WLを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 605件
In programming, the program potential Vpgm and transfer potential Vpass are not applied to the word lines WL<0>, WL<1>, WL<2>, WL<3> in the second block.例文帳に追加
プログラミング時に、第二ブロック内のワード線WL<0>,WL<1>,WL<2>,WL<3>にプログラム電位Vpgm及び転送電位Vpassが印加されない。 - 特許庁
Herein, the following relationship holds: Ic = 0.73 WL-Ip (WL: liquid limit, Ip: plasticity index).例文帳に追加
ここで、Ic＝０．７３WL−Ip（WL：液性限界、Ip：塑性指数）である。 - 特許庁
In the case of replacing wordlines WL_a, WL_b and WL_c having defective addresses (a), (b), and (c) with redundant wordlines WLR_1 to WLR_3, information is provided to the correspondence between the wordlines WL_a, WL_b and WL_c and the redundant wordlines WLR_1 to WLR_3, that is a method of replacing.例文帳に追加
欠陥アドレスａ，ｂ，ｃを有するワード線ＷＬ_ａ，ＷＬ_ｂ，ＷＬ_ｃを冗長ワード線ＷＬＲ_１〜ＷＬＲ_３に置換する際、ワード線ＷＬ_ａ，ＷＬ_ｂ，ＷＬ_ｃと冗長ワード線ＷＬＲ_１〜ＷＬＲ_３との対応関係、すなわち置換方法に情報を持たせる。 - 特許庁
A bit contact electrode BC is provided between two word lines WL among the plurality of word lines WL that are adjacent to each other.例文帳に追加
隣接する２本のワード線ＷＬの間に、ビットコンタクト電極ＢＣが設けられている。 - 特許庁
After forming the word line WL, the silicide layer is formed on top of the word line WL.例文帳に追加
ワード線ＷＬを形成後に、ワード線上部にシリサイド層を形成する。 - 特許庁
In addition, the white light is obtained from the organic EL element WL.例文帳に追加
さらに、有機ＥＬ素子ＷＬから白色光を得る。 - 特許庁
A quantizing unit 14 quantizes the normalized spectral S1 which is the spectral S0 normalized based on a quantized bit count WL, using the subtraction result as the quantized bit count WL.例文帳に追加
量子化部１４は、その減算結果を量子化ビット数WLとして、その量子化ビット数WLに基づいて正規化されたスペクトルS0である正規化スペクトルS1を量子化する。 - 特許庁
The device for reducing the frictional resistance on the ship 3 has a bypass water pipe 12 with a shaft line above the waterline WL, that is disposed on a water pipe 1 connecting a seawater intake 111 disposed on the bow 31 below the waterline WL and a seawater and microbubble vent 131 disposed on the ship bottom 33 below the waterline WL and farther back than the intake 111; and an ejector 21 that is disposed in the bypass water pipe 12.例文帳に追加
喫水線WL以下の船首31に設けた海水の取水口111と、前記取水口111より後方かつ喫水線WL以下の船底33に設けた海水及び微小気泡の噴出口131とを結ぶ送水管１に、軸線が喫水線WLより上になる迂回送水管12を設けて、エジェクター21を前記迂回送水管12に設けた船舶３における摩擦抵抗低減装置である。 - 特許庁
A WL waiting WTa of the verify read is made shorter than it (WL waiting time WT) of write verify read of the final data.例文帳に追加
その際のＷＬ待ち時間ＷＴａを、最終データの書き込みベリファイ読み出し時のそれ（ＷＬ待ち時間ＷＴ）よりも短くする。 - 特許庁
When the water level WL reaches the upper limit water level Hw, the cooling water pump 20 is reversed to lower the water level WL.例文帳に追加
そして水位ＷＬが上限水位Ｈｗに達した場合、冷却水ポンプ２０を逆転させて水位ＷＬを低下させる。 - 特許庁
