「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A write/read circuit 4 applies a write voltage between a cantilever 3 and the conductive member of the memory element 1 to write information in the memory thin film, applies a read voltage between the cantilever 3 and the conductive member of the memory element 1, and measures a current flowing between the cantilever 3 and the conductive member to read the information recorded in the memory thin film.例文帳に追加

書込／読取回路４は、カンチレバー３とメモリ素子１の導電性部材との間に書き込み電圧を印加して、メモリ薄膜に情報を書き込み、カンチレバー３とメモリ素子１の導電性部材との間に読み出し電圧を印加して、カンチレバー３と導電性部材との間を流れる電流を測定することにより、メモリ薄膜に記録された情報を読み取る。 - 特許庁

The semiconductor memory has an input/output circuit 120 including a write path to supply write data and a read path to supply read data, and data lines WLINE and RLINE to connect the input/output circuit 120 and the memory cell array 103.例文帳に追加

ライトデータが供給されるライトパス及びリードデータが供給されるリードパスを有する入出力回路１２０と、入出力回路１２０とメモリセルアレイ１０３とを接続するデータラインＷＬＩＮＥ，ＲＬＩＮＥとを備える。 - 特許庁

This semiconductor memory 20 has: a memory part 21 having a physical access area 21A storing the boot code of the host system 4 and a logical access area 21B; and a memory controller 22 performing changeover processing between a read/write to the physical access area and a read/write to the logical access area.例文帳に追加

ホストシステム４のブートコードを記憶する物理アクセス領域２１Ａと、論理アクセス領域２１Ｂとを有するメモリ部２１と、物理アクセス領域に対するリードライトと、論理アクセス領域に対するリードライトとの切り替え処理を行うメモリコントローラ２２とを具備する。 - 特許庁

Two memory sub arrays MAB0 and MAB1 are provided adjacent to a write/read circuit, a pair of internal data lines IOP are connected to the write/read circuit via a pair of passage wirings FLP at the upper layer of the closer memory sub array for the farther memory sub array.例文帳に追加

書込／読出回路に隣接して２つのメモリサブアレイ（ＭＡＢ０，ＭＡＢ１）を設け、遠い方のメモリサブアレイに対して内部データ線対（ＩＯＰ）は、近い方のメモリサブアレイ上をそれより上層の通過配線対（ＦＬＰ）を介して書込／読出回路に接続する。 - 特許庁

To provide a memory control system for enabling priority processing both in write processing to the memory of a processor and read processing from the memory in a multiprocessor system and making common a data buffer to be used in write processing and read processing.例文帳に追加

マルチプロセッサシステムにおいて、プロセッサのメモリに対する書き込み処理と、メモリから読み出し処理の両方において優先処理を可能にし且つ書き込み処理時と読み出し処理時に使用するデータバッファの共通化を図るメモリ制御方式を提供する。 - 特許庁

Write of the data is performed to one of the high speed built-in memory and the high speed operation data memory and furthermore, to the low speed operation data memory and read of the data is performed from the high speed built-in memory and the high speed operation data memory.例文帳に追加

データの書き込みは、高速内蔵メモリと高速演算データメモリの一方と、更に、低速演算データメモリに対して行い、データの読み出しは、高速内蔵メモリと高速演算データメモリから行う。 - 特許庁

In a second write operation following the first write operation, a read reference current, which is a mean current for the first and the second reference memory cell, is selected as a write reference current and the data is written only to the memory cell.例文帳に追加

第１書き込み動作に続く第２書き込み動作において、第１および第２リファレンスメモリセルの平均電流である読み出しリファレンス電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルのみにデータが書き込まれる。 - 特許庁

A write control section 5 writes data to the phase adjustment memory 6 on the basis of the reference VC-3 and a read control section 9 reads data from the phase adjustment memory 6 depending on the result of write by the write control section 5.例文帳に追加

書込み制御部５は基準ＶＣ−３を基に位相調整メモリ６への書込みを行い、読出し制御部９は書込み制御部５による書込み結果に応じて位相調整メモリ６からの読出しを行う。 - 特許庁

When copying a plurality of originals, picture information read by an original read part 2 is passed through the page memory of a storage part 4 and printed by a write part 3.例文帳に追加

複数の原稿を複写する場合、原稿読み取り部２で読み取られた画情報は、記憶部４のページメモリを経由して、書き込み部３で印刷される。 - 特許庁

To rewrite data of one part of data read of one page portion read from a memory cell array and to write the result in a different page.例文帳に追加

本発明は、メモリセルアレイから読み出された１ページ分の読み出しデータの一部のデータの書き換えを行なって、異なるページに書き込むことを特徴とする。 - 特許庁

The write/read address control part further controls the decision, generation or the like of a read source address in reading an interleave address from the memory for address storage.例文帳に追加

