「Sn」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

The electronic parts is reflow-soldered on both surfaces comprising a first surface and a second surface of the organic substrate by the lead-free solder containing a main component Sn, 0-65 mass% Bi, 0.5-4.0 mass% Ag, and total 0-3.0 mass% Cu or/and In.例文帳に追加

本発明は、電子部品を、有機基板の第１面および第２面からなる両面の各々に、Ｓｎを主成分とし、Ｂｉを０〜６５ｍａｓｓ％、Ａｇを０．５〜４．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ若しくは／及びＩｎを合計０〜３．０ｍａｓｓ％含有する鉛フリーはんだによってリフローはんだ付けすることを特徴とする。 - 特許庁

This working method, for instance a slitting method, comprises heat-treating the foil-shaped brazing material containing 10 wt.%-90 wt.% Au and the balance Sn, by holding it at 200°C-270°C for 5 minutes to 10 hours, and then slitting the foil-shaped soldering material.例文帳に追加

Ａｕを１０重量％〜９０重量％含有しており、残部がＳｎからなる箔状ろう材に対して、例えばスリット加工方法の場合は、この箔状ろう材に対して、２００℃〜２７０℃で５分〜１０時間保持する熱処理を行った後、該箔状ろう材をスリットする。 - 特許庁

To perform high-stability automatic direction adjustment by obtaining a high-SN signal by amplifying and sampling a signal that is generated only during a specific period of time, while limiting the band or by sampling an envelope in order to perform the stable direction adjustment even with a low field strength in digital transmission of OFDM signals or the like.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号等のディジタル伝送において、低電界強度でも安定した方向調整を行うため、特定期間にのみ生じる信号を帯域制限した上で増幅かつサンプル、もしくはエンベロープをサンプルし、高ＳＮな信号を得て安定性の高い自動方向調整を行うこと。 - 特許庁

The transparent electrode film is composed of In-Sn oxide and one kind of metal selected from Al, Mg, Zn, and Li, and an electrode potential V in a state of being immersed in saturated KCl aqueous solution, based on Ag/AgCl reference electrode fulfills a relation: -0.42≤V≤-0.35(V).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ酸化物と、Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｌｉから選ばれる少なくとも１種の金属とを含有してなり、２５℃の飽和ＫＣｌ水溶液中に浸漬したときのＡｇ／ＡｇＣｌ参照電極を基準とする電極電位Ｖが、−０．４２≦Ｖ≦−０．３５（Ｖ）を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

The control center 8 computes impact information Sn indicating impact situation based on the received firing information Sp and map information prepared based on relative positional relation of the A trainee 1 and the B trainee 1' detected by a center GPS 7 and transmits it to the B trainee 1'.例文帳に追加

制御センタ８は、受信した発射情報Ｓｐと、センタＧＰＳ７が検出したＡ訓練者１とＢ訓練者１’の相対位置関係に基づいて作成された地図情報とによって、被弾状況を示す弾着情報Ｓｎを演算してＢ訓練者１’へ送信する。 - 特許庁

In this case, the same identifiers #101 are provided to a plurality of links #1-#N having the same combinations of start nodes SN, and destination nodes DN. and the resource management is performed on the basis of the resource quantity of each of the plurality of links #1-#N provided with the same identifiers.例文帳に追加

この際、起点ノードＳＮと宛先ノードＤＮとの組合わせが同一の複数のリンク＃１〜＃Ｎに対して同一の識別子＃１０１を付与し、同一の識別子が付与された複数のリンク＃１〜＃Ｎのリソース量に基づきリソース管理を行なう。 - 特許庁

The electromagnetic wave shield film is executed to a molded article molded with one of an ABS resin, an ABS/PC base polymer alloy and a mixed base material of the ABS resin and the ABS/PC base polymer alloy and is composed of a first layer of Cu and a second layer of an Sn-Cu-Ag film.例文帳に追加

ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイ、およびＡＢＳ樹脂およびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイの混合基材のいずれかで成形された成形品に施し、Ｃｕの第１層、および、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜の第２層からなる。 - 特許庁

