「WL」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell array 10 includes memory cells MC arranged at an intersection of a word line WL and a bit line pair BL, /BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０は、ワード線ＷＬとビット線対ＢＬ、／ＢＬの交差部に設けられたメモリセルＭＣを配列してなる。 - 特許庁

A length H_2 of a portion lower than a water level WL of the baffle 5 is 5-20% as many as a water depth H_1 of the tank body 2 and preferably, 10-15%.例文帳に追加

邪魔板５の水面位ＷＬよりも下側の長さＨ_２は、この槽体２の水深Ｈ_１の５〜２０％特に１０〜１５％が好適である。 - 特許庁

Accordingly, the operation speed is increased as compared with a prior art in which a level of a word line WL falls to an "L" level between data reading and data writing.例文帳に追加

したがって、データ読出とデータ書込の間でワード線ＷＬを「Ｌ」レベルに立ち下げていた従来に比べ、動作速度が速くなる。 - 特許庁

Respective sizes WL, WS of two open holes 1L, 1S for floodlight correspond to respective sizes DL, DS of emitting parts 5L, 5S.例文帳に追加

２個の投光用開口孔１Ｌ、１Ｓの大きさＷＬ、ＷＳが、発光部５Ｌ、５Ｓの大きさＤＬ、ＤＳに応じて形成されている。 - 特許庁

The memory cells MC are formed at the crossing points of bit lines BL extending in the X direction and word lines WL extending in the Y direction.例文帳に追加

Ｘ方向に延びるビット線ＢＬとＹ方向に延びるワード線ＷＬとの交点位置にメモリセルＭＣが形成されている。 - 特許庁

The number of memory cells MC capable of being subjected to writing or reading at once while sharing one word line WL is a power of 2.例文帳に追加

１つのワード線ＷＬを共有し一度に書き込み又は読み出しが可能なメモリセルＭＣの数が２のべき乗である。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes word lines WL, memory cells C00, 01, 10, 11, and a row selecting circuit 2.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリが、ワード線ＷＬと、メモリセルＣ００、０１、１０、１１と、ロウ選択回路２とを備えている。 - 特許庁

The clean water is supplied into the space inside the short pipe 12 to form a clean water layer WL in the space inside the short pipe 12.例文帳に追加

短管１２内の空間に清水を供給すれば、短管１２内の空間に清水層ＷＬを形成させることができる。 - 特許庁

For voltages (VUW) applied to the unselected word line WL, a voltage in an erasing mode is set to -2V, and voltages in the other modes are set to -1.4V.例文帳に追加

非選択のワード線ＷＬに印加される電圧（ＶＵＷ）は、消去モード時の電圧を−２Ｖとし、他のモード時の電圧を−１．４Ｖとする。 - 特許庁

Also, all word lines WL of the memory cell transistor 16 are set to a non-selection state by a multiplexer 19.例文帳に追加

また、マルチプレクサ１９によりメモリセルトランジスタ１６のワード線ＷＬを全て非選択状態に設定する。 - 特許庁

The source line SL, a word line WL, a bit line BL and a gate Gate are connected to a wiring layer through respective vias.例文帳に追加

ソース線ＳＬ、ワード線ＷＬ、ビット線ＢＬ、及びゲートＧａｔｅは、それぞれビアを介して配線層に接続される。 - 特許庁

The memory cells MC are arranged at the crossing points of a plurality of word lines WL and a plurality of bit lines BL.例文帳に追加

複数のメモリセルＭＣは、複数のワード線ＷＬおよび複数のビット線ＢＬの交点に配置されている。 - 特許庁

A DC-DC converter 5 is installed near to at least one of a water tank 2 and a water passage WL.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータ５を、水タンク２または水経路ＷＬの少なくとも一方に隣在させる。 - 特許庁

When a word line WL is made "H", the NMOS 13 is also made an on-state, and the potential of a bit line /BL is made rapidly a ground potential GND.例文帳に追加

ここで、ワード線ＷＬが“Ｈ”になると、ＮＭＯＳ１３もオン状態となり、ビット線／ＢＬは急速に、接地電位ＧＮＤに引き込まれる。 - 特許庁

Voltage VSET-Vα is applied to non-selected word lines WL and voltage Vα is applied to non-selected bit lines BL.例文帳に追加

非選択のワード線ＷＬには電圧ＶＳＥＴ−Ｖαが印加され、非選択のビット線ＢＬには電圧Ｖαが印加されている。 - 特許庁

A plurality of plate lines PL, BPL to which second terminals B of the cell block are connected are arranged in parallel to the word line WL.例文帳に追加

