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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Read Write Memoryの意味・解説 > Read Write Memoryに関連した英語例文

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Read Write Memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1172



例文

When the MENSEL signal is at 'L' level, the memory 11 acts as a read only memory and the memory 12 acts as a write only memory and they are subjected to reverse operation to the case when the MENSEL signal is at 'H' level.例文帳に追加

MENSEL信号が“L”レベルであればメモリ11が読み出し専用,メモリ12が書き込み専用となって“H”レベルの場合と逆の動作がなされる。 - 特許庁

Continually, to a request for read/write from outside, read/write operation is performed by a sense amplifier for read/write 9-1, and the data saved in the refreshing sense amplifier 9-2 is written back to the memory cell after finishing the operation.例文帳に追加

続いて、外部からの読み出し・書き込み要求に対しては、読み出し・書き込み用のセンスアンプ9-1で読み出し・書き込み動作を行い、その動作終了後にリフレッシュ用のセンスアンプ9-2内に退避しておいたデータをメモリセルへ書き戻す。 - 特許庁

To provide high-speed write concerning a semiconductor disk device using a flash memory with which the speed of write is low in comparison with that of read.例文帳に追加

読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。 - 特許庁

Thus, read/write operations to a main memory 16 are reduced and a memory bus 20 is released for the other operations as much as that reduction.例文帳に追加

したがって、主記憶16への読取り/書込み動作を減らし、それだけメモリ・バス20を他の動作に解放することができる。 - 特許庁

例文

To automatically assign a memory region for curving and skewing correction, and to automatically generate a read/write address of a memory for correction.例文帳に追加

湾曲及び斜行補正用のメモリ領域を自動的に割り当て、また、補正用メモリのリード/ライトアドレスの自動生成を行う。 - 特許庁


例文

To provide a memory system including a nonvolatile memory device that improves a reading speed, and a read and write method there of.例文帳に追加

読み出し速度を向上した、不揮発性メモリ装置を含むメモリシステム及びその読み出し及び書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for adequately lowering the electric power consumption of a memory card without resulting in the deterioration of a read/write performance for a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリに対するリード/ライト性能の低下を招くことなく、メモリカードの十分な低消費電力化を図る。 - 特許庁

In the first and second memory nodes, the write and read of a first memory information from the first and second input output terminals are attainable.例文帳に追加

第1と第2記憶ノードは、第1と第2入出力端子からの第1記憶情報が書き込み/読み出し可能にされる。 - 特許庁

In addition, the memory control part 3 generates a write address for the color imaging signal to the line memory 2 following the read address.例文帳に追加

また、メモリ制御部3は、読み出しアドレスに追従して、ラインメモリ2に対するカラー撮像信号の書き込みアドレスを生成する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor memory controller with high read/write reliability, and to provide a semiconductor memory having the same.例文帳に追加

リードライトの信頼性の高い半導体メモリコントローラおよび前記半導体メモリコントローラを有する半導体メモリを提供する。 - 特許庁

例文

By using a read buffer and a write buffer, the memory controller can switch transfer to an array of the memory device of data stored in the write buffer and transfer to the read buffer of data in the array of the memory device.例文帳に追加

読み出しバッファと書き込みバッファとを使用することにより、メモリ・コントローラは、書き込みバッファ内に格納されたデータのメモリ・デバイスのアレイへの転送と、メモリ・デバイスのアレイ内のデータの読み出しバッファへの転送と、を切り替えることができる。 - 特許庁

To perform the read or write of data by one memory access in a microprocessor or the like having a cache memory or memory even when addresses are not neatly arranged according to the size of the designated data in the read or write of the data.例文帳に追加

キャッシュメモリやメモリを有するマイクロプロセッサ等において、データの読み出しまたは書き込み時に指定されたデータのサイズに応じてアドレスが整列していない場合でも、1回のメモリアクセスでデータの読み出しまたは書き込みをおこなうこと。 - 特許庁

The first write circuit overwrites data read from a memory cell and corrected by the error correction circuit with at least a part of first write data entered from the outside to write the data in the memory cell corresponding to a first write command.例文帳に追加

第1の書き込み回路は、メモリセルから読み出され、誤り訂正回路で訂正されたデータに、第1のライトコマンドに対応して外部から入力された第1のライトデータの少なくとも一部を上書きしてメモリセルに書き込む。 - 特許庁

When the read command is received after the receipt of the plurality of write commands, execution of the write command is interrupted, to store read data retrieved from the optical disc 10 in a recorded area of the buffer memory 38 to transfer the read data.例文帳に追加

複数のライトコマンドの後にリードコマンドを受信した場合、ライトコマンドの実行を中断し、光ディスク10から読み出したリードデータをバッファメモリ38の記録済み領域に格納して転送する。 - 特許庁

The memory controller controls the data read operation or a data write operation of the memory and includes a CPU, a memory interface unit, and a frequency change control section.例文帳に追加

