「Sn」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The tin oxide particles are 0.1 to 30 mol% in molar ratio of W/Sn, are 0.1 to 5 μm in volume average particulate diameter and are 9 power Ωcm or below of 10 in electric resistance value and a silica, titanium oxide, aluminum or multi component oxide are used in combination with the above tin oxide.例文帳に追加

該酸化スズ粒子はＷ／Ｓｎのモル比が０．１％以上３０モル％以下、体積平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下、電気抵抗値が１０の９乗Ωｃｍ以下で有り、該酸化スズと併用してシリカ、酸化チタン、アルミ又は複合酸化物が用いられることを特徴とする。 - 特許庁

To sustain high communication efficiency, even in a communication environment of narrow band or high delays or narrow-band high delays, e.g. a wireless communication environment, in data transfer where a service node SN (transmitter) transmits data to a mobile terminal MS (receiver) using a window.例文帳に追加

サービスノードＳＮ（送信装置）が移動端末ＭＳ（受信装置）へウィンドウを用いてデータを送信するデータ転送において、ワイヤレス通信環境のような狭帯域または高遅延あるいは狭帯域高遅延の通信環境であっても高い通信効率を維持する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing electronic components, which method previously determines the relations between the film thicknesses of plating films, the presence ratio of Sn therein, the amounts of feeding conductive media, and energizing current values and can control forming states of the plating films from these relations.例文帳に追加

予めめっき被膜の膜厚やＳｎ存在比率などと導電性メディアの投入量や通電電流値との間の関係を求めて、これらの関係からめっき被膜の形成状態を制御することができる、電子部品の製造方法を得る。 - 特許庁

The sintered compact used for the dielectric layer 1 of a ceramic capacitor is produced by adding to a main component comprising barium titanate, the subcomponents including A-site elements comprising Ba and rare earth elements, and B-site elements comprising one or more selected from Ti, Zr, Sn and Hf, and then firing.例文帳に追加

セラミックコンデンサの誘電体層１に用いられる焼結体は、チタン酸バリウムからなる主成分に、Ｂａ及び希土類元素を含むＡサイト元素と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆから選ばれる１種以上の元素を含むＢサイト元素とを含む副成分を添加して焼成してなる。 - 特許庁

According to the liquid crystal device 1, a driving voltage Vi having a waveform approximate to an ideal waveform can be applied to a liquid crystal of each pixel section according to a potential Vsig of an image signal Sn which is a digital signal having one potential of High and Low for each of a plurality of sub-frames dividing one frame.例文帳に追加

液晶装置１によれば、１フレームを分割する複数のサブフレーム毎にＨｉｇｈおよびＬｏｗの一方の電位を有するデジタル信号である画像信号Ｓｎの電位Ｖｓｉｇに応じて、理想波形に近い波形を有する駆動電圧Ｖｉを各画素部の液晶に印加できる。 - 特許庁

A copper alloy sheet is blanked to form a terminal raw material and a terminal coupling portion 5 of the raw material undergoes a pressing process to increase a surface roughness of the terminal coupling portion 5, and then a whole of the copper alloy sheet is Ni-plated, Cu-plated and Sn-plated additionally.例文帳に追加

銅合金板条に打抜き加工を施して端子素材を形成するとともに、その端子嵌合部５にプレス加工を施して端子嵌合部５の表面粗さを増大させた後、銅合金板条全体にＮｉめっき、Ｃｕめっき及びＳｎめっきを後めっきする。 - 特許庁

The terminal-carrying current by contact with the other terminal is formed of a metal member, of which a base material of the electrically contacting part is composed as a main component of at least one metal selected from among a group, consisting of Cu, Ni and Sn.例文帳に追加

他の端子と接触することによって通電する端子であって、その電気的接触部の母材が、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種の金属を主成分とする金属系部材で形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The collector brush is formed of a sintered composite compact having a composition comprising 4-53% Cu and 1.5-22% Ni; 0.5-11% Zn and 0.5-11% Sn, as needed; 0.5-3 mass% MoS_2, further as needed; and the balance C with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｃｕ：４〜５３％、Ｎｉ：１．５〜２２％を含有し、必要に応じて、Ｚｎ：０．５〜１１％、Ｓｎ：０．５〜１１％を含有し、さらに必要に応じてＭｏＳ_２：０．５〜３質量％を含有し、残部がＣおよび不可避不純物からなる成分組成の複合焼結体で構成した集電ブラシ。 - 特許庁

