「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Namely, '(2) generation of address information' is performed before '(5) generation of an original read request' and '(3) generation of a write request of address information' is performed, to be outputted to the memory controller 15 in the memory read request of the DMA.例文帳に追加

すなわち、ＤＭＡのメモリリード要求では、「 本来のリード要求生成」の前に「 アドレス情報生成」を行ない、「 アドレス情報のライト要求生成」を行なって、メモリコントローラ１５に出力する。 - 特許庁

A first portion of the memory array includes memory cells (normal row group N_ROWS) to be accessed for read/write during normal operation, and a second portion includes memory cells (configuration row group C_ROWS) to be read when power is turned on.例文帳に追加

メモリアレイの第１の部分は通常動作時の読出書込のためにアクセスされるメモリセル（ノーマル横列群Ｎ＿ＲＯＷＳ）を含み、第２の部分は電源投入時に読み出されるメモリセル（設定用横列群Ｃ＿ＲＯＷＳ）を含む。 - 特許庁

When the read data are "0", it progresses to a step S6 and a current is applied to a memory cell to write "1".例文帳に追加

読出データが“０”であった場合にはステップＳ６に進み、メモリセルに対して“１”を書込むために電流の印加が行なわれる。 - 特許庁

To provide a method of operating a memory device so as to read and write data at a high speed using a bus of a small band width.例文帳に追加

小帯域幅のバスを用いて高速でデータを読み取り・書き込めるようにメモリ装置を動作させる方法を提供する。 - 特許庁

A write access control unit 205 writes the image data read by the flat panel sensor control unit 203 in a frame memory 208.例文帳に追加

書き込みアクセス制御部２０５は、フラットパネルセンサ制御部２０３により読み出された画像データをフレームメモリ２０８に書き込む。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which allows to appropriately read and/or write information stored in the memory of a replaceable article, in a simple method.例文帳に追加

交換品のメモリに記憶された情報を簡単な方法で適宜読み書きできる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

On a page where the module address is stored, a write address and read address for an internal data storage memory 2 are stored too.例文帳に追加

モジュールのアドレスが格納されているページには、内部データ記憶用メモリ２の書込用アドレスや読出用アドレスも格納される。 - 特許庁

In this case, the address FIFO 25 sequentially stores the address of write data and then outputs the address to the memory cell array 21 after the end of read operation.例文帳に追加

このときアドレスFIFOは、書込データのアドレスを順次貯蔵し、読出動作完了後に順次メモリセルアレーに出力する。 - 特許庁

If the read data are "0", the processing proceeds to step S6, and applies a current in order to write "1" in a memory cell.例文帳に追加

読出データが“０”であった場合にはステップＳ６に進み、メモリセルに対して“１”を書込むために電流の印加が行なわれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device reducing current consumption and circuit scale without delaying read/write operation.例文帳に追加

読出し／書込み動作を遅延させることなく、消費電流が低くかつ回路規模の小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

One circuit applies processing to signals with different frequencies by changing the write/read frequencies to/from the line memory section 13.例文帳に追加

ラインメモリ部１３への書き込み／読み出し周波数を変えることで１つの回路にて異なる周波数の信号処理を行う。 - 特許庁

Thus, countermeasures are taken against faulty read-out margins and write-in margins depending on the memory cell characteristics in this voltage selection.例文帳に追加

この電圧選択においてメモリセル特性に応じて読出マージン不良、または書込マージン不良対策を施すことができる。 - 特許庁

To provide a method for improving write time for a dynamic random access memory(DRAM) having destructive read architecture.例文帳に追加

破壊読取りアーキテクチャを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のための書込み時間を改善する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory device that can read or write data from or into consecutive addresses or addresses at intervals of a given number.例文帳に追加

連続する番地又は所定数おきの番地にデータの読出又は書込を行うことができるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the operating instructions of programmed write-in, delete, and read-out corresponding to the flash memory structure and relevant to the structure are provided.例文帳に追加

このほか、該フラッシュメモリセル構造に対応し、関連するプログラム化書き込み、抹消及び読み取りの操作方法を提供する。 - 特許庁

Similarly, the control device 201 is provided with a network transmission/reception control unit 83 or an external memory read/write unit 84.例文帳に追加