さらに、書き込み／読み出しアドレス制御部は、アドレス保管用メモリからインタリーブアドレスを読み出す際に、読み出し元アドレスの決定、生成等を制御。 - 特許庁

In the case of Wh (a write frequency) ≥Rh (a read frequency), read start is permitted on the condition of a data storage amount of the FIFO memory 11>0.例文帳に追加

Ｗｈ（書き込み周波数）≧Ｒｈ（読み出し周波数）データの場合には、ＦＩＦＯメモリ１１のデータ格納量＞０を条件に読み出し開始を許可する。 - 特許庁

To read out accurately a written analog signal by eliminating an error of the analog signal at the time of write-in and read-out as an analog FIFO memory.例文帳に追加

アナログＦＩＦＯメモリとして、書き込み時と読み出し時とにおけるアナログ信号の誤差をなくして、書き込まれたアナログ信号が精度良く読み出せるようにする。 - 特許庁

The method adopts predictive bank switching to hide random access latencies, adopts packet length dependent variable memory write burst lengths to minimize bank switching, and further performs memory read and write operations during corresponding read and write windows.例文帳に追加

本方法は、ランダム・アクセスの待ち時間を隠すために予測的バンク切り替えを採用し、バンク切り替えを最小化するためにパケット長に依存した可変メモリ書き込みバースト長を採用し、更に、メモリ読み出し及び書き込みを対応する読み出し及び書き込みウインドウで行うようにしている。 - 特許庁

In the case of reading the data, a read control section 60 periodically generates a multiplexed read CH selection signal that takes status information with respect to the memory write given from a write control section 40 into account similarly to above.例文帳に追加

読み出す際は、読出制御部60から、書込制御部40より与えられたメモリ書込に関するステータス情報を考慮した多重化読出ＣＨ選択信号を前述同様に周期的に生成する。 - 特許庁

Deinterleaving is accomplished by controlling the read/write addressing of a memory 35 by the selected deinterleaving function.例文帳に追加

デインタリービングは、選択されたデインタリービング機能によってメモリ３５の読み／書きアドレシングを制御することにより行われる。 - 特許庁

A cache with a small capacity is used to store data to link storage positions of the buffer in order to reduce read/write memory accesses.例文帳に追加

読出し／書込みメモリアクセスを減らすため小さなキャッシュをバッファの記憶位置をリンクするデータの記憶に用いる。 - 特許庁

Management information necessary for read/write of a removable memory is saved/restored in response to turning off/on of the power of a camera.例文帳に追加

カメラの電源切断／投入に対処して、リムーバブルメモリの読み書きに必要な管理情報を待避／復旧させる。 - 特許庁

The CPU 1 instructs the memory controller 2 to write and read data to and out of the storage medium 3.例文帳に追加

記憶媒体３へのデータ書き込み又は記憶媒体３からのデータの読み出しは、ＣＰＵ１からメモリコントローラ２に指示する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which write-in operation speed can be increased by shortening a verify-read-out time.例文帳に追加

ベリファイ読み出し時間を短縮して書き込み動作を高速化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can be made minute easily and can perform simultaneously read and write.例文帳に追加

微細化が容易で、読出しと書込みの同時実行を提供可能な不揮発性の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Management information necessary for the read/write of a removable memory is retreated/restored in accordance with the OFF/ON of the power supply for the camera.例文帳に追加

カメラの電源切断／投入に対処して、リムーバブルメモリの読み書きに必要な管理情報を待避／復旧させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a memory circuit of which the pipeline packing density is increased when a read and write are coexistent.例文帳に追加

リードとライトが混在した場合のパイプライン充填率を高めたメモリ回路を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Deinterleaving is accomplished by controlling the read/write addressing of a memory (35) by the selected deinterleaving function.例文帳に追加

デインタリービングは、選択されたデインタリービング機能によってメモリ（３５）の読み／書きアドレシングを制御することにより行われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which operation speed of read/write can be increased while suppressing increment of chip area.例文帳に追加

チップ面積の増加を抑制しつつ読み出し/書き込みを高速化することができる半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

A selecting circuit 32 selects these data read from each memory 30 by the control of a write control circuit 31.例文帳に追加

選択回路３２は、書込み制御回路３１の制御により、各メモリ３０から読み出されたこれらのデータを選択する。 - 特許庁

To perform write/read of data to a semiconductor memory device at high speed irrespective of its storage capacity.例文帳に追加

半導体記憶装置へのデータの書き込み読み出しを、その記憶容量によらず高速に行うことを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus including a local read/write circuit which is constructed using a small number of transistors.例文帳に追加

少ないトランジスタ数で構成されたローカル読み出し／書き込み回路を備えた半導体記憶装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a write column select line or a read-column select line for shielding a signal line.例文帳に追加

