「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

An input data signal is transmitted to a memory bank performing write-in operation through a wrote-in data path WP, and an output data signal is transmitted to an input/output pin from a memory bank performing read-out operation through a read-out data path RP.例文帳に追加

書込データ経路ＷＰを通じて入力データ信号が書込み動作を実行するメモリバンクに伝送され、読出しデータ経路ＲＰを通じて出力データ信号が読出し動作を実行するメモリバンクから入力／出力ピンに伝送される。 - 特許庁

The bus information analysis part 2 decides a read data value as storage contents at the specific time point of an address when bus access is read to the memory, and sets the address written with the data as an indefinite area when write to the memory.例文帳に追加

バス情報解析部２は、バスアクセスがメモリへのＲｅａｄならば読み出されたデータ値を当該アドレスの特定時点での記憶内容として確定し、メモリへのＷｒｉｔｅならばデータが書き込まれたアドレスを不定領域とする。 - 特許庁

To enable rewriting simultaneously many memory cells of plural banks and suppress power consumption at the time of read-out small, in a non-volatile memory cell in which boosted voltage generated in an internal power source circuit is used at the time of write-in, erasure, and read-out.例文帳に追加

内部の電源回路で発生した昇圧電圧を、書き込み消去時にも、読み出し時にも用いる不揮発性メモリ装置において、同時に複数バンクの多数のメモリセルの書き換えを可能とし、かつ、読出し時の消費電力を小さく抑える。 - 特許庁

To prevent malfunctions also relating to the case that the clocks for write and read to/from a memory are asynchronous at any speed difference and to monitor the amount of non-read data stored in the memory in real time.例文帳に追加

メモリへの書込み及び読出しのクロックがあらゆる速度差で非同期の場合に関しても誤動作を防止し、メモリに蓄積されている未読のデータ量をリアルタイムに監視することが実現可能なメモリのデータ蓄積量監視装置を提供する。 - 特許庁

Data carriers 8a related to a tool unit 2 are individually provided on the tool unit 2, and a read/write head 10 for reading the data of a memory of the data carrier 8a, and a tool controller 11 connected through the read/write head 10 are provided on a robot 1.例文帳に追加

工具ユニット２には当該工具ユニット２に関するデータキャリア８ａを夫々個別に設ける一方、ロボット１にはデータキャリア８ａのメモリのデータを読むリードライトヘッド１０と、リードライトヘッド１０を介して接続した工具制御装置１１とを設ける。 - 特許庁

The address generator 220 generates the write address 221 so as to write a data in a row direction of a square matrix constructed on the dual-port memory 210 and simultaneously generates the read address 222 so as to read the data in a diagonal direction of it.例文帳に追加

アドレス発生器２２０は、デュアルポートメモリ２１０上に構成された正方行列において、行方向にデータが書き込まれるように書込みアドレス２２１を発生すると同時に、斜め方向にデータが読み出されるように読出しアドレス２２２を発生する。 - 特許庁

Meanwhile, when the counted value of the counter 305 reaches a coincidence constant for forced termination stored in a memory 308, a read/write forced termination signal is generated by the comparator 306, and read/write operation is forcibly terminated by hardware.例文帳に追加

一方、カウンタ３０５のカウント値がメモリ３０８に記憶された強制終了のための一致定数に到達すると比較器３０６によってリード／ライト強制終了信号が発生され、ハードウェアによってリード／ライト動作が強制的に終了させられる。 - 特許庁

The device further includes a combined read/write circuit associated with each respective bit line in the array portion configured to read from or write to a resistive memory cell associated with the respective bit line.例文帳に追加

上記装置は、上記アレイ部における各ビット線のそれぞれにつながって、上記各ビット線のそれぞれにつながっている抵抗メモリセルから読み出し、または抵抗メモリセルに書き込みを行うように形成されている読み出し／書き込み複合回路をさらに含む。 - 特許庁

When the preconfirmation information transmitted from the reader/writer 3 coincides with the preconfirmation information stored in the memory, the IC card performs read/write processing on the basis of a command from the reader/writer 3, and the reader/writer 3 performs read/write processing of the IC card.例文帳に追加

