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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Read Write Memoryの意味・解説 > Read Write Memoryに関連した英語例文

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Read Write Memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1172



例文

Meanwhile, when the write data includes reset data, it is determined, for a memory cell in which the reset data is written, whether there is an error in the read data read from the memory cell and the write data, and writing is repeatedly implemented using a second mode of writing the data only in a memory cell where errors occur, until there is no more error.例文帳に追加

一方、書込データがリセットデータを含む場合、リセットデータが書き込まれるメモリセルに対し、そのメモリセルから読み込んだ読込データと書込データとに誤りがあるか否かを判定し、誤りがなくなるまで誤りが生じたメモリセルに対してのみ繰り返しデータの書き込みを行う第2モードで書込動作を行う。 - 特許庁

The method comprises steps of: using conductors (30 and 35) electrically connected to a memory element (26) to read a data value of the memory element (26); and using write conductors (32) magnetically connected to the memory element (26) to transmit the value read from the memory element (26) to other locations on the chip.例文帳に追加

1実施形態では、この方法は、メモリ素子(26)に電気的に結合された導体(30,35)を用いてメモリ素子(26)のデータ値を読み出すステップと、メモリ素子(26)に磁気的に結合された書き込み導体(32)を用いてメモリ素子(26)から読み出した値をチップ上の他の場所に伝送するステップを含む。 - 特許庁

This device is a semiconductor memory, having data lines for read-out WDB./WDB and a data line for write-in, and the device is provided with a data-holding means 64 for holding data in the data line for write-in, and a data write-in means 63 writing data stored in the data line for write-in in a memory cell.例文帳に追加

読み出し用データ線WDB,/WDBおよび書き込み用データ線を有する半導体記憶装置であって、データを前記書き込み用データ線に保持するデータ保持手段64と、該書き込み用データ線に保持しているデータをメモリセルに書き込むデータ書き込み手段63とを具備するように構成する。 - 特許庁

Image data equivalent to one frame which are read out from a frame memory 2 are written in memories 21a to 24a for every image area based on the write addresses generated by a write address generator 3a and timing pulses for write-in generated by a write pulse generator 4a.例文帳に追加

フレームメモリ2から読み出された1フレーム分の画像データが、書き込みアドレス生成器3aが生成した書き込みアドレス及び書き込みパルス生成器4aが生成した書き込みのタイミングパルスに基づき、画像領域毎にメモリ21a〜24aに書き込まれる。 - 特許庁

例文

A read/write circuit 117 is controlled by delayed internal control signals MAE1, WBE1, thereby, read or write for a memory cell array is performed in timing in accordance with a value set to the AL setting register 132.例文帳に追加

読み出し/書込み回路117は、遅延された内部制御信号MAE1,WBE1によって制御され、これによりAL設定レジスタ132に設定された値に応じたタイミングでメモリセルアレイに対する読み出し又は書込みを行う。 - 特許庁


例文

The memory control part 123 is equipped with an LED type judgment part 243 which switches a generation pattern of a write address used in a write address generating part 205, and a generation pattern of a read address used in a read address generating part 247.例文帳に追加

メモリ制御部123は、書込アドレス生成部205において用いる書込アドレスの生成パターンおよび読出アドレス生成部247において用いる読出アドレスの生成パターンを切り換えるLEDタイプ判断部243を備える。 - 特許庁

Pairs of read data line (IOR0-IOR31), write data lines (IOW0- IOW31) and spare read data lines (SIR), spare write data lines (SIW) are arranged across a memory cell array while extending in the column direction.例文帳に追加

メモリセルアレイ上にわたってリードデータ線対(IOR0−IOR31)およびライトデータ線対(IOW0−IOW31)ならびにスペアリードデータ線対(SIR)およびスペアライトデータ線対(SIW)を列方向に延在して配設する。 - 特許庁

And data read out with a word line potential being that at the time of program verifying are compared with data read out with a refresh verifying potential, write-in is performed by a write-in circuit 16 for a memory cell in accordance with this compared result.例文帳に追加

そして、プログラムベリファイ時と同じワード線電位にて読み出されたデータと、リフレッシュベリファイ電位にて読み出されたデータとを比較し、この比較結果に応じてメモリセルに対して書き込み回路16により書き込みを行う。 - 特許庁

When a CPU 6 issues a read or write request to a memory bank B 13, an arbitration circuit 9 immediately sends the read or write request from the CPU 6 to a bank B access circuit 15, and the CPU 6 reads or writes data from/in the memory bank B 13.例文帳に追加

CPU6からメモリバンクB13に対するリード或いはライト要求が発生すると、調停回路9は、CPU6からのリード或いはライト要求を直ちにバンクBアクセス回路15に送り、CPU6は、メモリバンクB13に対してデータのリード或いはライトを行う。 - 特許庁

