「Read Write Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To surely execute a read command after succession of write commands in an optical disc apparatus including a buffer memory for shared use between write data and read data.例文帳に追加

ライトデータ用とリードデータ用を兼用するバッファメモリを備える光ディスク装置において、ライトコマンドが続いた後のリードコマンドを確実に実行する。 - 特許庁

In the memory 20, data are written based on the write address generated by the write processing circuit 40 so as not to be overtaken by the read address of the read address latch 34.例文帳に追加

メモリ２０には、リードアドレスラッチ３４のリードアドレスに追い越されないようにライト処理回路４０が生成したライトアドレスに基づいてデータが書き込まれる。 - 特許庁

The memory data read/write means 5 is connected to a memory controller 11, and the memory controller 11 reads and writes data in and from a semiconductor memory (DRAM) 3.例文帳に追加

メモリデータ読出／書込手段５はメモリコントローラ１１に接続され、メモリコントローラ１１は半導体メモリ（ＤＲＡＭ）３に対しデータの読出しおよび書き込みを行う。 - 特許庁

Each memory cell 103 is provided with a read/write capability adjusting circuit 104 which can set write-in capability of each write-in circuit and read-out capability of each readout circuitry independently.例文帳に追加

各書き込み回路の書き込み能力および各読み出し回路の読み出し能力を独立に設定可能な読み書き能力調整回路１０４を各メモリセル１０３に備えている。 - 特許庁

A data FIFO 23 sequentially stores the write data when a read instruction is input during the write operation and continues the write operation by sequentially outputting the data to a memory cell array 21 after the end of read operation.例文帳に追加

データFIFOは、書込動作の間に読出命令が入力されると書込データを順次貯蔵し、読出動作完了後に順次メモリセルアレーに出力して書込動作を続ける。 - 特許庁

As for enlargement control, the asynchronous write control part 0107 controls read-out prohibition from the frame memory 0102 and write prohibition in the line memory 0110 in the vertical direction, and the line memory read control part 0109 executes repeated read-out control of the same data from the line memory 0110 in the horizontal direction.例文帳に追加

拡大制御は垂直方向を該非同期ライト制御部0107が該フレームメモリ0102からの読み出し禁止及び，該ラインメモリ0110への書き込み禁止を制御し，水平方向を該ラインメモリ・リード制御部0109が該ラインメモリ0110から繰り返し同じデータを読み出す制御を行う。 - 特許庁

After that, the stored data are again read out from the target memory cell and it is determined whether the write data coincide with the read data.例文帳に追加

この後、再び、書込対象のメモリセルの記憶データを読出し、書込データと読出データの一致／不一致を判定する。 - 特許庁

To provide a write and read circuit of a variable length packet, which can read and write packets with high memory efficiency and can immediately read and write the next packet, when abolishment of packets is generated.例文帳に追加

高いメモリ使用効率でパケットを読み書きすることができ、且つパケットの廃棄が発生した場合に、次のパケットを直ちに読み書きすることが可能な可変長パケットの書き込み及び読み出し回路を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory includes: first and second read/write amplifier; a first bit line group connected selectively to the first read/write amplifier; and a second bit line group connected selectively to the second read/write amplifier.例文帳に追加

半導体メモリは、第１および第２のリード／ライトアンプと、該第１のリード／ライトアンプに選択的に接続される第１のビット線群と、第２のリード／ライトアンプに選択的に接続される第２のビット線群とを備える。 - 特許庁

Then, the external terminal 25 is brought into contact with the read/write terminal 26 in a status that the external terminal 25 is cleaned, and the data are read/written in the memory card 24 by the read/write terminal 26.例文帳に追加

次に、外部端子２５が清掃された状態で、外部端子２５と読み書き用端子２６とが接触し、読み書き用端子２６は、メモリーカード２４にデータを読み書きする。 - 特許庁

To provide a memory bank control method in which read-out of a memory is asynchronous with write-in and outrunning of address is not caused even if read-out and write-in of a memory are performed simultaneously.例文帳に追加

本発明の課題は、メモリの読み出しと書き込みが非同期式であり、メモリの読み出しと書き込みが同時に行われてもアドレスの追い越しを起こさないメモリバンク制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a new configuration which is capable of suitably suppressing passing between information write to a memory and information read from the memory.例文帳に追加

メモリへの情報の書き込みと読み出しの間での追い越しを好適に抑制できる新規な構成を提供する。 - 特許庁

A write/read command is defined in common to the memory card 40 allowing for security and a memory card which does not allow for security.例文帳に追加

