「Sense and reference」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory includes a high-speed startup circuit as well as a reference amplifier which generates a reference voltage according to an enable signal and supplies the reference voltage to a sense amplifier through a reference voltage supply line.例文帳に追加

イネーブル信号に応じて、リファレンス電圧を生成し、リファレンス電圧供給ラインを介してセンスアンプに供給するリファレンスアンプと共に、高速立上回路を備える。 - 特許庁

The sense amplifier circuit 100 includes a sense circuit 101 controlling a voltage applied to a load circuit 2 and a reference voltage generation circuit 103 applying a reference voltage to the sense circuit 101.例文帳に追加

本発明によるセンスアンプ回路１００は、負荷回路２に印加する電圧を制御するセンス回路１０１と、センス回路１０１に基準電圧を供給する基準電圧発生回路１０３とを具備する。 - 特許庁

A sense amplifier detects and amplifies potential difference between bit lines using the shifted potential as reference voltage.例文帳に追加

センスアンプはこの電位を参照電圧としてビット線間の電位差を増幅検知する。 - 特許庁

Each.unit in the reference cell array 200 is constituted of plural reference cells connected in series between circuits 210 which control the sense amplifier circuit 300 and a reference cell.例文帳に追加

基準セルアレイ内の各ユニットは、感知増幅器回路と基準セルとを制御する回路の間に直列連結された複数の基準セルで構成される。 - 特許庁

To solve the problem of a manufacturing variance while suppressing a reduction in a reading speed in constitution of a circuit of a sense amplifier and a sense amplifier reference.例文帳に追加

センス・アンプとセンス・アンプ・リファレンスの回路構成において、リード・スピードの低下を抑制しつつ、製造ばらつきの問題を解決する。 - 特許庁

Furthermore, the device comprises a sense amplifier circuit 300 which detects a current difference between the memory cell and the reference cell.例文帳に追加

メモリセルと基準セルとの電流差を検出する感知増幅器回路をさらに含む。 - 特許庁

The sense amplifier 26 compares output voltage of a cell with reference voltage, and outputs binary data.例文帳に追加

センスアンプ２６は、セルの出力電圧と基準電圧とを比較し、２値データを出力する。 - 特許庁

After latch of data the sense amplifier and the latch circuit are cut off at a gate A, the sense amplifier is made a non-operation state, also, BL and ZBL are made a reference potential VBL.例文帳に追加

データのラッチ後に、センスアンプとラッチ回路とをゲートＡで遮断し、センスアンプを非作動状態とし、かつ、ＢＬおよびＺＢＬを基準電位Ｖ_BLとする。 - 特許庁

A differential sense amplifier with a programmable reference is used for improving sense margins and can support an entire bit line rather than sense amplifiers being provided for individual fuses.例文帳に追加

プログラム可能参照を有する差動センス増幅器は、センス・マージンを改善するために使用され、個々のヒューズに設けられるセンス増幅器の代りに、ビット・ライン全体をサポートすることができる。 - 特許庁

One side of the input terminal of a differential amplifier 51 of each sense amplifier main body is connected to a sense line SN, and the other side of the input terminal is connected in common to a reference sense line RSN.例文帳に追加

各センスアンプ本体の差動アンプ５１の一方の入力端子はそれぞれセンス線ＳＮに接続され、他方の入力端子は共通に参照センス線ＲＳＮに接続される。 - 特許庁

To propose a self reference sense method that excludes setting of a guard band, and combines reliability and high speed.例文帳に追加

ガードバンドの設定を排除し、高信頼性と高速性を兼ね備えた自己リファレンスセンス方式を提案する。 - 特許庁

Voltage on the bit line is sensed and amplified by a sense amplifier based on a prescribed reference voltage.例文帳に追加

ビットライン上の電圧は所定の基準電圧を基準に感知増幅器によって感知増幅される。 - 特許庁

An intermediate layer 204 for forming magnetic tunnel coupling is formed between the sense layer 202 and the soft-reference layer 206.例文帳に追加