When the loss data are not received within each monitor time which is set by the timer control part 113, a STATUS PDU generation part 114 generates STATUS PDUs including the sequence numbers (SN) of the loss data in order to request the retransmission of the loss data.例文帳に追加

ＳＴＡＴＵＳ ＰＤＵ作成部１１４は、タイマ制御部１１３により設定した各々の監視時間内に欠損データを受信しない場合に、欠損データの再送を要求するために欠損データのＳＮを含むＳＴＡＴＵＳ ＰＤＵを作成する。 - 特許庁

The voice section part 121 is composed of a first section part 41 for dividing the voice signals S into a pronouncing section PA and a non-pronouncing section PB based on an SN ratio of the voice signal S, and a second section part 42 for dividing the voice signals S by regarding each trough part D of an envelope E of the voice signal S.例文帳に追加

音声区分部１２１は、音声信号ＳのＳＮ比に基づいて音声信号Ｓを発音区間ＰAと非発音区間ＰBとに区分する第１区分部４１と、音声信号Ｓの包絡線Ｅの各谷部Ｄを境界として音声信号Ｓを区分する第２区分部４２とで構成される。 - 特許庁

This thermoelectric semiconductor material is represented by a chemical formula, AB2X4 [(where A is a simple substance or a mixture of Pb, Sn, and Ge (IV element), B is a simple substance or a mixture of Bi and Sb (V element), and X is a simple substance or a mixture of Te and Se (VI element)].例文帳に追加

本発明の熱電半導体材料は、化学式ＡＢ_２Ｘ_４（ただしＡはＰｂ、Ｓｎ、Ｇｅ（ＩＶ族元素）の単体あるいは混合物であり、ＢはＢｉ、Ｓｂ（Ｖ族元素）の単体あるいは混合物であり、ＸはＴｅ、Ｓｅ（ＶＩ族元素）の単体あるいは混合物である）からなることを特徴とする。 - 特許庁

The Fe-Cr soft magnetic sintered alloy with high electric resistance has a composition consisting of 5 to 20% Cr, 1 to 8% Sn and the balance Fe with inevitable impurities and further containing, if necessary, 0.1 to 4%, in total, of one or more elements among Si, Al, Mn, V and P.例文帳に追加

Ｃｒ：５〜２０％、Ｓｎ：１〜８％を含有し、さらに、必要に応じてＳｉ，Ａｌ，Ｍｎ，ＶおよびＰのうちの種または２種以上を合計で０．１〜４％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなることを特徴とする電気抵抗の高いＦｅ−Ｃｒ系軟磁性焼結合金。 - 特許庁

The copper alloy material for electric and electronic components includes 0.05-0.5 mass% of Fe, 0.05-0.5 mass% of Ni, 0.02-0.2 mass% of P, 0.1-3 mass% of Zn, and 0.02-0.3 mass% of Sn, and the remainder includes Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

電気・電子部品用銅合金材は、０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％のＺｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

To provide a cold-rolled steel sheet for a steel sheet for can which uses an extra-low carbon steel as the stock by effectively utilizing Sn intruded as inevitable impurities, can be produced by continuous annealing, and is suitable to use for can expansion, to provide the steel sheet for a can, and to provide methods for producing them.例文帳に追加

不可避的不純物として混入するＳｎを有効活用することによって、極低炭素鋼を素材とし、連続焼鈍で製造可能な拡缶用途に適した缶用鋼板用冷延鋼板とその缶用鋼板およびそれらの製造方法を提案する。 - 特許庁

It is preferable that the negative electrode 4 has at least one kind of a first negative electrode active material selected from a group of In, Ga, and Sn, and at least one kind of a second negative electrode active material selected from a group of C, Si, Zn, and Al.例文帳に追加