To provide a current-voltage converting circuit capable of heightening the upper limit of largeness of a DC component for suppressing influence on an output voltage compared with the conventional configuration, while suppressing the reduction of an SN ratio between an input terminal and an output terminal, and to provide a smoke sensor including the same.例文帳に追加

入力端子と出力端子との間のＳＮ比の低下を抑制しつつも、従来構成に比べて出力電圧への影響を抑制可能な直流成分の大きさの上限を広げることができる電流電圧変換回路およびそれを備えた煙感知器を提供する。 - 特許庁

The tin-platinum double oxide expressed by a general formula, Sn_XPt_(1-X)O_2 (0.6<X<0.99) and having a rutile structure is synthesized, for example, by sputtering SnO_2 and Pt at the same time in an inert sputtering gas containing oxygen to form a film.例文帳に追加

例えば、酸素を含有する不活性スパッタガス中でＳｎＯ_２とＰｔとを同時スパッタで成膜して合成することにより、一般式Ｓｎ_ＸＰｔ_（１−Ｘ）Ｏ_２（０．６＜Ｘ＜０．９９）で示されるルチル構造を有する錫・白金複酸化物を合成する。 - 特許庁

To provide an oxide-semiconductor target having a correct Zn/(Zn+Sn) composition of a ZTO (zinc-tin composite oxide)-based oxide-semiconductor material which has high mobility and the stability of a threshold potential, and is little restricted by the aspect of costs, resources and a process, and to provide an oxide-semiconductor device using the same.例文帳に追加

高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）系酸化物半導体材料の適正なＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a conductor for flexible board that generates few whisker or scarcely generates whisker from the surface of an Sn film or solder around a conductor, and whose contact resistance is not increased even in a high temperature released environment, and to provide a method for producing the same and a flexible board.例文帳に追加

導体周囲のＳｎめっき膜表面やはんだからウィスカが発生するおそれの少ない、あるいはほとんど発生せず、高温放置環境においても接触抵抗が増大することのないフレキシブル基板用導体およびその製造方法並びにフレキシブル基板を提供する。 - 特許庁

The transparent conductive film material is composed of a compound metal oxide containing Zn, Sn and O as main compositions and of a compound metal oxide containing one or more of elements selected from the 5th to 10th groups of the periodic table as a doping element.例文帳に追加

Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として周期表第５族〜第１０族の元素からなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。 - 特許庁

To prevent the deterioration of an SN ratio of reproducing images even when the intensity of a high band region component of recorded page data is deteriorated and the noise of a recording medium and the noise of an imaging element occur in response to MTF of a lens when reproducing the page data recorded on a hologram.例文帳に追加

ホログラムに記録されていたページデータを再生する際に、レンズのＭＴＦに応じて、記録されているページデータの高域成分の強度が低下したり、記録媒体ノイズや撮像素子のノイズが生じたりしても、再生画像のＳＮ比の劣化を防止できるようにする。 - 特許庁

If the amplitude of the noise signal θn is sufficiently small compared with the amplitude of the carrier signal Sc in this configuration, the synthesizer 27 can output a signal Sn having very little amplitude noise and including phase noise corresponding to the noise signal θn.例文帳に追加

この構成で、雑音信号θｎの振幅がキャリア信号Ｓｃの振幅に対して十分小さければ、振幅雑音が極めて少なく、雑音信号θｎに対応した位相雑音が含まれた信号Ｓｎを合成器２７から出力することができる。 - 特許庁

The photochromic comprises a membrane made by laminating a compound oxide membrane consisting of at least two elements selected from Ti, Mn, Co, Ni, Zn, Sn group, Mg, Al and Si group with a transparent conducting membrane, and changes an optical transmission character by irradiation with ultraviolet rays.例文帳に追加

Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎの群とＭｇ、Ａｌ、Ｓｉの群からそれぞれ選ばれる少なくとも２種類の元素の複合酸化物からなる複合酸化物膜と透明導電膜とを積層した膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化するフォトクロミック体を構成する。 - 特許庁

