「Sn」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

In the anode material 10 for a lithium ion secondary battery used for the lithium ion secondary battery, an anode active material 2 wherein 1-40at% Sn and at least one kind or more of metal of 3-20at% selected from 4A, 5A, and 6A family elements are dispersed into amorphous carbon is formed on an anode collector 1.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池に用いられるリチウムイオン二次電池用負極材１０であって、リチウムイオン二次電池用負極材１０は、１〜４０ａｔ％のＳｎと、３〜２０ａｔ％の４Ａ、５Ａ、６Ａ族元素から選ばれる少なくとも一種以上の金属が非晶質炭素中に分散した負極活物質２を、負極集電体１上に形成したものであることを特徴とする。 - 特許庁

[The curable composition] contains (A) particles containing an oxide of at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, Zn, Ge, In, Sn, Sb and Ce as a main component and a polymerizable unsaturated group, (B) a compound having a methacryloyl group and an acryloyl group in a molecule, (E) a photo-polymerization initiator and (F) a solvent.例文帳に追加

［硬化性組成物］ （Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とし、重合性不飽和基を有する粒子、 （Ｂ）１分子中にメタクリロイル基及びアクリロイル基を有する化合物、 （Ｅ）光重合開始剤、及び （Ｆ）溶剤 - 特許庁

In the SN plate 1 having a gas spouting hole 15 around the nozzle hole 11 of a sliding face 12, a pressure measuring hole 17 opened at the outer peripheral side from the gas spouting hole 15 on the sliding face 12 is provided and the pressure in the measuring hole 17 during casting is measured and the gas is introduced into the gas spouting hole 15 so that this pressure becomes the atmospheric pressure or more.例文帳に追加

摺動面１２のノズル孔１１周りにガス吐出口１５を有するＳＮプレート１において、摺動面１２のガス吐出口１５よりも外周側で開口する圧力測定孔１７を設け、鋳造中に圧力測定孔１７内の圧力を測定し、この圧力が大気圧以上になるようにガスをガス吐出口１５に導入する。 - 特許庁

In the copper alloy tube for the heat exchanger having a composition comprising specified amounts of Sn and P and having fine crystal grain sizes, P is solid-soluted in a fixed amount prescribed by the count number of P analyzed by secondary ion mass spectrometry into a copper alloy tube matrix, and its softening resistance as a heat transfer tube for a heat exchanger is improved even if the copper alloy tube is brazed and heated.例文帳に追加

Ｓｎ、Ｐを特定量含有する組成を有し、結晶粒径が細かい熱交換器用銅合金管において、二次イオン質量分析法により分析したＰのカウント数で規定される一定量以上だけ、含有するＰを銅合金管マトリックス中に固溶させて、銅合金管がろう付け加熱されても、熱交換器用伝熱管としての耐軟化性を向上させる。 - 特許庁

Time-series data of a damage conductance are generated from time-series data of short-term moving average data selected when a simulated defect signal is inputted and other moving average data, and the average number of optimum data of the moving average data used as a reference value is selected in each measuring section from the SN ratio between a signal component of the simulated defect and a noise.例文帳に追加

模擬欠陥信号が入力したときに選択した短期移動平均データと他の移動平均データの時系列データから損傷コンダクタンスの時系列データを作成し、模擬欠陥の信号成分とノイズとのＳＮ比から基準値となる移動平均データの最適データ平均個数を計測区間毎に選択する。 - 特許庁

The oxidation-resistant solder contains, by weight, 0.02-12% first sub component consisting of at least one kind of metal selected from Cu, Ag, Au, Co and Ni, and 0.02-1.2% second sub component consisting of at least one kind of metal selected from Mn, Pd and Pt, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の耐酸化性はんだは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｏおよびＮｉから選ばれた少なくとも一種の金属からなる第１従成分を０．０２〜１２重量％含有し、かつＭｎ、ＰｄおよびＰｔから選ばれた少なくとも一種の金属からなる第２従成分を０．０２〜１．２重量％含有し、残部がＳｎと不可避不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

