「TMG」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed.例文帳に追加

次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 - 特許庁

When GaAs crystal is grown, TEG and TMG of specified mixing ratio are used as a material for Ga of group III.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶を成長させる際、III族のＧａの原料として所定の混合率のＴＥＧとＴＭＧとを用いる。 - 特許庁

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

As the material gas, TMA is used for an Al material, the mixed gas of TEG and TMG is used for a Ga material, and arsine is used for an arsenic material.例文帳に追加

原料ガスとしては、Ａｌ原料にＴＭＡ、Ｇａ原料にＴＥＧとＴＭＧの混合ガス、砒素原料にアルシンを用いた。 - 特許庁

A correction signal generation circuit 40 generates a signal Scp based on the signal TMG and a correction value Vcp and imparts it to the counter 10.例文帳に追加

補正信号生成回路４０は、信号ＴＭＧと補正値Ｖｃｐとに基づき、信号Ｓｃｐを生成してカウンタ１０に与える。 - 特許庁

When the engine start instruction is not issued (NO in S60), the present differential torque ΔTEn is set as the torque assist amount Tmg as it is (S90, S80).例文帳に追加

エンジン始動時でないならば（Ｓ６０否定）、現在の差分トルクΔＴＥｎをそのままトルクアシスト量Ｔｍｇとする（Ｓ９０、Ｓ８０）。 - 特許庁

As the source material 28, an organic source of TMG (trimethylgallium) or the like can be used, and as the nitrogen-containing gas, a nitrogen radical-containing gas can be used.例文帳に追加

ソース物質２８としては、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）等の有機ソースを用いてもよく、窒素含有ガスとしては、窒素ラジカルを含むガスを用いてもよい。 - 特許庁

When a carrying sensor 27 detects a rear end of a former sheet material S, the operation for preparing feeding of a following sheet material S is started, and a register sensor 7 detects re-carrying of the former sheet material S to the image forming unit by a register roller 8, and informs with the TMG signal 47 to start the feeding operation of the following sheet material S.例文帳に追加

先のシート材Ｓの後端を搬送センサ２７で検知したら次のシート材Ｓの給送準備動作を開始し、先のシート材Ｓのレジストローラ８による画像形成部への再搬送をレジセンサ７で検知し、TMG信号４７によって通知して次のシート材Ｓの給送動作を開始する。 - 特許庁

Shift registers 15, 17 latch as a system changeover control signal (g) an output of the shift register 11 of the signal extract section 1 by 4 frames based on a TMG signal (c).例文帳に追加

信号抽出部１のシフトレジスタ１１の出力をＴＭＧ信号ｃによって、シフトレジスタ１５，１７にて系切り替え制御情報ｇが４フレーム分ラッチされる。 - 特許庁

During the course of growing the GaN buffer layer by heating, a GaN film is formed by introducing AsH3 (process C), and thereafter, introducing DMHy and TMG.例文帳に追加

ＧａＮバッファ層を加熱して成長させる過程において、ＡｓＨ_3を導入し（プロセスＣ）、その後ＤＭＨｙとＴＭＧを導入してＧａＮ膜を形成する。 - 特許庁

By mixing and supplying TMG and TEG, the exchange reaction of a methyl group of TMA of the Al material and an ethyl group of TEG of the Ga material occurs.例文帳に追加

ＴＭＧとＴＥＧを混合して供給することにより、Ａｌ原料であるＴＭＡのメチル基とＧａ原料であるＴＥＧのエチル基との交換反応が起こる。 - 特許庁

With the temperature kept at 970°C, an N layer 62 comprising N-type GaN of film-thickness about 7 μm is formed by supplying H2 at 2.5 liter/minute, NH3 at 1.5 liter/minute, and TMG at 100 cc/minute.例文帳に追加

温度を 970℃に保持し、Ｈ_2 を 2.5liter ／分、ＮＨ_3 を 1.5liter ／分、ＴＭＧを 100cc／分で供給し、膜厚約 7μｍのＮ型のＧａＮから成るＮ層６２を形成した。 - 特許庁

Thereafter, the carrier gas is switched from a hydrogen gas to an argon gas that is one of noble gases and a semiconductor layer 14 made of InGaN with a film thickness of 100 nm is formed on the upper surface of the underlying layer 13 by providing the TMG and TMI for one hour with the TMI/TMG gas phase ratio of 0.9 and V/III compound supplying mole ratio of 10,000.例文帳に追加

その後、キャリアガスを水素ガスから希ガスであるアルゴンガスに切り替え、ＴＭＧとＴＭＩとをＴＭＩのＴＭＧに対する気相比が０．９で、Ｖ族／III 族供給モル比が１００００として１時間供給することにより、下地層１３の上面にＩｎＧａＮからなり、膜厚が１００ｎｍの半導体層１４を成長させる。 - 特許庁

At a stage (time t_1) wherein crystal growth is completed after an upper DBR layer is formed, supply of TMA, TMG and DMZ is stopped and a process temperature begins to be lowered.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ_1）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。 - 特許庁

