「Scribe」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A groove 5 for reducing the thickness is formed on the surface at a semiconductor layer formation side of a semiconductor wafer 1 and a scribe line 6 as a division groove is formed.例文帳に追加

半導体ウエハー１の半導体層形成側の表面に減厚用溝５を形成するとともに分割用溝としてのスクライブライン６を形成する。 - 特許庁

The scribing apparatus 1 comprises a support base 3, a scribe head 5, an optical reading part (CCD camera) 6, the moving part 42 of a moving mechanism part, and a control section.例文帳に追加

本発明に係るスクライブ装置１は、支持台３と、スクライブヘッド５と、光学読取部（ＣＣＤカメラ）６と、移動機構部の移動部４２と、制御部とを備える。 - 特許庁

It is unclear whether the addition of 'three' was subsequently made when 'the 3,000 teppo' in Hoan's version became popular or it was made by the scribe who immediately realized the mistake. 例文帳に追加

これは甫庵本の3000丁が一人歩きした後世の加筆なのか、筆を誤ったのに気付いてその場で加筆修正したのかは明らかではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A seal layer 30 is formed on a first glass substrate 10 in such a manner that it includes a straight line part parallel to a line on which a scribe line SL is formed.例文帳に追加

第１のガラス基板１０上に、スクライブラインＳＬが形成される予定の線に対して平行な直線部分を含むように、シール層３０を形成する。 - 特許庁

Then a scribe line SLx2 extending in the (x) direction on an external surface of a second glass substrate 302 is formed with the laser cutter to break the second glass substrate.例文帳に追加

そして、第２ガラス基板３０２の外側表面においてｘ方向に延在するスクライブラインＳＬｘ２を、レーザーカッターによって形成しブレイクする。 - 特許庁

The resin material is cured and then resin members 4 are formed on both sides of each scribe line 7 on the one surface of the device glass mother substrate 5.例文帳に追加

この樹脂材料が硬化することにより、デバイスガラス母基板５の一方面において、各スクライブ線７の両側に樹脂部材４が形成される。 - 特許庁

The electrode pad is formed only of the lowermost layer or a lower-layer wiring layer by using a process where the wiring layer is formed in multilayers on a scribe.例文帳に追加

スクライブ上において、多層で配線層が形成されるプロセスを用いて最下層もしくは出来るだけ下層の配線層だけで電極パッドを形成する。 - 特許庁

As scribe grooves 1, continuous line-type first grooves 1a, and broken line-type second grooves 1b are formed on the surface of a compound semiconductor wafer 10.例文帳に追加

スクライブ溝１として、化合物半導体ウエハ１０の表面部に連続線状の第一溝１ａと、破線状の第二溝１ｂとを形成する。 - 特許庁

To manufacture an electrooptical device suitable for miniaturization by enhancing reliability while preventing dielectric breakdown and element breakdown by laser scribe treatment upon manufacture thereof.例文帳に追加

静電破壊や製造時のレーザースクライブ処理に伴う素子破壊を防止しつつ、信頼性を向上させて小型化に適する電気光学装置を製造する。 - 特許庁

To protect a semiconductor element under fabrication against impact of auto-doping from a scribe line portion in the process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、スクライブライン部分からのオートドーピングの影響が形成中の半導体素子に及び難いようにすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, preventing a scribe line from having an abnormal appearance with respect to overetching for opening a pad, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

パッド開口時のオーバーエッチングに対し、スクライブラインが外観異常とならないような半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the second product table 14 is rotated, a shearing force and a tension are applied to the substrate G at scribe lines S on by the clamp bar as a pressing point.例文帳に追加

そして第２の製品テーブル１４を回動させると、クランプバーを押圧点として基板ＧのスクライブラインＳに対して剪断力と引張力が作用する。 - 特許庁

In a second laser scribe process, the positions of marks 21, 22 provided in the first laser scribe process are confirmed prior to the formation of a second groove 6, the distance among respective laser optical systems 30, 31, 32, 33 is corrected, and an adjustment is made so that the interval of the laser beams emitted to the substrate 1 becomes equal to that between prior first grooves 3.例文帳に追加