To provide an alloy version thermal fuse of Sn-In-Bi system ternary alloy which is excellent in overload characteristics and breakdown strength, and is sufficiently assured of insulation safety after operation while a fuse element is easily reduced in thickness.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ系三元合金を用い、オーバーロード特性及び耐圧特性に優れ、動作後での絶縁安全性を充分に保証でき、しかもヒューズエレメントの細線化を容易に達成できる合金型温度ヒューズを提供することにある。 - 特許庁

To provide an optical device ensuring an optical switch with a high SN (signal to noise) ratio even when variation of used wavelengths and temperature exists in a conventional optical switch using an optical rotatory element such as a liquid crystal element and a polarization separating element.例文帳に追加

本発明は従来の液晶素子等の旋光光学素子と偏光分離素子を用いた光スイッチにおいて使用波長や温度変動があってもＳＮの高い光スイッチを可能とする光学装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide copper foil used for a TAB tape carrier having highly reliable suppression effect of Sn whiskers and Kirkendall voids without the need of the increase and the change of a process after a copper lead pattern is generated, and to provide a TAB carrier tape and the TAB tape carrier which use copper foils.例文帳に追加

銅リードパターン作成後の工程増加や変更を必要とせず、信頼性の高いＳｎホイスカ及びカーケンドールボイドの抑制効果を有するＴＡＢ用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたＴＡＢ用キャリアテープ及びＴＡＢ用テープキャリアを提供する。 - 特許庁

The rolled copper foil is obtained by rolling a copper alloy containing ≥50 ppm in total sum of one or more kinds selected from Cr, Zr, Ag, Cd, Sn, Sb and Bi and having ≤30 ppm oxygen content into a prescribed thickness and the electrode material for battery is also produced.例文帳に追加

Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｓｎ、ＳｂおよびＢｉより選択される１種以上の成分を総量で５０ｐｐｍ以上含み、酸素含有量が３０ｐｐｍ以下の銅合金を所定の厚さに圧延加工した圧延銅箔、およびこれを使用した電池用電極材。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing stannous oxide powder that is extremely soluble in an acid or an acidic plating solution, exhibits excellent storage stability in air, and can improve the antioxidant effect of Sn^2+ ions in a plating solution, and to provide stannous oxide powder manufactured by the method.例文帳に追加

酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高く、大気中における保存安定性に優れ、しかもめっき液中においてＳｎ^2+イオンの酸化防止効果を高めることができる酸化第一錫粉末の製造方法及び該方法により製造された酸化第一錫粉末を提供する。 - 特許庁

The lands 11a of a conductor pattern 11 formed on the connection surface of a flexible printed wiring board 10 formed of thermoplastic resin as an insulating board material are electrically connected to the lands 5a of a conductor pattern 5 formed on the connection surface of a rigid printed wiring board 1 through Sn plating 7.例文帳に追加

絶縁基板材料として熱可塑性樹脂を用いたフレキシブルプリント配線基板１０の接続面に形成した導体パターン１１のランド１１ａと、リジッドプリント配線基板１の接続面に形成した導体パターン５のランド５ａとをＳｎメッキ７を介して電気的に接続する。 - 特許庁

To provide an LPP type extreme ultraviolet light source in which an Sn target can be supplied to a plasma forming part in a high speed and generation of debris can be suppressed and light emission spectrum in the vicinity of 13.5 nm can be made sharp.例文帳に追加

高速でＳｎターゲットをプラズマ生成部に供給でき、かつ、デブリの発生を極力抑制することができ、さらには、１３．５ｎｍ近傍の発光スペクトルが鋭くできるＬＰＰ方式極端紫外光光源を提供すること。 - 特許庁

In the method for depositing a transparent conductive film on an organic film by a DC magnetron sputtering method using an In-Sn-O based target, the sputtering is performed with the bias voltage of -70 to -130V, and the target current of 0.1-0.7A.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により有機フィルム上に透明導電膜を形成する方法であって、前記スパッタリングは、−７０〜−１３０Ｖのバイアス電圧、０．１〜０．７Ａのターゲット電流で行うことを特徴とする。 - 特許庁

