「TorR」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In a manufacturing method for obtaining the laminated sheet molded under pressure and heating, hot plates are raised after a vacuum degree reaches 100 Torr or less to start pressurization.例文帳に追加

加圧加熱して成形する積層板を得る製造方法において、真空度が１００Ｔｏｒｒ以下に達してから熱板を上昇し加圧を開始する。 - 特許庁

The main vacuum pump 5 is of a high back pressure type having back pressure of 400 Pa (about 3 Torr) or more, and the auxiliary vacuum pump 7 is set within a clean room 8.例文帳に追加

主真空ポンプ５は、背圧が４００Ｐａ（約３Ｔｏｒｒ）以上の高背圧型であり、補助真空ポンプ７はクリーンルーム８内に設置されている。 - 特許庁

Thereafter, a tip 12a of the fitting 12 is inserted into the interior 6c to conduct brazing in an atmosphere of 76 Torr or below.例文帳に追加

その後、この取付け孔６ｃ内に電極取り出し金具１２の先端１２ａを挿入し、７６Ｔｏｒｒ以下の雰囲気圧力中でロウ付けを行う - 特許庁

The rare gas is a gaseous mixture composed of Ne and Ar having a ratio of Ne of ≥80% and the sealing pressure into the light emitting tube 4 is ≥40 to ≤200 Torr.例文帳に追加

希ガスはＮｅの比率が８０％以上のＮｅとＡｒの混合ガスであり、発光管４内の封入圧が４０torr以上２００torr以下である。 - 特許庁

However, for easily discharging the hydrogen peroxide steam, its pressure can be set less than 50 torr, and the temperature can be set to the higher temperature than 86.例文帳に追加

しかしながら、過酸化水素蒸気の放出を容易にするためその圧力を５０トル未満で温度を８６より高温とすることができる。 - 特許庁

The nickel chloride is obtained by heating nickel chloride hexahydrate 1 at 200-500°C in a reaction tube 2 in which the pressure is reduced to ≤133.32 Pa (1 Torr).例文帳に追加

塩化ニッケル六水和物１を反応管２内で１３３．３２Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下に減圧し、２００℃以上５００℃の温度に加熱処理して、無水塩化ニッケルを得る。 - 特許庁

This method prints the biodegradable cloth under a condition of transcription temperature 130-170°C and ≤200 Torr of pressure.例文帳に追加

生分解性を有する生地に対して、転写温度130〜170℃および真空度200トル以下の条件下で転写プリントすることを特徴とする生分解性生地へのプリント方法。 - 特許庁

Therefore, CNT grown up on the substrate is heated at at least 1,500°C, the vacuum is made at most 10^-2 Torr, thereby iron can be evaporated.例文帳に追加

そのため、基板上に成長させたＣＮＴを１５００℃以上に加熱し、１０^−２Ｔｏｒｒ以下の真空とすれば、鉄を蒸発させることができる。 - 特許庁

The arc discharge is carried out in a reactor 1 filled with an inert gas optionally contg. gaseous hydrogen under 50-1,500 Torr pressure.例文帳に追加

アーク放電は、不活性ガスあるいは、水素ガスを含んだ不活性ガスが５０〜１５００Ｔｏｒｒの圧力で満たされた反応容器１内で行う。 - 特許庁

A high density plasma is formed by setting a pressure 15-100 Torr and an electrode interval 6 mm or less, and an ion sheath is formed on the anode side.例文帳に追加

１５〜１００Ｔｏｒｒの圧力で、かつ電極間隔を６ｍｍ以下とすることにより、高密度のプラズマを形成し、アノード側にイオンシースを形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of amorphous silicon having a wide band gap, a high quality plasma CVD is used under combined conditions of medium-pressure or high-pressure (>4 Torr, for example 10 Torr), a high hydrogen dilution of a raw material (for example, >50:1), and a relatively low temperature (for example, room temperature or 150°C or 200°C).例文帳に追加

広いバンドギャップを有するアモルファスシリコンの製造方法として、中圧ないし高圧（＞４Ｔｏｒｒ、例えば１０Ｔｏｒｒ）、原料の高い水素希釈(例えば＞５０：１）、および相対的に低い温度（例えば室温ないし１５０℃もしくは２００℃）の組み合わせ条件下で高品質なをプラズマＣＶＤを用いる。 - 特許庁

Crosslinking UHMWPE is exposed to a temperature of ranging from 120 to 270°C and pressure of ranging from 0.000001 Torr (equivalent to 1.3×10^-4 Pa) to 100 Torr (equivalent to 13.3 kPa), so that the low-molecular weight compounds can be removed from the UHMWPE to be used to make this orthopedic device.例文帳に追加