信号線をシールドするライトカラム選択ラインまたはリードカラム選択ラインを有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To perform surely read-out operation in a semiconductor integrated circuit incorporating a memory cell having a delayed-write function.例文帳に追加

メモリセルを内蔵し、ディレイドライト機能を有する半導体集積回路に関し、読み出し動作を確実に実行する。 - 特許庁

To reduce the overhead of data transfer between a memory device and a computer where an address is designated and read/write is performed.例文帳に追加

アドレスを指定してデータの読み書きが行われるメモリデバイスとコンピュータとの間でのデータ転送のオーバーヘッドを低減する。 - 特許庁

Interfaces are provided for controlling the use of the non-volatile memory as a write buffer and a read cache.例文帳に追加

不揮発性メモリの書込みバッファおよび読取りキャッシュとしての使用を制御するためにインターフェースが設けられる。 - 特許庁

A FIFO memory 41 stores data according to a write pointer WP, and outputs the data according to a read pointer RP.例文帳に追加

ＦＩＦＯメモリ４１は、ライトポインタＷＰに従ってデータを記憶し、リードポインタＲＰに従ってデータを出力する。 - 特許庁

Herein, Pw indicates the degree of the deterioration of the read/write characteristics of the reverse data in the ferroelectric memory device.例文帳に追加

尚、Ｐｗは、強誘電体メモリ装置における逆データの書き込み読み出し特性の劣化の度合いを示す。 - 特許庁

To be specific, transfer instructions of read and write transfers are given to a reference frame stored in the frame memory in order.例文帳に追加

具体的には、フレームメモリに保存された参照フレームに対してリード及びライト転送の転送指示を順番に行う。 - 特許庁

An ink cartridge 11 is provided with an IC chip 12 having a nonvolatile memory capable of noncontact read/write.例文帳に追加

インクカートリッジ１１に、非接触により書き込み及び読み込みが可能な不揮発性メモリを有したＩＣチップ１２を設ける。 - 特許庁

that is, the write/read of the stream to/from the memory (54C) is conducted simultaneously by using the buses 50, (56).例文帳に追加

すなわち、メモリ５４Ｃに対する符号化ストリームの書込みと読出しが、バス５０，５６を使用して同時に行われる。 - 特許庁

written programs or procedures or rules and associated documentation pertaining to the operation of a computer system and that are stored in read/write memory 例文帳に追加

読み書きメモリに格納された、コンピュータ・システムの操作に関連するプログラム、手順、または規則、および関連文書 - 日本語WordNet

To reduce the number of read-write buses and the length of wiring in a semiconductor device in which a plurality of memory chips are stacked.例文帳に追加

複数のメモリチップが積層された半導体装置においてリードライトバスの本数及び配線長を削減する。 - 特許庁

The memory device receives a read address and a write address consecutively in one cycle to generate the dual operation decoding signal.例文帳に追加

メモリデバイスは、１つのサイクルで連続的に読出アドレス及び書込アドレスを受信し、デュアル動作デコード信号を生成する。 - 特許庁

A peripheral circuit 5 is disposed adjacent to a memory array 2 to read data from and write data in the array 2.例文帳に追加

周辺回路５は、メモリアレイ２に隣接して配置されて、メモリアレイ２に対してデータ読出およびデータ書込を実行する。 - 特許庁

Corresponding to address data provided from the data tables 2 and 3, write and read addresses are set to the external memory 7.例文帳に追加

データテーブル２、３から得られるアドレスデータにより、外部メモリ７に対する書込みアドレスと読み出しアドレスを設定する。 - 特許庁

The actuator for positioning the read/write head of the memory device of the disk drive, etc., is controlled.例文帳に追加

ディスクドライブなどの記憶装置の読出し／書込みヘッドを位置決めするアクチュエータを制御することに関するものである。 - 特許庁

A read circuit 12 and a write circuit 13 are provided for each of 16 memory cells MCi for composing one column.例文帳に追加

１カラムを構成する１６個のメモリセルＭＣｉ毎に、読み出し回路１２、及び書き込み回路１３が設けられている。 - 特許庁

The time division switches 1 and 3 of a sequential write/random read system using a switch buffer 1 are provided with a message memory, an address used for both switch buffer and message memory is stored in a read control memory, the address is read by a read controller 5 and the data of the switch buffer or the message memory are read and outputted to a time division frame.例文帳に追加

スイッチバッファ１を用いたシーケンシャルライト・ランダムリード方式の時分割スイッチ１、３に、メッセージメモリ８を設け、リードコントロールメモリに前記スイッチバッファとメッセージメモリに兼用のアドレスを記憶し、リードコントローラ６により前記アドレスを読み出し前記スイッチバッファ又はメッセージメモリの何れかのデータを読み出して時分割フレームに出力する。 - 特許庁