「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device and a memory system which perform standing-by in low power consumption when there is no need for read/write access and perform access without a delay when read/write access is required, and to provide a refresh control method for a semiconductor memory device.例文帳に追加

リードライトアクセスが必要ないときに低消費電力で待機すると共に、リードライトアクセスが必要になったときに遅滞なくアクセスできる半導体記憶装置、メモリシステム及び半導体記憶装置におけるリフレッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁

When write commands are supplied, the parity data starts to be read from a parity memory cell after the read of the regular data is started and while the regular data is read.例文帳に追加

書き込みコマンドが連続して供給されるときに、レギュラーデータの読み出しが開始された後、レギュラーデータの読み出し中に、パリティメモリセルからパリティデータの読み出しが開始される。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁

A cleaning member 28 is arranged not on a dust preventing cover 12 but on the read/write terminal 26 so that the internal structure of the memory card read/write device 16 can be simplified and miniaturized.例文帳に追加

防塵用蓋１２上ではなく読み書き用端子２６上に清掃部材２８を設けることで、メモリーカード読み書き装置１６の内部構造を簡単にして小型化を図れる。 - 特許庁

The write or read can be performed by simultaneous one time access for the plurality of bytes by replacing bit arrangement of the memory cell array by a write method or a read method.例文帳に追加

そして、メモリセルアレイのビット配列を、書込み方法又は読出し方法により入れ替えることにより、複数バイト同時に１回のアクセスで書込み又は読出しが可能とする。 - 特許庁

Furthermore, write and read timing to/from the data memory 4 can be independently controlled with a load signal to a write counter 8 and a read counter 9 so as to adjust the phase of frames.例文帳に追加

またデータメモリ４への書き込み、読み出しタイミングは書き込みカウンタ８、読み出しカウンタ９へのロード信号によって独立に制御でき、フレームの位相調整が行なわれる。 - 特許庁

A memory array 4 is divided into a storage region of binary and a storage region of multi-level, and corresponding to the above, a multi-level write-in/read-out control circuit 12 and a binary write-in/read-out control circuit 13 are provided.例文帳に追加

メモリアレイ４を多値および２値記憶の領域に分割し、それに対応して多値書き込み／読み出し制御回路１２と２値書き込み／読み出し制御回路１３を設ける。 - 特許庁

Moreover, since opening of a buffer memory is performed immediately after execution of write back, when read-modify-write processing is performed for a plurality of editing object regions in the same annual ring #3, data need not reread from the disk for the buffer memory, and consequently performance of the device is still not degraded.例文帳に追加

また、バッファメモリの開放は、書き戻し実行直後になされるため、同一年輪＃３内の複数の編集対象領域に対するread-modify-write処理を行う際にも、バッファメモリに対してディスクからデータを読み直す必要が無く、装置のパフォーマンスが低下しない。 - 特許庁

To improve stability of a memory cell without causing destruction of data in write or read.例文帳に追加

本発明は、書込または読出においてデータ破壊を起こすことなく、メモリセルの安定性を高めることを目的とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive storage device which performs read/write at high speed while using a small memory capacity.例文帳に追加

使用メモリ容量が少なく、高速で読み出し・書き込みが可能であり、低コストの記憶装置を提供する。 - 特許庁

In this way, the write command is sent to the memory when influence on execution of the read command is reduced.例文帳に追加

このように、書き込みコマンドは読み出しコマンドの実行に対する影響を軽減するときに、メモリーに送られる。 - 特許庁

To provide a memory system including a large capacity ROM and RAM in which high speed read and write are enabled.例文帳に追加

高速読み出し、書き込みが可能な大記憶容量のＲＯＭとＲＡＭを含むメモリシステムを提供する。 - 特許庁

A write/read part 205 generates first data as template data of the additional information and writes the first data onto a memory card 206.例文帳に追加

書込／読取部２０５は、付加情報のテンプレートデータである第１データを生成してメモリカード２０６に書き込む。 - 特許庁

Read/write operation of data of a memory cell is controlled based on a timing signal ICL generated in a SRAM.例文帳に追加

メモリセルのデータのリード・ライト動作をＳＲＡＭで発生するタイミング信号ＩＣＬに基づいて制御する。 - 特許庁

In a write operation, an error of regular data read from a regular memory cell is detected and corrected using parity data.例文帳に追加

書き込み動作時に、レギュラーメモリセルから読み出されたレギュラーデータのエラーが、パリティデータを用いて検出、訂正される。 - 特許庁

The residual quantity data are stored in the second memory which can read and write the data by the printing agent residual quantity management task.例文帳に追加