また、負極４は、Ｉｎ、ＧａおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第１の負極活物質と、Ｃ、Ｓｉ、ＺｎおよびＡｌよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第２の負極活物質とを有するのが好ましい。 - 特許庁

This reflection preventing optical member has a reflection preventing layer on at least one face on a transparent basic material, and layers of metals such as Mg, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Si, Mo, Sn, etc., are provided between a pollution preventing layer of organic silane compound containing perfluoropolyether group and a reflection preventing film.例文帳に追加

透明基材上の少なくとも片面に反射防止層を有する反射防止光学部材において、パーフルオロポリエーテル基を含有する有機シラン化合物等の防汚層と反射防止膜との間に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｓｎ等の金属層が設けられた反射防止光学部材を提供する。 - 特許庁

Specifically, the material made of the Al-Mg-Si based aluminum alloy which contains 0.2-1.5 wt% Mg, 0.2-2.0 wt% Si, no Pb, 0.4-1.0 wt% Bi, 0.4-2.0 wt% Sn, and aluminum and impurity as the other components is used.例文帳に追加

具体的には、Ｍｇを０．２〜１．５重量％，Ｓｉを０．２〜２．０重量％を含有し、Ｐｂを添加せずに、Ｂｉを０．４〜１．０重量％，Ｓｎを０．４〜２．０重量％添加し、残部をアルミニウムおよび不純物で構成したＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系のアルミニウム合金からなる素材が用いられる。 - 特許庁

The method for photographing the radiation image comprises the steps of arranging a plurality of detection panels 31, 32, and 33 at the plurality of the photographing positions, irradiating the panels 31, 32, and 33 with an X-ray 12 transmitted through an object 21, and obtaining image data Sn which represent the X-ray images of the subject at the plurality of the photographing positions.例文帳に追加

複数の検出パネル３１，３２，３３を複数の撮影位置に配設し、被写体２１を透過したＸ線１２を検出パネル３１，３２，３３に照射し、複数の撮影位置において被写体のＸ線画像を表す画像データＳｎを得る。 - 特許庁

Therefore, it is suppressed that a filter coefficient is reset by having the notch frequency fc accidentally match a center frequency of a desired wave signal corresponding to the electronic key which is not used, and that a removing function of a noise signal Sn is canceled as a result.例文帳に追加

従って、使用されていない電子キーに対応した希望波信号の中心周波数に、ノッチ周波数ｆｃが偶然にも一致してフィルタ係数がリセットされること、ひいてはノイズ信号Ｓｎの除去機能が解除されることが抑制される。 - 特許庁

To provide a lead-based alloy obtained by improving the publicly known Pb-Ca-Sn-Al alloy for a lead storage battery, having good corrosion resistance and initial mechanical strength and undergoing very little deterioration of the mechanical strength even when it is exposed to a high temperature for a long period of time.例文帳に追加

この発明は公知の鉛蓄電池用Ｐｂ−Ｃａ−Ｓｎ−Ａｌ合金を改良したもので、耐食性や初期の機械的強度とともに長時間高温下に曝された場合でも機械的強度の低下が非常に少ない鉛基合金を得ようとするものである。 - 特許庁

In the method, the droplets 13 of the melt 11 of a metal matrix and inclusion particles 12 are sprayed onto a target 15, and are mixed and solidified so as to be a compound alloy where a fine inclusion(s) containing a dopant element(s) is uniformly dispersed into an Sn matrix.例文帳に追加

金属マトリックスの融液１１の小滴１３と介在物微粒子１２とをターゲット上１５に噴霧して、混合、固化し、ドーパント元素を含有する微細介在物が錫マトリックス中に均一に分散した複合合金。 - 特許庁

The package 10 for an electronic component is constituted by heating, at 400-500°C, and brazing a ceramic base 12 which is a jointed member, and a metal lid 18 consisting of a gold plating layer 14 plated in picture frame at the periphery and an Au-Sn alloy plating layer 16 formed over it, being a solder.例文帳に追加

電子部品用パッケージ１０は被接合部材のセラミックベース１２と、周辺部に額縁状に施した金めっき層１４およびその上にろう材のＡｕ−Ｓｎ合金めっき層１６を形成した金属リッド１８とを、４００〜５００℃の温度で加熱してろう付けして構成する。 - 特許庁