同様に、数値制御装置２０１にはネットワーク送受信制御部８３又は外部メモリ読み書き部８４が設けられている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR IMPROVING DATA PROCESSING SPEED AND DATA INPUT/OUTPUT PIN EFFICIENCY, AND METHOD FOR CONTROLLING READ AND WRITE OPERATION THEREOF例文帳に追加

データ処理速度及びデータ入出力ピンの効率を向上させうる半導体メモリ装置及びその読出／書込制御方法 - 特許庁

A clock generating circuit 119 supplies the read clock of about 4/3-fold frequency of the write clock to the memory 103.例文帳に追加

クロック発生回路１１９は書き込みクロックの約４／３倍の周波数の読みだしクロックをメモリ１０３に供給する。 - 特許庁

While the dump flag is "1", the write control part 11 and a read control part 12 perform control so as to allow only the master memory 2 to be accessed.例文帳に追加

ダンプフラグが「１」の間は、書込み制御部１１、読出し制御部１２はマスターメモリ２のみにアクセスするよう制御する。 - 特許庁

On the side of the simulation device 101, a network transmission/reception control unit 30 or an external memory read/write unit 31 is disposed.例文帳に追加

加工シミュレーション装置１０１側にはネットワーク送受信制御部３０又は外部メモリ読み書き部３１が設けられている。 - 特許庁

To obtain an electronic element which has large storage capacity and write and read speed, and whose manufacturing cost is low, and whose size is as compact as a semiconductor memory.例文帳に追加

大記憶容量と読み書き速度とを有し、製造コストが安く、半導体メモリ並みにコンパクトである電子素子を得る。 - 特許庁

This system is equipped with a mirror memory circuit 30 in which data write/read is executed, as with a memory circuit 11, based on a first data to be sent from a memory control circuit 12 to the memory circuit 11, and a signal sampling circuit 20 that stores the first data and a second data read out from the mirror memory circuit 30 in a sampling memory circuit 40.例文帳に追加

メモリ制御回路１２からメモリ回路１１へ送られるべき第１データに基づいてメモリ回路１１と同様にデータの書込／読出が行われるミラーメモリ回路３０と、この第１データ及びミラーメモリ回路３０から読み出される第２データをサンプリングメモリ回路４０に記憶させる信号サンプリング回路２０とを備える。 - 特許庁

According to this invention, an inverted write binary address of the write address pointer is added to the read binary address of the read address pointer, and 1 is added thereto, and also the most significant bit(MSB) is destroyed to decide the number of the empty memory positions.例文帳に追加

本発明によれば、書込アドレスポインタの反転した書込二進アドレスを読取アドレスポインタの読取二進アドレスへ加算し、１を加算し、且つ最大桁ビット (ＭＳＢ)を廃棄して空のメモリ位置の数を決定する。 - 特許庁

To perform discrimination of access for a memory cell or a memory cell region in which write-in or read-out cannot be performed normally and replacement of this memory cell or memory cell region at a minimum cost and at maximum speed.例文帳に追加

正常に書き込みまたは読み出しできないメモリセルまたはメモリセル領域へのアクセスの識別と、このメモリセルまたはメモリセル領域の置換を最小のコストと最大の速度で処理できるようにすることである。 - 特許庁

After the second write operation, the difference between the read reference current and the memory cell current for the memory cell can be expanded because threshold voltages for the memory cell is distributed to one side of the first or the second reference memory cell as a border.例文帳に追加

第２書き込み動作後、メモリセルの閾値電圧は、第１または第２リファレンスメモリセルを境界として一方側に分布するため、読み出しリファレンス電流とメモリセルのメモリセル電流との差を大きくできる。 - 特許庁

A memory arbitration circuit 13 sets up the priority of memory using right in each memory master 12 on the basis of the address signal and the read/write signal and asserts an acknowledge signal to the memory master 12 having the highest priority.例文帳に追加