例文

Signal write to an input frame memory wherein inputted image data is stored is performed with an input vertical synchronizing signal IVS as a write timing prescription signal, and signal read from the input frame memory is performed with the signal SVS as a read timing prescription signal.例文帳に追加

入力された画像データを記憶する入力フレームメモリに対する信号の書き込みは、入力垂直同期信号IVSを書き込みタイミング規定信号として、入力フレームメモリからの信号の読み出しはSVSを読み出しタイミング規定信号として行われる。 - 特許庁

例文

To make it possible to surely transmit and receive read and write signals by making an arrangement and form of an antenna suitable for transmitting/receiving the read and write signals in a memory cartridge, in a tape driving device subjected to load a tape cartridge in which the memory cartridge is arranged on the rear side of a case main body.例文帳に追加

ケース本体の後ろ側にメモリーカートリッジが配置してあるテープカートリッジを装填対象するテープドライブ装置において、メモリーカートリッジに読み書き信号を送受するアンテナの配置形態を好適化して、読み書き信号の送信と受信とが確実に行えるようにする。 - 特許庁

The control circuit controls a corresponding write buffer so as to selectively hold data supplied to the external input circuit in the corresponding write buffer during a period of time for the refresh operation and the read operation of a corresponding memory bank, and control the corresponding write buffer to supply data to the corresponding memory bank after the completion of the refresh operation and the read operation of the corresponding memory bank.例文帳に追加

制御回路は、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の期間に、外部入力回路に供給されたデータを対応するライトバッファに選択的に保持させる様に、対応するライトバッファを制御し、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の完了後に、対応するメモリバンクにデータが対応するライトバッファに供給するよう制御する。 - 特許庁

An access time since read access is started until write data to an external memory 4 and read data from the external memory 4 are matched is measured by a measuring unit 6 and a comparator 7 in a memory access adjusting device 5 of a system controller 100, and a memory access controller 3 automatically sets the wait cycle corresponding to the memory specification of the external memory 4 based on the result.例文帳に追加

システムコントローラ100のメモリアクセス調整装置5内の計測器6、および比較器7により、リードアクセスを開始してから、外部メモリ4へのライトデータと外部メモリ4からのリードデータとが一致するまでのアクセスタイムを計測し、メモリアクセス制御装置3が、その結果に基づいて、外部メモリ4のメモリスペックに応じたウエイトサイクルを自動的に設定する。 - 特許庁

The reproduced signal is written into a reproduction memory 6 based on the write-in address from the write-in address producing means 4, and by the write-in address producing means 4, the address at the time when the reproduced signal of a track tr0 is written into the reproduction memory 6 is outputted to a read-out address producing means 5.例文帳に追加

再生メモリ4には、書き込みアドレス生成手段4からの書き込みアドレスに基づき再生信号が書き込まれ、書き込みアドレス生成手段4はトラックtr0の再生信号が再生メモリ6に書き込まれる際のアドレスを読み出しアドレス生成手段5に出力する。 - 特許庁

In operation of write-verify in which it is determined whether programming is performed appropriately for a memory cell or not during write operation, the number by which a page latch circuit 175 is not reset by a page latch data read-out circuit 178, that is, the number of memory cells by which write is not yet finished is counted by a counter 179.例文帳に追加

書き込み動作中に、メモリセルに適正にプログラムされているか判定する書き込みベリファイ時に、ページラッチデータ読み出し回路178によってページラッチ回路175がリセットされていない数、つまり書き込みが終了していないメモリセルの数をカウンタ179でカウントする。 - 特許庁

When power is supplied, a developing unit is positioned at the read/write position of one developing device (#52), the specified area of a cartridge memory is read (#54), and whether or not an incorrect takeout flag is set is discriminated (#56).例文帳に追加

電源が投入されると、1つの現像器の読み書き位置に位置決めされ(#52)、カートリッジメモリの特定領域が読み取られ(#54)、不正取出フラグがセットされているか否かを判別する(#56)。 - 特許庁

When refresh-operation, normal read-out operation of data, or write-in operation of data are overlapped, refresh-operation has priority, and data of a memory cell which can be read out is decided based on parity.例文帳に追加

リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出し動作または書き込み動作とが重なった場合、リフレッシュ動作を優先し、読み出すことができないメモリセルのデータをパリティに基づき確定する。 - 特許庁

A CPU 7 sends an instruction to a read/write control part on the basis of respective managing data, for example, and during the idle time of processing, data are read out of a cache memory and written onto a disk.例文帳に追加

CPU7は、例えば各管理データに基づいてリード/ライト制御部に指示を送り、処理の空き時間にキャッシュメモリからデータを読み出してディスクに対してデータの書き込みを行う。 - 特許庁

A synchronization system and a method to perform adjusted read and write of data from the shared main memory by the processing unit are provided.例文帳に追加

