「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The read memory and the write memory of each random access memory device are updated respectively in relation to a spare read memory in common to read memories of all parallel branches and a spare write memory in common to write memories of all parallel branches.例文帳に追加

本発明は、各ランダムアクセスメモリ装置の読取りメモリと書込みメモリが、それぞれ、並列な全てのブランチの読取りメモリに共通である予備読取りメモリおよび並列な全てのブランチの書込みメモリに共通である予備書込みメモリに関連して更新されることを特徴とする。 - 特許庁

A write counter register 11 generates a write address when the data are written to the memory 9 and a read counter register 12 outputs a read address for which the read address synchronized with the read clock when the data are read from the memory is synchronized with the write clock asynchronous with the read clock at any speed difference.例文帳に追加

書込みカウンタレジスタ１１はデータがメモリ９に書込まれる際の書込アドレスを生成し、読出カウンタレジスタ１２はデータがメモリから読出される際の読出クロックに同期した読出アドレスを読出クロックにあらゆる速度差で非同期な書込クロックに同期させた読出しアドレスを出力する。 - 特許庁

MEMORY CELL, STORAGE CIRCUIT BLOCK, DATA WRITE-IN METHOD, AND DATA READ-OUT METHOD例文帳に追加

メモリセル、記憶回路ブロック、データの書き込み方法及びデータの読み出し方法 - 特許庁

The closer memory sub array connects the pair of internal data into to the write/read circuit.例文帳に追加

近い方のメモリサブアレイは、内部データ線対を書込／読出回路に結合する。 - 特許庁

Moreover, write and read controllers 33, 34 for FiFo memory stop read or write operation to the FiFo memory and also initialize the memory by the held overflow signal.例文帳に追加

また、ＦｉＦｏメモリへの書き込み・読み出しアドレスコントローラ３３，３４は、ホールドされたオーバーフロー信号によって、ＦｉＦｏメモリへの書き込み、あるいは読み出し動作を停止、かつ、初期化する。 - 特許庁

The data card 2 restricts read/write processing from/to a memory 26 of the reader/writer 3 according to the read/write authority by the authority data.例文帳に追加

データカード２は、前記権限データによる読み書き権限に従い、リーダライタ３のメモリ２６に対する読み書き処理を制限する。 - 特許庁

The memory part is provided with a write-in line memory to which the devided video signals are serially inputted, and a read-out line memory to which the video signals are transferred parallel, and the video signals are outputted serially from the read-out line memory.例文帳に追加

メモリ部はシリアルに入力される書き込みラインメモリと、それがパラレルに転送される読み出しラインメモリを有し、読み出しラインメモリからはシリアルに出力される。 - 特許庁

WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

An FIFO part 3 for storing bus data extraction data is provided with a memory write control part 32 and a memory read control part 33.例文帳に追加

バスデータ抽出データを記憶するFIFO部３にメモリライト制御部32とメモリリード制御部33を設ける。 - 特許庁

READ-OUT METHOD OF DOUBLE JUNCTION MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITE-IN METHOD TO DOUBLE JUNCTION MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

二重接合磁気メモリデバイスの読み出し方法および二重接合磁気メモリデバイスへの書き込み方法 - 特許庁

A memory write processing part 6 writes testing data read out of a ROM 4 in the nonvolatile memory 9.例文帳に追加

メモリライト処理部６は、ＲＯＭ４から読み出した試験用データを不揮発性メモリ９に書き込む。 - 特許庁

To provide a memory system and a memory read method for performing high speed read processing to a flash memory having a write suspend function, and a program.例文帳に追加

書き込みサスペンド機能を持ったフラッシュメモリに高速に読み出し処理を行なうメモリシステム及びメモリの読出し方法並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

To enable a samiconductor memory simultaneous to designate write-in to and read-out from the same address, in a semiconductor memory having addresses and data terminals for write-in and read-out respectively.例文帳に追加

