「Wordline」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

For memory call, a selected wordline is driven by earthing, and on the other hand, a wordline which is not selected is driven by a boosted voltage.例文帳に追加

メモリー呼び出しのためには、選択されたワード線がアースで駆動され、一方、選択されていないワード線が上昇した電圧で駆動される。 - 特許庁

WORDLINE DECODER OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING HPMOS例文帳に追加

ＨＰＭＯＳを用いた不揮発性メモリ装置のワードラインデコーダ - 特許庁

To increase the degree of vertical separation between a passing wordline and a strap.例文帳に追加

パッシング・ワード線とストラップと間の垂直分離を増加させる。 - 特許庁

WORDLINE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH THE SAME例文帳に追加

ワードライン電圧発生回路及びそれを持つ不揮発性メモリ装置 - 特許庁

LEVEL SHIFTER FOR BOOSTING WORDLINE VOLTAGE AND MEMORY CELL PERFORMANCE例文帳に追加

ワードライン電圧及びメモリ・セル性能を増強するためのレベル・シフタ - 特許庁

The mode register wordline signal is the information stored in a mode register.例文帳に追加

モードレジスタワードライン信号はモードレジスタに貯蔵された情報である。 - 特許庁

The method allows use of a smaller wordline voltage V_p1 during programming.例文帳に追加

本発明の方法によりプログラミング中により低いワード線電圧Ｖ_ｐ１を使用することができる。 - 特許庁

In the semiconductor memory device, at least one non-activated wordline neighboring the activated wordline and remaining non-activated wordlines are driven with different wordline driving voltage levels during a period of time that the activated wordline is driven at a high voltage level by applying and selecting an active command.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、アクティブコマンドが印加されて選択されたいずれか１本のワードラインが活性化されることにより、活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する少なくとも１本の非活性化ワードラインと残りの非活性化ワードラインとに対するワードライン駆動電圧を互いに異なる大きさで印加する。 - 特許庁

To provide a level shifter for boosting a wordline voltage and memory cell performance without making a circuit defective in operation or without causing excessive leakage.例文帳に追加

ワードライン電圧及びメモリ・セル性能を増強するためのレベル・シフタを提供する。 - 特許庁

During a suspended state, the wordline is maintained by a first logic 1 voltage level.例文帳に追加

待機状態の間、ワード線は、第１のロジック１電圧レベルに維持されている。 - 特許庁

Wordline drivers 104 comprise circuit devices including first logic and second logic.例文帳に追加

第１の論理及び第２の論理を有する回路装置によりワードラインドライバ１０４を構成する。 - 特許庁

Thereby, the DRAM array permits the use of wider connection between the wordline 310 and a transistor electrode.例文帳に追加

これによって、ワード線３１０とトランジスタ電極との間により幅の広い接続を可能にする。 - 特許庁

One end of a writing wordline WWL1 is connected to a decoder driver unit 12-1.例文帳に追加

書き込みワード線ＷＷＬ１の一端は、デコーダ・ドライバユニット１２−１に接続される。 - 特許庁

When the power supply voltage reaches the first detecting voltage, it starts to generate a wordline voltage.例文帳に追加

電源電圧が第１検出電圧に到達すると、ワードライン電圧が生成され始める。 - 特許庁

The second logic decodes a second potion of the memory address and selectively activates a particular wordline driver of the selected group of wordline drivers according to the second portion of the memory address.例文帳に追加

第２のロジックは、メモリアドレスの第２の部分を復号し、メモリアドレスの第２の部分に従ったワードラインドライバの選択されたグループの特定のワードラインドライバを選択的にアクティブにする。 - 特許庁

A gate of the first MOS transistor in each unit cell is connected to a wordline WL and it is driven selectively by a wordline driver 15 based on a row address signal.例文帳に追加

各ユニットセル中の第１のＭＯＳトランジスタのゲートをワード線ＷＬに接続し、ロウアドレス信号に基づいてワード線ドライバ１５で選択的に駆動する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device which screens a defective wordline and does not increase refresh current and standby current even if a bridge is present in the defective wordline.例文帳に追加

不良ワードラインをスクリーンし、不良ワードラインにブリッジが存在しても、リフレッシュ電流やスタンバイ電流を増加させない半導体メモリ装置及びそのワードライン駆動方法を得る。 - 特許庁

