「Scribe」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Before carrying out the dicing, a first surface protecting film 14 formed before measuring treatment using the electrode pad 13 is located on the upper surface of chip area 10a on a semiconductor substrate 11, and a second surface protecting film 16 formed before measuring treatment using the electrode pad 13 is located on the upper surface of a scribe area 10b on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１におけるチップ領域１０ａの上面には、電極パッド１３を用いた測定処理前に形成した第１の表面保護膜１４を設け、半導体基板１１におけるスクライブ領域１０ｂの上面には、電極パッド１３を用いた測定処理後に形成した第２の表面保護膜１６を設けてダイシングを行う。 - 特許庁

In a manufacturing process of the dummy bump BD, a seed film 31 is selectively remained after plating using a material of the dummy bump BD is performed on the seed film 31, whereby the dummy bump BD is connected to a scribe line SC provided between the child chip 2 and other chip 4 adjacent to the child chip 2 via the remained portion of the seed film 31.例文帳に追加

ダミーバンプＢＤの製造工程において、シード膜３１上にダミーバンプＢＤの材料を用いたメッキを行った後、シード膜３１を選択的に残しておくことにより、ダミーバンプＢＤは、このシード膜３１の残留部分を介して、子チップ２と子チップ２に隣接する他のチップ４との間に設けられたスクライブラインＳＣに接続されている。 - 特許庁

When a groove 85 is to be formed on the surface 84b of a color filter panel 84, a cutting tool 11 is slid to scribe while air is blown to the cutting blade 12, and the chips of the panel blown up by the air is prevented from splashing by a sucking port 14 and sucked and removed by a sucking means 15.例文帳に追加

カラーフィルタパネル８４の表面８４ｂ上に溝８５を刻設する場合にあっては、切削具１１を摺動させて刻設するとともに切刃１２に向けてエアーを吹き掛け、当該エアーによって吹き上げられたパネルの破片が飛散するのを吸引口１４で遮って、当該破片を吸引手段１５によって吸引し、除去する。 - 特許庁

The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.例文帳に追加

ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のＩＣパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor devices wherein a plurality of semiconductor elements formed on a wafer 5 are separated into individual devices by a dicing saw cutting the wafer 5 along scribe lines 30 in between the elements, at least the metal pattern is removed before dicing from the dicing lines 40 along which the wafer 5 is to be cut by the saw.例文帳に追加

半導体装置としてのウエハ５上に複数の半導体素子を形成した後、素子間のスクライブライン３０に沿ってダイシングソーで半導体装置を切断する半導体装置の製造方法において、スクライブライン３０のダイシングソーで切断する部分であるダイシングライン４０から少なくともメタルパターンをダイシング前に除去した。 - 特許庁

A step for forming a P type buried layer preceding a step for forming an N type epitaxial layer by growing an N type epitaxial layer is carried out for a portion where a scribe line is formed while masking that portion by a resist film 81A formed on an oxide film or by utilizing an oxide film 90A itself.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層を成長させて形成するＮ型エピタキシャル層形成工程より先に行うＰ型埋め込み層形成工程を、スクライブラインが形成される部分については、酸化膜上に形成したレジスト膜８１Ａによってマスキングをした状態で、或いは酸化膜自体９０Ａを利用してマスキングをした状態で行うようする。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus where an opening is formed from the back of a semiconductor substrate 1 such that a pad electrode 3 formed thereon is exposed and a wiring layer 10 is formed for the pad electrode 3 through the opening, an opening 6b for monitoring the formation state of the opening is formed on a scribe line.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

The semiconductor substrate can be formed by forming the plurality of groove portions along the scribe lines, forming the surface insulating layer by coating the surface on the side where the plurality of groove portions are formed with an insulating material, and forming the wiring electrodes which are connected to the semiconductor substrate and are in the protruding shape rising above the surface of the surface insulating layer after the surface insulating layer is formed.例文帳に追加

半導体基板はスクライブラインに沿って複数の溝部を形成し、複数の溝部が形成されている側の表面に絶縁材を塗布して表面絶縁層を形成し、半導体装置に接続され、かつ表面絶縁層の表面よりも上に浮かび上がった凸状の配線電極を表面絶縁層よりも後に形成することによって製造することができる。 - 特許庁

In the multi-wiring film forming step, a dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed in a region other than the dicing region in the scribe line region, and no dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed at least on an upper part of the interlayer insulating film in the dicing region.例文帳に追加

そして、前記多層配線膜を形成する工程において、前記スクライブライン領域における前記ダイシング領域を除く領域には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成し、前記ダイシング領域における前記層間絶縁膜の少なくとも上部には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成しない。 - 特許庁

