「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The digital equipment captures the read data transferred from the memory card in synchronism with the first clock signals supplied from the memory card, and transfers the write data to the memory card in synchronism with the second clock signals generated from itself.例文帳に追加

デジタル機器はメモリカードから供給された第１クロック信号に同期してメモリカードから転送された読出データを捕獲し、自身から発生された第２クロック信号に同期して書込データをメモリカードに転送する。 - 特許庁

The tag memory control section controls so that the read operation and the write operation of the data are separated into the memory blocks and the cache memory blocks respectively to be executed concurrently.例文帳に追加

タグメモリ制御部は、書き込みアドレス及び読み取りアドレスが同じである場合に、データの読み取り動作と書き込み動作とがメモリブロックとキャッシュメモリブロックとにそれぞれ分けられて同時に実行されるように制御する。 - 特許庁

In a process in which a memory card 24 is inserted, a cleaning member 28 at the input side of the memory card 24 on a read/write terminal 26 is brought into contact with an external terminal 25 of the memory card 24 so that the external terminal 25 can be cleaned.例文帳に追加

メモリーカード２４が挿入される過程では、まず、読み書き用端子２６上であってメモリーカード２４の入口側にある清掃部材２８が、メモリーカード２４の外部端子２５に接触して清掃する。 - 特許庁

In such a process, if required, a memory controller changes automatic refresh bank order, while the automatic refresh operation is executed on arbitrary memory banks, a read and write operation are enabled in other memory banks.例文帳に追加

このような過程は、必要な場合、メモリ制御器が自動リフレッシュバンク順序を変更できるようにし、自動リフレッシュ動作が任意のメモリバンクで実行されると共に、他のメモリバンクではリードとライト動作を可能とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory in which influence of read-out disturbance and write-in disturbance in a nonvolatile memory having three dimensional structure is prevented and reliability is high, and which has high speed, large memory capacity, and a low bit cost.例文帳に追加

三次元構造を有する不揮発性メモリに於ける読み出しディスターブ、及び書き込みディスターブの影響を回避した信頼性の高い、高速、大記憶容量の低ビットコストの不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

When a request to access to a defective memory cell is made, write data are supplied to the repair memory element SC from the write amplifier WAMP through the bit line MIO by turning on the switch SW2 in write operation, and data read out from the repair memory element SC are supplied to the read amplifier RAMP without using the bit line MIO by turning off the switch SW1 and turning on the switch SW3 in read operation.例文帳に追加

不良メモリセルへのアクセスが要求された場合、ライト動作時においては、スイッチＳＷ２をオンすることによりライトアンプＷＡＭＰからビット線ＭＩＯを介して救済記憶素子ＳＣにライトデータを供給し、リード動作時においては、スイッチＳＷ１をオフしスイッチＳＷ３をオンすることにより、救済記憶素子ＳＣから読み出されたリードデータをビット線ＭＩＯを介することなくリードアンプＲＡＭＰに供給する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which can obtain a readout signal output having a high S/N and a read method of the same, and also to provide a write method of the magnetic memory device which enables information read operation in high S/N.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が高い読み出し信号出力を得ることが可能な磁気メモリデバイスおよび磁気メモリデバイスの読出方法、並びに、Ｓ／Ｎ比が高い情報読み出しを可能とする磁気メモリデバイスの書込方法を提供する。 - 特許庁

When the difference is level or more, the data of the field in which write-in is not completed may be started to read out, inversely, memory capacity of the buffer memory can be reduced by a region in which the data is not yet written of the field to be read out.例文帳に追加

前記差分が一定以上有れば、書き込み未完フィールドのデータを読み出し開始しても何ら支障なく、逆に、読み出し対象フィールドのデータ書き残し領域の分だけ、バッファメモリの記憶容量を小さくできる。 - 特許庁

The redundancy data storage circuit of the semiconductor memory includes: a memory cell array; a write driver configured to write redundancy data in the memory cell array in response to a test signal; and a sense amplifier configured to detect and output the redundancy data recorded on the memory cell in response to a read signal.例文帳に追加

本発明に係る半導体メモリのリダンダンシデータ格納回路は、メモリセルアレイと、テスト信号に応じてリダンダンシデータをメモリセルアレイに記録するように構成された書き込みドライバと、読み出し信号に応じて、前記メモリセルに記録されたリダンダンシデータを感知して出力するように構成されたセンスアンプとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A FIFO control part 44 monitors the free capacity of the FIFO memory 41 on the basis of the write pointer WP and the read pointer RP, and when the free capacity becomes larger than a data amount outputted from a memory 13 by burst transfer, outputs a read request RQ in order to read the data from the memory 13.例文帳に追加