The gate electrode of the nMOS transistor 11b is connected to the word line WL with its drain and source connected to ground.例文帳に追加
nMOSトランジスタ11bのゲート電極はワード線/WLに接続され、ドレイン及びソースはグランドに接続されている。 - 特許庁
The gate electrode of the nMOS transistor 11a in the memory cell MC is connected to a word line WL with its drain connected to a bit line BL.例文帳に追加
メモリセルMC内のnMOSトランジスタ11aのゲート電極はワード線WLに接続され、ドレインはビット線BLに接続されている。 - 特許庁
Timing of voltage supplied to word lines WL 0, 2 positioned at both sides of the word line WL 1 are made different.例文帳に追加
ワード線ＷＬ１の両隣に位置するワード線ＷＬ０，２に供給される電圧のタイミングを異ならせている。 - 特許庁
When the water level WL reaches the lower limit water level Lw, the cooling water pump 20 is normally rotated to rise the water level WL.例文帳に追加
そして水位ＷＬが下限水位Ｌｗに達した場合、冷却水ポンプ２０を正転させて水位ＷＬを上昇させる。 - 特許庁
Third lines (WL) are formed successively over both ends of the memory cell array along the second axis and are connected with second ends of the memory cells.例文帳に追加
第３配線（WL）は、第２軸に沿ってメモリセルアレイの両端に亘って連続的に形成され、複数のメモリセルの第２端と接続されている。 - 特許庁
After completing to connect the coated wires WL and WB, the coated wire WL is stocked in a stock unit 300 before cutting.例文帳に追加
両被覆電線ＷＬ、ＷＢの接続工程が完了した後、ストックユニット３００に裁断前に一の被覆電線ＷＬをストックする。 - 特許庁
The ratio (Wc/Wl) of the width Wc of the core body belt layer 7a to the width Wl of the covering belt layer 7b is set to 0.5-0.95.例文帳に追加
芯体ベルト層７ａの幅Ｗｃと被覆ベルト層７ｂの幅Ｗｌとの比（Ｗｃ／Ｗｌ）を０．５〜０．９５とする。 - 特許庁
The word line driver is connected through a word line WL to a DRAM.例文帳に追加
ワード線ドライバは、ワード線ＷＬを介してＤＲＡＭに接続される。 - 特許庁
Each cell array 1 has a plurality of bit lines BL arranged in the column direction, a plurality of word lines WL arranged in the row direction, two dummy word lines DWL0, DWL1, the FBC 5 arranged near intersections between the bit lines BL and the word lines WL and a dummy cell 6 arranged near the intersections between the bit lines and the word lines.例文帳に追加
各セルアレイ１は、カラム方向に配置される複数のビット線BLと、ロウ方向に配置される複数のワード線WLと、２本のダミーワード線DWL0,DWL1と、ビット線BLおよびワードWL線の交点付近に配置されるFBC５と、ビット線およびワード線の交点付近に配置されるダミーセル６とを有する。 - 特許庁
Word lines of each row have two subordinate word lines WL.例文帳に追加
各行のワード線は、２本のサブワード線ＷＬをそれぞれ有している。 - 特許庁
A plurality of word lines (WL) intersect each of the LBLs.例文帳に追加
複数のワードライン（ＷＬ）が、ＬＢＬの各々と交差する。 - 特許庁
To produce a WL-CSP/IC by a chip for wire bonding.例文帳に追加
ワイヤボンディング用チップでＷＬ−ＣＳＰ・ＩＣを製造する。 - 特許庁
That is, the WL makes a transition from VPP to the level of VSS.例文帳に追加
つまりＷＬはＶＰＰからＶＳＳのレベルに遷移する。 - 特許庁
The word lines WL are divided into a plurality of local word lines 4.例文帳に追加
また、ワード線ＷＬは、複数のローカルワード線４に分割されている。 - 特許庁
MAGNETIC RESONANCE IMAGING SYSTEM, AND METHOD FOR BATCH SETUP OF WW/WL例文帳に追加
ＭＲＩ装置及び画像のＷＷ／ＷＬ一括設定方法 - 特許庁