ＩＣカードはリーダライタ３から送信された事前確認情報がメモリに記憶された事前確認情報と一致したとき、リーダライタ３からのコマンドにより読み書きの処理を行い、リーダライタ３はＩＣカードに対して読み書きのための処理を行う。 - 特許庁

To provide a disk drive apparatus that minimizes a reduction in available memory capacity by controlling data read and write in accordance with the reliability (error history) of a nonvolatile memory without stopping the use of the nonvolatile memory immediately after an error occurs in the nonvolatile memory.例文帳に追加

エラーが発生した不揮発性メモリを即座に使用中止せずに、不揮発性メモリの信頼性（エラー履歴）に合わせてデータの読み書きを制御することで、使用可能なメモリ容量の減少を最小限にすることができるディスクドライブ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory, its data input/output control method, and a memory application system in which page size of a non-volatile semiconductor memory can be extended independently of the memory application system and high speed read and write operation can be attained.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置のページサイズはメモリ応用システムに関係なく拡張でき、高速読み出し／書き込み動作を達成できる不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入／出力制御方法およびメモリ応用システムを提供すること。 - 特許庁

A buffer device 10 is provided with: a reception circuit 110; a memory 1(120) and a memory 2(130) for storing received data 112; a control circuit 200 for controlling data write and read to/from the memory 1 and the memory 2; and a transmission circuit 150.例文帳に追加

バッファ装置１０は、受信回路１１０と、受信したデータ１１２を記憶するためのメモリ１（１２０）及びメモリ２（１３０）と、メモリ１及びメモリ２に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御回路２００と、送信回路１５０と、を含む。 - 特許庁

A memory cell array 1 in which memory cells 11 including an anti-fuse element are arranged is divided into two memory banks MB1, MB2, and write-in and read-out voltages VBP1, VBP2 supplied to the anti-fuse elements of respective memory banks are generated by two boosting circuit 2.例文帳に追加

アンチヒューズ素子を含むメモリセル１１が配置されたメモリセルアレイ１を２つのメモリバンクＭＢ１、ＭＢ２に分割し、２つの昇圧回路２により、それぞれのメモリバンクのアンチヒューズ素子へ供給する書き込みおよび読み出し電圧ＶＢＰ１、ＶＢＰ２を発生させる。 - 特許庁

This memory system is configured to store data and output the stored data in response to a request from host equipment when a power is supplied from the host equipment 2, and provided with a semiconductor memory 11 and a controller 12 for controlling the write of the data in the memory and the read of the data from the memory.例文帳に追加

メモリシステムは、ホスト機器から電源を供給され、ホスト機器からの要求によってデータの記憶および記憶されたデータの出力を行い、半導体メモリと、メモリへのデータの書き込みおよびメモリからのデータの読み出しを制御するコントローラとを含む。 - 特許庁

To provide a multi-probe two dimensional memory system which can follow the multi-prove to a memory unit with high accuracy and can perform read-out and write-in of information of a memory unit without hindrance even if positions of the multi-prove and the two dimensional memory are deviated relatively.例文帳に追加

マルチプローブと２次元メモリとの位置が相対的にずれても、メモリユニットに対してマルチプローブを高精度に追随させることができ、メモリユニットの情報の読み出しや書き込みを支障なく行うことができるマルチプローブ２次元メモリシステムを実現する。 - 特許庁

This FIFO memory device is provided with plural pieces of memory positions having sequential binary addresses, a write address pointer for sequentially making access to the memory positions for writing the data, and a read address pointer for sequentially making access to the memory positions for reading the data.例文帳に追加

本ＦＩＦＯメモリ装置は逐次的な二進アドレスを持っている複数個のメモリ位置と、データを書込むためにメモリ位置へ逐次的にアクセスするための書込アドレスポインタと、データを読取るためにメモリ位置へ逐次的にアクセスするための読取アドレスポインタとを有している。 - 特許庁

To perform good write-in of data for a memory cell, while constituting the memory cell with normal six transistors even if the device has such constitution that the data of a memory cell is outputted from one side of a pair of bit lines through a global bit line for read-out, in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置において、ビット線対の一方から読み出し用グローバルビット線を介してメモリセルのデータを出力する構成であっても、メモリセルを通常の６トランジスタ構成としながら、メモリセルへのデータの良好な書き込みを行う。 - 特許庁