メモリコントローラはメモリのデータ読出し動作またはデータ書込み動作を制御し、CPU、メモリインターフェース装置および周波数変更制御部を備える。 - 特許庁

To provide a read/write device for a semiconductor memory card for preventing static electricity from being discharged to a semiconductor memory card at a mounting position of the semiconductor memory card.例文帳に追加

半導体メモリーカードの実装位置において、半導体メモリーカードへの静電気の放電を阻止する半導体メモリーカード読み書き装置を提供する。 - 特許庁

The handheld wireless server includes a battery, a data processing circuit, a read/write memory, a wireless communication circuit and a memory introducing slot for housing an attachable/detachable memory device.例文帳に追加

携帯無線サーバーは、バッテリ、データ処理回路、読み/書きメモリ、無線通信回路および脱着可能な記憶装置を収容するメモリ挿入口を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device using a TMR element as a memory cell in which a write-in current at the time of write-in for a memory cell can be outputted accurately and temperature dependencies of write-in margin and read-out margin are eliminated.例文帳に追加

メモリセルの書込時の書込電流を正確に出力できるように、そして書込マージン及び読出マージンの温度依存性を排除するようにした、メモリセルとしてTMR素子を使用した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Read/write control is applied to a frame memory 2 on the basis of the pieces of information and a display frame is selected.例文帳に追加

これらの情報を基にフレームメモリ2のリード・ライト制御が行なわれ、表示フレームが選別される。 - 特許庁

To shorten a processing time required for write and read of a memory while keeping high error correction capability.例文帳に追加

高い誤り訂正能力を保ったまま、メモリ書込み及び読み出しのための処理時間を短くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device without degrading performance of read/write operations to an FBC (Floating Body Cell).例文帳に追加

FBCに対するリード/ライト動作の性能を低下させることがない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To perform write or read of an information signal in which quantity of information exceeds capacity of one memory.例文帳に追加

1個のメモリの容量を越える情報信号の書き込みもしくは読み出しを行なえるようにする。 - 特許庁

In the read/write processing, a memory control ASIC 104 determines whether page hit succeeds or not.例文帳に追加

リード/ライト処理を実行する際には、メモリ制御ASIC104は、ページヒットしているか否かを判定する。 - 特許庁

An ATD signal is made to be a trigger of a series of operation when read-out or write-in from/to a memory cell is performed.例文帳に追加

ATD信号は、メモリセルの読み出しまたは書き込みをする際の一連の動作のトリガーとなる。 - 特許庁

The switch element has a pointer table 122 capable of storing data read/write memory location addresses.例文帳に追加

スイッチ素子は、さらにデータを読み書きするためのメモリ位置のアドレスを記憶可能なポインタテーブル122を有する。 - 特許庁

An ATD signal is made a series of operation trigger when read-out or write-in of a memory cell is performed.例文帳に追加

ATD信号は、メモリセルの読み出しまたは書き込みをする際の一連の動作のトリガーとなる。 - 特許庁

The data storage memory adjusts read or write timing to adjusting transmission timing of the outgoing data.例文帳に追加

データ格納メモリは読み出し又は書込みタイミングを調整し、下りデータの送信タイミングを調整する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY, WRITE METHOD AND READ METHOD THEREFOR AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体記憶装置、その書き込み方法及び読み出し方法、並びにそれを用いた集積回路装置 - 特許庁

To reduce power consumption of a semiconductor memory and to perform read and write operations at high speed.例文帳に追加

半導体メモリの消費電力を削減し、読み出し動作および書き込み動作を高速に実行する。 - 特許庁

The apparatus includes a processing arrangement configured to access each of the memory cells in a write operation and a read operation.例文帳に追加

装置には、書き込み動作及び読み出し動作において各メモリセルにアクセスする処理装置が含まれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which high speed data read-out and high speed data write-in can be performed.例文帳に追加

高速のデータ読み出しや高速のデータ書き込みを可能とした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To shorten the time required for read/write processing to an internal memory by an external control unit.例文帳に追加

外部制御装置による内部メモリへの読み書き処理に要する時間の短縮を実現すること。 - 特許庁

In the case of write/read of the entered sector, this cache memory 1 is accessed.例文帳に追加

そして、エントリしたセクタに書き込み/読み出しを行う場合は、このキャッシュメモリ1に対してアクセスを行う。 - 特許庁

The circuit uses alternate read/write and interpolation using adjacent pixels and reduces the size of the frame memory.例文帳に追加

回路は隣接する画素用いた交互リード/ライトおよび補間を用いてフレームメモリのサイズを小型にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which efficient error correction can be performed and which has high reliability of read-write.例文帳に追加

効率的な誤り訂正が可能で、リードライトの信頼性の高い半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which stability of read or write operation can be secured.例文帳に追加

書込または読出動作の安定性を確保することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an RF tag allowing a reader/writer to read and write in a single memory at least two detached places.例文帳に追加