A correction timing generation circuit 30 decodes the signals Da and Db, detects the correction timing of the signal Da, and generates a plurality of correction timing signals TMG having different timing.例文帳に追加

補正タイミング生成回路３０は、信号Ｄａ及びＤｂをデコードしてその信号Ｄａの補正タイミングを検出し、タイミングの異なる複数の補正タイミング信号ＴＭＧを生成する。 - 特許庁

More specifically, the buffer layer having the stress relaxation effect is suitably formed by making a second AlN layer using gas mixed with TMA and TMG at 600°C or less to the extent that the mixing ratio of TMA and TMG is 3/17 or more and 6/17 or less if the surface layer of the template substrate comprises the first AlN layer.例文帳に追加

特に、テンプレート基板の表面層が第１のＡｌＮ層からなる場合であれば、６００℃以下の形成温度でＴＭＡとＴＭＧの混合ガスを、ＴＭＡに対するＴＭＧの混合比を３／１７以上６／１７以下の範囲で供給して第２のＡｌＮ層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。 - 特許庁

At first, in the first growth process, NH_3 and TMG are turned on (supplied) in the chamber of an MOCVD device and TMA is turned off (stopped) in order to grow an electron traveling layer (GaN layer).例文帳に追加

まず、第１成長工程においては、電子走行層（ＧａＮ層）を成長させるため、ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に、ＮＨ_３とＴＭＧがオン（供給）され、ＴＭＡはオフ（停止）とされる。 - 特許庁

A shift register 11 of a signal extract section 1 applies serial/ parallel conversion to a control signal (a) based on a clock (CLK) signal (b) and a flip-flop 12 latches a check pattern (e) based on a TMG signal (d).例文帳に追加

制御信号ａは信号抽出部１のシフトレジスタ１１においてクロック（ＣＬＫ）信号ｂにより、シリアル・パラレル変換され、ＴＭＧ信号ｄによりフリップフロップ１２にてチェックパターンｅがラッチされる。 - 特許庁

The p-type contact layer 7 is formed, by first lowering the temperature of a substrate 1 to 870°C and then supplying N_2 at 10 liters/min, NH_3 at 10 liters/min, TMG at 100 μmol/min, and CP_2Mg at 60 μmol/min.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７は、基板１の温度を８７０℃に降温し、Ｎ_2 を１０リットル／分、ＮＨ_3 を１０リットル／分、ＴＭＧを１００μmol ／分、ＣＰ_2 Ｍｇを６０μmol ／分で供給して形成した。 - 特許庁

Then on a patterned SiO2 film 63 at 970°C, an I layer 64 comprising I-type GaN of film-thickness 1.0 μm is formed by supplying H2 2.5 liter/minute, NH3 at 1.5 liter/minute, TMG at 100 cc/minute, and DEZ at 500 cc/minute.例文帳に追加

その後、パターン形成されたＳｉ０_2 膜６３の上に、温度を 970℃とし、Ｈ_2 を 2.5liter ／分、ＮＨ_3 を 1.5liter ／分、ＴＭＧを 100cc／分、ＤＥＺを 500cc／分で供給して、Ｉ型のＧａＮから成るＩ層６４を膜厚 1.0μｍに形成した。 - 特許庁

In a step S110, TMG, TMIn and NH_3 are supplied into a growing furnace, and InGaN thin film deposition is executed under a temperature T1, the thickness D_W1 of the InGaN film being thinner than well layer film thickness D_W0 (D_W1<D_W0).例文帳に追加

工程Ｓ１１０では、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及びＮＨ_３を成長炉に供給して井戸層の膜厚Ｄ_Ｗ０より薄い膜厚Ｄ_Ｗ１（Ｄ_Ｗ１＜Ｄ_Ｗ０）のＩｎＧａＮ薄膜の堆積を温度Ｔ１で行う。 - 特許庁

In a process S110, the deposition of InGaN thin film of which the film thickness D_w1(D_W1<D_W0) is thinner than the film thickness D_W0 of the well layer is performed at a temperature T1 while supplying TMG, TMIn and NH_3to a growth furnace.例文帳に追加

工程Ｓ１１０では、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及びＮＨ_３を成長炉に供給して井戸層の膜厚Ｄ_Ｗ０より薄い膜厚Ｄ_Ｗ１（Ｄ_Ｗ１＜Ｄ_Ｗ０）のＩｎＧａＮ薄膜の堆積を温度Ｔ１で行う。 - 特許庁

When an engine start instruction is issued (YES in S60), differential torque ΔTE(n-1) calculated from torque TEP(n-1), TET(n-1) just before the start is held as the differential torque ΔTEn in the start (S70), and the differential torque is set as a torque assist amount Tmg (S80).例文帳に追加

エンジン始動指令時ならば（Ｓ６０肯定）、始動直前のトルクＴＥＰ(ｎ−１)，ＴＥＴ(ｎ−１)から算出した差分トルクΔＴＥ(ｎ−１)を、始動時の差分トルクΔＴＥｎとして保持し（Ｓ７０）、トルクアシスト量Ｔｍｇとする（Ｓ８０）。 - 特許庁

