェハにパターンを露光することができる電子ビーム露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

Then the mask distortion caused by the electron beam exposure system for mask making is evaluated by measuring the posional distortion of the resist pattern in the position accuracy evaluation mark 40 of the etching mask.例文帳に追加

次いで、エッチングマスクの位置精度評価マーク４０のレジストパターンの位置ずれを測定することにより、マスク作製用電子線露光装置に起因するマスク歪みを評価する。 - 特許庁

The exposure system EX fills a space between the projection lens system PL and the substrate P up with the liquid 50, and the substrate P is exposed by the projection lens system PL, by projecting an image of the pattern on the substrate P via the liquid 50.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を液体５０で満たし、投影光学系ＰＬにより液体５０を介して基板Ｐ上にパターンの像を投影することによって基板Ｐを露光する。 - 特許庁

A lighting system that forms radiation beams, a pattern generator that performs patterning of the beams, a projection system that performs patterning of the flexible substrate by projecting the pattern beams to a target part of the flexible substrate, and a motion system that controls the motion of the flexible substrate are provided, and the target part of the flexible substrate remains still almost without extending even during the period of exposure by the pattern beams.例文帳に追加

放射ビームを形成する照明系と、ビームをパターニングするパターンジェネレータと、フレキシブル基板の目標部分にパターンビームを投影してフレキシブル基板をパターニングする投影系と、フレキシブル基板の運動を制御する運動系とが設けられており、フレキシブル基板の目標部分はパターンビームによる露光中にもほとんど延伸せずにとどまる。 - 特許庁

This electron beam transfer and exposure method is a method wherein the worst value of the beam edge resolution 61 of an electron optical system for projecting a pattern on a reticle on a responsive substrate is 0.9 to 1.0 times wider than the narrowest line width of an electron beam in the pattern.例文帳に追加

本発明の電子ビーム転写露光方法は、レチクル上のパターンを感応基板上に投影する電子光学系のビームエッジ分解能６１の最悪値がパターン中の最小線幅の０．９〜１．０倍である。 - 特許庁

While a photosensitive substrate 16 placed on a substrate stage 17 is moved stepwise for a projective optical system 15, a pattern image of a mask 14 in which a required pattern is formed is successively exposed on each exposure region of the photosensitive substrate.例文帳に追加

基板ステージ（１７）上に載置された感光性基板（１６）を投影光学系（１５）に対してステッピング移動させつつ、所定のパターンが形成されたマスク（１４）のパターンの像を感光性基板上の各露光領域に順次露光する。 - 特許庁

The out-of-focusing of the projection optical system is set as the function of a deflecting amount and the position of the pattern in a one-shot exposed area and the energy profiles DR(x) and E(x) formed on the sensitive substrate, when exposure is made by using a primary reticle pattern are calculated.例文帳に追加

投影光学系のボケを偏向量と一括露光領域内におけるパターン位置の関数として設定し、一次レチクルパターンにより露光した場合の感応基板上でのエネルギープロファイルDR(x)、E(x)を計算する。 - 特許庁

In a master pattern creation method of an embodiment, an oblique incidence effect measuring pattern used to measure an oblique incidence effect of incident light made incident on a reflective mask is formed on the reflective mask for pattern transfer used for an exposure device including a reflection type optical system.例文帳に追加

実施形態のマスクパターン作成方法では、反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の反射型マスクに、前記反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成する。 - 特許庁

The time Q is defined as the total time of the conveyance time Q_1 of a test pattern from the exposure position of the test pattern to a sensor and the time Q_2 since the test pattern is detected by the sensor until the color shift correction value calculated based on the detection results is set for the system and reflected to image formation.例文帳に追加

時間Ｑを、テストパターンの露光位置からセンサまでのテストパターンの搬送時間Ｑ_1と、センサでテストパターンが検知されてから、検知結果に基づき算出される色ズレ補正値がシステムに対して設定され画像形成に反映されるまでの時間Ｑ_2の合計時間とする。 - 特許庁

A prescribed pattern is transferred onto a semiconductor wafer by performing exposure by using a photomask 2 on which the most proximate light transmitting areas PA1 and PA2 in a pattern for forming a mask pattern are laid out in a direction in which the areas PA1 and PA2 are hardly affected by the aberration of the optical system of an aligner.例文帳に追加