Program data corresponding to at least one page coupled to a selected wordline are loaded, and then a program voltage is applied to the selected wordline.例文帳に追加

一本のワードラインに連結された少なくとも一つ以上のページに対応するプログラムデータをローディングし、前記一つのワードラインにプログラム電圧を印加する。 - 特許庁

When the output of the decoder circuit 10-1 is low, the wordline WL1 is in the non-selective state, and a high voltage Vee from a switching circuit 20-1 is not output to the wordline WL1.例文帳に追加

デコーダ回路１０−１の出力がロウの時は、ワード線ＷＬ１は非選択状態であり、スイッチング回路２０−１からの高電圧Veeはワード線ＷＬ１に出力されない。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which prevents a phenomenon that a neighboring negative wordline effect is serious and prevents useless increase of current consumption, when a negative wordline system is applied and, to provide a driving method thereof.例文帳に追加

ネガティブワードライン方式の適用時において、隣接ゲート効果が深刻になる現象を防止し、かつ、無駄な電流消費の増加を防止することのできる半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The program voltage from which the ripple is removed is not immediately applied to a selected wordline but applied to the wordline after the program voltage is set as a whole.例文帳に追加

リップルが除去されたプログラム電圧は、選択されたワードラインに直ちに印加されず、プログラム電圧が全部セッティングされた以後にワードラインに印加される。 - 特許庁

A first semiconductor pattern, which is arranged in single dimension along a longitudinal direction of the wordline, is offered on each upper surface of the wordline.例文帳に追加

前記ワードラインのそれぞれの上部面上に前記ワードラインの長さ方向に沿って一次元的に配列された第１半導体パターンを提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises: a plurality of dummy wordlines independently formed with normal wordlines; a plurality of dummy wordline drivers for driving the dummy wordlines; a plurality of control circuits for controlling the dummy wordline drivers; a plurality of comparing units for comparing a voltage level of the dummy wordline and the predetermined reference voltage level; and a plurality of units for outputting signals outputted from the comparing units to the outside.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、ノーマルワードラインと別に形成されるダミーワードラインと、前記ダミーワードラインを駆動するダミーワードラインドライバと、前記ダミーワードラインドライバを制御する制御回路と、前記ダミーワードラインに印加される電圧レベルを所定の基準電圧と比較する比較手段と、前記比較手段から出力される信号を外部に出力するための手段とを含む。 - 特許庁

A limiting circuit 15 is composed of a clamping circuit which restricts the potential of writing wordline WWL1 to below a prefixed value.例文帳に追加

制限回路１５は、書き込みワード線ＷＷＬ１の電位を一定値以下に制限するクランプ回路から構成される。 - 特許庁

The source voltage at that time is maintained, and the write-in high voltage is supplied to each of the wordline and the drain line (SP 5).例文帳に追加

そのときのソース電圧を維持して、ワード線およびドレイン線に、それぞれ、書込高電圧を供給する（ＳＰ５）。 - 特許庁

To set control voltage to one transistor type wordline decode/drive circuit at an optimum value according to the property of a transistor of a chip.例文帳に追加

１トランジスタ型ワード線デコード／ドライブ回路に対する制御電圧を、チップのトランジスタの特性に応じて最適値に設定する。 - 特許庁

A first memory cell MCmn-1 and a second memory cell MCmn which adjoin mutually in a direction of wordline store one-bit information.例文帳に追加

ワード線方向に互いに隣接する第１メモリセルＭＣｍｎ−１と第２メモリセルＭＣｍｎとで１ビットの情報を記憶する。 - 特許庁

Therefore, a priority can be given to the read operation until a wordline corresponding to a refresh address is substantially activated.例文帳に追加

従って、アクセス競合時には、実質的にリフレッシュ用アドレスに対応するワード線が活性化されるまでリード動作を優先させることができる。 - 特許庁

A second transistor M2-1 of N channel type is connected between a wordline WL1 and a decoder circuit 10-1.例文帳に追加

ワード線ＷＬ１とデコーダ回路１０−１の間には、Ｎチャネル型の第２のトランジスタＭ２−１が接続されている。 - 特許庁

The information of one bit is stored by a first memory cell MC0 and a second memory cell MC1 adjacent each other in the wordline direction.例文帳に追加

ワード線方向に互いに隣接する第１メモリセルＭＣ０と第２メモリセルＭＣ１とで１ビットの情報を記憶する。 - 特許庁

To provide a wordline voltage generation circuit capable of setting the increment of a program voltage to an arbitrary value without changing a program step code.例文帳に追加