共用メイン・メモリからのデータの調整された読み出しと書き込みを処理ユニットによって行うための同期システムと方法とが提供される。 - 特許庁

Next, the memory controller 10 outputs its own write data to the data bus 30, after outputting the fetched read data to the data bus 30.例文帳に追加

次いで、メモリ・コントローラ10は、取り込んだ読出しデータをデータ・バス30へ出力した後に、自己の書込みデータをデータ・バス30へ出力する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a ferroelectric memory that can secure an enough read/write cycle time of an address during a chip is driven.例文帳に追加

チップ駆動時にアドレスのリード/ライトサイクル時間を十分に確保できるようにした強誘電体メモリの駆動装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A write controller 8 controls the writing of the first video signals into the memory 6, and a read controller 9 controls the reading.例文帳に追加

メモリ6に対する第1映像信号の書き込み制御を書き込み制御器8で行い、読み出し制御を読み出し制御器9で行う。 - 特許庁

To efficiently use a nonvolatile semiconductor memory limited in the maximum number of at least one of write cycles, read cycles, and erase cycles.例文帳に追加

書き込み回数、読み出し回数、消去回数のうちの少なくとも一つに上限のある不揮発性半導体メモリを効率的に使用する。 - 特許庁

Read-word lines RWL1 to RWLn and write-bit lines WBL1 to WBLn are arranged corresponding to rows of the magnetic material memory cells.例文帳に追加

リードワード線RWL1〜RWLnおよびライトビット線WBL1〜WBLnは、磁性体メモリセルの行に対応して配置される。 - 特許庁

Write-word lines WWL1 to WWLm and read-bit lines RBL1 to RBLm are arranged corresponding to columns of the magnetic material memory cells.例文帳に追加

ライトワード線WWL1〜WWLmおよびリードビット線RBL1〜RBLmは、磁性体メモリセルの列に対応して配置される。 - 特許庁

To provide a method for error recovery in a computer system with a write-once, multiple-read memory device having one or more logic blocks.例文帳に追加

1以上の論理ブロックを有する一回書込み多数回読取りメモリデバイスを備えたコンピュータシステム内でエラーを回復する方法を提供する。 - 特許庁

In this practical case, an electrically programmable read/ write memory included in a responder is integrally attached to the package of the consumption article.例文帳に追加

実施形態では、応答器に含まれる電気的にプログラム可能な読み取り/書込みメモリが消耗品の包装に一体に付けられている。 - 特許庁

To provide a method for error recovery in a computer system with a write-once, multiple-read memory device having one or more logical blocks.例文帳に追加

1以上の論理ブロックを有する一回書込み多数回読取りメモリデバイスを備えたコンピュータシステム内でエラーを回復する方法を提供する。 - 特許庁

The MTJ memory cells that adjoin each other in the column direction share at least one of the read word line RWL and the write word line WWL.例文帳に追加

列方向に隣接するMTJメモリセルは、リードワード線RWLおよびライトワード線WWLの少なくとも一方を共有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for performing flag data read without destructing write data by using a sense amplifier having one data latch.例文帳に追加

データラッチが一つのセンスアンプを用いて、書き込みデータを破壊することなくフラグデータ読み出しを可能とした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The diodes are tested (S2) at least before or after one of write operation, erase operation and read operation with respect to the memory cells.例文帳に追加

メモリセルに対して書き込み動作、消去動作、読み出し動作のうちの1つを実行する少なくとも前又は後にダイオードがテストされる(S2)。 - 特許庁

To provide an integrated semiconductor device having a high-speed readout required for a non-volatile semiconductor memory device and a high-speed read and write endurance.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置に求められる高速読み出しと、高書き換え耐性を有した集積半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for improving the data processing speed and data input/output efficiency and a method for controlling the read/write operation thereof.例文帳に追加

データ処理速度及びデータ入出力の効率を向上させうる半導体メモリ装置及びその読出/書込制御方法を提供する。 - 特許庁

CPUs 1 and 2 switch data write/read with respect to two data transfer areas A and B set in a dual port memory 5.例文帳に追加

CPU1,2は、デュアルポートメモリ5内に設定する2つのデータ転送エリアA,Bに対するデータ書き込みおよび読み出しを交互に切り替える。 - 特許庁

To read and write data with high reliability and convenience, in a storage system using a storage device such as a flash memory of executing wear leveling processing.例文帳に追加

ウェアレベリング処理を実行するフラッシュメモリ等の記憶デバイスを用いたストレージシステムで、高い信頼性と利便性を備えてデータを読み書きする。 - 特許庁

By the memory cell and the method, write and read operation can be performed at an improved speed with low power consumption.例文帳に追加

開示のメモリセルおよび方法によって、低電力消費および向上した速度で書き込みおよび読み出し動作を実行することが可能になる。 - 特許庁

In such a manner, the memory cartridge M and the antenna 13 are made to closely face each other, and thereby the transmission/reception of the read and write signal are surely performed.例文帳に追加