ＦＩＦＯ制御部４４は、ライトポインタＷＰとリードポインタＲＰに基づいてＦＩＦＯメモリ４１の空き容量を監視し、バースト転送によってメモリ１３から出力されるデータ量よりも空き容量が多くなると、メモリ１３からデータを読み出すために読み出し要求ＲＱを出力する。 - 特許庁

To perform a read or a write of a plurality of bytes by one time access even in a memory array constitution in which two bits are accumulated in one memory cell, and to make this memory array usable for every system while increasing the read speed by using a sense amplifier not precharged which is the read system with furthermore high speed.例文帳に追加

１メモリセルに２ビットを蓄積するメモリアレイ構成においても、１回のアクセスで複数バイトを読出し又は書込みすることができ、また、さらなる高速読出し方式であるプリチャージしないセンスアンプを使用することで、読出しの高速化とともに、あらゆるシステム用途にこのメモリアレイを使用可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an integrated circuit which reduces a current value of a magnetoresistive element used for read and write of information without increase in area of memory cells when viewed from above, and inhibits read/write errors and a short circuit between magnetoresistive elements.例文帳に追加

メモリセルの平面視における面積を増加せずに、磁気抵抗素子の情報の読み書きに用いる電流値を低減しながら、読み書きエラーや磁気抵抗素子間の短絡が抑制された集積回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which determines the quality of data transfer between the semiconductor memory and a host device to which the memory is connected and improves the reliability of read write data, and to provide an information processing system, including the semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリとこれが接続されるホストデバイスとの間でデータ転送の良否を判定して読み出し／書き込みデータの信頼性向上を図るようにした半導体メモリ及び、その様な半導体メモリを含む情報処理システムを提供する。 - 特許庁

This flash memory is provided with memory cell arrays MA, MB including a non-volatile memory cell, multi-level flag sections 15A, 15B, and a CPU 16 for control controlling write-in, read-out, and erasion of data for a memory cell array and a multi-level flag section.例文帳に追加

本発明の実施の形態によるフラッシュメモリは、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイＭＡ、ＭＢと、多値フラグ部１５Ａ、１５Ｂと、メモリセルアレイおよび多値フラグ部に対するデータの書込み、読出し、消去を制御する制御用ＣＰＵ１６とを備える。 - 特許庁

When an MPU issues a write instruction to an HDC, the HDC obtains the written data (b) from the volatile memory and writes the data to a magnetic storage medium 5 through a read/write control circuit.例文帳に追加

ＭＰＵはＨＤＣに対して書き込み命令を発行すると、ＨＤＣは揮発性メモリーから書き込みデータｂを得て、リード／ライト制御回路を介して磁気記憶媒体５へ書き込みを行う。 - 特許庁

Thereby, as write-in operation can be started without waiting that all memory banks are made an idle state, interval from supply of a read-out command to supply of a write-in command can be shortened.例文帳に追加

このため、全てのメモリバンクがアイドル状態になるのを待つことなく書き込み動作を開始できるため、読み出しコマンドの供給から書き込みコマンドの供給までの間隔を短縮できる。 - 特許庁

A data comparison unit 113 compares the write data, the data format of which is converted, from the write data extraction unit 116 with the read data, the data format of which is converted, from the read data extraction unit 117, and if they coincide with each other, a drawing output unit 114 skips the write processing of the write data from the DDA unit 112 to the memory 118.例文帳に追加

データ比較部１１３は、前記ライトデータ抽出部１１６からのデータ形式変換後のライトデータと、前記リードデータ抽出部１１７からのデータ形式変換後のリードデータとを比較し、一致する場合には、描画出力部１１４は、ＤＤＡ部１１２からのライトデータの描画フレームメモリ１１８へのライト処理を省略する。 - 特許庁

A read/write address determination means 105 includes a threshold for determining whether data transferred from a host interface control part 103 is disk array configuration information or not from a write or read address of the data, and accesses a nonvolatile memory 106, when the data is disk array configuration information, to read/write disk array configuration information 110.例文帳に追加

リード／ライトアドレス判断手段１０５は、ホストインターフェイス制御部１０３から伝達されたデータのライトあるいはリードアドレスから、データがディスクアレイ構成情報かそうでないかを判断する閾値を内部に有しており、データがディスクアレイ構成情報である場合は、不揮発性メモリ１０６にアクセスしてディスクアレイ構成情報１１０をリード／ライトする。 - 特許庁

In a matrix formed using a plurality of memory cells in each of which a drain of a write transistor is connected to a gate of a read transistor, and the drain is connected to one electrode of a capacitor, a gate of the write transistor is connected to a write word line.例文帳に追加

書き込みトランジスタのドレインと読み出しトランジスタのゲート、および、前記ドレインとキャパシタの一方の電極を接続した記憶セルを複数用いて形成されたマトリクスにおいて、書き込みトランジスタのゲートを書き込みワード線に接続する。 - 特許庁