プログラムステップコードを変更せず、プログラム電圧の増加分を任意の値に設定することのできるワードライン電圧発生回路。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a dummy wordline DWL and a timing adjusting circuit 5 having delay characteristics nearly equal to usual writing delay characteristics.例文帳に追加

ダミーワード線ＤＷＬと通常の書き込み遅延特性にほぼ等しい遅延特性を有するタイミング調整回路５とを設ける。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device, a wordline 36 is shared by two memory cell blocks 34 which adjoin mutually.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置では、ワード線３６が互いに隣り合う２個のメモリセルブロック３４に共有される。 - 特許庁

In some embodiment, the vertical heater element is L-shape having a curved vertical wall and a horizontal base along a wordline direction.例文帳に追加

或る実施形態では、縦ヒータ素子は、ワード線方向に沿った曲線状の縦壁と横基部を有するＬ字形である。 - 特許庁

To provide not bulky and low power consumption circuit that may be used as a wordline driver circuit in a memory array.例文帳に追加

メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the consumed electric current when selecting a wordline and correctly read data.例文帳に追加

本発明は、ワード線選択時の消費電流を低減し、データの読み出しを正確に行うことが可能な半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

The lower skirt of the threshold voltage distribution of the nonvolatile memory transistor is raised as a whole by program processing in the unit of wordline.例文帳に追加

ワード線単位のプログラム処理によって不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧分布の下裾は全体として嵩上げされる。 - 特許庁

When the wordline voltage is charged up to a desired voltage level, a read operation of the memory device is executed with a well-known process.例文帳に追加

前記ワードライン電圧が所望する電圧に到達する時に、前記メモリ装置の読み出し動作がよく知られた方式に従って実行される。 - 特許庁

A semiconductor device has a plurality of pages, to each of which a plurality of nonvolatile memory transistors are assigned per wordline.例文帳に追加

半導体装置は各々に複数個の不揮発性メモリトランジスタが割り当てられたページをワード線１本に対して複数ページ有する。 - 特許庁

As a result, influence of adjusted voltage on program operating time is minimized and the stable program voltage is provided to the wordline.例文帳に追加

その結果、調整された電圧がプログラム動作時間に及ぶ影響を最小化し、かつワードラインに安定したプログラム電圧を提供する。 - 特許庁

The wordline has a second conduction type different from the first conduction type, and a flat upper surface substantially.例文帳に追加

前記ワードラインは、前記第１導電型と異なる第２導電型を有して実質的に平らな上部面を有する。 - 特許庁

To provide a small sized word line drive circuit which is operable so that a wordline may not be in a floating state.例文帳に追加

ワード線がフローティング状態にならないように動作可能であり、サイズが小さいワード線駆動回路を提供する。 - 特許庁

A wordline control circuit WS is arranged, and a clock signal CLK is applied to the gate of a cell transistor connected to respective wordlines in common.例文帳に追加

ワード線制御回路ＷＳを配置して、各ワード線に共通接続されたセルトランジスタのゲートにクロック信号ＣＬＫを印加している。 - 特許庁

The decoder 15 includes a level shifter 15A which changes the voltage level of the wordline WL to the first power supply voltage, and a switch circuit 15B which supplies a voltage lower than the first power supply voltage to the level shifter 15A when the first power supply voltage is supplied and the wordline WL is selected.例文帳に追加

デコーダ１５は、ワード線ＷＬの電圧レベルを第１の電源電圧に変化させるレベルシフタ１５Ａと、第１の電源電圧が供給され、かつワード線ＷＬの選択時に、レベルシフタ１５Ａに第１の電源電圧より低い電圧を供給するスイッチ回路１５Ｂとを含む。 - 特許庁

Monitor voltage (Vs) reflecting threshold voltage of a wordline decode/drive transistor which operates in response to the control voltage using a monitor MOS transistor having the same threshold voltage characteristic as that of the wordline decode/drive transistor (20) is formed.例文帳に追加

ワード線デコード／ドライブトランジスタ（２０）としきい値電圧特性が同一のモニタ用ＭＯＳトランジスタを用い、制御電圧に応答して動作するワード線デコード／ドライブトランジスタのしきい値電圧を反映したモニタ電圧（Ｖｓ）を生成する。 - 特許庁