センス層202と軟基準層206の間には磁気トンネル接合を形成するための中間層204が配置される。 - 特許庁

A P type MOS transistor P3 is formed in the sense amplifier 107, and a P type MOS transistor P4 is formed in the sense amplifier reference circuit 108.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３はセンス・アンプ１０７に形成され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ４はセンス・アンプ・リファレンス回路１０８に形成されている。 - 特許庁

This memory comprises a sense amplifier circuit 100 composed of a reference voltage generator 120, a differential amplifier circuit 140 and a sense voltage generator 130, and a sense amplifier controller 200 for controlling operation of the sense amplifier circuit 100.例文帳に追加

本発明のメモリ装置は基準電圧発生器１２０、差動増幅器１４０、感知電圧発生器１３０で構成された感知増幅器回路１００と、この感知増幅器回路１００の動作の制御のための感知増幅器コントローラ２００とを含む。 - 特許庁

The reference voltage VRF1 is supplied to sense amplifiers SAA0-SAD1 corresponding to page A-D, and the reference voltage VRF2 is supplied to sense amplifiers SAD0-SAH1 corresponding to page E-H.例文帳に追加

基準電圧ＶＲＦ１をページＡ〜Ｄに対応するセンスアンプＳＡＡ０〜ＳＡＤ１に供給し、基準電圧ＶＲＦ２をページＥ〜Ｈに対応するセンスアンプＳＡＤ０〜ＳＡＨ１に供給する。 - 特許庁

Equalizing circuits E01-E0n provided between each sense line SN and reference sense line RSN consists of two NMOS transistors QNL and QNS being connected in series.例文帳に追加

各センス線ＳＮと参照センス線ＲＳＮの間に設けられるイコライズ回路Ｅ０１〜Ｅ０ｎは、二つのＮＭＯＳトランジスタＱＮ_L，ＱＮ_Sの直列接続により構成される。 - 特許庁

The detection circuit includes an output circuit for output of high or low by a sense circuit for sensing a physical quantity and for output of a sense voltage and a reference voltage circuit.例文帳に追加

検出回路は、物理量をセンスしセンス電圧を出力するセンス回路と、基準電圧回路とによりハイ又はローを出力する出力回路を備える。 - 特許庁

The plurality of memory cells (12') respectively have sense layers (18) and reference layers (40) separated by insulation layers (22).例文帳に追加

複数のメモリセル（１２´）はそれぞれ、絶縁層（２２）によって分離されるセンス層（１８）と基準層（４０）とを有する。 - 特許庁

A reference voltage generator circuit 25 having resistors R1, R2 and R3 is formed at the post stage of pre-sense amplifiers 2, 3.例文帳に追加

プリセンスアンプ２、３の後段に、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を有する参照電圧生成回路２５を設ける。 - 特許庁

A sense amplifier compares a current flowing in the memory cell with the reference voltage and detects data read out from the memory cell.例文帳に追加

センスアンプは、メモリセルに流れる電流と基準電圧を比較してメモリセルから読み出されたデータを検出する。 - 特許庁

Kannin in a broad sense, and, for reference, Shicho (also known as Jicho), workers from local provinces, are shown below. 例文帳に追加

ここでは広義の官人および参考として地方からの労働者である仕丁（しちょう・じちょう）を掲げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The self-reference sense circuit 21 generates read data of the test object cell based on the first and the second values.例文帳に追加

そしてセルフリファレンスセンス回路２１は、第１および第２の値に基づいてテスト対象セルの読出データを生成する。 - 特許庁

In this case, the shared sense circuit selectively connects the latch input node to the reference potential in response to the voltage of the sense node and the voltage of the first cache latch node.例文帳に追加

ここで、共有感知回路は感知ノードの電圧及び第１キャッシュラッチノードの電圧に回答して、ラッチ入力ノードを参照電位に選択的に連結する。 - 特許庁

Thereby, the level of the reference voltage Vref and the time point of generation of the sense amplifier enable signal SEN are made fixed.例文帳に追加