Read-out is carried out by turning the control transistors on at both sides adjacent to the memory transistor 21, and write-in is carried out on one memory transistor of right and left memory transistors by turning the 1st control transistors on at both right and left sides of the 2nd control transistor through the other memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタに隣接する両側の制御トランジスタをオンさせて読出しを行い、第２の制御トランジスタの左右両側の第１の制御トランジスタをオンさせて左右一方のメモリトランジスタを介して他方のメモリトランジスタに書き込みを行なう。 - 特許庁

A user information writing part 12 is places at the exit part of attraction to read out the memory ID 41 of the memory 40 and receives the user information corresponding to the memory ID 41 from the part 13 to write it into the memory 40.例文帳に追加

利用者情報書き込み部１２は、アトラクションの出口部分に配置され、着脱可能メモリ４０のメモリＩＤ４１を読み出し、利用者情報格納部１３からメモリＩＤ４１に対応した利用者情報を受け取り、着脱可能メモリ４０に書き込む。 - 特許庁

In the method and system for measuring the resistance of a resistive memory element, in order to measure the resistance of the resistive memory element, first, a data write pulse is applied, and then a resistance read pulse is applied.例文帳に追加

抵抗メモリ素子の抵抗測定方法及び抵抗測定システムにおいて、前記抵抗メモリ素子の抵抗測定のために、まず、データ書き込みパルスを印加した後、抵抗読み取りパルスを印加する。 - 特許庁

To provide a color image reading and recording apparatus capable of performing reading and recording processing with high image quality even when using a memory with no high capacity by efficiently controlling write / read processing to / from the memory.例文帳に追加

メモリへの書込み／読出し処理を効率良く制御することにより、大容量でないメモリを使用しても高画質での読取記録処理を行えるカラー画像読取記録装置を提供する。 - 特許庁

An operating section 105 creates an authentication code by encrypting a terminal ID stored in a memory 103 using a device ID stored in a memory 102 impossible of external read/write as a private key.例文帳に追加

演算部１０５は、外部からの読み書きが不可能なメモリ１０２に格納されたデバイスＩＤを秘密鍵として、メモリ１０３に格納された端末ＩＤを暗号化して認証コードを生成する。 - 特許庁

To easily write or read data related to contents data displayed on a display part in/from a memory such as an IC card by providing a reader/writer communicating with the memory from the display part side.例文帳に追加

表示部側からＩＣカード等のメモリと通信を行うことができるリーダ／ライタを設けることによって、表示部に表示されるコンテンツデータと関連あるデータのやり取りをメモリとの間で容易に行う。 - 特許庁

Density of a memory cell 13 of an array is optimized, and an SRAM cell 99 having a maximum speed in speed of specifying an address for the memory cell 13 for read and write operations is provided.例文帳に追加

アレイのメモリセル(13)の密度が最適化され、読出し及び書込み動作のためのメモリセル(13)に対するアドレス指定の速度において最大限の速度を有するスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セル(99)が提供される。 - 特許庁

To provide a device in which an operation of a logic element is performed similarly to write and read operations to a memory cell by a spin torque magnetization inversion process and the operation speeds of both the memory and the logic element are almost equal.例文帳に追加

ピントルク磁化反転過程によるメモリセルへの書き込み、読み出し動作と同様にして、論理素子の演算を行い、メモリ、論理素子いずれの動作速度もほぼ等しい装置を提供する。 - 特許庁

The microprocessor 100 copes with a flag reset instruction, a flag setting-equipped memory read instruction, a flag setting-equipped memory write instruction, a flag setting-equipped register setting instruction, and a flag reference-equipped branch instruction.例文帳に追加

このマイクロプロセッサ１００は、フラグリセット命令と、フラグ設定付きメモリリード命令と、フラグ設定付きメモリライト命令と、フラグ設定付きレジスタ設定命令と、フラグ参照付き分岐命令とに対応する。 - 特許庁

The second communication apparatus outputs communication power for operating the first and second circuits to the wireless tag to read out data from the memory and write data in the memory.例文帳に追加

第２の通信装置は、無線タグに対して、第１の回路及び第２の回路が動作可能な通信電力を出力し、メモリからデータを読み出し、かつメモリにデータを書き込みことが可能である。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 1 is provided with: a plurality of memory modules M1-M4; and a test control circuit L3 for controlling write or read of test data in the plurality of memory modules M1-M4.例文帳に追加