また印刷剤残量管理タスクでデータの読み書きが可能な第２メモリに残量データを記憶する。 - 特許庁

To provide an information processor capable of improving read/write efficiency in logical formatting of a memory card.例文帳に追加

メモリカードの論理フォーマットに際し、リード／ライトの効率を向上させることができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell is constituted of one read MIS transistor QR and one write MIS transistor QW.例文帳に追加

メモリセルは、１個の読み出しＭＩＳトランジスタＱ_Rと１個の書き込みＭＩＳトランジスタＱ_Wとで構成されている。 - 特許庁

Address data are inputted to an address register 13 through a pad 11 and an input buffer 12 and used to read and write a memory core 22.例文帳に追加

アドレスデータはパッド、入力バッファを通してアドレスレジスタに取り込まれ、メモリコアのリード、ライト動作に使用される。 - 特許庁

By controlling the data write and read for each memory bank, the control is simplified.例文帳に追加

データの書き込み及び読み出しの制御をメモリバンク単位で行うことにより、制御を簡素化することができる。 - 特許庁

A read/write control section 6 has a function for writing a content received through a radio receiver 7 in the memory 4.例文帳に追加

リードライト制御部６は、無線受信機７を通じて受信したコンテンツをメモリ４に書き込む機能を持つ。 - 特許庁

The read address and the write address are selected the same to save a memory capacity and to quicken the access time.例文帳に追加

読み出しと書き込みのアドレス生成を同一のアドレスとすることで、メモリを削減しかつアクセスを高速化する。 - 特許庁

An address switching means 43 switches the write address and the read address and supplies them to the memory 42 for the image rotation.例文帳に追加

アドレス切換手段４３はライトアドレスおよびリードアドレスを切り替えて画像回転用メモリ４２に供給する。 - 特許庁

To provide a technology for performing an operation test where data Read and data Write of a memory chip are consecutive.例文帳に追加

メモリチップのデータＲｅａｄとデータＷｒｉｔｅとを連続させた動作テストする技術を提供する。 - 特許庁

In the case of detecting the read or write command, the module register generates the active termination control signal to the memory.例文帳に追加

読出しまたは書込みコマンドを検知すると、モジュール・レジスタはメモリーへの能動終端制御信号を発生する。 - 特許庁

An intermediate memory 101 packs six pixels of binary data to read/write the pack as one byte of data.例文帳に追加

中間メモリ１０１は、２値化データを６画素分パックして１バイト分のデータとして読み出し書き込みする。 - 特許庁

To easily test variation of the phase difference of a write clock signal or read clock signal from a dual port memory.例文帳に追加

デュアルポートメモリに対してライトクロック信号やリードクロック信号の位相差の変動を容易にテストできるようにする。 - 特許庁

Therefore, read-out, write-in, erasing, or the like can be performed by accessing a memory cell 31 in the other block.例文帳に追加

したがって、他のブロック内のメモリセル３１にアクセスして、読み出し、書き込み、消去等を行うことができる。 - 特許庁

An LRM 200 checks whether a memory write request to the access object address of the local memory read request is accepted by coherency control parts 110/111 in a 'period from a memory read to the acceptance of a request for coherency control corresponding to the local memory read by the coherency control parts 110/111' and outputs a local memory read request re-issue instruction when the memory write request is present.例文帳に追加

ＬＲＭ２００は、「ローカルメモリリードから当該ローカルメモリリードに対応するコヒーレンシ制御用リクエストがコヒーレンシ制御部１１０／１１１に受け付けられるまでの期間」の間に当該ローカルメモリリードリクエストのアクセス対象のアドレスに対するメモリライトリクエストがコヒーレンシ制御部１１０／１１１に受け付けられたか否かをチェックし、当該メモリライトリクエストが存在したならばローカルメモリリードリクエスト再発行指示を出力する。 - 特許庁

A DDR-SDRAM has an input buffer 1, a command decoder 2, a write-timing generating section 3, a write-buffer 4, a read-amplifier 5, a memory cell plate 6, and a data latch 7.例文帳に追加

ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭは、入力バッファ１、コマンドデコーダ２、ライトタイミング発生部３、ライトバッファ４、リードアンプ５、メモリセルプレート６、及び、データラッチ７を有する。 - 特許庁

The write/read address control part controls the decision, generation or the like of a write destination address in writing the interleave address in the memory for address storage.例文帳に追加