When the most appropriate delay times Tm, Tn, Tf for the slice Sm at the center of the slab, the slice Sn nearest to the heart and the slice Sf farthest from the heart respectively are inputted, the delay times between those slices are calculated.例文帳に追加

スラブ中央のスライスＳｍ，心臓に最も近いスライスＳｎ及び心臓から最も遠いスライスＳｆについて最適の遅延時間Ｔｍ，Ｔｎ，Ｔｆを入力すると、それらの間のスライスの遅延時間は計算により求める。 - 特許庁

To provide an inner Sn method Nb_3Sn superconductive wire rod and a precursor for superconducting wire manufacturing with electric resistance upon connection of superconducting wire rods themselves suppressed as much as possible, applicable to an MMR magnet, and expected to attain high critical current density Jc characteristics.例文帳に追加

超電導線材同士を接続するときの電気抵抗を極力小さく抑え、ＮＭＲマグネットへの適用が可能な、高い臨界電流密度Ｊｃ特性が期待できる内部Ｓｎ法Ｎｂ_3Ｓｎ超電導線材およびそのための超電導線材製造用前駆体を提供する。 - 特許庁

The magnesium compound is essentially composed of a compound Mg_2X of an element(s) X selected from the group consisting of Si, Ge, Sn and Pb, and magnesium (Mg), and in which the compositional molar ratio between the element(s) X and Mg lies in the range of 1:1 to 1:1.9.例文帳に追加

マグネシウム化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ，ＳｎおよびＰｂから成る群から選ばれる元素Ｘと、マグネシウム（Ｍｇ）との化合物Ｍｇ_２Ｘを主体とし、元素ＸとＭｇとの組成モル比が、１：１〜１：１．９の範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

The connection pin 1 is composed of a titanium alloy which does not comprise Ni, Co, V, Fe, Cr and Al, and comprises two or more selected from Mo, Nb, Zr, Ta and Sn, and has a tensile strength of ≥700 MPa and a fracture elongation of ≥15%.例文帳に追加

本発明の連結ピン１は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌを含まず、Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｓｎのいずれか２種以上を含有するチタン合金からなり、かつ７００Ｍｐａ以上の引張強度と１５％以上の破断伸びを有するチタン合金を使用した連結ピン１である。 - 特許庁

The hydrogen-storage composite formed body and the hydrogen- storage composite sintered compact in which, other than hydrogen-storage material powder, powder of at least one metal selected from a group consisting of Cu, Ni, Zn, Al, Fe, Sn, In, Pt, Pd, Au and Ag is incorporated are provided.例文帳に追加

本発明は、水素吸蔵材料粉に加えて、ＣｕとＮｉとＺｎとＡｌとＦｅとＳｎとＩｎとＰｔとＰｄとＡｕとＡｇとからなる一群から選ばれる少なくとも１種の金属粉を含有してなる水素吸蔵複合成形体及び水素吸蔵複合焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a lead-free solder alloy for glass low-temperature joining which does not contain Pb harmful for the human body, also has performance equal to that of the conventional Sn-Pb alloy, is reflowable even in the air when being used, and reduces equipment cost accompanying the elimination of lead.例文帳に追加

人体に有害なＰｂを含有せず、かつ従来のＳｎ−Ｐｂ合金と同等の性能を有し、しかも 使用時は大気中でもリフロー出来、鉛フリー化に伴う設備費用の削減につながるガラス低温接合用無鉛ハンダ合金を提供する。 - 特許庁

To provide a rear projector incorporating a device for receiving a signal from a PDA or the like by radio without making equipment larger, and constituted so as to prevent the SN ratio of a radio signal from being deteriorated by the influence of a metallic member or the like in order to stably receive the radio signal.例文帳に追加

機器を大型化したりせずに、ワイヤレスでＰＤＡなどからの信号を受信する装置を内蔵し、なおかつ、無線信号を安定的に受信するために、金属部材等の影響で無線信号のＳ／Ｎ比の劣化がない構成にしたリヤプロジェクタの提供。 - 特許庁