In response to the write command and a precharge command, the control signal generating circuit 32 generates active enable signals ϕWBA0 and ϕWBA1 and the read preamplifier and write buffers 9a and 9b write data stored in FIFOs 8a and 8b to memory cells 1a and 1b.例文帳に追加

ライトコマンド、プリチャージコマンドに応答して、制御信号発生回路３２は活性のイネーブル信号φＷＢＡ０，φＷＢＡ１を発生し、リードプリアンプ＆ライトバッファ９ａ，９ｂは、ＦＩＦＯ８ａ，８ｂに記憶されたデータをメモリセル１ａ，１ｂへ書込む。 - 特許庁

This device is provided with a FIFO controller for controlling the amount of stored data in the FIFO memory by controlling the write/read of the FIFO memory on the basis of the write signal of the CPU and the transmission clock of the transmission clock generator.例文帳に追加

本装置は、ＣＰＵのライト信号、伝送クロック発生器の伝送クロックに基づいて、ＦＩＦＯメモリの書き込み、読み出しを制御し、ＦＩＦＯメモリの格納データ量を調整するＦＩＦＯ制御器を設けたことを特徴とする装置である。 - 特許庁

This invented bus bridge circuit for duplexed device includes bus bridge circuits 21, 31 that monitor read/write access to a memory device in an operational system and when the access occurs, copy its data and write it into a memory device in a backup system.例文帳に追加

本発明の２重化装置用バスブリッジ回路は、運用系のメモリ装置に対するリード／ライトアクセスを監視し、前記アクセスが発生したときそのデータをコピーしバックアップ系のメモリ装置へ書き込むバスブリッジ回路２１、３１を有することとした。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory including flip-flop type memory cells such as 1-port SRAM or 2-port SRAM in which read and write operations are simultaneously performed, wherein a static noise margin and a write level are simultaneously improved.例文帳に追加

１ポートＳＲＡＭや、読出しおよび書込みの動作が同時に行なわれる２ポートＳＲＡＭのようなフリップフロップ型メモリセルを備えた半導体記憶装置において、スタティックノイズマージンの改善と書き込みレベルの改善とを同時に実現できるようにする。 - 特許庁

An interruption control circuit 24 stops the process being executed by issuing an interruption to the CPU 1 and with the instruction of the memory over-write control circuit 25, the write/read/erase control circuit 16 over-writes the data stored in the memory cell 6.例文帳に追加

割り込み制御回路２４は、ＣＰＵ１に割り込みをかけて実行中の処理を停止させ、メモリ上書き制御回路２５の指示により、書き込み／読み出し／消去制御回路１６がメモリセル６に格納されているデータの上書きを行う。 - 特許庁

This optical disk has a data area for recording information signals, read-in and read-out areas provided before and after this data area and a program memory area for temporarily preserving address information required for the direct-read-after write of information signals.例文帳に追加

情報信号が記録されるデータ領域と、このデータ領域の前後に設けられるリードインエリア及びリードアウトエリアと、情報信号を追記する際に必要なアドレス情報を一時保管するプログラムメモリエリアとを有する光ディスクである。 - 特許庁

The processing device 4d also collates and authenticates the location history information read by location history information memory device 6 and the location history information read by IC card read/write device 3d from IC card 11.例文帳に追加

また、処理装置４ｄによって、場所履歴情報記憶装置６から読み取った場所履歴情報と、ＩＣカード読取／書込装置３ｄによってＩＣカード１１から読み取った場所履歴情報とを照合し、認証を行う。 - 特許庁

A write/read controller 9 generates a write address control signal based on speed information from a reproducing speed detection part 11, an enable control pulse from a JOG speed command part 12, a write/master clock from a write master clock generation part 13 and an interleave arrangement positional information, and supplies it to a memory 13 to store the digital audio data DA in the memory 13.例文帳に追加

ライト／リードコントローラ９は、再生速度検出部１１からのスピード情報と、ＪＯＧスピードコマンド部１２からのイネーブルコントロールパルスと、ライトマスタークロック発生部１３からのライト・マスタークロックと、インターリーブ配列位置情報を基に書き込みアドレス制御信号を生成し、メモリ１３に供給してディジタルオーディオデータＤＡをメモリ１３に格納する。 - 特許庁

In addition, the architecture is provided with a synchronous system to allow the processing units to perform adjusted read or write data from or in the common main memory.例文帳に追加

共用メイン・メモリからのデータの調整された読み出しと書き込みを処理ユニットによって行うための同期システムと方法とが提供される。 - 特許庁

In the semiconductor memory, write operation is performed as a bank A in the first block, read operation is performed as a bank B in the second to the fourth blocks.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１ブロックがバンクＡとして書込み動作が行われ、第２〜４ブロックがバンクＢとして読出し動作が行われる。 - 特許庁

