「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A plotting circuit 154 writes the image element data read from the read address of the fixed address area 155A to a write address in a frame buffer memory 156 to be stored in response to the reception of a fixed address specification display command.例文帳に追加

描画回路１５４は、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリア１５５Ａの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリ１５６における書込アドレスに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

When the past data are read out of the scan memory 17 or 18 to the write data creating part 14, a read address adjusted according to the turning round amount and the moving amount of the loaded ship from the past to the current time is used.例文帳に追加

スキャンメモリ１７又は１８から過去のデータをライトデータ作成部１４に読み出す際、過去から現在までの搭載先船舶の回頭量及び移動量に基づく調整が施されたリードアドレスを用いる。 - 特許庁

In recording the video image to the disk 1, the pattern read from the pattern memory 11b is combined with the recorded video image in prescribed timing, and a disk read/write section 2 records the composed video image and pattern on the disk 1.例文帳に追加

ディスク１への映像記録時に、パターンメモリ１１ｂから読み出されたパターンを所定のタイミングで記録映像に合成し、合成された映像およびパターンをディスク読取書込部２によりディスク１に記録する。 - 特許庁

To receive a command from a host by preventing a read error of the device unique information in the case of turning on the power in a medium storage device for reading the device unique information from a medium to a memory and carrying out read/write operation to the medium.例文帳に追加

装置固有情報を媒体からメモリに読み出し、媒体へのリード／ライト動作を行う媒体記憶装置において、パワーオン時の装置固有情報のリードエラーを予防して、ホストからのコマンド受領を可能とする。 - 特許庁

When the read word line rdword 0 of data becomes to be at a high level for a period when data are to be read out from memory cells, the pull-down transistors 21, 22 are turned ON and the write word line wrword 0 is fixed at a low level.例文帳に追加

メモリセルからのデータの読み出し期間、データの読み出しワード線ｒｄｗｏｒｄ０がハイレベルになると、プルダウントランジスタ２１、２２がオンになり、書き込みワード線ｗｄｗｏｒｄ０がローレベルに固定される。 - 特許庁

The reading/writing circuits and the inversion layers are connected by the selection circuit so as to use the same reading/writing circuit for the read-out and write-in with respect to the same memory transistor.例文帳に追加

選択回路は同じメモリトランジスタに対する読出しと書き込みには同じ読出し書き込み回路を使用するように読出し書き込み回路と反転層を接続する。 - 特許庁

Then, the device writes a directory record in the CD-R 3, while the file body information is read from a memory card 2, and write-in for the CD-R is carried out.例文帳に追加

そして、メモリ１５を参照して、ＣＤ−Ｒ３にディレクトリレコードを書き込むとともに、メモリカード２からファイル本体情報を読み出して、ＣＤ−Ｒへ書き込みを行う。 - 特許庁

In response to the write request, the controller blocks all read requests after confirming that data to be written is complete for the selected memory word length.例文帳に追加

書込み要求に応答して、コントローラは、書き込むべきデータが選択したメモリ語長に対して完全であることを確認した後、すべての読取り要求をブロックする。 - 特許庁

For example, when read/write operation of 7 bits data in which parity bits of 3 bits are added to 4 bits data is performed for a memory cell array 21, error correction is performed every 7 bits data.例文帳に追加

メモリセルアレイ２１に、例えば、４ビットのデータに３ビットのパリティビットが付加された７ビットデータのリード／ライト動作を行う際、７ビットデータ毎にエラー訂正が行われる。 - 特許庁

A code array part 11B has a memory 11BA including a plurality of second word lines and a second sense amplifier, A DQ buffer 11BB performs write-in/read-out for an array 11BA.例文帳に追加

コードアレイ部１１Ｂは複数の第２ワード線と第２センスアンプを含むメモリ１１ＢＡを有し、ＤＱバッファ１１ＢＢはアレイ１１ＢＡに対し書き込み／読み出しを行う。 - 特許庁

To provide a low-cost data reliability check function by adding a check thumb function using a free area of a memory area to a write instruction and a read instruction.例文帳に追加

書き込み命令と読み出し命令にメモリ領域の不使用の領域を利用したチェックサム機能を付加して、低コストのデータ信頼性チェック機能を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a low potential supply circuit SUPG shifting a power source potential or a ground potential of a memory cell array MARY1 in a static operation mode such as a read-write mode or the like.例文帳に追加

リード・ライトモードなどの静的動作モードにおいてメモリセルアレイＭＡＲＹ１の電源電位または接地電位をシフトさせる低電位供給回路ＳＵＰＧを備える。 - 特許庁

A control circuit 7 controls potentials of the word lines and the bit lines in response to input data and hence controls data write, read, and erase operations of data with respect to memory cells.例文帳に追加

制御回路７は、入力データに応じてワード線、ビット線の電位を制御し、メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する。 - 特許庁

When a comparator circuit 4 detects that a memory read address coincides with the stored write address, the switched operation mode is instructed to the reading side.例文帳に追加

