「SILICIFICATION」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When a silicification annealing is conducted under the state, the stress film 7 has a tensile stress 10a.例文帳に追加

この状態でシリサイド化アニールを行うと、ストレス膜７は引っ張り応力１０ａを有する。 - 特許庁

Silicide layers 9 formed by a silicification of the surfaces of diffused layers 6 are formed into a roughened shape.例文帳に追加

拡散層６表面のシリサイド化により形成されたシリサイド層９を凹凸形状に形成する。 - 特許庁

The metallic film 6 for the silicification has a compressive stress 10b so as to correspond to the tensile stress.例文帳に追加

この応力に対応するように、シリサイド化用金属膜６は圧縮応力１０ｂを有する。 - 特許庁

This renders the surface of a silicide layer 66, which is formed by the silicification of polysilicon, sufficiently smooth as well.例文帳に追加

これにより、ポリシリコンの珪化により形成される珪化物層６６の表面も十分平滑になる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with superior electrical characteristics including a silicification process with high controllability.例文帳に追加

電気特性に優れ、制御性の良いシリサイド化工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the dummy diffusion layer 11 is covered with a dummy gate electrode 13 and protected against silicification.例文帳に追加

ダミー拡散層１１の表面はダミーゲート電極１３によって覆われており、シリサイド化が防止されている。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device in which a gate electrode having various patterns can be subjected to full silicification.例文帳に追加

様々なパターンを有するゲート電極をフルシリサイド化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the stem becomes strong by silicification, and the stem does not break even when the stem is heavy with ears of rice.例文帳に追加

これにより、茎はケイ化されて強固になるため、稲穂がたわわに実ったとしても、茎が折れたりすることがない。 - 特許庁

Therefore, even though such a high-melting- point metal as Ti on the polysilicon to subject them to a heat treatment is deposited, the metal is privented from being obstructed in silicification.例文帳に追加

従ってポリシリコン上にＴｉなどの高融点金属を堆積して熱処理してもシリサイド化が阻害されない。 - 特許庁

After the hard mask is removed, the self-aligned silicification of the gate electrode 3 and the formation of a contact for the electrode 3 can be performed easily.例文帳に追加

ハードマスク除去後は、ゲート電極３のサリサイド化や、ゲート電極３に対するコンタクトの形成を容易に行うことができる。 - 特許庁

The source-drain 5 is formed on the silicon board 1, and a metallic film (an Ni film) 6 for a silicification and a stress film 7 are formed on the source-drain 5.例文帳に追加

シリコン基板１の上にソース・ドレイン５を形成し、その上にシリサイド化用金属膜（Ｎｉ膜）６、ストレス膜７を形成する。 - 特許庁

A region on the left polysilicon part 5 is subjected to a preferable silicification treatment without introducing an additional masking step.例文帳に追加

残されたポリシリコン部分５の領域において、付加的なマスキングステップを何ら導入することなく、代わりの望ましいシリサイド化処理が行われる。 - 特許庁

The above method includes a process of depositing an iridium(Ir) interface layer between an Ni layer and an Si layer before execution of reaction for silicification.例文帳に追加

上記方法は、シリサイド化反応を行う前にＮｉ層とＳｉ層との間にイリジウム（Ｉｒ）界面層を堆積させる工程を含む。 - 特許庁

There is provided a diamond fine particle having silicon and/or fluorine, wherein silicification treatment and/or fluorination treatment is applied to a diamond fine particle.例文帳に追加

ダイヤモンド微粒子をケイ素化処理及び／又はフッ素化処理してなることを特徴とするケイ素及び／又はフッ素を有するダイヤモンド微粒子。 - 特許庁

A first metal film (Co) 18 conducive to silicification is deposited on the whole surface so as to cover the top surface of gate electrode 13 and the high-concentration regions 17 of source/drain regions.例文帳に追加

