「al-m」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, in the case of using W (kg/ton) as Al adding quantity and M (Pa/min) as pressure reducing speed, it is desirable to reduce the pressure within the range satisfying 0<M≤(1.50/W)+2.25.例文帳に追加

なおAl添加量をＷ（kg／ton ）とし、減圧速度をＭ（Pa／min ）として、０＜Ｍ≦（1.50／Ｗ）＋2.25を満足する範囲内で減圧することが好ましい。 - 特許庁

The inside first DBR film 3a which faces the SiO_2 film 10 does not contain Al_nO_m.例文帳に追加

また、ＳｉＯ_2膜１０に対向する内側第１ＤＢＲ膜３ａはＡｌ_nＯ_mを含まない。 - 特許庁

Color on silk Gohyakurakan zo (image of the Five hundred arhats) - Painted by Tinggui LIN, Jichang ZHOU et al, 82 haba (30.996 m). 例文帳に追加

絹本著色五百羅漢像-林庭珪、周季常等筆82幅 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the outside first DBR film 13 having a part which does not face the SiO_2 film 10, at least one layer contains Al_nO_m (n, m: integer).例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１０に対向しない部分を有する外側第１ＤＢＲ膜１３は、少なくとも一層がＡｌ_nＯ_m（ｎ，ｍ：整数）を含んでいる。 - 特許庁

Otherwise, the compound oxide catalyst is a Ce-Al-M compound oxide catalyst which contains Mn or Fe together with Al as additional metals and has the fluorite type structure or a Ce-Al-Mn-Fe compound oxide catalyst which contains Mn and Fe together with Al.例文帳に追加

また、複合酸化物触媒は、Ａｌと共に、添加金属としてＭｎ又はＦｅを含有する、蛍石型構造を有するＣｅ−Ａｌ−Ｍ複合酸化物触媒である。 - 特許庁

To provide a continuous casting method where abnormality in casting is not caused even if high Al steel comprising ≥0.05 mass% Al is subjected to casting at a high speed exceeding 2.0 m/min.例文帳に追加

Alを0.05mass％以上含有する高Al鋼を2.0ｍ/minを超える高速で鋳造を行っても鋳込み異常を引き起こすことのない連続鋳造方法を提案する。 - 特許庁

The surface layer of the steel sheet is provided with an Fe-Zn alloy comprising 13 to 80 mass% Fe and ≤0.4 mass% Al, and the coating weight of Zn is controlled to 10 to 65 g/m^2.例文帳に追加

鋼板表層に、Fe質量%が13〜80%、Al質量%が0.4%以下であるFe-Zn合金を設けかつZn付着量を10〜65g/m^2であるようにする。 - 特許庁

The base material of the cutting tool is made of cemented carbide, cermet, or high speed tool steel and is coated with at least one or more layers of hard coating films.例文帳に追加

超硬合金、サーメットまたは高速度工具鋼を基材とする切削工具の基材上に、(Al _a ,Cr _b ,M_c )(C _1-d N _d ) からなる硬質皮膜であって、M は1 種または2 種以上の金属および半金属元素であり、Al、Cr、M それぞれの原子比a 、b 、c が、0.７5 ≦a ≦0 . - 特許庁

In a target material comprising Al and an M component(s); wherein, the M component(s) is one or more kinds of elements selected from the group 4a, 5a and 6a metals, Si, B and S, the target material in this invention is a nitride-containing target material comprising Al and the M component(s) and the nitride of Al.例文帳に追加

本願発明は、ＡｌとＭ成分、但し、Ｍ成分は４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｓｉ、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＡｌとＭ成分及びＡｌの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 - 特許庁

As the metal ion M, ions of one or more metals among Mg, Ca, Zn, Al, and Ga are preferable.例文帳に追加

金属イオンＭとしては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａのうち１以上の金属のイオンが好ましい。 - 特許庁

In this case, the concentration of Zn is lower than those of In and M (M is one or a plurality of elements selected from Fe, Ga, Ni, and Al).例文帳に追加

この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。 - 特許庁

In In-M-Zn-O, M means Ga, Al and Fe, and it may contain them.例文帳に追加

但し、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏにおいて、ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅであり、これらを含んでいてもよいことを示す。 - 特許庁