This optical recording medium is capable of being written a mark M in the group G part, is provided with a prepit PP area, and is constituted so that the group width Wg, land width Wl and prepit width Wp satisfy the condition of Wl<Wg and Wp<Wg or the condition of Wl>Wg and Wp>Wg.例文帳に追加
グルーブ部にマークを書き込むことが可能で、かつプレピット領域を持つ光記録媒体において、グルーブ幅（Ｗｇ）とランド幅（Ｗｌ）とプレピットの幅（Ｗｐ）が、Ｗｌ＜ＷｇかつＷｐ＜Ｗｇ、もしくは、Ｗｌ＞ＷｇかつＷｐ＞Ｗｇを満たすように構成した。 - 特許庁
The apparatus calculates each of propagation velocities CL and CS based on the waveform components WL and WS.例文帳に追加
そして、両波形成分ＷＬ，ＷＳに基づき、各々の伝播速度ＣＬ，ＣＳを算出する。 - 特許庁
Word lines WL and a cell plate electrode line CP are formed in the same wiring layer.例文帳に追加
ワード線ＷＬおよびセルプレート電極線ＣＰは、同一配線層に形成される。 - 特許庁
Provided is an access transistor T1 having a gate electrode connected to a word line WL.例文帳に追加
ワード線ＷＬに接続されているゲート電極を有しているアクセストランジスタＴ１を備える。 - 特許庁
The control gate electrode WL is formed on the side wall of the floating gate 204a.例文帳に追加
制御ゲート電極ＷＬは浮遊ゲート２０４ａの側壁に形成される。 - 特許庁
A tunnel oxide film 212 is formed between the control gate electrode WL and the floating gate 204a.例文帳に追加
制御ゲート電極ＷＬ及び浮遊ゲート２０４ａの間にトンネル酸化膜２１２が介される。 - 特許庁
A half latch circuit 4 fixes a corresponding word line WL to the "L" level of a non-activated level.例文帳に追加
各ハーフラッチ回路４は、対応するワード線ＷＬを非活性化レベルの「Ｌ」レベルに固定する。 - 特許庁
Particles 31 form a particle layer 30 near the liquid surface WL of the decomposition liquid W.例文帳に追加
粒子３１は、分解液Ｗの液面ＷＬの近傍に粒子層３０を形成している。 - 特許庁
Therefore, the Web log data WL can be disclosed with the current location data PP.例文帳に追加
このため、ウェブログデータＷＬを現在位置データＰＰとともに公開することができる。 - 特許庁
The floating gate 5 and the control gate 8 (word line WL) are separated by the high dielectric film 6.例文帳に追加
浮遊ゲート５と制御ゲート８（ワード線ＷＬ）は高誘電体膜６によって分離されている。 - 特許庁
After that, voltage of the non-selection word line US-WL is switched to approximately 4.5 V.例文帳に追加
その後、非選択ワード線ＵＳ−ＷＬを約４．５Ｖ程度の電圧に切り換える。 - 特許庁
A main wire processing line L1 for peeling is provided in the middle part of a coated wire WL.例文帳に追加
一の被覆電線ＷＬの途中部に皮剥加工を施す本線加工ラインＬ１を設ける。 - 特許庁
The underground water level WL is lower than the floor face position GL of a first floor part.例文帳に追加
地下水位ＷＬは、一階部分の床面位置ＧＬより低くなっている。 - 特許庁
Subsequently, the electrode film WL is etched through the penetration hole 20 to protrude an insulation film 12.例文帳に追加
次に、貫通ホール２０を介して電極膜ＷＬをエッチングし、絶縁膜１２を突出させる。 - 特許庁
The source line SL and the word line WL are formed in the same step by using the same conductor film 17.例文帳に追加
ソース線ＳＬとワード線ＷＬは同じ導体膜１７を用いて同工程で形成する。 - 特許庁
In the semiconductor storage device 40, bit lines and word lines WL are arranged in matrix.例文帳に追加
半導体記憶装置４０には、ビット線とワード線ＷＬとがマトリックス状に配置される。 - 特許庁
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