書き込み用と読み出し用にそれぞれアドレスとデータ端子を有する半導体記憶装置において、同一アドレスへの書き込みと読み出しを同時指定可能とする。 - 特許庁

DATA READ-OUT METHOD AND DATA WRITE-IN METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のデータ読出方法およびそのデータ書込方法 - 特許庁

To improve accuracy of bit line reference voltage to read and write data in a memory capacitor MC in a memory in which a differential sense amplifier SA is connected to a pair of bit lines, for example, a ferroelectric memory to read and write data in a memory capacitor MC.例文帳に追加

メモリキャパシタＭＣにおけるデータの読み書きのため、差動型センスアンプＳＡがビット線対と接続されているメモリたとえば強誘電体メモリにおいて、ビット線参照電圧の精度を高める。 - 特許庁

This memory device is provided with a memory; a module for outputting a write request or a read request; a memory controller for controlling the memory and a buffer.例文帳に追加

メモリ装置は、メモリと、ライト要求またはリード要求を出力するモジュールと、前記メモリを制御するメモリコントローラと、バッファとからなる。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROL DEVICE, DATA WRITE-IN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND READ-OUT METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びメモリ制御装置、不揮発性メモリ装置のデータ書き込み方法及び不揮発性メモリ装置のデータ読み出し方法 - 特許庁

To reduce memory cell size of a ternary associative memory, to improve yield, and/or to shorten a read/write time for a memory cell.例文帳に追加

ターナリ連想メモリのメモリセルサイズの縮小、歩留まりの向上、及び／又はメモリセルへのリード/ライト時間の短縮を課題とする。 - 特許庁

A part (Write block) which is frequently overwritten and a part (Read block) which is frequently read without being overwritten coexist in a storage area, so that Read-Write frequency information with respect to a specific block address of the disk drive is held by a cache memory a controller managing the RAID group has.例文帳に追加

記憶領域には、頻繁に書換えが行われる部分（Writeブロック）と、書換えが行われずに読出しされる機会が多い部分（Readブロック）が存在するため、ＲＡＩＤグループを管理するコントローラが持つキャッシュメモリに、ディスクドライブの特定ブロックアドレスに対するRead-Write頻度情報を保持する。 - 特許庁

Thus, it is possible to rapidly read or write in the memory circuit at relatively low cost.例文帳に追加

これにより、比較的低いコストでメモリ回路で速く読出し又は書込みができる。 - 特許庁

In response to a read command, data is read from a memory area corresponding to a data line to which the write data and the parity data are not supplied in one of the memory blocks other than a write memory block, and data that cannot be read due to write operation is reproduced.例文帳に追加

読み出しコマンドに応答して、書き込みメモリブロックを除くメモリブロックの１つにおいて、書き込みデータおよびパリティデータが供給されていないデータ線に対応するメモリ領域からデータが読み出され、書き込み動作により読み出させないデータが再生される。 - 特許庁

Each DMAC queues transactions such as memory read/write in a transaction queue 110.例文帳に追加

各ＤＭＡＣは、メモリリード／ライト等のトランザクションをトランザクションキュー１１０にキューイングする。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, DATA WRITE-IN METHOD, AND DATA READ-OUT METHOD例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、並びにデータ書き込み方法およびデータ読み出し方法 - 特許庁

To achieve a nonvolatile semiconductor memory device having improved reliability of data read/write.例文帳に追加

データ書込／読出の信頼性が改善された不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

Thus, the write/read of data to the semiconductor memory device is performed.例文帳に追加

以上の動作により、半導体記憶装置へのデータの書き込み読み出しが行われる。 - 特許庁

A test circuit performs test determination by write-in and read-out for the memory array.例文帳に追加

テスト回路は、上記メモリアレイに対する書き込みと読み出しによる試験判定を行う。 - 特許庁

A memory capacity monitoring section 25 calculates difference between a write-in address and a read-out address.例文帳に追加