ワード線ＷＬと並行して、セルブロックの第２の端子Ｂが接続される複数のプレート線ＰＬ，ＢＰＬが配設される。 - 特許庁

This organic electroluminescent device is sequentially provided with an organic EL element OL for emitting orange light and an organic EL element WL for emitting white light.例文帳に追加

順にオレンジ色に発光する有機ＥＬ素子ＯＬおよび白色に発光する有機ＥＬ素子ＷＬが設けられている。 - 特許庁

At least two units UN, namely a plurality word lines WL regarding at least two data, are activated simultaneously.例文帳に追加

２つ以上のユニットＵＮ、つまり２つ以上のデータに係る複数のワード線ＷＬを同時に活性化する。 - 特許庁

A word line(WL) 14 is arranged nearly perpendicular to both of the two p-type active regions 11a and 11b.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）１４は、２つのｐ型能動領域１１ａ，１１ｂ双方に対してほぼ直交するように配設されている。 - 特許庁

A stepped part 58 crossing the ordinary water level line WL is formed in the bowl part 20 due to the extension of the peripheral wall.例文帳に追加

この周壁の延出により、ボール部２０には、通常水位線ＷＬを跨ぐ段部５８が形成される。 - 特許庁

The section 21 has a plurality of decoding circuits 21a to selectively drive the word lines WL.例文帳に追加

ロウデコーダ部２１は、ワード線ＷＬを選択駆動するための複数のデコード回路２１ａを有している。 - 特許庁

Next, the bit line BL2 is pre-charged in accordance with data of the column latches G3, G4, and verify-voltage is applied to a word line WL.例文帳に追加

次に、カラムラッチＧ３、Ｇ４のデータに応じてビット線ＢＬ２をプリチャージし、ワード線ＷＬにベリファイ電圧を印加する。 - 特許庁

Thereby, even when a word line WL and the bit line BL are short-circuited, the defective current flowing in the sense amplifier SA is reduced.例文帳に追加

これにより、ワード線ＷＬとビット線ＢＬがショートしている場合であっても、センスアンプＳＡに流れる欠陥電流が低減される。 - 特許庁

For example, the source diffusion layer of each memory cell MC is commonly connected via local source lines LSL, along word lines WL direction.例文帳に追加

たとえば、各メモリセルＭＣのソース拡散層を、ローカルソース線ＬＳＬにより、ワード線ＷＬ方向に共通に接続する。 - 特許庁

A memory cell array 1 includes a plurality of memory cells MC which are formed at intersections of a plurality of word lines WL and a plurality of bit lines BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のワード線ＷＬと複数のビット線ＢＬの交点に形成された複数のメモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

In this case, the word lines WL are selected for every block by control signals SLNP, SLN1, SLN2, and the outputs of the driver source 2 are applied to them.例文帳に追加

この場合、ワード線ＷＬはブロックごとに制御信号ＳＬＮＰ；ＳＬＮ１；ＳＬＮ２によって選択され、それらにドライバ源２の出力が加えられる。 - 特許庁

To provide a medical image display unit for calculating window conditions (WW, WL) which meet an object to be observed with a simple operation.例文帳に追加

簡単な操作で観察対象にあったウインドウ条件（ＷＷ，ＷＬ）を算出することができる医用画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell is formed of a MOS transistor comprising a floating gate 6, a control gate 7 forming the word line WL, and an embedded gate 8.例文帳に追加

メモリセルは、浮遊ゲート６、ワード線ＷＬを構成する制御ゲート７および埋め込みゲート８を有するＭＯＳトランジスタで構成される。 - 特許庁

Writing bit lines W-BL and writing word lines W-WL which intersect each other are arranged above and below sandwiching the respective TMR elements VR.例文帳に追加

各ＴＭＲ素子ＶＲを挟んで上下に、互いに交差する書き込みビット線Ｗ−ＢＬと書き込みワード線Ｗ−ＷＬが配設される。 - 特許庁

A word line driver 2 changes a rise time of the voltage of the word line WL in accordance with a change in a voltage of the dummy bit line DBL.例文帳に追加

ワード線ドライバ２は、ダミービット線ＤＢＬの電圧の変化に応じてワード線ＷＬの電圧の立ち上がり速度を変化させる。 - 特許庁

A memory system includes a plurality of nonvolatile memory cells MC connected electrically to a common word line WL.例文帳に追加

メモリシステムは、共通のワード線ＷＬに電気的に接続された複数の不揮発性メモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

A CPU 10 acquires a focal point evaluation value from an AF processing section 12 by minutely vibrating a wobbling lens WL.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、ワブリングレンズＷＬを微小振動させて焦点評価値をＡＦ処理部１２から取得する。 - 特許庁