In the method of manufacturing the photoelectric conversion element which has a scribing step of forming a scribe 30 on a film 13 including the transparent electrically conductive film 12 which is formed on the glass substrate 11, the scribing step is performed with a laser beam 15 induced with water jet 16 having a diameter of ≤100 μm and the laser beam 15 is emitted from the side of the film 13 toward the side of the glass substrate 11.例文帳に追加

ガラス基板１１上に成膜された透明導電膜１２を含む膜１３にスクライブ３０を形成するスクライブ工程を有する光電変換素子の製造方法において、スクライブ工程は直径が１００μｍ以下の水ジェット１６で誘導したレーザー光線１５によって行われ、レーザー光線１５を膜１３側からガラス基板１１側に向かって照射する。 - 特許庁

In a wafer-shaped SOI substrate 10, an epitaxial silicon layer 22, which is a convex formation material layer, is formed through an epitaxial growth method on a second silicon layer 16 constituting an SOI layer of the mark formation area 150, which is a scribe line area, and then the corresponding epitaxial silicon layer is etched to pattern a convex 22a as a positioning mark.例文帳に追加

ウェハ状のＳＯＩ基板１０のうち、スクライブライン領域であるマーク形成領域１５０のＳＯＩ層を構成する第２のシリコン層１６上に、エピタキシャル成長法によって凸部形成用材料層であるエピタキシャルシリコン層２２を形成した後、当該エピタキシャルシリコン層に対してエッチングを行って、位置合わせ用マークとしての凸部２２ａをパターニング形成する。 - 特許庁

This is why the group in a direct line from Zeami was finished after Motomasa died; however, it is believed that as this Juro dayu grew up, he carried out activities based on Yamato which was a place remembered in connection with his father, with the support of Motomasa's younger brother, Motoyoshi KANZE (scribe of "Sarugaku dangi" (An Account of Zeami's Reflections on Art)), and Motoyoshi's son, Saburo, and the Juni family (branch of the Honami family) who was close to the Kanze group and was an influential Sarugaku performer. 例文帳に追加

そのため元雅の死後、世阿弥直系の座は一度破滅を見ていたが、この十郎大夫の成長に従い、元雅の弟観世元能（『申楽談義』の筆記者）とその息子・三郎、また観世座に近い有力な猿楽師であった十二家などの後援を受け、父祖ゆかりの大和の地を根拠に活動したと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As a plurality of LSI formed on a wafer 1, a digital circuit 6 is packaged on a die area, a test circuit 5 is provided on a scribe line formed on the wafer 1, input and output pads 4 to become interfaces with the test circuit 5 on the die area are connected by wiring, and a test signal is supplied by using the input and output pads 4.例文帳に追加

ウエハ１上に形成された複数のＬＳＩとして、ダイ領域上にはデジタル回路６を搭載し、またウエハ１上に形成されたスクライブライン上にはテスト回路５を備え、そのテスト回路５とダイ領域上のインターフェイス部となる入力及び出力パッド部４とを配線で接続し、入力及び出力パッド部４を用いて試験信号を供給する。 - 特許庁

A dicing tape 30 wherein an adhesive layer 30b deteriorated by ultraviolet irradiation is provided on one surface is stuck to the second surface of a semiconductor wafer 1 wherein no circuit element is formed, and then a mask 31 is used to conduct ultraviolet irradiation so that the adhesive layer corresponding to the scribe area 8 of the semiconductor wafer 1 is deteriorated by an ultraviolet ray to make a reformed adhesive layer.例文帳に追加

回路素子が形成されない半導体ウエハ１の第２の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層３０ｂを一面に有するダイシングテープ３０を貼り付けた後、マスク３１を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ１のスクライブ領域８に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分とする。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises: forming a semiconductor circuit 2 in a chip region of a semiconductor wafer; forming a semiconductor circuit 1 for measurement having characteristics corresponding to characteristics of the semiconductor circuit 2 in a scribe region of the semiconductor wafer; and measuring characteristics of the semiconductor circuit 1 for measurement to correct the semiconductor circuit 2 formed in the chip region based on the measurement result by the semiconductor circuit 1 for measurement.例文帳に追加

半導体ウェハのチップ領域に半導体回路２を形成し、半導体ウェハのスクライブ領域に、半導体回路２の特性と対応する特性を備えた測定用半導体回路１を形成し、測定用半導体回路１の特性を測定し、測定用半導体回路１の測定結果に基づき、チップ領域に形成された半導体回路２を補正する。 - 特許庁