架橋ＵＨＭＷＰＥを１２０〜２７０℃の範囲の温度と０．０００００１Ｔｏｒｒ（換算値は１．３×１０^−４Ｐａ）〜１００Ｔｏｒｒ（換算値は１３．３ｋＰａ）の範囲の圧力とに曝露し、該整形外科用装置を形成するのに用いられる該ＵＨＭＷＰＥから低分子量化合物を除去する。 - 特許庁

Or, the solvent metal is thermally treated under conditions that the pressure is ≤1×10^-2 torr (1.33 Pa) and the temperature is ≥800°C in a state that the solvent metal is previously brought into contact with a carbon material.例文帳に追加

また、溶媒金属を、予め、炭素材料と接触させた状態で、圧力が１×１０^-2torr（１．３３Ｐａ）以下、温度が８００℃以上の条件下で熱処理する。 - 特許庁

A high vacuum pressure reducing means whose vacuum reachability exceeds 15 Torr is provided at the exhaust line 5 of a sterilization tub 4 housing a matter to be sterilized 3.例文帳に追加

被滅菌物３を収容する滅菌槽４の排気ライン５に真空到達能力が１５Ｔｏｒｒを越える高真空減圧手段を備えたことを特徴としている。 - 特許庁

The concentration of aluminum trichloride in the coating retort is less than 1.4% by volume of the coating gas, and a total pressure of the coating gas in the coating retort is about 100 to about 450 Torr.例文帳に追加

チャンバー内のアルミニウムトリクロライドの濃度はチャンバー内のコーティングガスの１.４体積％より少なく、チャンバー内のコーティングガスの全圧は約１００〜約４５０Torrである。 - 特許庁

The method of producing aluminum nitride powder is characterised in that aluminum nitride powder is heat-treated at a temperature of 1,400 to 1,850°C under a reduced pressure of ≤10^-2 Torr.例文帳に追加

１０^−２Ｔｏｒｒ以下の減圧下において１４００〜１８５０℃で窒化アルミニウム粉末を熱処理することを特徴とする窒化アルミニウム粉末の製造方法に係る。 - 特許庁

There is negative pressure of a range of 1 to 600 Torr (1.3332×10^2 to 7.9993×10^4 Pa) between the dielectric window 12 and a dielectric plate 22 of the microwave plasma treatment device.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置の誘電体窓１２と誘電体板２２との間を１〜６００Torr（１．３３３２×１０^2〜７．９９９３×１０^4Ｐａ）の範囲の負圧にする。 - 特許庁

The first film is formed by temporarily controlling the pressure in the device to ≤2×10^-5 Torr, and then oxygen is injected and then controlling the pressure to the above prescribed pressure by charging oxygen.例文帳に追加

そして第１膜目は、装置内の圧力を一旦２×１０^−５Ｔｏｒｒ以下とした後、酸素を注入して前記所定圧力として形成する。 - 特許庁

Further, oxygen gas is introduced into the chamber 11, and the pressure in the chamber 11 is held at, for example, 10 Torr (approximately 1.33×103 Pa) by an evacuation pump 17.例文帳に追加

また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０^3Ｐａ）に維持する。 - 特許庁

The method for producing a polymer thin film of high durability is characterized by heating a polymer thin film above the glass transition temperature of the thin film under a vacuum condition below 1 torr.例文帳に追加

重合体薄膜を１トール以下の真空条件下で該薄膜のガラス転移温度以上に加熱することを特徴とする耐久性重合体薄膜の製造方法。 - 特許庁

A diamond film (a dielectric 4) is film formed by a microwave CVD device in the vacuum of 50 Torr with CH4(2%)+O2(1%)/H2 as the gaseous starting material.例文帳に追加

原料ガスとしてＣＨ_4（２％）＋Ｏ_2（１％）／Ｈ_2を用い、５０Ｔｏｒｒの真空中でマイクロ波ＣＶＤ装置によってダイアモンド膜（誘電体４）を成膜した。 - 特許庁

A polymer binding material having a vapor pressure of ≤10 torr in the temperature range (300-450°C) within which the alloying heat treatment is performed is selected as the polymer binding material 111.例文帳に追加

高分子結合材１１１は、合金化熱処理が行われる温度範囲（３００℃以上４５０℃以下）における蒸気圧が１０ｔｏｒｒ以下であるものを選定する。 - 特許庁

By using air for a plasma gas, and by supplying microwave power of 2.45 Ghz to an electrode gap 14 in a condition of 80 Torr, thermal nonequilibrium plasma is generated.例文帳に追加