メモリアービトレーション回路１３は、アドレス信号およびリードライト信号に基づき、各メモリマスタ１２にメモリ使用権の優先順位を設定し、最も優先順位の高いメモリマスタ１２に対してアクノリッジ信号をアサートする。 - 特許庁

The residual quantity data are read from the second memory by the printing agent residual quantity management task and the updated residual quantity data are written in the second memory, and then the memory management task is executed to write the updated residual quantity data in the first memory.例文帳に追加

印刷剤残量管理タスクでは第２メモリから残量データを読み出し，第２メモリに更新された残量データを書き込み，かつメモリ管理タスクを実行して第１メモリに更新された残量データを書き込む。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device including a plurality of memory chips, when data are copied among the plurality of memory chips, after the command of recognizing a read enable operation as a write enable operation is started in the memory chip of a copying destination, the read enable operation is executed.例文帳に追加

複数のメモリチップを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記複数のメモリチップ間でデータのコピーを行うとき、コピー先のメモリチップにおいてリードイネーブル動作をライトイネーブル動作と認識させるコマンドを起動した後、前記リードイネーブル動作を行う。 - 特許庁

The log memory 15 can control the write-in and read-out operation of the log data non-synchronously and independently, and can read out the log data repeatedly during performing the test.例文帳に追加

ログメモリ１５は、ログデータの書込み動作と読出し動作を非同期かつ独立に制御可能であり、テスト実行中に繰り返しログデータを読出し可能に構成されている。 - 特許庁

To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data.例文帳に追加

通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

A discard control section 103 discards cells having elapsed a long time after the write time from the write time managing memory 140 independently from the operation of the write control section 101 and the read control section 102.例文帳に追加

廃棄制御部１０３は、書込制御部１０１、読出制御部１０２とは独立の処理によって、書込時刻管理メモリ１４０に格納された書込時刻からの経過時間が長いセルの廃棄を行う。 - 特許庁

A differential circuit 17 performs arithmetic processing from the write address and the read address synchronized with the write clock and obtains the data stored inside the memory and a register 18 holds them by the write clock and outputs storage amount data.例文帳に追加

差分回路１７は書込アドレスと書込クロックに同期させた読出アドレスとから演算処理してメモリ内に蓄積されたデータを求め、それをレジスタ１８が書込クロックで保持して蓄積量データを出力する。 - 特許庁

To prevent a write-in voltage from being output to a memory cell array in which a write-in operation is finished by discriminating verify-read data for every array when the data to be batch written straddle over a plurality of memory cell arrays.例文帳に追加

一括で書き込むデータが複数のメモリセルアレイにまたがっている場合に、アレイ毎にベリファイ読み出しデータを判定し、書き込みが終了したメモリセルアレイに対して書き込み電圧を出力しないようにする。 - 特許庁

The sequence security circuit detects a write-DMA end notification interruption signal from the bus master for performing write-DMA, and after a read-DMA operation from memory by a bus master for performing read-DMA, generates a write-DMA completion notification interruption signal.例文帳に追加

その順序保障回路は、ライトＤＭＡを行うバスマスタからのライトＤＭＡ終了通知割り込み信号を検出し、リードＤＭＡを行うバスマスタによるメモリからのリードＤＭＡ動作の後、ライトＤＭＡ完了通知割り込み信号を発行する。 - 特許庁

This data transfer device has the PCI interface, a large number of devices via the PCI interface, a memory interface, and a common memory, and allows the large number of devices to read and write data to the common memory, and also has a buffer for preserving a read address corresponding to the number of devices, read data, and the read data number.例文帳に追加

ＰＣＩインターフェースと、ＰＣＩインターフェースを介した多数のデバイスと、メモリーインターフェースと、共有メモリとを有し、前記多数のデバイスが前記共有メモリに対しデータのリード/ライトを行うデータ転送装置において、デバイスの数に相当するリードアドレス、リードデータ、リードデータ個数を保存するバッファを持つデータ転送装置である。 - 特許庁

When a read-out access with respect to a certain memory bank is given to a network circuit so as to read out the data transmitted to the network, a write access to other memory bank is implemented to other network circuits so as to write data received from the network.例文帳に追加