To provide a melting and removing method of impurity in iron, with which the impurities of harmful Cu, Sn, etc. to the material and the stable production from a viewpoint of the production of a steel material when recycling an iron scrap, etc., can efficiently be removed in the molten state.例文帳に追加

鉄スクラップ等のリサイクルに際して鋼材製造の観点から材質と安定製造に有害なＣｕ、Ｓｎ等の不純物元素を溶融状態で安価に効率よく除去することができる鉄中不純物元素の溶融除去方法を提供すること。 - 特許庁

The MnCu-based high-damping alloy is mainly made up of Mn, Cu and Ni, and contains one or more elements selected from Bi, Si, Sn and B as a liquid phase sintering assistant(s), and when containing Bi, the content of Mn is <67 mass%.例文帳に追加

Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉを主成分としたＭｎＣｕ基制振合金であって、液相焼結助剤としてＢｉ、Ｓi、Ｓｎ、Ｂのうちの１種以上の元素を含有し、Ｂｉ含有のときはＭｎの含有量が６７質量％未満であることを特徴とするＭｎＣｕ基制振合金。 - 特許庁

The non-leaded solder is composed essentially of Sn, and the balance composition includes 0.3 to 1.0 mass % Cu, 0.001 to 0.100 mass % Ga, 0.001 to 0.010 mass % P, 0.01 to 1.00 mass % Ag, and 0.001 to 0.010 mass % Ni.例文帳に追加

Ｓｎを主成分とし、残余の組成にＣｕ ０．３〜１．０質量％，Ｇａ ０．００１〜０．１００質量％，Ｐ ０．００１〜０．０１０質量％，Ａｇ ０．０１〜１．００質量％，Ｎｉ ０．００１〜０．０１０質量％，を含むようにして、無鉛はんだを構成する。 - 特許庁

A solder joint structure X1 comprises a first electrode 13 and a second electrode containing Pb on at least the surface thereof, and a solder material 31 which has an alloy composition containing Sn, Zn, Bi and Ni and is joined to the first electrode 13 and a second electrode 22.例文帳に追加

ハンダ接合構造Ｘ１は、第１電極部１３および少なくとも表面にＰｂを含む第２電極部２２と、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、およびＮｉを含む合金組成を有して第１電極部１３および第２電極部２２と接合しているハンダ材３１と、を備える。 - 特許庁

To improve the SN of received signals and the measuring accuracy of a flow-meter provided with a pipeline in which a fluid flows and a plurality of ultrasonic transducers disposed along the pipeline, by attenuating ultrasonic waves propagating along a pipe wall made of a hard material such as stainless steel or glass.例文帳に追加

流体が流れる管路と、この管路に沿って設置される複数の超音波トランスジューサとを備えた流量計において、ステンレス鋼や硝子などの硬質の素材で構成される管壁を介して伝搬する超音波を減衰させることにより、受信信号のＳＮと測定精度の向上を図る。 - 特許庁

In this structure, the widths of the wiring patterns 5 are formed according to the sizes(length of wiring patterns 5 which traverse the electrode pads 3) of the electrode pads 3 so that the contact area Sn(=Wn×Ln) of each wiring pattern 5 with each electrode pad 3 of the semiconductor chip 2 becomes equal.例文帳に追加

この構造で、半導体チップ２のそれぞれの電極パッド３と配線パターン５との接触面積Ｓｎ（＝Ｗｎ×Ｌｎ）が等しくなるように電極パッド３の大きさ（電極パッド３を横断する配線パターン５の長さ）に応じて配線パターン５の幅が形成されている。 - 特許庁

The rolled lead alloy sheet for the expanded positive grid contains 0.05-0.09 mass% calcium, 0.60-1.80 mass% Sn, and 0.0005-0.05 mass% Zn, and has an average crystal particle size in the rolling direction of 150 μm or less.例文帳に追加

エキスパンド正極格子用圧延鉛合金シートは、０．０５質量％〜０．０９質量％のカルシウム、０．６０質量％〜１．８０質量％の錫、および０．０００５質量％〜０．０５質量％の亜鉛を含み、圧延方向に対する平均結晶粒径が１５０μｍ以下である。 - 特許庁