第二レーザスクライブ工程では、第二溝６の形成に先立って、第一レーザスクライブ工程の際に設けられたマーク２１，２２の位置を確認し、各レーザ光学系３０，３１，３２，３３同士の距離を補正し、基板１へ照射されるレーザ光の間隔が先の第一溝３同士の間隔と等しくなる様に調整する。 - 特許庁

The electrode pads 11 are arranged in the scribe line 5 with a width larger than a cut-off region 13 including the cut-off region 13 of the scribe line 5, and are formed of two metal wiring layers 21-2 and 21-3 excepting for the lowest metal wiring layers 21-1 in the three-layer metal wiring structure.例文帳に追加

プロセスモニタ用電極パッド１１は、スクライブライン５の切断領域１３を含んで切断領域１３よりも広い幅をもってスクライブライン５に配置されており、かつ、３層メタル配線構造のうち最下層のメタル配線層２１−１を除く２層のメタル配線層２１−２，２１−３によって形成されている。 - 特許庁

When the base material 1 for the substrate is divided from the scribe groove 9 as a starting point, microcracks generated on the inner surface of the scribe groove 9 formed on the surface of the base material 1 for the substrate in the thickness direction center part side of the base material 1 for the substrate are positioned on the end surface of the substrate 3 which is obtained by dividing.例文帳に追加

そのため、スクライブ溝９を起点として基板用基材１が分割されると、分割して得られる基板３の端面には、基板３の表面よりも基板３の厚さ方向中心部側に、スクライブ溝９を形成した際にスクライブ溝９の内面に発生したマイクロクラックが位置するようになる。 - 特許庁

An electrode terminal 12 testing a semiconductor integrated circuit is disposed on a scribe lane 13 provided for dividing the semiconductor integrated circuit, and the electrode terminal 12 on this scribe lane 13 is connected to electrode terminals 11a, 11b of the opposing semiconductor integrated circuit by a front layer wiring 15a.例文帳に追加

半導体集積回路を分割するために設けられているスクライブレーン１３上に、半導体集積回路を検査するための電極端子１２を配置し、このスクライブレーン１３上の電極端子１２に、相対する半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂを表層配線１５ａにより接続する。 - 特許庁

After that, the part of the interlayer film 6 on the scribe line 4s is selectively removed, so as to have the interlayer film 6 on the scribe line 4s removed or left with a thickness of not thicker than 5 nm when the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 in the chip region 1a is removed by polishing in the next process.例文帳に追加

その後、次に行われる研磨によってチップ領域１ａ内の凸パターン４上における層間膜６が除去された時点で、スクライブライン４ｓ上の層間膜６が除去されるかまたは５ｎｍ以下の膜厚で残るように、スクライブライン４ｓ上の層間膜６の一部を選択的に除去する。 - 特許庁

This scribe apparatus is equipped with a scribe body 10 having a contact member 13 contacting with work 100 and a vibration-generating member for imparting vibration to the member 13 in a crossing direction to a work surface and a support member 20 supporting the body 10 in a movable state in the vibrating direction.例文帳に追加

スクライブ装置は、ワーク１００に当たる当接部材１３及びこの当接部材１３にワーク面と交差する方向に振動を付与する振動発生部材１４を有するスクライブ本体１０と、このスクライブ本体１０を上記振動方向に移動可能に支持する支持部材２０とを備えている。 - 特許庁

In a separation step, a laser scribe forming procedure for performing proximal scribing to the joining part 13 of the optical element block 11B by irradiation with a laser beam in the plate thickness direction is performed and an impact force imparting procedure for imparting impact force to a part where a scribe 1 of the optical element block 11B is formed is performed.例文帳に追加

分離工程では、光学素子ブロック１１Ｂの接合部１３に近接して板厚方向にレーザー光を照射して罫書きするレーザースクライブ形成手順を実施し、光学素子ブロック１１Ｂのスクライブ１Ｂが形成された箇所に衝撃力を付与する衝撃力付与手順を実施する。 - 特許庁

When four semiconductor chips 2a-2d are exposed in a one-shot region SA at exposure time, TEGs 4a-4d are formed in the parts of a scribe region 3 near the respective corners of the one-shot region SA and a TEG 4e is formed in the part of the scribe region 3 at the center of the one-shot region SA.例文帳に追加