プラズマガスとしては空気を用い、８０Ｔｏｒｒの条件下で電極ギャップ１４に２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力を供給し、非熱平衡プラズマを発生させる。 - 特許庁

In the primary step, by a vacuum pump 20, in a high vacuum of ≤1×10-5 Torr, the temp. of the substrate is held at 350 to 550°C for 1 min by heating with a susceptor 12.例文帳に追加

第１ステップでは真空ポンプ２０により１×１０^-5Torr以下の高真空下で、上記基板はサセプタ１２による加熱で、１分以上、３５０〜５５０℃の温度に維持される。 - 特許庁

Then, when the cutoff valve 21 is opened, the pressure becomes instantly almost half the atmosphere of 380 Torr, and the vacuum evacuating device side and the degassing vessel side become the same pressure.例文帳に追加

そして、遮断弁２１を開けると圧力は瞬時にほぼ大気圧の半分の３８０Ｔｏｒｒとなり、真空排気装置側と脱ガス槽側とは同圧になる。 - 特許庁

After a first Al film is formed to 10 Å in thickness, the first Al film is plasma-oxidized with RF plasma in an oxygen atmosphere of 50 Torr.例文帳に追加

次に、第１のＡｌ膜を１０Åの膜厚で成膜した後、５０Ｔｏｒｒの酸素雰囲気下において、ＲＦプラズマにより第１のＡｌ膜をプラズマ酸化する。 - 特許庁

After that, the film around 300 nm thick is further deposited by using WF_6: 75 sccm and H_2: 500 sccm as the reaction gas in an atmosphere of Ar, N_2: 80 Torr.例文帳に追加

その後、Ａｒ，Ｎ_2：８０Ｔｏｒｒの雰囲気中で、反応ガスとして、ＷＦ_6：７５ｓｃｃｍ、Ｈ_2：５００ｓｃｃｍを用いて、３００ｎｍ程度の膜厚を積層する。 - 特許庁

This problem is overcome by annealing in a 1:4 oxygen - nitrogen mixture (1,050°C at about 10 Torr) instead of in helium or a nitrogen oxide.例文帳に追加

この問題は、ヘリウム又は酸化窒素の代わりに、１：４の酸素‐窒素混合物中において（１０５０℃、約１０トルで）アニーリングを実施することにより克服された。 - 特許庁

The La(dibm)_3 has 110°C melting point, a large solubility and 0.1 Torr vapor pressure at 195°C and its n-butyl acetate solution has 3 month pot life.例文帳に追加

Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３は、融点１１０℃で溶解度は大きく、０．１Ｔｏｒｒ／１９５℃の蒸気圧を持ち、その酢酸ｎ−ブチル溶液は３ケ月のポットライフを有する。 - 特許庁

The gas pressure of xenon 69 is made over 200 Torr by positioning the two electrodes closely to each other, which ensures a light emission with high brightness.例文帳に追加

帯状内部電極５４と帯状内部電極５５を近接させることによりキセノン６９のガス圧を２００Ｔｏｒｒ以上にすることができ、高輝度な発光が行える。 - 特許庁

A PVD(physical vapor deposition) metal-deposited layer, e.g. PVD Al or PVD Cu is deposited on the layer hard to dissolve under the pressure of 1 milli Torr or lower to give a conformal PVD metal-deposited layer.例文帳に追加

ＰＶＤ金属層、例えばＰＶＤＡｌ、またはＰＶＤＣｕが１ミリトル以下の圧力で溶けにくい層に堆積されて、コンフォーマルなＰＶＤ金属層を与える。 - 特許庁

This surface treatment method is characterized by removing elements from only the surface part of the steel material, in a condition of a vacuum degree of 10^-2-10^-6 Torr and a temperature of 1,000°C±250°C.例文帳に追加

鉄鋼材を真空度１０-2Ｔｏｒｒ〜１０-6Ｔｏｒｒ、温度１０００℃±２５０℃の条件下において表面部のみ脱元素処理することを特徴とする。 - 特許庁

This method includes applying, to the substrate, a reaction cycle including: (i) supplying a gas precursor containing at least one organo-metallic compound to the reactor vessel at a temperature of from about 20°C to about 150°C and a vapor pressure of from about 0.1 torr to about 100 torr; and (ii) supplying a purge gas, an oxidizing gas, or a combination thereof to the reactor vessel.例文帳に追加

この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 - 特許庁

In a method of forming thin film, the pressure of the whole gaseous raw material contributing to the deposition of a thin film is maintained at the atmospheric pressure of 760 Torr or lower, so that no expensive vacuum evacuating device may be required even though the partial pressure of the gaseous raw material is maintained at ≤1 Torr so that a deposition seed may be transported to a substrate under such a gas pressure.例文帳に追加