これにてメモリーカートリッジMとアンテナ13とが近接対向するようにし、以て読み書き信号の送信と受信とを確実に行う。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory device for optimizing column selection gate enable time and data bus equalization time in read and write operations.例文帳に追加

カラム選択ゲートイネーブル時間およびデータバスイコライズ時間を読み出しおよび書き込み動作で最適化する同期型半導体記憶装置を提供。 - 特許庁

One cycle of write access and read access for image data is performed for the image memory area with a plurality of pixels in a horizontal direction as a unit.例文帳に追加

画像メモリ領域に対して、水平方向の複数画素単位で、画像データの書き込みアクセスおよび読み出しアクセスの1サイクルを行なう。 - 特許庁

To provide a hard disk drive capable of simultaneously performing write processing and read processing without the need of a large capacity buffer memory.例文帳に追加

大容量バッファメモリを必要とせずに、書き込み処理と読み込み処理とを同時に行うことが可能なハードディスクドライブを提供すること。 - 特許庁

To find a new SRAM memory cell structure having good retention, read and write stability while still retaining improved overall dimensions.例文帳に追加

改善された全体寸法を維持しながら、良好な保持、読出し、および書込み安定性を有する新規なSRAMメモリセル構造を見い出すこと。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the confliction of a selection period of a word line for refresh and a selection period of a word line for read/write can be prevented.例文帳に追加

リフレッシュ用のワード線の選択期間とリード/ライト用のワード線の選択期間の衝突を回避する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To solve the problem that the trigger of an output start can not be issued to a recorder at normal timing so that data cannot be acquired, because the contents of a flag memory cannot be read, in the case the flag write processing of data write completion and write completion confirmation flag read processing are performed simultaneously in a data acquisition controller performing the trigger of a recording start in the flange memory.例文帳に追加

記録開始のトリガーをフラグメモリにて行っているデータ取得制御装置では、データ書き込み完了のフラグ書き込み処理と、書き込み完了確認フラグ読みだし処理が同時に行われるとフラグメモリの内容が読みとれないため、記録器への出力開始のトリガーを正常なタイミングで発生させられずデータの取得ができなくなる。 - 特許庁

The random number used for salting is associated with a user account and a password and stored in a read/write protected non-volatile memory or a non-volatile memory which can be accessed only by a BIOS.例文帳に追加

ソルティングに使われる乱数は、ユーザ・アカウントおよびパスワードと対応づけられ、リード/ライト保護された不揮発性メモリ、もしくはBIOSだけがアクセス可能な不揮発性メモリに格納される。 - 特許庁

A CPU 45 preprocesses the projection data RAW read from a second memory 46, generates projection data APRE, and write them in a first memory 43 via NIC (Network Integrated Circuit) 42.例文帳に追加

CPU45は、第2のメモリ46から読み出した投影データRAWを前処理して投影データAPREを生成し、これをNIC42を介して第1のメモリ43に書き込む。 - 特許庁

To provide an synchronous detector circuit, capable of surely detecting an asynchronous state, without using asynchronous detection memories, by monitoring the phase relation of a memory write clock to a memory read clock.例文帳に追加

メモリ書き込みおよび読み出しクロックの位相関係を監視し、非同期検出用メモリを使用することなく確実に非同期状態が検出可能な非同期検出回路を提供する。 - 特許庁

When the access transfers to the logical address range different from the logical address range number, the concentrated address management information on the read/write memory 113 is written into the nonvolatile memory 115.例文帳に追加

そして論理アドレス範囲ナンバーと異なる論理アドレス範囲にアクセスが移行した際に、読み書きメモリ113上の集中型アドレス管理情報を不揮発性メモリ115に書き込む。 - 特許庁

To provide a memory control circuit which can read and write data from and to a memory asynchronously, is reducible in cost, and can secure large storage capacity.例文帳に追加

メモリに対して非同期にデータの読み書きが可能であって、コストを低減することができるとともに大きな記憶容量を確保することができるメモリ制御回路を提供すること。 - 特許庁

A common memory provided in common as an external storage means is connected with the plurality of microcomputers to read and write data for the common memory through respective buses.例文帳に追加

また、複数のマイコンには、外部の記憶手段として共通に設けられた共有メモリがつながれており、それぞれバスを介して共有メモリに対してデータの読み書きを行う。 - 特許庁

例文

The data comparison means 8 compares first data, which is write data before writing in the memory main body 7 is performed, with second data which is read after the writing in the memory main body 7 is performed.例文帳に追加

データ比較手段8は、書き込みデータでありメモリ本体7に書き込まれる前の第1のデータと、メモリ本体7に書き込まれた後に読み出された第2のデータとを比較する。 - 特許庁




  
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