あるネットワーク回路に対してネットワークに送信されるデータを読出すようにあるメモリバンクに対する読出アクセスが与えられると、別のネットワーク回路に対してネットワークから受信したデータを書き込むように別のメモリバンクに対して書込アクセスが与えられる。 - 特許庁

The external device 2 is provided with an external connection terminal 21 connected to the external connection terminal 15 of the mobile phone terminal 1 and a card type memory read/write section 22 applies data read/write processing to a card type memory 3 loaded to a loading port 23.例文帳に追加

外部装置２には携帯電話端末１の外部接続端子１５に接続される外部接続端子２１が配設され、カード型メモリ読取り／書込み部２２は装着口２３に装着されたカード型メモリ３に対してデータの読取り／書込み処理を行う。 - 特許庁

In a single data read operation, data read of stored data of each of before and after applying the prescribed data write magnetic field to a selection memory cell is performed, and data read is performed in accordance with comparison of voltage levels corresponding to each data read.例文帳に追加

１回のデータ読出動作内に、選択メモリセルへの所定のデータ書込磁界の印加前後のそれぞれの記憶データのデータ読出を実行し、それぞれのデータ読出に対応する電圧レベルの比較に応じてデータ読出を実行する。 - 特許庁

The threshold voltage is set so as to keep in required distribution from one direction for the write selection nonvolatile memory cells in write processing for the rewriting unit using write verify voltage, for a result of write processing, for example, stored information is read out from the nonvolatile memory cell of write selection and non-write selection of the rewriting unit using upper or lower discriminating voltage.例文帳に追加

書換え単位に対する書込み処理において書込み選択の不揮発性メモリセルに対して、書込みベリファイ電圧を用いて、その閾値電圧を一方向から所要の分布に収めるように設定し、書込み処理の結果に対して例えば上裾判定電圧を用いて書換え単位の書込み選択及び書込み非選択の不揮発性メモリセルから記憶情報を読み出す。 - 特許庁

The CPU 1 writes data equal to write data to the RAM 3 to a nonvolatile memory 4 and writes data equal to read data from the RAM 3 to the nonvolatile memory 4.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、ＲＡＭ３への書き込みデータと同じデータを不揮発メモリ４に書き込み、ＲＡＭ３からの読み出しデータと同じデータを不揮発メモリ４に書き込む。 - 特許庁

Following the position specifying information 12, the data write control section 4 writes the sector data in the buffer memory 5 and the data read section 7 reads the sector data in the buffer memory 5.例文帳に追加

書き込み位置指定情報１２に従い、データ書き込み制御部４はバッファメモリ５へセクタデータを書き込み、データ読み出し制御部７はバッファメモリ５のセクタを読み出す。 - 特許庁

A data array part 11A has a memory 11AA including a plurality of first word lines and a first sense amplifier, a DQ buffer 11AB performs write-in/read-out for the memory 11AA.例文帳に追加

データアレイ部１１Ａは複数の第１ワード線と第１センスアンプを含むメモリ１１ＡＡを有し、ＤＱバッファ１１ＡＢはメモリ１１ＡＡに対し書き込み／読み出しを行う。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional control method for a line memory having a memory capacity of two banks that has increased the circuit scale although real time processing is possible for data write/read processing.例文帳に追加

ラインメモリに２バンク分のメモリ容量を持たせた場合、データの書き込み／読み出しについてはリアルタイムでの処理が可能となる反面、回路規模が大きくなってしまう。 - 特許庁

To provide a FIFO memory controller capable of improving data transfer efficiency when a write frequency of a FIFO memory is different from a read frequency thereof.例文帳に追加

ＦＩＦＯメモリの書き込み周波数と読み出し周波数が異なる場合におけるデータ転送効率の向上を図ることができるＦＩＦＯメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

An interleaving part 102 comprises a dual-port memory 210 and an address generator 220 which generates a write address 221 and a read address 222 to the dual-port memory 210.例文帳に追加

インターリーブ部１０２は、デュアルポートメモリ２１０と、デュアルポートメモリ２１０に対する書込みアドレス２２１及び読出しアドレス２２２を発生するアドレス発生器２２０とを備える。 - 特許庁