A stacked structure is composed of a first thin film, which is an amorphous film containing oxide of a metal element M1 of one or both of In and Sn, and a second thin film that is stacked on and in contact with the first thin film and contains at least ZnO.例文帳に追加

Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び、前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜からなる積層構造。 - 特許庁

The low melting-point metal sheet 1 has a constitution in which grains 5 of an organic polymer (nylon 12, nylon 66, nylon 6, PES or the like) are dispersed in a base material 3 obtained by molding a Bi-Sn-In alloy (melting point of 60°C to 100°C) in a sheet shape.例文帳に追加

低融点金属シート１は、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ系の合金（融点＝６０℃〜１００℃）をシート状に成形した基材３中に、有機系ポリマー（１２ナイロン，６６ナイロン，６ナイロン，ＰＥＳ等）の粒子５が分散した構成を有している。 - 特許庁

Electron beams are radiated on an Au-Sn alloy as a first target while an electron beam vapor deposition apparatus is maintained in a vacuum state, a first alloy layer 3a of the thickness d1 (for example, d1 = 1 μm) is deposited on an AlN substrate 1, and the first electron beam radiation is completed.例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置を真空に保持した状態で第１のターゲットであるＡｕ−Ｓｎ合金に電子ビームを放射してＡｌＮ基板１上に厚さｄ１（例えばｄ１＝１μｍ）の第１次合金層３ａを被着させて第１の電子ビーム放射を終了する。 - 特許庁

This metal-containing compound is a specific compound having in the molecule thereof, two or more epithio groups and containing in the molecule thereof, one type of metal atom selected from Sn, Ge and Pb, and there are also provided a composition comprising the compound and an optical material obtained by polymerizing and curing the composition.例文帳に追加

分子内にエピチオ基を２個以上有し、かつＳｎ，ＧｅまたはＰｂの金属原子の中から選ばれる一種を分子内に含有する特定の化合物、該化合物を含有してなる組成物、および該組成物を重合硬化して得られる光学材料。 - 特許庁

By the conductive composition containing bismuth (Bi) of ≥50 wt.%, indium (In) of ≤30 wt.%, Tin (Sn) of ≤30 wt.%, and copper (Cu) selected in the range of 1 to 5 wt.%, the through electrode 3 and the circuit pattern 2 are formed.例文帳に追加

５０ｗｔ％以上のビスマス（Ｂｉ）と、３０ｗｔ％以下のインジウム（Ｉｎ）と、３０ｗｔ％以下の錫（Ｓｎ）と、１〜５ｗｔ％の範囲で選択された銅（Ｃｕ）とを含有する導電性組成物によって、貫通電極３及び回路パターン２を形成する。 - 特許庁

Using the lead-free solder containing, in a first alloy phase composed of an Sn base alloy, a second alloy phase composed of Sb alloy having a melting point higher than that of the first alloy phase, joining strength can be maintained at a high temperature, enabling high temperature hierarchical connection.例文帳に追加

Ｓｎ基合金からなる第１合金相中に、この第１合金相の融点よりも高い融点を有するＳｂ合金からなる第２合金相を含有してなる無鉛はんだを使用することで、高温時に接合強度を維持することができ、高温階層接続が可能となる。 - 特許庁

To easily manufacture a stable thermoelectric semiconductor having p-type thermoelectric characteristics even at high temperature, when sintering and manufacturing the thermoelectric semiconductor expressed by general chemical formula: Mg_XSi_1-YSn_Ywith single phase excellent thermoelectric characteristics composed of the metals of Mg, Sn and Si.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｓｉの金属からなる単相で優れた熱電特性を備えた一般化学式で示される Ｍｇ_ＸＳｉ_１−ＹＳｎ_Ｙの熱電半導体を焼結して製造するにあたり、ｐ型の熱電特性を有した熱電半導体を高温でも安定をしたものを製造する。 - 特許庁

The niobium oxide fine particle has a core-shell structure coating the niobium oxide based fine particle having niobium oxide as the main component or a core particle including other inorganic oxides with one or more kinds of oxides selected from the group consisting of oxide of Nb, Fe, Ce, Si, Zr, Al, Ti, Sn, Sb, W and Zn.例文帳に追加