半導体集積回路１は、複数のメモリモジュールＭ１〜Ｍ４と、前記複数のメモリモジュールＭ１〜Ｍ４におけるテストデータの書き込み又は読み出しを制御するテスト制御回路Ｌ３とを備えている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, having a memory cell of Fowler-Nordheim (FN) current write erase which enables rapid read in which is effective for an EEPROM mixed loading device.例文帳に追加

本発明は、ＥＥＰＲＯＭ混載デバイスに有効である高速読み出し可能なファウラー−ノルドハイム（ＦＮ）電流書き込み消去のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

As a result, since the memory cell 2 eliminates the need for a sense amplifier, the layout area can be made small, and since the capacitance values of the memory nodes N1, N2 are large and equal to each other, the soft error resistance and the write/read-out speed are improved.例文帳に追加

したがって、センスアンプが不要になるのでレイアウト面積が小さくなり、記憶ノードＮ１，Ｎ２の容量値が大きくかつ等しくなるので、ソフトエラー耐性および書込／読出速度が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a sub word driver that generates signals of a read word line RWL and a write word line WWL and applicable also to a memory cell capable of operating at high speed.例文帳に追加

高速動作可能なメモリセルにも適用できる、読み出しワード線ＲＷＬ及び書き込みワード線ＷＷＬの信号を発生させるサブワードドライバーを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A read-out memory and a write-in memory are selected sequentially according to a prescribed sequence at a prescribed switchover timing out of the second memories in a plurality, and reading and writing of the driving waveform data are executed in parallel.例文帳に追加

複数の第２のメモリの中から、読み出しメモリと書き込みメモリを所定の切換えタイミングで所定の順序に従って順次選択し、駆動波形データの読み込みと書き込みとを並行して行う。 - 特許庁

A leak compensating circuit 4 controls the power source (memory cell power source VDDM1) of the memory cells 1 of non-selection columns during write-in of data and all columns during read-out of data at the VDD level.例文帳に追加

リーク補償回路４は、データの書き込み時における非選択のカラム、およびデータの読み出し時における全てのカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、ＶＤＤレベルに制御する。 - 特許庁

This device is constituted so that the other memory banks can perform data operation (e.g. data read-out operation) of the other mode during the prescribed memory bank performs the prescribe data operation (e.g. data write-in operation).例文帳に追加

所定のメモリバンクが所定のデータ動作（例えば、データ書込み動作）を実行する間、他のメモリバンクが他の形態のデータ動作（例えば、データ読出し動作）を実行することが可能に構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a write amplifier WAMP connected to a bit line MIO; a read amplifier RAMP connected to the bit line MIO through a switch SW1; and a repair memory element SC having a write port connected to the bit line MIO through a switch SW2, and a read port connected to the read amplifier RAMP through a switch SW3.例文帳に追加

ビット線ＭＩＯに接続されたライトアンプＷＡＭＰと、スイッチＳＷ１を介してビット線ＭＩＯに接続されたリードアンプＲＡＭＰと、ライトポートがスイッチＳＷ２を介してビット線ＭＩＯに接続され、リードポートがスイッチＳＷ３を介してリードアンプＲＡＭＰに接続された救済記憶素子ＳＣとを備える。 - 特許庁

To provide an integrated circuit chip capable of simplifying processing in performing memory management capable of maintaining the consistency of data even when power is interrupted during data write, a data read method and a data write method.例文帳に追加

データ書き込み中の電源断でもデータの一貫性を維持できるメモリ管理を行うにあたり、処理を単純化することの可能な、集積回路チップ、データ読み出し方法、およびデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device has a nonvolatile memory cell comprising: a write transistor using an oxide semiconductor; a p-channel read transistor using a semiconductor material different from the write transistor; and a capacitative element.例文帳に追加

酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ、該トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用のｐチャネル型トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a memory device which is constituted by arranging plural memory cells, when a read word line rdword 0 and a write word line wrword 0 are wired in an adjacent relation, pull-down transistors 21, 22 are connected to the write word line wrword 0.例文帳に追加