メモリ容量監視部（２５）は書込みアドレスと読み出しアドレスとの差分を算出する。 - 特許庁

To obtain a multi-dimension access memory cell having plural write-in and read-out access ports.例文帳に追加

複数の書き込みおよび読み取りアクセスポートを有する多元アクセスメモリーセルを提供する。 - 特許庁

To provide a memory control apparatus to improve performance by performing read/write operation on a multi-channel basis in suitable timing.例文帳に追加

多チャネルによるリード／ライトを適切なタイミングで行いパフォーマンスを向上できる。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, READ AND WRITE METHOD AND PRODUCING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、その読み出し及び書き込み方法、その製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a data write and read method thereof.例文帳に追加

半導体メモリ装置及びその装置のデータの書き込み及び読み出し方法を公開する。 - 特許庁

To increase data read and write speed from/in a memory system as much as possible.例文帳に追加

メモリシステムからデータの読み出し、およびデータの書き込みのそれぞれを、可能な限り早くする。 - 特許庁

DATA READ-OUT METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, DATA WRITE-IN METHOD, AND DRIVING METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置のデータ読み出し方法、データ書き込み方法および駆動方法 - 特許庁

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY HAVING READ-OUT/WRITE-IN FUNCTION WHICH DOES NOT INTERRUPT CONTINUOUS RETRIEVING CYCLE例文帳に追加

連続検索サイクルを中断させない読み出し／書き込み機能を有するコンテントアドレサブルメモリ - 特許庁

The integrated circuit device includes a memory controller 140, and a read modify write circuit 160.例文帳に追加

集積回路装置は、メモリーコントローラー１４０と、リードモディファイライト回路１６０と、を含む。 - 特許庁

A parameter needed to execute the read-modify-write processing is acquired and recorded in a memory.例文帳に追加

また、リードモディファイライト処理の実行に必要となるパラメータを取得してメモリに記録する。 - 特許庁

To provide a dynamic semiconductor memory simultaneously performing read/write and refresh operations.例文帳に追加

読み出し／書き込み及びリフレッシュ動作を同時に行うダイナミック半導体メモリを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SIMULTANEOUS READ AND WRITE FUNCTION, AND MICROPROCESSOR DEVICE例文帳に追加

同時読出しおよび書込み機能を有する半導体記憶装置、およびマイクロプロセッサ装置 - 特許庁

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY WITH READ/WRITE FUNCTION CAUSING NO INTERRUPTION OF CONTINUOUS RETRIEVAL CYCLE例文帳に追加

連続検索サイクルを中断させない読み出し／書き込み機能を有するコンテントアドレサブルメモリ - 特許庁

To prevent the deterioration of program processing efficiency due to read/write to a shared memory.例文帳に追加

共有メモリへの読書きに起因するプログラム処理効率の低下を防止すること。 - 特許庁

A read operation can be performed on the synchronous memory device 300 while the write data is transferred from the write latch 304 to the memory cells of the memory array 310.例文帳に追加

書き込みデータが書き込みラッチ３０４からメモリアレイ３１０のメモリセルに転送されている間にシンクロナスメモリ３００に対する読み出し処理を実行することができる。 - 特許庁

To write or read efficiently to a nonvolatile semiconductor memory used as a main memory.例文帳に追加

メインメモリとして用いられる不揮発性半導体メモリに対して効率的に書き込みまたは読み出しを行う。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR CONTROLLING DATA WRITE/READ AT NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセル、並びに、不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み・読み出し制御方法 - 特許庁

To reduce a wait time for memory access during consecutive read-modify-write processes without using dual port memory.例文帳に追加

２ポートメモリを用いることなく、連続するリード・モディファイ・ライト動作におけるメモリアクセスの待ち時間を削減する。 - 特許庁

To write or read a plurality of memory transistors continuing to a word line in parallel in a VG memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイにおいて、ワード線に連なる複数のメモリトランジスタを並列に書き込みまたは読み出す。 - 特許庁