書き込み／読み出し用のコマンドがセキュリティ対応のメモリカード４０と、非対応のものとで共通に定義される。 - 特許庁

DATA-DRIVEN TAG TABLE APPARATUS, DATA-DRIVEN CACHE MEMORY, AND READ AND WRITE METHOD IN DATA-DRIVEN CACHE MEMORY例文帳に追加

データ駆動型タグテーブル装置及びデータ駆動型キャッシュメモリ並びにデータ駆動型キャッシュメモリでのリード及びライト方法 - 特許庁

To efficiently transfer recording data among a host device, a buffer memory and a read/write head.例文帳に追加

ホスト装置、バッファメモリ、及び記録再生ヘッド間での記録データの転送を効率的に行う。 - 特許庁

A write node accessible to the memory is expressed as mem_w, whereas a read node is expressed as mem_r.例文帳に追加

メモリへのアクセスが可能な書込ノードはmem_wとして表現され、読出ノードはmem_rとして表現される。 - 特許庁

The recording part 3 is composed of a magnetic recording layer, direct-read- after-write type optical recording layer or integrated circuit(IC) memory.例文帳に追加

記録部３は、磁気記録層、追記型光記録層又はＩＣ（集積回路）メモリからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having small circuit scale without delaying read/write operation.例文帳に追加

読出し／書込み動作を遅延させず、回路規模の小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device performing high speed operation and stable read-out/write-in operation.例文帳に追加

高速の動作及び安定した読み出し/ 書き込み動作をする半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A compressing and restoring device which compresses write data and also restore read data is built in the memory.例文帳に追加

ライトデータを圧縮するとともにリードデータを復元する圧縮／復元装置をメモリに内蔵する。 - 特許庁

Two adjacent blocks are continuously processed and read/write of the frame memory is conducted in parallel therewith.例文帳に追加

隣接した２ブロックが連続的に処理され、それと並行してフレームメモリの読み書きが行われる。 - 特許庁

Read/write control of a frame memory 2 is performed based on these information to select a display frame.例文帳に追加

これらの情報を基にフレームメモリ２のリード・ライト制御が行なわれ、表示フレームが選別される。 - 特許庁

To provide a serial access memory and a data-write/read-method in which a test time can be shortened.例文帳に追加

テスト時間を短縮することが可能なシリアルアクセスメモリおよびデータライト／リード方法を提供する - 特許庁

To accelerate data access concerning an information processing device for performing read/write to an external memory.例文帳に追加

外部メモリに対してリード／ライトを行う情報処理デバイスにおいて、データ・アクセスを高速化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor flash memory which can rapidly read and write meta information and has a long life.例文帳に追加

高速にメタ情報の読み書きができ且つ寿命が長い半導体フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which assures high-speed data read and write operations.例文帳に追加

データ読出および書込動作を高速化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Main control circuitry becomes operable to read and write operational data associated with the magnetron from/to the memory.例文帳に追加

主制御回路が、マグネトロンに関連する動作データをメモリに読み書きすべく動作可能となる。 - 特許庁

To provide a serial access memory and a data write/read method in which a test time is reduced.例文帳に追加

テスト時間を短縮することが可能なシリアルアクセスメモリおよびデータライト／リード方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of speeding up read-out and write-in operation speed of data.例文帳に追加

データの読出／書込動作の高速化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To perform control of erase, write and read by every memory transistor separately and independently.例文帳に追加

メモリトランジスタ毎に、消去と書き込みと読み出しの制御を別個独立に実行できるようにする。 - 特許庁

To write or read an information signal exceeding capacity of one memory.例文帳に追加

１個のメモリの容量を越える情報信号の書き込みもしくは読み出しを行なえるようにする。 - 特許庁

In this case, the DMA section 22Y compares a write pointer WP of a data write section 21 with a read pointer RP denoting a read position when the data write section 21 makes writing to read the image data from the page memory 4 in a way that the read pointer RP does not overtake the write pointer WP.例文帳に追加

このとき、ＤＭＡ部２２Ｙは、データ書込部２１が書込を行っているときは、データ書込部２１の書込ポインタＷＰと、読出位置を示す読出ポインタＲＰとを比較し、読出ポインタＲＰが書込ポインタＷＰを超さないようにしながら、ページメモリ４から画像データを読み出す。 - 特許庁

To provide a resistive memory element capable of controlling switch driving voltage and current by including a memory part and a resistor part for controlling a switching window, allowed to be used as a WORM (write only read memory) type memory and having excellent operation reliability.例文帳に追加