前記ニオブ系酸化物微粒子が、ニオブ酸化物を主成分とするニオブ系酸化物核粒子または他の無機酸化物かなる核粒子を、Ｎb、Ｆe、Ｃe、Ｓi、Ｚr、Ａl、Ｔi、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｚｎの酸化物から選ばれる１種以上の酸化物で被覆したコア−シェル構造を有する。 - 特許庁

To reduce a manufacturing cost and improve heat resistance, by improving a copper-base sintered alloy, which contains Cr as a wear resisting and arc resisting component, graphite and/or metal sulfide as a lubricating component, P and Sn as a sintering matrix component, and 2-6% Bi as a lubrication reinforcing component.例文帳に追加

耐摩耗，耐アーク成分としてのＣｒと、潤滑成分としての黒鉛および／または金属硫化物と、焼結素地成分としてのＰ，Ｓｎを含有する銅系焼結合金であって、潤滑強化成分として２〜６％のＢｉを含むものを改良して、製造コスト低減や耐熱性向上を図る。 - 特許庁

The photo MOS switch 20 and a connector 81 are arranged as near as possible within a range allowing arrangement of a laying wire line 101 for connecting those, and the SN ratio is enhanced thereby because wiring and the photo MOS switch 20 are arranged collectively on the circuit board.例文帳に追加

フォトＭＯＳスイッチ２０とコネクタ８１とは、それらを接続する敷設線列１０１が配置可能な範囲でできるだけ接近配置され、これにより、配線やフォトＭＯＳスイッチ２０を回路基板に集中配置できるために、ＳＮ比を向上することができる。 - 特許庁

For the purpose of correcting difference in size of the X-ray images in the respective photographing positions caused by the broadening of the X-rays 12, a magnification/reduction process is executed to the X-ray images shown by the respective image data Sn to obtain processed image data Skn.例文帳に追加

拡大縮小処理部４０において、Ｘ線１２の広がりによる各撮影位置におけるＸ線画像のサイズの相違を補正するために、各画像データＳｎにより表されるＸ線画像に対して拡大縮小処理を施して、処理済みの画像データＳｋｎを得る。 - 特許庁

A reinforcing copper layer 31 is left in a prescribed region on one surface of an optically opaque polyimide film 30 wherein an Sn plating lead 35 in formed on the other surface, and a TAB tape 40 is formed, thereby improving the strength of the TAB tape 40 with the reinforcing copper layer 31.例文帳に追加

一方の面にＳｎメッキリード３５が形成された光不透過性ポリイミドフィルム３０の反対の面に補強銅層３１を所定箇所に残してＴＡＢテープ４０を形成することによって、補強銅層３１でＴＡＢテープ４０の強度を強する。 - 特許庁

A server which provides three-dimensional model data preliminarily prepares a fundamental model Sn consisting of a polygon having a minimum number n of apexes required for representation (or plotting) of a three- dimensional model and apex data m0, m1, m2, etc., to be successively added to the fundamental model.例文帳に追加

３次元モデル・データの提供するサーバは、３次元モデルを表現（又は描画）するために必要最低限の頂点数ｎを持つポリゴンからなる基本モデルＳ_nと、基本モデルに対して逐次追加する頂点データｍ_0，ｍ_1，ｍ_2…をあらかじめ用意しておく。 - 特許庁

This catalyst is a liquid phase heterogenous catalyst obtained by supporting a noble metal such as palladium or the like and at least one metal selected from the group consisting of Pb, Bi, Sn and Ti or a compound thereof on zirconium oxide and/or titanium oxide and the noble metal such as palladium or the like in the catalyst is 0.01-15 weight %.例文帳に追加

酸化ジルコニウム及び／又は酸化チタンに、パラジウム等の貴金属とＰｂ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｌからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属又はそれらの化合物とを担持してなる液相不均一触媒であって、かつ該触媒中に占めるパラジウム等の貴金属が０．０１〜１５重量％である触媒。 - 特許庁

The state change promoting material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains at least one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

状態変化促進材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうち少なくとも１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