マスクパターンを形成するパターンであって最近接する光透過領域ＰＡ１，ＰＡ２を、露光装置の光学系の収差の影響を受け難い方向にレイアウトしたフォトマスク２を用いて露光処理を行い、半導体ウエハ上に所定のパターンを転写した。 - 特許庁

The exposure device is provided which has a projection optical system for projecting an image of a reticle pattern to an object of exposure, a detecting system for detecting a predetermined mark by the projection optical system for focusing the projection optical system and the object, and a control unit for driving to control a member provided toward a reticle from the optical system when the detecting system works to detect.例文帳に追加

レチクルのパターンの像を被露光体に投影する投影光学系と、前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行うために前記投影光学系を介して所定のマークを検出する検出系と、前記検出系の検出動作時に前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置を提供する。 - 特許庁

In a projection exposure of a photo mask pattern of a photo mask on a surface to be exposed by irradiating the photo mask pattern with the light from an exposure light source in a projection optical system, the concentration of an inert purge gas containing a specified quantity of inert gas filled in a space contacting a pellicle film is measured to execute the projection exposure with controlling the concentration of the inert gas.例文帳に追加

露光光源からの光でフォトマスク上のフォトマスクパターンを照射して前記フォトマスクパターンの像を投影光学系により被露光面に投影露光する際、ペリクル膜に接し、所定量の活性ガスを含む不活性ガスからなるパージガスで満たされた空間の前記活性ガスの濃度を測定し、前記活性ガスの濃度を制御しながら投影露光を行う。 - 特許庁

The exposure device exposes the substrate P by filling at least a part of space between a projection lens system PL and the substrate P with the liquid 50, and by projecting an image of the pattern on the substrate P through the projection lens system PL.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の少なくとも一部を液体５０で満たすとともに、投影光学系ＰＬを介してパターンの像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。 - 特許庁

The exposure equipment illuminates a negative plate by the light supplied from the light source using a lighting optical system, and exposes a substrate by projecting a pattern of the original plate onto the substrate via a projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、光源から提供される光を利用して照明光学系によって原版を照明し、該原版のパターンを投影光学系を通して基板に投影することによって該基板を露光する。 - 特許庁

In the oil immersion exposure device 100, a pattern of an original plate 2 is projected to a substrate 13 through a projection optical system 14 while an immersion space between a projection optical system 4 and the substrate 13 is filled with liquid.例文帳に追加

液浸露光装置１００は、投影光学系４と基板１３との間の液浸空間に液体を満たした状態で投影光学系１４を介して原板２のパターンを基板１３に投影する。 - 特許庁

This exposure system includes an exposure unit 1 provided with a wafer stage WST for placing a wafer holder WH for holding a wafer W and exposing a pattern DP of a reticle R on the wafer W, a measurement unit 2, and a carrying apparatus 3.例文帳に追加

本発明の露光システムは、ウェハＷを保持するウェハホルダＷＨを載置するウェハステージＷＳＴを備え、レチクルＲのパターンＤＰをウェハＷ上に露光する露光ユニット１と、計測ユニット２と、搬送装置３とを含んでなる。 - 特許庁

To provide a new method, capable of easily forming a photoresist honeycomb lattice pattern having a lattice point size equivalent to or smaller than that attained in a conventional exposure method, even when an optical exposure system used for general purposes is adopted.例文帳に追加

汎用的に用いられる光学露光装置を用いた場合でも、従来の露光方法では達成できなかった寸法以下の格子点寸法を有するフォトレジスト蜂の巣格子パターンを容易に形成することができる、新たな方法を提供する。 - 特許庁

Then optical characteristics of the projection optical system are found on the basis of the detection result of a formation state of an image of the pattern formed in the respective regions on the wafer through exposure under the finely adjusted exposure conditions (steps 436, 438).例文帳に追加

そして、その微調整された露光条件の下での露光によってウエハ上の各領域に形成された前記パターンの像の形成状態の検出結果に基づいて、投影光学系の光学特性が求められる（ステップ４３６、４３８）。 - 特許庁

The exposure device has a projection optical system which projects a specific pattern on the body to be processed and the projection optical system has a lens which has three projection parts and projects the pattern and a lens holding member which supports the lens at three points through the projection parts.例文帳に追加

所定のパターンを被処理体上に投影する投影光学系を有する露光装置であって、前記投影光学系は、３つの凸部を有して前記パターンを投影するするレンズと、当該レンズを前記凸部を介して３点支持するレンズ保持部材とを有する。 - 特許庁