The high-quality titanium target contains as additional components, at least one element selected from Al, Si, S, Cl, Cr, Fe, Ni, As, Zr, Sn, Sb, B and La in 3-100 ppm by mass in total, and the purity of the target excluding the additional components and gas component is ≥99.99 mass%.例文帳に追加

高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｌａから選択される１種以上の元素を合計３〜１００質量ｐｐｍ含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が９９．９９質量％以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。 - 特許庁

In this case, a contact window Co as the connection point of a wiring pattern is formed of the minimum line width in any circuit, and the pattern width (width in a direction following transistor length L) of drains Dp, Dn or sources Sp, Sn whose size is specified according to the size of the contact window Co is designed so as to be turned into the necessary minimum size.例文帳に追加

但し、配線パターンとの接続点となるコンタクトウィンドＣｏは、いずれの回路でも最小線幅で形成し、このコンタクトウィンドＣｏのサイズにより大きさが規定されるドレインＤｐ，ＤｎやソースＳｐ，Ｓｎのパターン幅（トランジスタ長Ｌに沿った方向の幅）は、必要最小限の大きさとなるように設計する。 - 特許庁

The Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet has a specified composition, and dislocation density determined as the quotient of the half-value breadth of X-ray diffracted intensity peak from the {200} face of the copper alloy sheet surface divided by the height of the peak is a given level or greater to thereby attain an enhancement of stress relaxation resistance property and press punchability demanded for terminal/connector.例文帳に追加

特定組成のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系の銅合金板であって、この銅合金板表面の｛２００｝面からのＸ線回折強度ピークの半価幅をそのピーク高さで割った値で測定される転位密度を、一定量以上有するようにして、端子・コネクタとして要求される耐応力緩和特性とプレス打ち抜き性とを向上させる。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing tin (Sn).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、スズ（Ｓｎ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered body substantially consisting of In, Sn, Mg and O, which compacts a mixture of powders of indium oxide and tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, or a mixture of a composite oxide powder of indium oxide-tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, and then sintering the compact.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物、又は、酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物を成形した後、焼結して得られる実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯからなる焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。 - 特許庁

The inorganic particles contain at least one species selected from the group consisting of Si, Sn and Zn as a constitutional element, and ceramics is made up of oxide, nitride or carbide containing at least one species of element selected from the group consisting of Si, Ti, Al and Zr.例文帳に追加

リチウムイオンを吸蔵・脱離可能な無機質粒子の全面又は一部をセラミックスによって被覆した複合粒子からなる負極材料であって、無機質粒子がＳｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種を構成元素として含み、セラミックスがＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む酸化物、窒化物又は炭化物から構成されたことを特徴とする非水電解液二次電池用負極材料である。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has an external connection terminal 110, and the external connection terminal 110 has: a Cu electrode 106; an intermetallic compound 118 containing Cu formed on the Cu electrode 106; stopper sections 132 and 136 covering the surface of the intermetallic compound 118 at intervals; and a solder alloy comprising impurities containing Bi and Sn formed on the stopper sections 132 and 136 and the intermetallic compound 118.例文帳に追加

外部接続端子１１０を有する半導体装置１００であって、外部接続端子１１０は、Ｃｕ電極１０６と、Ｃｕ電極１０６上に形成されたＣｕを含む金属間化合物１１８と、金属間化合物１１８の表面を、間隔をあけて覆うストッパー部１３２及び１３６と、ストッパー部１３２及び１３６上及び金属間化合物１１８上に形成されたＢｉとＳｎを含む不純物とからなる半田合金と、を有する。 - 特許庁

Salts of one or more metals selected from Al, Ni, Ag, Zn, Mn, W, Ga, Mo, Cr, In and Sn arc impregnated and carried on H type mordenite and Pd is carried on the metallic salt-containing H type mordenite to obtain the objective catalyst for the purification of NOx-containing exhaust gas containing oxygen in the presence of a hydrocarbon reducer.例文帳に追加