メモリセルを複数配列して成るメモリ装置で、読み出しワード線ｒｄｗｏｒｄ０と書き込みワード線ｗｒｗｏｒｄ０が隣接して配線されている場合、書き込みワード線ｗｒｗｏｒｄ０にプルダウントランジスタ２１、２２を接続する。 - 特許庁

When an unload command is written in the register 181 by the host device 2 during execution time of read/write control operation, an MPU 19 performs unload operation to save a head 12 outside of the disk medium 11 and in order to perform read/write control processing continuously, controls data transfer between a cache memory 20 and the host device 2 according to the read/write command.例文帳に追加

リード／ライト制御動作の実行期間中にホスト装置２によってレジスタ１８１にアンロードコマンドが書き込まれた場合、ＭＰＵ１９は、ヘッド１２をディスク媒体１１を退避するアンロード動作を実行し、且つリード／ライト制御処理を継続して実行するために、前記リード／ライトコマンドに従ってキャッシュメモリ２０とホスト装置２との間のデータ転送を制御する。 - 特許庁

In this semiconductor memory card with a write protection function, a write control part for controlling the writing of data can be entirely or partially disconnected, and when it is disconnected, the writing of data into the memory card is disabled, so that erroneous writing of data can be prevented by setting the memory card read-only as needed.例文帳に追加

本発明の書込み防止機能付き半導体メモリカードは、データの書込みを制御する書込み制御部の全体または一部が切り離せ、切り離されるとメモリカードへのデータの書込みができなくなるようにすることで、随時、メモリカードを読出し専用にしてデータの誤書込みを防ぐことができる。 - 特許庁

The a semiconductor memory device has an operation mode in which read/write operation is performed in response to a command supplied externally in synchronization with a clock, and a power-down mode in which no external read/write command is accepted, and the device performs refresh in response to an externally supplied signal during the power-down mode.例文帳に追加

クロックに同期して外部から与えられたコマンドに応答し、リードライト動作を行う動作モードと、外部からリードライトコマンドを受け付けないパワーダウンモードと、を有する半導体記憶装置であって、パワーダウンモードにおいて、外部から与えられた信号に応答してリフレッシュを行う。 - 特許庁

The device is provided with a read-out/write-in circuit 6a for echo signal and a data register 7a for echo signal which are arranged respectively in parallel to the read-out/ write-in circuit 6 and the data register 6 of the normal cell array 1 side and has the same constitution at the memory cell array 1a for echo signal side.例文帳に追加

ノーマルセルアレイ１側の読み出し／書き込み回路６及びデータレジスタ６とそれぞれ併設されて、エコー信号用メモリセルアレイ１ａ側にも同様の構成のエコー信号用読み出し／書き込み回路６ａおよびエコー信号用データレジスタ７ａが設けられる。 - 特許庁

A disk array device is provided with a disk module group 16 for storing data, first to fourth memory modules 11 to 14 for temporarily storing data in operating the write or read operation of data in the disk module group, and a director module group 15 for controlling the write or read operation.例文帳に追加

ディスクアレイ装置は、データを蓄積するディスクモジュール群１６、ディスクモジュール群に対してデータの書き込み又は読み出し動作を行う際データを一旦蓄える第１乃至第４のメモリモジュール１１乃至１４、書き込み又は読み出し動作を制御するディレクタモジュール群１５を備えている。 - 特許庁

To record and read all information data optically at high speeds without converting the data into electric signals and to read and write information data recorded in a memory with currents so as to improve the speed of a high-speed nonvolatile optical memory element.例文帳に追加

高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子のスピードを向上させるため、情報データは、電気信号に変換することなく、すべて光学的に高速で記録され読み出され、又メモリに記録されている情報データを、電流により、読み書きすることである。 - 特許庁

A first memory circuit 15 is provided in a connector part for connection to a light source device 3, and the first memory circuit 15 is composed of a non-volatile memory 16 for storing data and a CPU 17 for controlling read/write data to the memory 16 and controlling transmission/receiving of data to a processor 5.例文帳に追加

光源装置３と接続するためのコネクタ部内には第１の記憶回路１５が設けられ、第１の記憶回路１５は、データを記憶するする不揮発性のメモリ１６と、メモリ１６ヘのデータ読出し／書込み制御及びプロセッサ５とのデータの送受を制御するＣＰＵ１７とから成る。 - 特許庁