The exposure apparatus EX executes exposure processing for projecting a pattern of a reticle onto a wafer by a projection optical system 13 by using a light supplied from a light source 1, thereby exposing the wafer, and a measurement processing for adjusting the positions of the reticle and wafer in the exposure processing, by using the light supplied from the light source 1.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、光源１から供給される光を使ってレチクルのパターンを投影光学系１３によってウエハに投影してウエハを露光する露光処理、および、光源１から供給される光を使って露光処理におけるレチクルとウエハとの位置合わせのための計測処理を実行する。 - 特許庁

An exposure apparatus 100 illuminates a reticle 2 by a light beam from a light source 1, and uses a projection optical system 6 to project the pattern of the reticle 2 on a substrate 3, thereby exposing the substrate 3.例文帳に追加

露光装置１００は、光源１からの照明光で原版２を照明し該原版２のパターンを投影光学系６によって基板３に投影して該基板３を露光する。 - 特許庁

To provide an aligner capable of suppressing the deterioration of a pattern image which may be caused by bubbles in liquid in the case of performing exposure treatment by filling the liquid between a projection optical system and a substrate.例文帳に追加

投影光学系と基板との間に液体を満たして露光処理する際、液体中の気泡に起因するパターン像の劣化を抑えることができる露光装置を提供する。 - 特許庁

In a process of exposure, the mask pattern is imprinted to the sensitization material in a state that an aberration of the projection system of the exposing device is adjusted with the combined coma aberration value and the spherical aberration value.例文帳に追加

露光においては、露光装置の投影系の収差を、組み合わせにおけるコマ収差の値と球面収差の値とに調整した状態で、マスクパターンを、感光材に転写する。 - 特許庁

To provide a system and method for exposure by which the fluctuation of the line width of a transferred pattern caused by the electrification of a substrate to be treated can be prevented, and to provide a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

被処理基板の帯電による転写後のパターン線幅の変動を防止することができる露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a projection optical system, capable of accurately projecting a pattern by suppressing the influence of a wavefront aberrations or particularly coma aberrations, and to provide an aligner and the exposure method.例文帳に追加

波面収差、特にコマ収差の影響を抑え、パターンを精度良く投影することができる投影光学系、露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An exposure apparatus 100 positions a reticle 102 and a wafer 116, and projects a pattern of the reticle 102 on the wafer 116 through a projection optical system 106 to expose the wafer 116.例文帳に追加

露光装置１００は、レチクル１０２とウエハ１１６とを位置合わせして投影光学系１０６を介してレチクル１０２のパターンをウエハ１１６に投影してウエハ１１６を露光する。 - 特許庁

To prevent unnecessary pattern transfer generated when irradiation of reflection light from the stage of an exposure system is added to necessary direct irradiation when a photosensitive resin is exposed.例文帳に追加

感光性樹脂を露光する場合、必要な直接照射の他に露光機のステージからの反射光による照射が加わった場合に生ずる不必要なパターン転写を防止する。 - 特許庁

Under the exposure light IL in a vacuum ultraviolet ray region, the image of the pattern of a reticle 12 is projected on the wafer 1 7a on the wafer stage 18a within a wafer chamber 24 through a projective optical system PL.例文帳に追加

真空紫外域の露光光ＩＬのもとで、レチクル１２のパターンの像が投影光学系ＰＬを介して、ウエハ室２４内のウエハステージ１８ａ上のウエハ１７ａに投影される。 - 特許庁

In an EUV exposure apparatus having a reflective optical system, an EUV mask blank having a chip pattern and a substrate, on which a lower layer film, an intermediate layer film and a negative resist film are formed, are installed.例文帳に追加

反射光学系を有するＥＵＶ露光装置に、チップパターンを有するＥＵＶマスクブランクスと、下層膜、中間層膜及びネガ型レジスト膜が形成された基板とを設置する。 - 特許庁

To provide a lighting optical device in which, when the device is mounted on an exposure system, the polarization level of an illumination light is varied in accordance with a pattern characteristic of a mask, thereby materializing an appropriate lighting condition.例文帳に追加

露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて照明光の偏光度を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

To provide a variable beam pattern exposure system free from the problem of mismatching in respective units without requiring much processing of a computer and without deteriorating accuracy.例文帳に追加

計算機の多大な処理を必要とせず、また精度を劣化させずに、上記の単位の不整合の問題のない可変成型ビーム型パターン描画装置を提供することを目的とする。 - 特許庁