Out of these, the positive electrode active material 153 is LiFe_(1-x)M_xPO_4(M is at least one of Mn, Cr, Co, Cu, Ni, V, Mo, Ti, Zn, Al, Ga, Mg, B, and Nb, 0≤x≤0.5).例文帳に追加

このうち、正極活物質１５３は、ＬｉＦｅ_(1-X)Ｍ_XＰＯ_4（Ｍは、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｍｇ，Ｂ，Ｎｂのうち少なくともいずれかであり、０≦Ｘ≦０．５）である。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Al-M-based (M is an element such as Ni, Zn or Mn) alloy single crystal at a low cost.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ−Ｍ系（Ｍは、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎなどの元素）の合金単結晶を、低コストで作製する方法を提供すること。 - 特許庁

The electrogalvanized steel sheet has a metal layer having ≥0.02 g/m^2 deposition per one surface and comprising Ti, Zr, Al, Nb or Ta with at least on one surface of steel sheet and the electrogalvanized layer having 0.5-8 g/m^2 deposition per one surface on the metal layer.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、片面当たりの付着量が0.02g／m^2以上であるTi、Zr、Al、Nb又はTaからなる金属層を有し、該金属層上に、片面当たりの付着量が0.5〜8g／m^2である亜鉛含有電気めっき層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In preparing a catalyst comprising a combination represented by general formula Cu/Zn/M (wherein, M is at least one kind of a metal selected from the group consisting of Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd and Au), the spherical fine particle catalyst precursor is prepared using a precipitative sedimentation method.例文帳に追加

一般式：Cu/Zn/M(但し、M は任意成分であり、Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd及びAuからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属）からなる組み合わせの触媒を調製するに当たり、尿素を用いた析出沈殿法による球状微粒子触媒前駆体を調製する。 - 特許庁

The SOx absorbing material is constituted of a porous material containing composite oxide consisting of a rare earth element M and aluminum oxide and characterized by that a molar ratio M/Al is 0.01-0.5 and M is present in aluminum oxide uniformly in a highly dispersed state and aluminate of M is not substantially contained.例文帳に追加

希土類元素Ｍとアルミニウム酸化物よりなる複合酸化物を含み、モル比Ｍ／Alが0.01〜 0.5であり、Ｍがアルミニウム酸化物中に均一に高分散状態で存在し実質的にＭのアルミネートを含まない多孔質体から構成した。 - 特許庁

The plated steel sheet for hot stamp is produced by alloying the Al-plated steel sheet under the specific condition through box annealing, the Al-plated steel sheet being Al-plated in such a way that coating weight on one side is 30-100 g/m^2.例文帳に追加

付着量が片面当たり３０〜１００ｇ／ｍ^２となるようにＡｌめっきが施されたＡｌめっき鋼板をボックス焼鈍で、特定の条件でＡｌめっきと鋼板を合金化させることで製造する。 - 特許庁

This metal complex dendrimer is expressed by the general formula (wherein, M is a metal selected from Al, Zn, Be, Ge and Mg; R_1, R_2 are each H or a 1-8C alkyl, and may be the same or different; and X is a halogen).例文帳に追加

一般式(Mは、Al,Zn,Be,Ge,Ge,Mgから選ばれる金属、R_1及びR_2はH又はC1〜8のアルキル基、R_1及びR_2は同じでも異なっても良く、Xはハロゲン。)で示される。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁

In the illustrated embodiment, the intermetallic compound phase consists of M(Al, Si)_3, M_5(Al, Si)_3, and/or M_3Si_5Al_2, where M denotes niobium, titanium, hafnium, and/or chromium.例文帳に追加

例示的実施形態では、この金属間化合物相は、Ｍをニオブ、チタン、ハフニウム及び／又はクロムとする場合、Ｍ（Ａｌ，Ｓｉ）_3、Ｍ_5（Ａｌ，Ｓｉ）_3、及び／又はＭ_3Ｓｉ_5Ａｌ_2からなる。 - 特許庁

In the case of using (m) for the maximum quantity of solid solution of Mg and Al and (n) for the quantity of solid solution at 100°C, as the Al-Mg base casting material, the one which is m-n≥3.6 atom.% and has the dendrite consisting essentially of Al, is selected.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ系鋳造材料として，Ａｌに対するＭｇの最大固溶量をｍとし，また１００℃での固溶量をｎとしたとき，それらの差ｍ−ｎがｍ−ｎ≧３．６原子％であり，且つ前記Ａｌを主成分とするデンドライトを有するものを選定する。 - 特許庁