Fast Fourier transform part 132 conducts frequency analysis of the input current data for obtaining a frequency component Sn which occurs with a converter saturated, and a determining part 133 determines the saturated condition of the transformer by the frequency component exceeding a fixed value α.例文帳に追加

高速フーリエ変換部１３_2は入力電流データを周波数分析して変流器が飽和した状態で発生する周波数成分Ｓｎを得、判定部１３_3は周波数成分が一定値αを越えたことで変流器が飽和状態になったことを判定する。 - 特許庁

The material for the transparent conductive film consists of a composite metal oxide containing Zn, Sn and O as principal components and further containing at least one kind of elements to be selected from a group consisting of Sc, Bi, Cu, Y, La, Ag and Au as doping elements.例文帳に追加

Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として、Ｓｃ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。 - 特許庁

In a soldering paste with soldering alloy powder and metallic powder dispersed in a flux, in the soldering alloy powder, Sn and Zn and contained as constituting elements, and in the metallic powder, at least one element selected among Pd, Ti and Ni, is contained as constituting elements.例文帳に追加

フラックス中にはんだ合金粉末および金属粉末を分散させたはんだペーストにおいて、はんだ合金粉末にＳｎおよびＺｎを構成元素として含め、金属粉末にＰｄ、ＴｉおよびＮｉのうちから選択される少なくとも１つの元素を構成元素として含めた。 - 特許庁

To provide an optical detecting circuit capable of expanding an optical detection dynamic range without making the SN of an optical detection signal and height data of a sample dark part worse and acquiring image data of good quality even if a sample has a large luminance difference, and a laser microscope equipped with the optical detecting circuit.例文帳に追加

試料暗部の光検出信号および高さデータのＳ／Ｎを劣化させずに光検出ダイナミックレンジを拡大し、輝度差が大きい試料であっても良質の画像データを取得することが可能な光検出回路および該光検出回路を備えたレーザー顕微鏡を提供する。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

The voltage control oscillator is provided with variable capacity 31-1 to 31-n, 32-1 to 32-n and a variable capacity selection part for selecting the variable capacity to be used from among the variable capacity 31-1 to 31-n, 32-1 to 32-n by being controlled by variable capacity setting signals S1 to Sn.例文帳に追加

可変容量３１−１〜３１−ｎ、３２−１〜３２−ｎと、可変容量設定信号Ｓ１〜Ｓｎにより制御されて可変容量３１−１〜３１−ｎ、３２−１〜３２−ｎの中から使用する可変容量を選択する可変容量選択部を設ける。 - 特許庁

This mica composite is obtained by ion exchange of 10-95 eq.% of exchangeable cations among the interlayer ions of a swellable synthetic mica with at least one kind of ions selected from the group consisting of K, Ba, Cu, Ag, Te, Bi, Pb, Ce, Fe, Mo, Nb, W, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Co, Zn, Zr and Ti ions.例文帳に追加

膨潤性合成雲母の層間イオンのうち、交換性陽イオンの１０〜９５当量％を、Ｋ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃｅ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，ＺｒおよびＴｉからなる群から選ばれる１種または２種以上のイオンとイオン交換させて得られる合成雲母複合体により課題を解決できる。 - 特許庁

It is desirable that the negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or an alloy of these, and are formed by vapor growth method, liquid phase method or sintering method, and it is desirable that the negative electrode active material layer is alloyed with the negative electrode current collector 22A at least at a part of interface between the negative electrode current collector 22A and itself.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであることが好ましく、また、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

In hot tool steel and cold tool steel, the compositional contents of C, Si, Mn, P, S, Cr, Cu+Ni+Co, 2Mo+W and V as components are limited, and the balance substantially Fe with inevitable impurities, and Nb, Sn, Pb, B, Ta and Bi are not incorporated.例文帳に追加

熱間工具鋼及び冷間工具鋼の成分Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｃｒ、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ｃｏ、２Ｍｏ＋Ｗ及びＶの含有量を組成限定し、残部が実質的にＦｅ及び不可避的不純物よりなり、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ、Ｔａ及びＢｉを含有させない。 - 特許庁