ゲート電極１３上部及びソース／ドレインの高濃度領域１７を覆うように全面にシリサイド化に寄与する第１の金属膜（Ｃｏ）１８を堆積する。 - 特許庁

A step is provided, where a dielectric film 6 is formed so as to cover all regions which require a silicification treatment before a silicifying step is carried out, and a polysilicon part 5 is not covered with the dielectric film 6.例文帳に追加

シリサイド化ステップの前に、シリサイド化処理が重要となり得る全領域を覆うように誘電膜６を形成し、ポリシリコン部分５のみを被覆しない状態に残すステップを有する。 - 特許庁

Standard processes are used, except that the exposed surface of a polysilicon layer 58 is transformed into amorphous polysilicon through implantation of a neutral material prior to the silicification of the polysilicon layer 58.例文帳に追加

標準のプロセスを用いるが、ただし、ポリシリコン層５８の珪化を行う前に中性物質を注入することにより、ポリシリコン５８の露出面をアモルファス・ポリシリコンに変質させる。 - 特許庁

If the deposition time is insufficient as the time for diffusing Si into the electrode film and as the progressing time of silicification reaction during deposition of the electrode film, multistage film deposition may be performed such that film deposition is interrupted after depositing several atomic layers until silicification reaction progresses through diffusion of Si and the electrode film is deposited again upon elapsing an appropriate time.例文帳に追加

また、電極膜を成膜中にＳｉが電極膜中に拡散するための時間およびシリサイド化反応が進む時間が、成膜時間だけでは足らない場合は、数原子層成膜した後、Ｓｉが拡散してシリサイド化反応が進むまで成膜を止めて、適切な時間が経過した後、再び電極膜を成膜する、多段階成膜法をおこなっても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, by which a margin in temperature at heat treatment is widened for silicification of cobalt, by preventing oxygen surely from mingling into cobalt silicide.例文帳に追加

コバルトシリサイド中への酸素の混入を充分に防止することにより、コバルトをシリサイド化させる際の熱処理の温度マージンを広くとることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

While providing such a process, the dummy pattern 12DMY at least on the underside and in the vicinity of a fuse element FUSE forming region is covered with a protective film 252 thus preventing silicification.例文帳に追加

このような工程を具備しつつ、上記サリサイド工程の前に少なくともヒューズ素子ＦＵＳＥ形成予定領域下及び近傍のダミーパターン１２ＤＭＹを保護膜２５２で覆い、シリサイド化を防ぐようにする。 - 特許庁

Polysilicon plugs 14a, 14b are formed in a contact hole 13 penetrating a silicification prevention protective film 8 and a first interlayer insulating film 12 on the source region 7a and the drain region 7b of the transistor for memory.例文帳に追加

メモリ用トランジスタのソース領域７ａ、ドレイン領域７ｂ上には、シリサイド化防止保護膜８及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１３内にポリシリコンプラグ１４ａ、１４ｂが形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that, when a silicide film is formed on a source-drain region, the silicide film penetrates through the source-drain region or an SOI layer disappears, because Si is consumed by a silicification reaction.例文帳に追加

従来のサリサイド法により、ソース・ドレイン領域上にシリサイド膜を形成すると、Ｓｉがシリサイド化反応によって消費されるため、シリサイド膜がソース・ドレイン領域を突き抜けたり、ＳＯＩ層が消失したりする。 - 特許庁

Alternatively, metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited and are heat-treated to fix a metal silicide thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on a surface thereof.例文帳に追加

あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 - 特許庁

To prevent a metal from obstructed in being silicification due to carbide, even though a resist material is knocked on a polysilicon and injected thereinto to generate the carbide, when injecting ions into the gate-polysilicon through using the resist as a mask in the dual gate process of a salicide structure.例文帳に追加

サリサイド構造のデュアルゲートプロセスにおいて、ゲートポリシリコンへのレジストをマスクとしたイオン注入で、レジスト材料がポリシリコンへノックオン注入されて炭化物が生ずるが、この炭化物によるシリサイド化の阻害を防止する。 - 特許庁