本発明では、膜堆積に寄与する原料ガス自体の分圧はたとえば１Torr以下に保ちつつもガス圧全体としてはそれよりもはるかに高い760Torrの常圧またはそれ以下であっても高度な真空排気装置を必要としない減圧レベルとし、このようなガス圧下で基板までそれら堆積種が輸送されるようにした。 - 特許庁

A method for manufacturing a single crystal diamond by a plasma CVD process in which the pressure in a synthesis chamber is not lower than 80 Torr is disclosed, wherein a raw material gas with helium added thereto is used.例文帳に追加

合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。 - 特許庁

The extraction chamber 11 is connected to a vacuum pump 18 through a valve 15 and a suction pipe 16 and internally evacuated by the vacuum pump to be adjusted to a degree of vacuum of 100 Torr or less.例文帳に追加

抽気室１１はバルブ１５及び吸気管１６を介して真空ポンプ１７に連結して、抽気室１１内を真空ポンプにより１００Ｔｏｒｒ以下の真空度にする。 - 特許庁

Co nano-particles having particle diameters of ≤5 nm are deposited on the buffer layer by generating pulse arcs in a range of about 3-150 times by using pulse arc plasma at a vacuum degree of 1×10^-5 Torr.例文帳に追加

そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、３〜１５０回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。 - 特許庁

When the metal element is formed into a metal fluoride, the vapor pressure of the fluoride reaches 1 Torr in a temperature range of 200-1,300°C.例文帳に追加

金属元素が、フッ化金属を形成した場合に、そのフッ化金属の蒸気圧が１Ｔｏｒｒとなる温度が２００〜１３００℃の範囲となる金属元素である複合材料である。 - 特許庁

The substrate supporting body has a pass enabling the flow of backside gas for heating or cooling a substrate, by which the pressure of the backside gas is held to at least 15 Torr.例文帳に追加

基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも１５トルに維持される。 - 特許庁

A pressure differential switch connected across the bypass valve immediately open it whenever the pressure differential exceeds a limit, such as 20 Torr, for example when there is a leak or an electrical failure.例文帳に追加

バイパスバルブにわたって連結された圧力差スイッチは、漏れ又は電気的不全により圧力差が許容限度、例えば２０Ｔｏｒｒを超えたら速やかにバイパスバルブを開口する。 - 特許庁

The temperature of the outer tube 10 can be kept below 260°C that is the use limit temperature of a fluorine resin film 16 by setting the sealed pressure of the nitrogen 22 to 350-760 Torr.例文帳に追加

窒素２２の封入圧力を３５０〜７６０Ｔｏｒｒとすることにより、フッ素樹脂膜１６の使用限界温度である２６０℃以下に外管１０の温度を保つことができる。 - 特許庁

The amount of the residual solvent is reduced by heat treating the fullerenes containing the residual solvent at a temperature higher by 150°C or more than the boiling point of the solvent under a reduced pressure of ≤50 Torr.例文帳に追加

溶媒が残留するフラーレン類を、５０Ｔｏｒｒ以下の減圧度において溶媒沸点よりも１５０℃以上高い温度において加熱処理し、溶媒残留量を低減する。 - 特許庁

The impurity diffusion method comprises an oxidation step of forming an oxide film on a surface of a semiconductor of a substrate; a diffusion step of setting a gas partial pressure of a compound gas containing an impurity element to 0.1 torr to 800 torr, setting a temperature of the substrate to 750°C to 950°C, and diffusing the impurity element to the semiconductor through the oxide film.例文帳に追加

基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を０．１トール以上８００トール以下とし、前記基板の温度を７５０℃以上９５０℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁

When the timber is dried, the timber is dried in combination of vacuum conditions suitable for the tree type to be dried or a timber thickness in ranges of 30 to 700 Torr of vacuum and 25 to 90°C of a hot air temperature and the hot air temperature.例文帳に追加

木材を乾燥するとき、真空３０〜７００ｔｏｒｒ、熱風温度２５℃〜９０℃の範囲で、乾燥する樹種や材厚に適した真空条件と熱風温度を組み合わせて乾燥する。 - 特許庁

Co-Ti nanoparticles having particle diameters of ≤2 nm are deposited on an Si-substrate by generating pulse arcs in a range of about 50-100 times by using pulse arc plasma at a vacuum degree of 1×10^-5 Torr.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、５０回〜１００回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径２ｎｍ以下のＣｏ−Ｔｉナノ粒子を堆積させる。 - 特許庁