The low melting point alloy contains 20-55 wt.% Sn, 40-55 wt.% In, 0.05-1.5 wt.% Ga, 0.05-26 wt.% Bi, 0.05-1.2 wt.% Zn, 0.05-1.5 wt.% Ag and 0.05-1.0 wt.% Sb.例文帳に追加

Ｓｎが２０〜５５重量％、Ｉｎが４０〜５５重量％、Ｇａが０．０５〜１．５重量％、Ｂｉが０．０５〜２６重量％、Ｚｎが０．０５〜１．２重量％、Ａｇが０．０５〜１．５重量％、Ｓｂが０．０５〜１．０重量％含まれる低融点合金。 - 特許庁

The Cu alloy structuring the base material of the connection terminal, is preferred to contain at least one element selected from a group of Ni, Sn and Zn, a thickness of the plated layer is preferred to be 1 to 5 μm, and a total thickness of the connection terminal is preferred to be 0.1 to 0.3 mm.例文帳に追加

接続端子の基材を構成するＣｕ合金は、Ｎｉ、ＳｎおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有していることが好ましく、メッキ層の厚みは１〜５μｍであることが好ましく、接続端子の総厚みは０．１〜０．３ｍｍであることが好ましい。 - 特許庁

A seal ring 6 made of a rectangular frame-shaped metallic film is formed to an upper face outer circumferential part being an joint part of a base member 1 to a cap member, and an Au-Sn alloy wire being a sealing material 7 is sealed over the entire circumference of the seal ring 6 through wire bonding.例文帳に追加

ベース部材１のキャップ部材３との接合部となる上面外周に、矩形枠状の金属膜からなるシールリング６を形成し、シールリング６上に全周に亘って封止材７であるＡｕ−Ｓｎ合金線をワイヤーボンディングにより付着する。 - 特許庁

The electroluminescent element 10 has a configuration in which a light-emitting layer 13 of a thin film made from a polymer or an oligomer, which is formed of the directly coupled same or different elements that are selected from Si, Ge, Sn and Pb, such as polysilane or oligosilane, is placed in between a transparent electrode 12 and an upper electrode 14.例文帳に追加

ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。 - 特許庁

The initiator is represented by the formula: Ma(RMe)b, wherein M is selected from Sn, Ti, Al, Si and/or B; R is a hydrocarbon group containing 8-100 carbon atoms, a is 1-3, b is 2.5-6.5, and Me is an alkali metal selected from Na and Li.例文帳に追加

式Ｍａ（ＲＭｅ）ｂ（式中、ＭはＳｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉおよび／またはＢから選択され、Ｒは８〜１００個の炭素原子を含んでいる炭化水素基であり、ａは１〜３であり、ｂは２．５〜６．５であり、ＭｅはＮａおよびＬｉから選択されるアルカリ金属である）により表される開始剤。 - 特許庁

The melting point of solder of Sn/Pb forming a solder bump 76 has a temperature range from 160 to 200°C, so that solder bump alloy is softened and melted to solder an IC chip 90 when a reflow process is carried out at a temperature of 200 to 220°C.例文帳に追加

半田バンプ７６を構成しているＳｎ／Ｐｂからなる半田の融点は、１６０〜２００℃の間であり、リフロー温度２００〜２２０℃の間で行えば、半田バンプ合金は、軟化、溶解してＩＣチップ９０との接続させることができる。 - 特許庁

The wiring board comprises an insulating substrate 2, an electrode 3 formed on the insulating substrate 2, a first Ni layer 4 formed on the surface of the electrode 3, an Ni oxide layer 5 formed on the first Ni layer 4, and an Au layer 7 formed on the Ni oxide layer 5 and to which a solder bump containing Sn is bonded.例文帳に追加

絶縁基体２と、絶縁基体２上に形成された電極３と、電極３の表面に形成された第１のＮｉ層４と、第１のＮｉ層４上に形成されたＮｉ酸化物層５と、Ｎｉ酸化物層５上に形成され、Ｓｎを含む半田バンプが接合されるＡｕ層７とを備えている。 - 特許庁