メモリ部とスイッチングウィンドウを調整する抵抗部とを含むことによりスイッチ駆動電圧および電流を調節することが可能であり、ＷＯＲＭ(Write Once Read Memory)型メモリとして使用可能であり、動作信頼性にも優れた抵抗変化型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which read and write operation can be performed by access of only one time, even when data of bit width toward a memory cell array are read and writen from an address on a middle way.例文帳に追加

途中のアドレスからメモリセルアレイの行方向のビット幅分のデータを読み書きする場合でも、１回のアクセスでよい半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

The multiplexed signal is stored in a memory 120 in accordance with write address setting data and is read out from the memory 120 in accordance with read address setting data.例文帳に追加

メモリ１２０は書き込みアドレス設定データに従って多重化信号を記憶し、また、読み出しアドレス設定データに従って多重化信号を読み出す。 - 特許庁

The memory access test control circuit reads out test data from the memory and compares read test data and write data to execute memory access timing adjustment.例文帳に追加

メモリアクセステスト制御回路は、メモリからテストデータを読み出し、読み出したテストデータと書き込みデータを比較し、メモリアクセスタイミング調整を実行する。 - 特許庁

During the wafer burn-in test operation, a write/read control means 607 controls the write operation to the memory cell array 601 and read operation from the memory array 601 in response to the signal to be applied to the fourth pin A3.例文帳に追加

ウェハバーンインテスト時、書込み／読出し制御手段607 が第４ピンA3に印加される信号に応答して前記メモリセルアレイ601 に対する書込み動作及び前記メモリセルアレイ601 からの読出し動作を制御する。 - 特許庁

A data read rate is set, for example, quadruple as high as a data write rate in the buffer memory 21, and a data read rate is set, for example, to a quarter of the data write rate in the buffer memory 14.例文帳に追加

バッファメモリ２１におけるデータ読出し速度は、データ書込み速度の例えば４倍に設定され、バッファメモリ１４におけるデータ読出し速度は、データ書込み速度の例えば１／４倍に設定されている。 - 特許庁

A write address generating section 2 generates a write address signal of the memory section 11, and a read address generating section 3 generates a read address signal for the memory section 11 and generates a selection instruction signal to the select section 13.例文帳に追加

ライトアドレス生成部２はメモリ部１１のライトアドレス信号を生成し、リードアドレス生成部３はメモリ部１１のリードアドレス信号の生成と、セレクト部１３への選択指示信号の生成とを行う。 - 特許庁

The basic memory requires key information in reading writing the information, so that an automatic transaction device can read write the information, however, the general user can neither read or write.例文帳に追加

基本メモリは情報の読み書きに鍵情報が必要とされるため、自動取引装置は情報の読み書き可能であるが、一般のユーザは読み書き不能である。 - 特許庁

To provide a data read-out method and a data write-in method of a multi-value nonvolatile semiconductor memory apparatus in which a data read-out time and a data write-in time can be shortened.例文帳に追加

データ読出時間およびデータ書込み時間を短縮することが可能な多値不揮発性半導体記憶装置のデータ読出方法および書込方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell MTJ is provided with write-word lines WWL and read-word lines RWL used for write-in and read-out of data respectively.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルに対しては、データ書込およびデータ読出にそれぞれ用いられるライトワード線ＷＷＬおよびリードワード線ＲＷＬが独立して設けられる。 - 特許庁

When there is read access to a memory address where write is not completed, the read data selection circuit 5 selects and outputs the write data latched by the latch function circuit 50.例文帳に追加

まだライトが完了していないメモリアドレスに対するリードアクセスがあったとき、リードデータ選択回路５はラッチ機能回路５０にラッチされたライトデータを選択して出力する。 - 特許庁

Information read out from the non-write selection nonvolatile memory cell out of read out storage information is excluded from discrimination object of success or not for the write processing.例文帳に追加

読出した記憶情報の内、書込み非選択の不揮発性メモリセルから読み出した情報を、前記書込み処理に対する成功可否の判定対象から除外する。 - 特許庁

A write-read control unit 53 controls a switching operation between a readable line memory and a writable lime memory alternately within a first line memory and a second line memory 51a and 51b.例文帳に追加

書込読出制御部５３は第１及び第２のラインメモリ５１ａ，５１ｂの中から読み出し可能なラインメモリと書き込み可能なラインメモリとを交互に切り換える制御する。 - 特許庁