書き込み／読み出しアドレス制御部は、アドレス保管用メモリに対してインタリーブアドレスを書き込む際に、書き込み先アドレスの決定、生成等を制御する。 - 特許庁

A USB memory 1 has a flash memory 50, a USBI/F 20, and a main controller 10 controlling read processing and write processing for the flash memory 30.例文帳に追加

ＵＳＢメモリ１は、フラッシュメモリ５０と、ＵＳＢＩ／Ｆ２０と、フラッシュメモリ５０に対する読み出し処理及び書き込み処理を制御するメインコントローラ１０とを有する。 - 特許庁

To provide a memory card that can write/read data to/from a nonvolatile memory safely without using a dedicated command between an external device and a controller in the memory card.例文帳に追加

外部機器とメモリカード内コントローラの間で専用コマンドを設けることなく、安全性を高めた、不揮発性メモリへのデータの書込み／読出しができるメモリカードを実現すること。 - 特許庁

The memory block of the flash memory is divided to a plurality of data blocks by a flash memory division setting means, and read and write of data are controlled in the divided data block units.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリブロックをフラッシュメモリ分割設定手段により複数のデータブロックに分割し、分割されたデータブロック単位でデータの読み出し、書き込みを制御する。 - 特許庁

To provide a suitable architecture for reliable write, read and erase of magnetoresistive memory cells in a memory cell structure (namely, magnetoresistive memory).例文帳に追加

メモリセルの構造物（すなわち、磁気抵抗メモリ）内の磁気抵抗メモリセルの信頼できる書込み、読み出し、および消去のための適切なアーキテクチャを提供することである。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, READ-OUT METHOD OF DATA FROM THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN METHOD OF DATA FOR THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、該不揮発性半導体記憶装置からのデータの読み出し方法及び、該不揮発性半導体記憶装置へのデータの書き込み方法 - 特許庁

The cell selecting circuit selects the prescribed memory cell out of memory cell arrays selected by the bank selecting signal, and performs read-operation and write-operation for this memory cell.例文帳に追加

セル選択回路は、バンクセレクト信号により選択されたメモリセルアレイの中の所定のメモリセルを選択して、このメモリセルに対するリード動作およびライト動作を行う。 - 特許庁

To obtain a memory device which assures high-speed read operation and can reduce a delay of the read operation start timing of the read operation even when the write operation frequency is same as the read operation frequency.例文帳に追加

読み出し速度を高速化する上、書き込みの頻度が読み出しの頻度と同程度の場合でも書き込み動作による読み出し動作開始時期の遅れを低減し得るメモリ装置を実現する。 - 特許庁

Read and write of a form data memory 4 and a Karaoke performance data memory 8, and a display picture creation part 5 are operated according to a Java (R) application program.例文帳に追加

フォームデータメモリ４、カラオケ演奏データメモリ８の読み書き、表示画面作成部５は、Java（登録商標）アプリケーションプログラムによって実行される。 - 特許庁

Preferably, the memory cell is a dual port memory cell, a write operation is parallelly executed and a read operation is serially executed.例文帳に追加

好適には、メモリセルはデュアルポートメモリセルで、書き込み動作を並列式に実施し、一方読み取り動作を直列式に実施することが可能である。 - 特許庁

In one aspect of using the converter, a card reader can read and write data in the miniature memory card through the memory card interface.例文帳に追加

コンバータを使用する１つの態様において、カード・リーダは、メモリカード・インタフェースを介してミニチュア・メモリカード内のデータを読み書きすることができる。 - 特許庁

Furthermore, a memory cell MC is connected to a read word line RWL and a write bit line WBL which are common to an adjacent memory cell MC.例文帳に追加

さらに、メモリセルＭＣを、隣接するメモリセルＭＣと同一の読出しワード線ＲＷＬ、及び書込みビット線ＷＢＬに接続する。 - 特許庁

To generate a read/write address to a memory so that a continuous interleaving processing on data of a plurality of blocks is realized with one memory.例文帳に追加

複数ブロックのデータに対する連続したインターリーブ処理を１つのメモリで実施可能な様にメモリへのリード／ライト用のアドレスを発生させる。 - 特許庁

It disposes a read sense amplifier 102 and a write sense amplifier 104 on the same side in a memory array having memory cells.例文帳に追加

また、複数のメモリセルを有するメモリアレイ領域に対して、同じ側にリード系センスアンプ１０２と、ライト系センスアンプ１０４とを配置している。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory access time of which can be reduced when read-access and write-access overlap for the same memory cell.例文帳に追加

同一のメモリセル行にリードアクセスとライトアクセスとが重なった場合のアクセス時間を低減することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