炭化水素還元剤の存在下、酸素を含むＮＯｘ含有排ガス浄化用触媒であって、Ｈ型モルデナイトに対してＡｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎのうちの何れか１種又は２種以上の金属の塩を含浸担持させた後、Ｐｄを担持させてなることを特徴とする金属の塩を含有させたＨ型モルデナイトにＰｄを担持した触媒、この触媒によるＮＯｘ含有排ガス浄化方法及びこの触媒の製造方法。 - 特許庁

In a part or the whole of an upper nozzle 3, respective SN plates 4 and a lower nozzle 5 constituting the sliding nozzle 7 arranged on the bottom part of the metallurgical vessel, the surface in contact with passed molten metal 2 is partially constituted with the oxygen ion conductive body 9, and a means for impressing DC current into the interval between this oxygen ion conductive body 9 and the molten metal 2 is provided.例文帳に追加

冶金容器の底部に配するスライディングノズル７であって、該スライディングノズルを構成する上ノズル３、各ＳＮプレート４、下ノズル５の一部又は全部について、通過する溶融金属２と接する面を部分的に酸素イオン伝導体９で構成し、該酸素イオン伝導体９と溶融金属２との間に直流電流を印加する手段を備えることを特徴とする冶金容器のスライディングノズル。 - 特許庁

This drinking water for pet is obtained by adding a proper amount of a natural mineral active wave motion water containing P, Se, Mo, Sb, Zn, Ni, Co, Sn, B, Mn, Fe, Cr, Mg, Si, V, Be, Cu, Ti, Zr, Al, Sr, Ca, Ba, Na, K, Li and Rb extracted from a soil precursor, to natural water.例文帳に追加

天然水に土壌前駆物質より抽出したリン（Ｐ），セレン（Ｓｅ），モリブデン（Ｍｏ），アンチモン（Ｓｂ），亜鉛（Ｚｎ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），スズ（Ｓｎ），ホウソ（Ｂ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ），マグネシウム（Ｍｇ），ケイ素（Ｓｉ），バナジウム（Ｖ），ベリウム（Ｂｅ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），アルミニウム（Ａｌ），ストロンチウム（Ｓｒ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ），リチウム（Ｌｉ），リビシウム（Ｒｂ）を含む自然ミネラル活性波動水を適量混合したことを特徴とする。 - 特許庁

This organic EL element has a hole implantation electrode, an electron implantation electrode and one or more kinds of organic layers arranged between these electrodes, a hole implantation layer being provided between the hole implantation electrode and the organic layers, and containing carbide of Si and/or nitride of Si as a main component, as well as one or more kinds of either of Cu, Fe, Ni, Ru, Ge and Sn.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間にホール注入層を有し、前記ホール注入層は、Ｓｉの炭化物および／またはＳｉの窒化物を主成分として含有し、前記ホール注入層は、さらに、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、ＧｅおよびＳｎのいずれか１種以上を含有する。 - 特許庁

The conductive paste contains conductive filler constituents selected from Sn and a combination of one or more of elements selected from a group of Bi, In, Ag, and Cu, a thermosetting resin constituent, and a curing agent constituent corresponding to the thermosetting resin constituent as basic constituents, and also includes a thixotropy-giving additive for giving thixotropy to the thermosetting resin constituent in a range of mounting temperature by adding to the basic constituents.例文帳に追加

導電性ペーストは、Ｓｎと、Ｂｉ、Ｉｎ、ＡｇおよびＣｕの群から選ばれる１種またはそれ以上の元素との組合せから選ばれる導電性フィラー成分、熱硬化性樹脂成分およびこれに対応する硬化剤成分を基本成分とし、上記の基本成分に添加することによって、装着温度範囲にて熱硬化性樹脂成分にチクソトロープ性を付与するチクソ性付与添加剤を更に含むことを特徴とする。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁

Disclosed is a method where a base is dipped into a plating bath, and an Sn-Ag-Cu three-element alloy thin film is formed on the whole surface or a part of the base by electroplating.例文帳に追加

本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。 - 特許庁

In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence.例文帳に追加

透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