露光時の１ショット領域ＳＡにおいて、４つの半導体チップ２ａ〜２ｄが照射される場合、１ショット領域ＳＡにおける各々のコーナ部近傍のスクライブエリア３には、ＴＥＧ４ａ〜４ｄがそれぞれ形成され、１ショット領域ＳＡの中心部におけるスクライブエリア３にはＴＥＧ４ｅが形成される。 - 特許庁

In the reticle, an L-shaped mark at the diagonal part of the shot region 9 is formed on a scribe line 14 as a cross type mark 16 in units of the diagonal part of the shot region 9.例文帳に追加

ショット領域９の対角部のＬ字型マークは、ショット領域９の対角部単位に十字型マーク１６となってスクライブライン１４上に形成される。 - 特許庁

To provide a scribing device and method utilizing a multiaxial synchronized control which can treat an x-axis and y-axis scribe lines formed on a substrate in one operation.例文帳に追加

基板に形成されるＸ軸及びＹ軸スクライブラインを一工程によって処理することができる多軸同期制御を利用したスクライブ装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistance effect composite head which can pre scribe a narrow magnetic pole with a writing width of not wider than 0.5 μm with a necessary and sufficient machinning dimension tolerance.例文帳に追加

書込み幅が０．５μｍ以下という狭幅の磁極幅を必要十分な加工寸法公差をもって規定可能な磁気抵抗効果型複合ヘッドを提供する。 - 特許庁

To avoid the exposure of a gate electrode in a part near a scribe region on a chip (that is, a peripheral part of the chip), in a process of polishing an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層を研磨する工程において、チップ上におけるスクライブ領域に近い部分（すなわち、チップの周辺部）におけるゲート電極が露出しないようにする。 - 特許庁

To reduce a wafer test time by increasing integration density by utilizing scribe lines which do not affect the chip size and conducting a wafer test efficiently with few number of pins.例文帳に追加

チップサイズに影響しないスクライブ線を利用して集積率を向上させ、少ないピン数で効率よくウエハー試験を行いウエハーの試験時間を短縮する。 - 特許庁

A break surface after scribing approaches an ideal state in a case free from a disturbed part as compared with a case that a disturbed scribe surface is present and the breaking and cutting of high quality of the fragile material can be realized.例文帳に追加

乱れたスクライブ面が存在するよりは、乱れ部分が欠如していた方がスクライブ後のブレーク面が理想のものに近づき、高品質割断が実現できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chalcopyrite type thin-film solar cell improving power generation efficiency by reducing a non-power-generation region due to an error of a scribe position.例文帳に追加

スクライブ位置の誤差に起因する非発電領域を削減し、発電効率を向上させることができるカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

While aligning the orientation of the scribe groove 65a of a substrate product SP with the extension direction of the edge 71b of a supporting device 71, the substrate product SP is installed on the supporting device 71.例文帳に追加

基板生産物ＳＰのスクライブ溝６５ａの向きを支持装置７１のエッジ７１ｂの延在方向に合わせて、基板生産物ＳＰを支持装置７１に設置する。 - 特許庁

In a scribe-line region 3 on the wafer 1, a first stress-absorbing pattern 33 is formed at the same time when the wiring 31 of a first layer is formed in the chip region 2.例文帳に追加

また、ウェハ１上のスクライブライン領域３には、チップ領域２に第１層の配線３１を形成するときに、第１の応力吸収パターン３３を同時に形成する。 - 特許庁

In the scribe line region 5 of the semiconductor wafer, a first monitoring pattern 7, a second monitoring pattern 9 and a third monitoring pattern 11 are formed as the watermark monitoring patterns.例文帳に追加

半導体ウェハのスクライブライン領域５に、ウォーターマークモニタ用パターンとして第１モニタ用パターン７、第２モニタ用パターン９及び第３モニタ用パターン１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device in which a substrate made by connecting a plurality of cells used for a display device is divided at scribe line parts by the cells.例文帳に追加

表示装置に用いられるセルが複数連結された基板を、前記各セル毎にスクライブライン部分で分割する表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the first laser scribe process, laser beams are emitted from each laser optical system, and a first mark 21 corresponding to each laser optical system is provided in a transparent conductive film 2 on a substrate 1.例文帳に追加

第一レーザスクライブ工程では、各レーザ光学系からレーザ光を照射し、基板１の透明導電膜２に各レーザ光学系に対応する第一マーク２１を設ける。 - 特許庁

To provide a scribing method which can ensure a scribe processing even if a thin sheet glass substrate has a sheet thickness of a substrate of a range of 0.1-0.4 mm.例文帳に追加