リーダライタが離れた二カ所以上の場所で1つのメモリに読み書きできるRFタグを提供する。 - 特許庁

When a CPU 1 performs access to a memory 2, a memory access instruction and memory address outputted by the CPU 1 are a read access to the read inhibition area or a write access to the write inhibition area, a memory controller 4 is restrained from generating a chip select signal.例文帳に追加

CPU1がメモリ2にアクセスした際に、CPU1が出力したメモリアクセス指令とメモリアドレスとが、リード禁止領域に対するリードアクセスか、又はライト禁止領域に対するライトアクセスである場合に、メモリコントローラ4に対してチップセレクト信号の生成を抑制させる。 - 特許庁

The buffer memory is controlled to perform write processing of data at a read speed of the data and to read the data having already been read at a data transfer speed slower than the read speed.例文帳に追加

バッファメモリは、データの読み出し速度でそのデータの書き込み処理が行われ、この読み出し速度よりも遅いデータ転送速度で、既に書き込まれたデータを読み出すように制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of simultaneously performing write of one piece of data and read of data by two read ports.例文帳に追加

1個のデータの書き込みと2つのリードポートによるデータの読み出しを同時に行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An error detection part 31 generates control information showing whether or not error correction is needed for a specified place in read data based on write position information outputted from a CPU 1, and a write data generation part 32 generates write data by merging write request data with read data which is read from memory 2 based on the write position information at the same time.例文帳に追加

エラー検知部31が、CPU1から出力されるライト置情報に基づき、リードデータの特定された個所のエラー訂正の要否を示す制御情報を生成すると同時に、ライトデータ生成部32が、ライト位置情報に基づきメモリ2から読み出されるリードデータにライト要求データをマージしてライトデータを生成する。 - 特許庁

Write data from the host computer is stored in a backed up nonvolatile memory 102, and read data read from the storage medium 104 is stored in a volatile memory 103.例文帳に追加

ホストコンピュータからのライトデータをバッテリーバックアップされた不揮発メモリ102に格納し、記憶媒体104から読み出したリードデータを揮発メモリ103に格納する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device based on a new drive system by which sure write-in and a large read-out signal can be obtained, and a read-out method of the magnetic memory device.例文帳に追加

確実な書き込みと大きな読出信号を得ることを可能とする新規な駆動方式に基づく磁気メモリデバイス、および磁気メモリデバイスの読出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which makes it possible to suppress the increase of the read time of a multivalued memory and realize a high speed read and the reduction of the write disturbance.例文帳に追加

多値メモリの読み出し時間の増加を抑制でき、高速な読み出しおよび書き込みディスターブの軽減を実現可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A write control part 8 and the selector 9 perform write control of the data to the program memory 2 utilizing a period in which the commands are not read.例文帳に追加

書き込み制御部8およびセレクタ9は、命令読み出しが行われない期間を利用して、プログラムメモリ2へデータを書き込む制御を行う。 - 特許庁

To provide a data transfer device capable of writing data without performing read modify write processing with a memory which has no mask write function.例文帳に追加

マスクライト機能を有しないメモリに対して、リード・モディファイ・ライト処理を行うことなく、データの書き込みを行えるデータ転送装置を提供する。 - 特許庁

In a request source device 10, a particular read request unit 13 includes a prescribed address of a memory 27 in a request destination device 20 at a write address, and generates a write packet for read request including an address of the memory 27 in a payload as a read address.例文帳に追加

要求元デバイス10では、特殊読出要求部13は、要求先デバイス20のメモリ27の所定のアドレスを書込みアドレス部分に含み、かつペイロード部分にメモリ27のアドレスを読出しアドレスとして含む読出要求用ライトパケットを生成する。 - 特許庁

At read-out operation, read-out/write-in of the data of one memory cell are conducted for one word line, and read-out/write-in of data of a plurality of memory cells indicated in a region 12 are performed, by selecting a plurality of word lines.例文帳に追加

読み出し動作時、1本のワード線に対して1個のメモリセルのデータの読出し/書き込みが行われ、複数のワード線を選択することにより、領域12で示されるような複数のメモリセルのデータの読出し/書き込みが行われるように構成する。 - 特許庁

In the test operation, the operation for storing data read out from the determination memory cells in the memory cells and then reading out the storage data from the memory cells to write them in the deciding memory cells, is performed for all memory cells.例文帳に追加

試験動作時に、判定用メモリセルから読み出されたデータをメモリセルに記憶させた後で該記憶データをメモリセルから読みして判定用メモリセルに書き込む動作が、全てのメモリセルに対して行われる。 - 特許庁

例文

This enables the write processing of processed data into the memory 32A to overlap with the read processing of split data from the memory 31A.例文帳に追加

これにより、メモリ32Aへの処理データの書き込み処理と、メモリ31Aから分割データの読み出し処理とが時間的に重複する。 - 特許庁




  
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