そして、比較回路４で、メモリ読出しアドレスと記憶されている書込みアドレスとの一致が検出されたときに、読出し側へ切替わった動作モードを指示するよう構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a multi-port constitution in which stable operation can be performed even when instructions for read-out operation and write-in operation are simultaneously given to the same address.例文帳に追加

同一アドレスに対して読出動作と書込動作とが同時に指示された場合にも、安定した動作が可能なマルチポート構成の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To configure a decoding signal circuit to generate a dual operation decoding signal that enables a memory device to perform a read operation and a write operation in one clock cycle.例文帳に追加

デコード信号回路は、デュアル動作デコード信号（dual operation decoding signal）を生成し、これにより、メモリデバイスは、１つのクロックサイクルで読出動作及び書込動作を行うことができる。 - 特許庁

To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register.例文帳に追加

データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁

When a SIM (Subscriber Identification Module) card 17 is normally inserted, the ID of the SIM card 17 is stored in a second memory 15 as write protection ID and read protection ID.例文帳に追加

ＳＩＭカード１７が正常に挿入されている場合、そのＳＩＭカード１７のＩＤを書込用保護ＩＤかつ読込用保護ＩＤとして第２メモリ１５に格納する。 - 特許庁

To achieve an image rotation processing circuit that can simultaneously write 2-pixel data to a memory, can simultaneously read the 2-pixel data, and can speedily process rectangular image data.例文帳に追加

メモリへの２画素のデータの同時書き込み、２画素のデータの同時読み出しを可能とし、矩形画像データを高速に処理できる画像回転処理回路を実現する。 - 特許庁

A disk adapter part 135 performs access to a cache memory part 131 and a magnetic disk device (HDD) 103 based on a write instruction/read instruction, and performs data writing/reading.例文帳に追加

ディスクアダプタ部１３５は、ライト命令／リード命令に基づきキャッシュメモリ部１３１と磁気ディスク装置（ＨＤＤ）１０３にアクセスしてデータの書き込み／読み出しを行う。 - 特許庁

An MTJ memory cell is independently provided with a write word line WWL and a read word line RWL to be used for writing and reading data, respectively.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルに対しては、データ書込およびデータ読出にそれぞれ用いられるライトワード線ＷＷＬおよびリードワード線ＲＷＬが独立して設けられる。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device including an unauthorized read/write operation prevention function to data written in a flash memory, and to provide a control method for the same.例文帳に追加

フラッシュメモリーに書き込まれたデータに対して不正リード／ライト動作防止機能を要した集積回路装置及び集積回路装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device in which the quantity of electric charges accumulated in an information storage capacitor can be increased and sufficient operation margin of read and write operations can be secured.例文帳に追加

情報記憶キャパシタに蓄積される電荷量を増加させることができ、読み出し書き込み動作の十分な動作マージンを確保可能な半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

As a result, a size of the whole data to be transferred can be made a data width unit and data transfer is enabled without performing the read modify write processing by a memory controller 13.例文帳に追加

その結果、転送するデータ全体のサイズをデータ幅単位とすることができ、メモリコントローラ（１３）によるリード・モデファイ・ライト処理を行わずにデータ転送を行える。 - 特許庁

In one embodiment, one portion of the non-volatile memory is used as a write buffer and a read cache for writing and reading to the long-term storage media.例文帳に追加

一実施形態では、不揮発性メモリの一部が、長期記憶媒体に対する書込みおよび読取りのための書込みバッファおよび読取りキャッシュとして使用される。 - 特許庁

The generating device reads a series of graphics commands stored in a certain place of the memory to the buffer and then write a lead command so as to read the remainder of the buffer.例文帳に追加

発生器は、バッファへ、消費器がメモリのどこかへストアされている一連のグラフィクスコマンドを読み出しかつその後バッファの残りを読み出すようにリードコマンドを書き込む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of stably performing the write-in of a plurality of bits, and reducing power consumption during read-out.例文帳に追加

複数ビットの書き込みを安定的に行うことができるとともに、読み出し時の消費電力を低減させることのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Each electronic ring for a pigeon allows read and write without contacting the participation registration device, and is equipped with a transponder having a memory readable without contacting the detection device.例文帳に追加

鳩用電子リングは、参加登録装置に接触せずに読込および書込みが可能であり、検出装置に接触せずに読込可能なメモリを有するトランスポンダを備える。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which data can be read out from a different bank during write-in/erasion and the next command can be waited in a chip.例文帳に追加

書き込み／消去中に異なるバンクからデータ読み出し可能で、次のコマンドをチップ内に待機させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the address during the read operation is matched with the stored address of address FIFO, the data of memory cell array is not outputted and the stored write data of the data FIFO is outputted.例文帳に追加