従って、基準電圧Ｖｒｅｆのレベル及びセンス増幅器イネーブル信号ＳＥＮの発生時点が一定になる。 - 特許庁

A sense amplifier includes a detection unit for detecting data and a capacitor coupled between a sense node and a reference potential, and is provided so as to be aligned from one ends of the bit lines in the second direction.例文帳に追加

センスアンプは、データを検出する検出部、および、センスノードと基準電位との間に接続されたキャパシタを含み、ビット線の一端から第２の方向に配列するように設けられている。 - 特許庁

During memory cell data read operation, the selected memory cell and the current reference circuit including the ReRAM reference cell are activated simultaneously, and the current reference circuit is configured to provide a current from the selected memory cell and the reference current from the current reference circuit to a sense amplifying circuit of ReRAM.例文帳に追加

メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ＲｅＲＡＭ基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ＲｅＲＡＭのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。 - 特許庁

A plurality of sense amplifiers (3, 4) are provided at a selection bit line, a remaining current (Irmn) corresponding to a current flowing in a memory cell and a reference current Iref being reference of threshold voltage of this memory cell are supplied to this sense amplifiers, and the current (Irmn) and the current Iref are sensed.例文帳に追加

選択ビット線に複数のセンスアンプ（３，４）を設け、このセンスアンプに対しメモリセルを流れる電流に対応する残存電流（Ｉｒｍｎ）とこのメモリセルのしきい値電圧の基準となる基準電流Ｉｒｅｆとを供給しこれらの電流をセンスする。 - 特許庁

An additional load and a current generating circuit are enabled in the first circuit path so that they are driven during a predecoding interval in operation so that voltage discriminated by a sense input of a comparator of the sense circuit is substantially equivalent to voltage of a reference signal established by the reference cell circuit path of a reference input of a comparator of the sense circuit.例文帳に追加

動作において、プリデコード間隔の間、追加の負荷及び電流発生回路が、センス回路の比較器のセンス入力によって判る電圧が前記センス回路の比較器の基準入力上の基準セル回路パスによって確立される基準信号の電圧と実質的に等価であるように駆動されるように、第１の回路パスにおいてイネーブルされる。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit in which a reference current existing between a ON-cell current and a OFF-cell current.例文帳に追加

オンセル電流とオフセル電流の間に存在する基準電流を発生させる感知増幅器回路を提供すること。 - 特許庁

A sense amplifier 24 amplifies the potential difference between the bit line BL and the reference bit line RB, in reading out data.例文帳に追加

センスアンプ２４は、データの読み出しに際して、ビット線ＢＬとリファレンスビット線ＲＢとの間に生じた電位差を増幅する。 - 特許庁

To easily and certainly make a steering wheel and a reference point of a turned wheel coincident and to sense sufficient reaction force by a driver.例文帳に追加

操舵ハンドルと転舵輪の基準点を容易にかつ的確に一致させることができ、運転者が良好な反力を知覚できるようにすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which includes a sense circuit having a column switching function of maintaining maximum capacity balance of a sense line and a reference data line and suppressing the increases of a circuit and a chip area to minimum.例文帳に追加

センス線、参照データ線の容量バランスを最大限に保ち、回路の増大とチップ面積の増大を最小限に抑えたカラム切り替え機能を持つセンス回路を有する半導体記憶装置を提供する - 特許庁

And at the time of read-out of data, potential difference caused between the bit lines BL and the reference bit line BLr is read out using the sense amplifier 53.例文帳に追加

そして、データの読み出し時に、ビット線ＢＬと参照ビット線ＢＬｒとの間に生じた電位差をセンスアンプ５３を用いて読み出す。 - 特許庁

The amplifier includes a single ended bit line from respective pixels, a small amplitude bit detector, a regenerative sense amplifier and a reference generation using precision analog reference.例文帳に追加

本発明の現在好適な実施例は、各画素からのシングルエンドビット線、小振幅ビット検出、再生式センス増幅器及び、精密アナログ基準を使用する基準発生を含む。 - 特許庁

This sense circuit has a first circuit branch corresponding to an array circuit path and a second circuit branch corresponding to a reference cell circuit path.例文帳に追加