An alignment key formed of a first stepped part, formed of a first recess having a first depth from the surface of a semiconductor substrate in a scribe line region on the semiconductor substrate and a second stepped part formed of a second recess, having a second depth that is from the surface of the semiconductor substrate in a well region on the semiconductor substrate and equal to or smaller than the first depth are included.例文帳に追加

半導体基板のスクライブライン領域にて前記半導体基板の表面から第１深さを有する第１凹部により形成された第１段差部よりなるアラインキーと、前記半導体基板のウェル領域にて前記半導体基板の表面から前記第１深さと同じか浅い第２深さを有する第２凹部により形成された第２段差部とを含む。 - 特許庁

A laser beam generating device 210 irradiates a first laser beam 130 with which the cut route 200 set on the non-metallic substrate is heated and a scribe line 210 is formed on the cut route 200, and a second laser beam 150 with which a beam pattern is formed along the irradiation route of the first laser beam 130 separated by a predetermined distance from the first laser beam 130.例文帳に追加

レーザビーム発生装置２１０は非メタル基板に設定された切断経路２００を加熱して切断経路２００上にスクライブライン２１０を形成する第１レーザビーム１３０を照射し、第１レーザビーム１３０と所定距離離隔されて第１レーザビーム１３０の照射経路に沿って一つのビームパターンを形成する第２レーザビーム１５０を照射する。 - 特許庁

Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark.例文帳に追加

スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。 - 特許庁

The laser dicing apparatus 10 includes a stage 41 for mounting a wafer 80, and a laser output section (optical system 71) outputting at least two laser beams L1, L2, wherein at least the two laser beams L1, L2 pass the opposite sides of a conductive mark formed in the scribe area of the wafer 80 to avoid the mark thus dicing the wafer 80.例文帳に追加

ウエハ８０が載置されるステージ４１と、少なくとも二本のレーザビームＬ１、Ｌ２を出力するレーザ出力部（光学系７１）とを有し、前記ウエハ８０のスクライブ領域に形成された導電性のマークを避けるように、前記少なくとも二本のレーザビームＬ１、Ｌ２が前記マークの両脇を通って、前記ウエハ８０をダイシングすることを特徴とするレーザダイシング装置１０による。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier.例文帳に追加

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing method is capable of reducing the occurrence of defectives and providing more stable works than usual both in a polishing process and in a dicing process, by providing a process of hardening a part of the adhesive layer 21 of a protective sheet 20 corresponding to a part of scribe lines 12 which are provided on the protective sheet 20 pasted on a semiconductor wafer 10 to cut off the semiconductor wafer by dicing.例文帳に追加

本発明による半導体製造方法は、半導体ウェハー１０に貼付する保護シート２０上のダイシングによって切断することができるスクラブライン１２の部分に対応する保護シート２０の粘着層２１の部分を硬化させる工程を持つことにより、研磨する工程、および、ダイシングする工程において、不良の発生を低減し、より安定した作業を提供することができる。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a step of preparing wafer, having polysilicon pads 15 formed along scribe lines 21, a step of electrically testing the wafer by contacting a test needle for measuring test elementary groups to the pads 15, a step of dicing the wafer by a dicing blade to form a plurality of semiconductor chips 22, 23 and a step of mounting the semiconductor chips on a tape carrier package.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、スクライブライン２１にポリシリコンパッド１５が形成されたウエハを準備する工程と、ポリシリコンパッド１５にＴＥＧ測定のための測定用針を接触させてウエハの電気的な試験を行う工程と、ダイシングブレードを用いて前記ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体チップ２２，２３を形成する工程と、前記半導体チップにＴＣＰ実装を行う工程と、を具備するものである。 - 特許庁

The dicing method of rotating the dicing blade to cut a substrate includes: a blade lowering process of lowering the dicing blade down to the substrate to cut the substrate; a cutting process of cutting the substrate while moving the dicing blade only by a predetermined distance along the scribe line after the blade lowering process; and a blade lifting process of lifting the dicing blade until it completely leaves the substrate after the cutting process.例文帳に追加

ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a cleaning step of cleaning the insulative light-transmissive substrate before laser scribe, and a drying step of drying the cleaned insulative light-transmissive substrate.例文帳に追加

絶縁透光性基板上に少なくとも第一電極層、光電変換ユニット及び第二電極層を有する積層体が積層され、前記絶縁透光性基板の表面の周部にはレーザスクライブすることによって積層体が除去された裸地部があり、前記裸地部の一部又は全部と積層体とを被覆する封止層が設けられた光電変換装置の製造方法において、前記レーザスクライブ前に前記絶縁透光性基板を洗浄する洗浄工程と洗浄された前記絶縁透光性基板を乾燥させる乾燥工程を具備することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