そして、読出動作中のアドレスがアドレスFIFOの貯蔵アドレスと一致する場合には、メモリセルアレーのデータを出力せずにデータFIFOの貯蔵書込データを出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which access operation speed is increased when two ports simultaneously access the same row address, when each port is fixed in write-operation and read-operation.例文帳に追加

各ポートがライト動作とリード動作で固定である場合に、２ポートが同時に、同一のロウアドレスをアクセスした際のアクセス動作を高速化した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optimum read/write access by using a burst for an FIFO memory itself placed on a PCI bus in an image forming device using the PCI bus.例文帳に追加

ＰＣＩバスを用いた画像形成装置において、ＰＣＩバス上に置かれたＦＩＦＯメモリ自体にバーストを使用し、最適なリード／ライト・アクセスを実現させること。 - 特許庁

A second buffer circuit 2 outputs a prescribed logic signal and a read/write signal to control reading and writing of the data in a memory core 5 depending on the enable signal.例文帳に追加

第２のバッファ回路２は、イネーブル信号に応じて、所定のロジック信号及びメモリコア５のデータの読み出し及び書き込みを制御するリード−ライト信号を出力する。 - 特許庁

The number of the memory chips MC_101-MC_172 is equal to the number of bits of read data or write data simultaneously transmitted via the data input/output lines DQL1-DQL72.例文帳に追加

メモリチップＭＣ_１０１〜ＭＣ_１７２の数は、データ入出力配線ＤＱＬ１〜ＤＱＬ７２を介して同時に伝送されるリードデータ又はライトデータのビット数と等しい。 - 特許庁

When the vendor of the semiconductor memory records the special code in the hidden storage area and turns the area into write protect state, for the first time, the read of the hidden storage area is enabled.例文帳に追加

半導体メモリのベンダーが隠し記憶領域に特殊コードを記録し書込みプロテクト状態にして初めて、隠し記憶領域の読出しが可能になる。 - 特許庁

An access request to the cache memory part 7 which is issued through the shared access path 10 is controlled so that a read access and a write access are alternately issued.例文帳に追加

そして、この共有するアクセスパス１０を経由して発行されるキャッシュメモリ部７へのアクセス要求がリードアクセス、ライトアクセス交互に発行されるように制御する。 - 特許庁

To provide an input/output(I/O) device of a memory device in which an independent circuit for performing write-backs is unnecessary and which is capable of performing a destructive read-out operation.例文帳に追加

書き戻しを実施するための独立した回路が不要な、破壊的読み出し操作を行うことのできるメモリ素子の入力／出力装置を提供する。 - 特許庁

To prevent troubles such as a phenomenon in which inversion data due to occurrence of imprint becomes hard to write, read of data are made defective or the like, in a 2T2C type ferroelectric memory.例文帳に追加

２Ｔ２Ｃ型の強誘電体メモリにおいて、インプリント発生による反転データが書き込みにくくなる現象やデータ読み出し不良等の不具合を回避する。 - 特許庁

A FAT file system part 11 rounds up a read/write request from an application program part 10 by the selector, and gets access to the flash memory 3 via a logical-real conversion control part 12.例文帳に追加

ＦＡＴファイルシステム部１１はアプリケーションプログラム部１０からの読み書き要求をセクタ単位に切り上げて、論実変換制御部１２経由でフラッシュメモリ３にアクセスする。 - 特許庁

To provide a multi-value storage type nonvolatile memory device which can achieve write, read and erasure operations with a high degree of accuracy at short time by suppressing increase of circuit scale to minimum.例文帳に追加

回路の規模の増大を最少に抑え、短時間で高精度の書込み、読み出し、消去動作を実現可能な多値記憶型不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, since parity bits for warranting write/read to/from memories 6a0-6nn are not required for the number of highways, the increase in the memory capacity more than that required can be prevented.例文帳に追加

さらに、メモリに対する書き込み、読み出し保証用のパリティビットを、ハイウェイ本数分必要としないため、必要以上のメモリ容量の増加を防止することで解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for reducing an unnecessary current consumption related to a process of generating addresses for use in read operation and write operation.例文帳に追加

読み出し動作及び書き込み動作のためのアドレスを生成する過程に係る不必要な電流消耗を減少させることができる半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a multi-level storing type nonvolatile memory in which increment of circuit scale is suppressed to the minimum, and highly accurate write, read, and erasure operation can be realized in a short time.例文帳に追加

回路の規模の増大を最少に抑え、かつ短時間で高精度の書込み、読み出し、消去動作を実現可能な多値記憶型不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

To perform sufficiently polarization of a ferroelectric capacitor at the time of rewrite-in after read-out and at the time of write-in of data, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、読み出し後のセルの再書き込みおよびデータ書き込み時に強誘電体キャパシタの分極を十分に行うことを目的としている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which can read whole electric charges quantity (polarization electric charges; 2Pr) accumulated in a ferroelectric substance at the time of write.例文帳に追加

書き込み時に強誘電体に蓄積させた全電荷量（分極電荷量：２Ｐｒ）を全て読み出すことができる強誘電体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