In a target material containing Al and an M component which is at least one element selected from metals of groups 4a, 5a and 6a and Si, B and S, the target material is a nitride-containing target material which includes Al, the M component and nitride or carbonitride of the M component.例文帳に追加

ＡｌとＭ成分、但し、Ｍ成分は４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｓｉ、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素、を有するターゲット材において、該ターゲット材は、Ａｌ、Ｍ成分と該Ｍ成分の窒化物又は炭窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 - 特許庁

Al is contained in at least one recording layer of the recording layers containing Pd, O, M, in the recording layer containing Al in the case the recording layer is nth recording layer from the opposite side of the incident side of light for recording, the content of Al to the sum of the contents of Pd and M is more than the content of Al in n-1th recording layer.例文帳に追加

Ｐｄ、Ｏ、Ｍを含む記録層のうち、少なくとも１以上の記録層にＡｌが含まれ、Ａｌを含む記録層については、この記録層が記録用光の入射側とは反対側から数えてｎ番目の記録層である場合、そのＰｄ及びＭの含有量の総和に対するＡｌの含有量が、ｎ-１番目の記録層におけるＡｌの含有量以上とされる。 - 特許庁

The oxide semiconductor is expressed by InMO_3(ZnO)_m (M= one or a plurality of element(s) selected from Ga, Fe, Ni, Mn, Co and Al; and m is a non-integer of at least 1 and less than 50).例文帳に追加

ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｍは１以上５０未満の非整数）である。 - 特許庁

The molten Al alloy M is rapidly cooled and solidified at a first nip 4 by the first roll 2 made of copper so that a casting structure is made fine.例文帳に追加

銅製の第１ロール２による第１ニップ４で、溶融されたＡｌ合金Ｍが急冷凝固され鋳造組織微細化が行われる。 - 特許庁

A part of the Fe may be replaced with an another metal ingredient M selected from Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si.例文帳に追加

Ｆｅの一部を他の金属成分Ｍ（Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＡｌおよびＳｉから選んだもの）で置き換えることが可能である。 - 特許庁

A part of Fe can be replaced with the other metal component M (which is selected among Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si).例文帳に追加

Ｆｅの一部を、他の金属成分Ｍ（Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＡｌおよびＳｉから選んだもの）で置き換えることも可能である。 - 特許庁

Where, M is a metal selected from among metals of a group of Ta, Ti, Nb, Al, Hf, Zr, and V.例文帳に追加

ここで、ＭはＴａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｈｆ、ＺｒおよびＶからなる群の金属から選択された金属である。 - 特許庁

Here n is 1 to 3, M is a 13th group element (such as, B, Al), X an electron-attracting group (such as, OCOCF_3) and Y an oligo-ether group.例文帳に追加

ｎは１〜３、Ｍは１３族元素（Ｂ，Ａｌ等）、Ｘは電子求引性基（ＯＣＯＣＦ_３等）、Ｙはオリゴエーテル基である。 - 特許庁

In chemical formula (1), M is at least one element selected from Al, Ga, In, Mg, Zn, Li, Na, K, Gd, Y and La; and x meets the relationship: 0≤x≤1.例文帳に追加

ここで、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｇｄ、Ｙ、およびＬａから選ばれた少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。 - 特許庁

In the general formula, A is an element(s) such as Al, Mn, Si, B, Ca, Ti, V, W, Mo, Zr and Zn, and n, m and x denote each a number exhibiting the oxidized state of each element.例文帳に追加

一般式中のＡは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｚｎなどの元素、ｎ、ｍ、ｘは各々各元素の酸化状態を示す数字を示す。 - 特許庁

The M-th processor processes the command inputted thereto in ST203, when the AM>AL is not satisfied in ST202.例文帳に追加

ＳＴ２０２においてＡＭ＞ＡＬでない場合は、ＳＴ２０３において第Ｍプロセッサが、自身に入力された命令を処理する。 - 特許庁

Al and the balance Zn with impurities and no η phase to form the surface layer consisting essentially of Zn compound in the coated layer.例文帳に追加