基板の板厚が０．１ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲の薄板ガラス基板であっても、確実にスクライブ加工を行うことができるスクライブ方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a phenomenon in which a crack is not uniformly formed by a wheel 10 of a glass cutter when a projection or an earlier-formed scribe line is present on glass.例文帳に追加

ガラス上に凸部あるいはさきに形成されたスクライブラインが存在するときに、ガラスカッターのホイール１０によるクラックが均一に形成されない現象を対策する。 - 特許庁

To increase the number of semiconductor device that can be formed on a wafer by reducing a region of a scribe line by shortening a dicing width in a simple method.例文帳に追加

簡単な方法でダイシング幅を縮小化しスクライブラインの領域を縮小化することによって、ウエハに形成可能な半導体素子の数量を増加させる。 - 特許庁

To provide a display device wherein break of a glass substrate due to minute cracks is reduced by combining a scribe and break method with a laser cutting method, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

スクライブ・アンド・ブレーク法とレーザ切断法を組み合わせることで、微小クラックに起因するガラス基板の割れを低減した表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dummy pattern for chemical mechanical polishing (CMP) of a metal where high uniformity is provided in a chip and high chipping resistance is provided for a scribe line.例文帳に追加

チップ内では高い均一性を、スクライブ線では高い対チッピング耐性をもった金属の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）用のダミーパターンを提供することにある。 - 特許庁

To accurately detect influence of processing dispersion or damage associated with plasma processing including a solvent treatment after processing, in relation to a scribe corner monitor, a semiconductor wafer and a monitoring method.例文帳に追加

スクライブコーナモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関し、処理後の溶剤処理を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、ダメージの影響を精度良く検出する。 - 特許庁

A guard ring GR is formed of a material different from that of a semiconductor substrate 101 in the inner side of the chip area CA side than the portion diced in a scribe area LA.例文帳に追加

スクライブ領域ＬＡにてダイシングされる部分よりもチップ領域ＣＡの側の内部に、半導体基板１０１と異なる材料でガードリングＧＲを形成する。 - 特許庁

A surface wiring line 6 is connected from the bonding pad 3 to the through via 5 of the target chip 2-1 or adjacent chip 2-2 through the scribe region 4.例文帳に追加

表面配線６は、ボンディングパッド３からスクライブ領域４を介して対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の表面の貫通ビア５に接続されている。 - 特許庁

To share a probe card without being influenced by the array of its electrode pads and the width of a scribe region when inspecting a semiconductor device, thus reducing production costs of the probe card.例文帳に追加

半導体装置の検査において、電極パッドの配列、スクライブ領域の幅に影響されることなくプローブカードを共有化し、プローブカードの製作費用を低減する。 - 特許庁

A combined width of the chip region 100 and scribe region 200 in a direction parallel to the arrangement of the electrode pad 300 is an integral multiple of the electrode pad 300's interval.例文帳に追加

電極パッド３００の配列と平行な方向における、チップ領域１００とスクライブ領域２００を合わせた幅は、電極パッド３００間隔の整数倍である。 - 特許庁

If impact is given to the TFT substrate preform by a breaking device, a yTFT cutting surface 116y orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform from the yTFT scribe line is formed.例文帳に追加

ブレイク装置で衝撃を与えると、ｙＴＦＴスクライブラインからＴＦＴ基板母材の主面に直交するｙＴＦＴ分断面１１６ｙが形成される。 - 特許庁

In a semiconductor device 12, a scribe line region 14 is formed in the circumference of a semiconductor element region 20 where a ring-like equipotential ring 22 is formed.例文帳に追加

本発明の半導体装置１２は、リング状の等電位リング２２が形成されている半導体素子領域２０の周囲にスクライブ線領域１４が形成されている。 - 特許庁

Bonding pads 3 are arranged outside an intra-chip circuit region 2 of a semiconductor integrated circuit substrate 1, and scribe lines 4 are provided outside the bonding pads 3 for separating chips.例文帳に追加

半導体集積回路基板１のチップ内回路領域２の外側にボンディングパッド３が配列され、その外側にチップ分離のためのスクライブライン４が形成される。 - 特許庁