The trouble history informations stored on the history memory area 13a are readable by an external apparatus connected to a read/write terminal 14.例文帳に追加

さらに、履歴記憶領域１３ａに記憶された故障履歴情報は、リード／ライト端子部１４に接続された外部の機器により、読み出すことが可能である。 - 特許庁

A source line of a nonvolatile memory cell array is grounded through an element having a resistance component, and a resistance value is switched depending on the time of write-in operation and the read-out operation.例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイのソース線を抵抗成分をもつ素子を介して接地し、書き込み動作時と読み出し動作時で抵抗値を切り換える。 - 特許庁

Furthermore, when one data memory is faulty, a counter-measure to use the two remaining data memories to write/read data alternately is taken.例文帳に追加

また、いずれか１つのデータメモリが故障した場合には、残りの２つのデータメモリを用いて、交互にデータの書き込み・読み出しを行なうことにより対応する。 - 特許庁

The occurrence of passing is predicted by a count value of a horizontal synchronizing signal IHS for write at the time of the start of data read from a frame memory.例文帳に追加

フレームメモリからのデータ読み出し開始時における、書き込みのための水平同期信号ＩＨＳのカウント値によって追い越し発生を予測する。 - 特許庁

A CPU 10 is successively interrupted at prescribed intervals by each DMA controller and write/read of bit pattern to/from a main memory 12 are performed.例文帳に追加

各ＤＭＡコントローラにより順次所定のインターバルでＣＰＵ１０に割り込みをかけ、主メモリ１２に対してビットパターンの書込み／読出しを行う。 - 特許庁

A control circuit 7 controls a potential of the word line and the bit line according to an input data, and controls write-in, read-out, and eliminating operation to the memory cells.例文帳に追加

制御回路７は、入力データに応じてワード線、ビット線の電位を制御し、メモリセルに対するデータを書き込み、読み出し及び消去動作を制御する。 - 特許庁

To perform the data write and data and read using a nonvolatile memory cell at high speed and also sufficiently increase the processing speed even in a larger scale.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを用いた場合のデータ書込み及びデータ読出しを高速に行い、且つ大規模化した場合にも十分な高速化をはかる。 - 特許庁

In a data storage device including a flash array 58 and a universal serial bus (USB) controller 56 in conformity with the USB specification, a unit 46 includes an erasable nonvolatile memory module called a flash module 58, which can receive a write command and a read command from a host platform 44.例文帳に追加

ＵＳＢ仕様に適合性がある、フラッシュアレイ５８及びユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）制御器５６から構成されたデータ記憶装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which an interval from a write-in command to a read-out command can be shortened and an effective data transfer rate can be enhanced.例文帳に追加

書込みコマンドから読出しコマンドまでの間隔を短縮でき、実効的なデータ転送レートを高めることができる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The memory card is connected with the computer with an unspecified standard after connection with a digital product and can easily perform the read and the write of data.例文帳に追加

デジタル製品との接続後に、メモリーカードは、特定しない規格を持ったコンピュータに接続することができ、データの読み取りと書き込みを容易に行える。 - 特許庁

An operation controller operates a memory cell selected in accordance with an address signal in a normal operation mode for performing a read operation and a write operation.例文帳に追加

動作制御回路は、読み出し動作および書き込み動作を実行する通常動作モード中に、アドレス信号に応じて選択されるメモリセルを動作させる。 - 特許庁

The write/read address control part surely overwrites an interleave address that does not correspond to the data storage part on the interleaver memory with an interleave address that has been generated just after the interleave address.例文帳に追加

書き込み／読み出しアドレス制御部は、インタリーバメモリ上のデータ格納部分に対応しないインタリーブアドレスを、必ず直後に生成されたもので上書。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which a command by which read-out, write-in, and erasure can be performed by only a specific user can be set.例文帳に追加

特定のユーザーのみが読み出し、書き込みおよび消去が可能なコマンドを設定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To perform write and read at high speed when non-volatile memory cells are used and to increase sufficiently operation speed even when a card is large scale.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを用いた場合のデータ書込み及びデータ読出しを高速に行い、且つ大規模化した場合にも十分な高速化をはかる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that is excellent in write and read characteristics and is easy to manufacture; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

書き込み特性や読み込み特性に優れ、かつ製造が容易な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A DRAM 18 is a dynamic read and write memory which temporarily stores the data at the time of the work of a CPU 1, and used at the time of operating plotting edition.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１８は、ＣＰＵ１の作業時にデータを一時的に記憶するダイナミック型の読み取り書き込みメモリであり、描画編集を行う際に使用される。 - 特許庁