Although TMG and NH_3, which are material gas can as a whole reach the surface 30f of the coat 30 composed of SiO_2, epitaxial growth of a group-III nitride compound semiconductor does not occur on the surface 30f, while the surface 30f remains clean (1.C, 1.D).例文帳に追加

原料ガスであるＴＭＧとＮＨ_3は、ＳｉＯ_2から成る被膜３０の表面３０ｆ全体に到達しうるが、表面３０ｆにはIII族窒化物系化合物半導体はエピタキシャル成長せず、表面３０ｆは清浄なままとなる（１．Ｃ、１．Ｄ）。 - 特許庁

Simultaneously with introduction of a process gas containing TMG being an organogallium compound, nitrogen (N_2) and hydrogen (H_2) in a space between a pair of electrodes (12H, 12E) under a pressure close to atmospheric pressure, and electric field is applied between the electrodes (12H, 12E) so as to induce electric discharge.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で一対の電極１２Ｈ，１２Ｅ間に、有機ガリウム化合物であるＴＭＧと窒素（Ｎ_２）と水素（Ｈ_２）とを含有するプロセスガスを導入するとともに、電極１２Ｈ，１２Ｅ間に電界を印加して放電を生成する。 - 特許庁

An engine start controller 180 performs cranking control to pull up engine speed Ne with the electric motor MG in order to start the engine 10 into operation, and in the cranking control, makes the electric motor torque Tmg pulsate by resonance frequency f_RS of a power transmission system from the electric motor MG to the engine 10.例文帳に追加

エンジン始動制御手段１８０は、エンジン１０を始動するために電動機ＭＧでエンジン回転速度Ｎeを引き上げるクランキング制御を行い、そのクランキング制御では、電動機ＭＧからエンジン１０までの動力伝達系の共振周波数ｆ_RSで電動機トルクＴmgを脈動させる。 - 特許庁

Accordingly, in cranking control, maximum output torque of the electric motor MG needed for engine start can be reduced, since the electric motor torque Tmg is amplified by resonance of the power transmission system from the electric motor MG to the engine 10 and transmitted to the engine 10.例文帳に追加

従って、前記クランキング制御において、前記電動機ＭＧからエンジン１０までの動力伝達系の共振により電動機トルクＴmgが増幅されてエンジン１０に伝達されるので、エンジン始動のために必要とされる電動機ＭＧの最大出力トルクを低減することができる。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

Leads LDc, LDg are bent after one-side ends of the leads LDc, LDg are fixed to a printed wiring substrate SBp, the printed wiring substrate SBp is introduced into a case HD and other ends of the leads LDc, LDg are joined to terminals TMc, TMg of the case HD.例文帳に追加

リード線ＬＤｃ，ＬＤｇの一端をプリント配線基板ＳＢｐに固着した後にリード線ＬＤｃ，ＬＤｇを屈曲させ、プリント配線基板ＳＢｐをケースＨＤ内に導入し、ケースＨＤの端子ＴＭｃ，ＴＭｇにリード線ＬＤｃ，ＬＤｇの他端を接合する。 - 特許庁

Travelling information is read (S10) and, when a mode is switched from one mode to another (S12 affirmation) at the time of deceleration of a vehicle (S11 affirmation), an actual engine brake torque Tenga is calculated (S13 to S15) from a clutch stroke Cst, an actual engine torque Teng and a given map, to gradually change the regeneration torque Tmg in view of the magnitude thus calculated.例文帳に追加

走行情報を読み込み（Ｓ１０）、車両減速時（Ｓ１１肯定）に、一方から他方のモードへ切り替えられた場合（Ｓ１２肯定）、クラッチストロークＣｓｔ、実エンジントルクＴｅｎｇ、所定マップより実際のエンジンブレーキトルクＴｅｎｇａを算出し（Ｓ１３〜Ｓ１５）、この大きさを考慮して回生トルクＴｍｇを徐々に変化させる（Ｓ１６〜Ｓ１８）。 - 特許庁

The voltage sensor 15 of this fault diagnoser computes the output Pac1 of an AC motor 6 based on three-phase AC voltage commands vu^*, vv^* and vw^* of an inverter 4, and current detected values iu, iv and iw of the current sensors 9a-9c, and computes the output Pac2 of the AC motor 6 based on a torque command Tmg and motor rotational speed ω.例文帳に追加

電圧センサ診断部１５は、インバータ４の３相交流電圧指令値ｖｕ^*，ｖｖ^*，ｖｗ^*、および、電流センサ９ａ〜９ｃの電流検出値ｉｕ，ｉｖ，ｉｗに基づいて、交流モータ６の出力Ｐac1を算出するとともに、トルク指令値Ｔmg、および、モータ回転速度ωに基づいて、交流モータ６の出力Ｐac2を算出する。 - 特許庁