このセンス回路は、アレイ回路パスに相当する第１の回路ブランチと基準セル回路パスに相当する第２の回路ブランチを有する。 - 特許庁

While sense operation is not performed, the level of a reference potential VrefM is turned into potential Vref1B by a switching circuit 2100 and while sense operation is performed, that level is turned into lower potential Vref2B.例文帳に追加

切換回路２１００は、センス動作が行なわれていない期間は、基準電位ＶｒｅｆＭのレベルを電位Ｖｒｅｆ１Ｂとし、センス動作が行なわれている期間は、より低い電位Ｖｒｅｆ２Ｂとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of reducing a chip area or increasing the speed of sense operation by reducing the difference between delay times of outputs from a regular cell (16) and a reference cell (26) to a sense amplifier (30).例文帳に追加

レギュラセル（１６）とレファレンスセル（２６）のセンスアンプ（３０）への出力の遅延時間の差を小さくし、チップ面積の縮小化またはセンス動作を高速化することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Each of a plurality of sense blocks corresponds to each bank and includes plurality of sense amplifier for sensing data from the corresponding bank in response to the reference voltage from the corresponding current duplication circuit.例文帳に追加

複数個の感知ブロックはバンクの各々に対応し、対応する電流複写回路からの基準電圧に応答して対応するバンクからデータを感知する複数個の感知増幅器を各々含む。 - 特許庁

In another memory cell 2, reference information equivalent to an information read reference potential is stored, and this reference information is inputted through a bit line bit 7 to the other input terminals of the respective sense amplifiers SA1 to SA5 in common.例文帳に追加

他のメモリセル２には、情報読み出しの基準電位に相当する基準情報が記憶され、この基準情報はビット線ｂｉｔ７を経て前記センスアンプＳＡ１〜５の各他方の入力端子に共通して入力される。 - 特許庁

The sensing circuit provided with independent write-back capability comprises a sense amplifier receiving an input and a reference signal and tri-stable write-back block receiving a write enable signal and an output signal of the sense amplifier.例文帳に追加

独立したライト・バック機能を備えた検知回路には、入力及び基準信号を受信するセンス増幅器と、書き込み許可信号及びセンス増幅器の出力信号を受信する三安定ライト・バック・ブロックが含まれている。 - 特許庁

Operation timing of a sense amplifier section 8 in read-out operation is generated by a control circuit, and timing of finish of sense operation in the operation timing is decided by a timing control means (delay circuit delay, AND circuits AN0, AN1) by finishing sense of the reference cell 2.例文帳に追加

読み出し動作におけるセンスアンプ部８の動作タイミングを制御回路によって発生していて、その動作タイミングの内のセンス動作終了のタイミングを、リファレンスセル２のセンスが終了することによって、タイミング制御手段(ディレイ回路delay,ＡＮＤ回路ＡＮ０,ＡＮ１)で決める。 - 特許庁

The capacitance and the resistance of the bit line BL and the capacitance and the resistance of the reference bit line RB connected to the same sense amplifier 24 are adjusted at approximately the same values.例文帳に追加

同じセンスアンプ２４に接続された、ビット線ＢＬの容量及び抵抗と、リファレンスビット線ＲＢの容量及び抵抗とは、ほぼ同じ値に調整される。 - 特許庁

The sense amplifier compares a voltage of the bitline with a reference voltage by means of the boosted voltage, and reads data from the memory cell.例文帳に追加

前記センスアンプは、前記昇圧電圧を用いて前記ビットラインの電圧と基準電圧とを比較し、前記メモリセルに保持されたデータを読み出す。 - 特許庁

The sense amplifier compares the test current flowing through the bit lines with a reference current, and outputs output data corresponding to the result of the comparison.例文帳に追加

センスアンプは、ビット線を流れるテスト電流とリファレンス電流との比較を行い、当該比較の結果に応じた出力データを出力する。 - 特許庁