When a titanium film 17 is deposited over the whole surface, and after the film 17 is heat-treated for silicification and unreacted titanium is removed thereafter, a state results in which titanium silicide layers 18 are formed only on the gate electrode 14 and diffusion regions.例文帳に追加

その後、チタン膜１７を全面に堆積し、シリサイド化のための熱処理を施した後、未反応のＴｉを除去すると、ゲート電極１４上および拡散領域上にのみ、チタンシリサイド層１８が形成された状態となる。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is provided on a semiconductor substrate an adhesive layer made of a material selected from a group comprising high-melting-point metals, alloys of high-melting-point metals, nitrides of high-melting-point metals, and silicification nitrides of high-melting-point metals.例文帳に追加

半導体基板の上に、高融点金属、高融点金属の合金、高融点金属の窒化物、及び高融点金属の珪化窒化物からなる群より選択された一つの材料で形成された密着層が配置されている。 - 特許庁

The silicification at the interface of the first titan silicide film 18a1 is suppressed by making the first titan silicide film 18a1 in contact with a plug 19 or impurity semiconductor regions 14 and 15 contain nitrogen of 20 atom% or over.例文帳に追加

プラグ１９または不純物半導体領域１４，１５と接する第１チタンシリサイド膜１８ａ_1 に２０原子％以上の窒素を含有させることにより、第１チタンシリサイド膜１８ａ_1 界面でのシリサイド化反応を抑える。 - 特許庁

Then, after a metal, such as the Co etc., is caused to deposit on a silicon substrate 1, the substrate 1 is introduced into a furnace and silicification is progressed by heating the substrate to a temperature of 400-550°C and further heating the substrate to a temperature of 800-930°C in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

そして、シリコン基板１の上に、Ｃｏ等の金属を堆積した後、基板を炉に導入し、窒素雰囲気中において、４００℃〜５５０℃の温度まで加熱し、さらに、８００℃〜９３０℃の温度まで加熱することにより、シリサイド化を進行させる。 - 特許庁

In the process, a first temporary gate sidewall spacer defines a rising source/drain formation area, a second temporary spacer defines a source/drain injection and source/drain silicification area, and the temporary gate is protected from being silicified by the hard mask.例文帳に追加

その処理において、第１の一時ゲート側壁スペーサは隆起したソースおよびドレインの形成用の領域を定義し、第２の一時スペーサはソースおよびドレインの注入用ならびにソースおよびドレインの珪化用の領域を定義し、一時ゲートはハードマスクによって珪化から保護される。 - 特許庁

Metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited, metal chemical species to become a sulfidization compound or sulfides thereof are deposited, and they are heated in a sulfur atmosphere to simultaneously fix a laminate thin film of metal silicides and sulfides on a surface of a base material.例文帳に追加

珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 - 特許庁

Before depositing a high melting point metal to be silicified, edge chamfering is executed to avoid production of burrs on the upper face of the gate electrode, and then silicification is carried out so as to relax concentration of a film stress caused at heat treatment, thereby forming the silicide layer with a uniform and sufficient thickness.例文帳に追加

シリサイド化する高融点金属の堆積前に、ゲート電極上面に角が発生しないように端部丸めを実施した後にシリサイド化を行ことで、熱処理時に発生する膜応力の集中を緩和し、均一でかつ十分な厚さのシリサイド層を形成する。 - 特許庁

Next, only the mutual diffusion of Ti atoms on the side of the barrier layer 14 and Si atoms in a substrate 11 is performed, at least one-hour diffusion thermal treatment is performed at the temperature of 400°C where silicification does not occur to sufficiently diffuse the Si atoms on the side of the barrier layer 14 and the Ti atoms in the substrate 11, respectively, thereby forming a diffusion layer 16A.例文帳に追加

次に、バリア層１４側のＴｉ原子と基板１１のＳｉ原子との互いの拡散のみを行ない、シリサイド化が生じない温度である４００℃で少なくとも１時間の拡散用熱処理を行なってシリコン原子をバリア層１４側に且つＴｉ原子を基板１１中に十分に拡散させることにより、拡散層１６Ａを形成する。 - 特許庁