The undesirable increase in voltage may have an adverse effect on a system by, for example, carelessly activating an inactive WL.例文帳に追加

この所望でない電圧の上昇は、例えば、不活性ＷＬを不注意にも活性化することによってシステムに悪影響をおよぼし得る。 - 特許庁

A final write-in page in the block BLK is compared with a correction page, and read-out voltage V_select applied to a selection word line WL is selected.例文帳に追加

ブロックＢＬＫ内の最終書き込みページと補正ページとを比較し、選択ワード線ＷＬに印加する読み出し電圧Ｖ_selectを選択する。 - 特許庁

Also, further, the water suction port of the fire extinguishing pump 4 for the emergency and the seawater take-in port are provided below a light draft line WL.例文帳に追加

また、更には、非常用消火ポンプ４の吸水口と海水取り入れ口とを軽荷喫水線ＷＬよりも下に設ける。 - 特許庁

Memory cells MC are arranged in a matrix at crossing points of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、複数のビットラインＢＬおよび複数のワードラインＷＬの交点にマトリクス状に配置される。 - 特許庁

The WL then is kept to be set at a voltage (-5V) having a higher absolute value than that of a voltage at the normal read-out.例文帳に追加

また、このときＷＬは通常の読み出し時の電圧より絶対値が高い電圧（−５Ｖ）に設定しておく。 - 特許庁

A memory cell array 1 is constituted by arranging a memory cell MC of a current pull-in type at an intersection part of a bit line BL and a word line WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１はビット線ＢＬとワード線ＷＬの交差部に電流引き込み型のメモリセルＭＣを配置して構成される。 - 特許庁

In a fuse arranged in the memory cell MC, one end is connected with the word line WL and the other end is connected with the bit line BL.例文帳に追加

メモリセルＭＣに配置されるヒューズは、一端がワード線ＷＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続される。 - 特許庁

Na0 and Na1 constitute a gate circuit connected to a word line WL, and control the input into or the output from each SRAM circuit part.例文帳に追加

Ｎａ０，Ｎａ１は、ワード線ＷＬに接続されているゲート回路を構成しており、各ＳＲＡＭ回路部への入出力制御を行っている。 - 特許庁

The memory block has switching mechanism 220 for switching the divided word lines WL activated simultaneously in each divided region.例文帳に追加

メモリブロックは、各分割領域で同時に活性化される分割ワード線ＷＬを切り換えるための切り換え機構２２０を有している。 - 特許庁

On the other hand, a height from a water bottom face to the ordinary water level line WL is about 113 mm to ensure sufficient water level for sealing water.例文帳に追加

一方、水底面５０から通常水位線ＷＬまでの高さを約１１３ｍｍという値とし、封水ＦＷの十分な水位を確保している。 - 特許庁

The sound source 8 generates the wavelet waveforms WL having the frequencies and the amplitudes specified by the data sets supplied from the CPU7 and reproduces musical waveforms of prescribed tone colors by conducting a wavelet inverse transformation in which a plurality of wavelet waveforms WL being generated are superimposed.例文帳に追加

音源８では、ＣＰＵ７から供給されるデータセットが指定する周波数および振幅のウェーブレット波形ＷＬを発生し、発生した複数のウェーブレット波形ＷＬを重ね合わせるウェーブレット逆変換にて所定音色の楽音波形を再生する。 - 特許庁

The data processor 200 acquires current location data PP of the portable communication terminal 100 which transmits Web log data WL by an existing cellular phone service or the like, discloses the current location data PP on the portable user site YS together with the Web log data WL.例文帳に追加

ウェブログデータＷＬを送信する携帯通信端末１００の現在位置データＰＰをデータ処理装置２００が既存の携帯電話サービスなどで取得し、その現在位置データＰＰもウェブログデータＷＬとともに携帯ユーザサイトＹＳに公開する。 - 特許庁

The decoder 15 includes a level shifter 15A which changes the voltage level of the wordline WL to the first power supply voltage, and a switch circuit 15B which supplies a voltage lower than the first power supply voltage to the level shifter 15A when the first power supply voltage is supplied and the wordline WL is selected.例文帳に追加

デコーダ１５は、ワード線ＷＬの電圧レベルを第１の電源電圧に変化させるレベルシフタ１５Ａと、第１の電源電圧が供給され、かつワード線ＷＬの選択時に、レベルシフタ１５Ａに第１の電源電圧より低い電圧を供給するスイッチ回路１５Ｂとを含む。 - 特許庁