表面の算術平均粗さ[Ra]が0.5 μｍ以上、1.5 μｍ以下で、表面層中のZn量[Zn](mg/m^2) が次式を満たすようにする。 - 特許庁

Here, a-d satisfy 0<a<0.4, 0.2<b<0.5, 0.3<c<1, b+c≤1, 1.8<d<2.5, and M is at least one kind among Ti, Mg, and Al.例文帳に追加

ａ〜ｄは０＜ａ＜０．４，０．２＜ｂ＜０．５，０．３＜ｃ＜１，ｂ＋ｃ≦１，１．８＜ｄ＜２．５、ＭはＴｉ，ＭｇおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。 - 特許庁

The element M is at least one kind selected from a group comprising Al, Mn, Mg, B, Zr, W, Nb, Ta, In, Mo and Sn.例文帳に追加

元素Ｍは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｉｎ、ＭｏおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種である。 - 特許庁

The aluminum-containing flame-retardant inorganic compound is preferably a compound represented by the formula: wM×zH_2O (wherein M is Al, an Al oxide or an Al hydroxide; (w) is an integer selected from 1 to 5; and (z) is an integer selected from 0 to 10).例文帳に追加

上記アルミニウム含有難燃性無機化合物は、ｗＭ・ｚＨ_２Ｏ（Ｍは、Ａｌ、Ａｌの酸化物又はＡｌの水酸化物であり、ｗは１〜５より選ばれる整数であり、ｚは０〜１０より選ばれる整数である。）で表される化合物であることが好ましい。 - 特許庁

In a continuous casting method of an Al alloy while stirring, the molten metal(m) of the Al alloy composition is introduced into a cylindrical mold 13 disposed just below a spout 15 while applying electromagnetic stirring in the spout 15.例文帳に追加

Ａｌ合金の攪拌連続鋳造法においては、Ａｌ合金組成の溶湯ｍをスパウト１５内で電磁攪拌しつつ、そのスパウト１５直下に配置された筒状鋳型１３に導入する。 - 特許庁

The cold-rolled steel sheet has Fe oxide controlled to 10 mg/m^2 or less and Mn oxide in an amount of 1.0 or more by a mass ratio to the total oxides amount of Al, Ti and Si, on the surface of the steel sheet.例文帳に追加

鋼板表面におけるFe酸化物量が10mg/m^2以下で、かつ、Mn酸化物量の、Al、Ti、Siの各酸化物量の和に対する比が、質量比で1.0以上である冷延鋼板である。 - 特許庁

Relative binocular positions AR, AL of the viewer M in relation to the control panel 3 are specified, and the left eye viewing region XL and the right eye viewing region XR of the control panel 3 in relation to the binocular positions AR, AL are determined.例文帳に追加

制御パネル３に対する観察者Ｍの相対的な両眼位置ＡＲ，ＡＬを特定し、両眼位置ＡＲ，ＡＬに対応する制御パネル３の左眼視界領域ＸＬと右眼視界領域ＸＲとを決定する。 - 特許庁

The Zn-Al-Mg alloy plating layer contains, in some cases, 0.002 to 0.05 mass% at least one kind of the easily oxidizable element selected from Zr, Y, Si and rare earth elements, and is disposed on the surface of the steel plate at a coating weight of ≥180 g/m^2 in total of both surfaces.例文帳に追加

Zn-Al-Mg合金めっき層は、Zr，Y，Si，希土類元素から選ばれた少なくとも一種の易酸化性元素を0.002〜0.05質量％含む場合もあり、両面合計の付着量：180g/m^2以下で鋼板表面に設けられる。 - 特許庁

In the method of producing a hot dip galvanized steel sheet, a steel sheet as a base metal in which Ni of 2 to 100 mg/m^2 is stuck to the surface is dipped into a hot dip galvanizing bath comprising 0.25 to 0.5% Al as effective Al.例文帳に追加

製造に当たっては、表面に２〜１００ｍｇ／ｍ^２のＮｉを付着させた母材である鋼板を、有効Ａｌとして０．２５％以上０．５ ％以下のＡｌを含む溶融亜鉛めつき浴に浸漬する。 - 特許庁

In the development system of the lithographic printing plate, Al concentration in the developer after ≥5 m^2 printing plate is subjected to development treatment per 1 L developer containing the development inhibitor is specified to be 20 to 100 ppm.例文帳に追加

本発明に係る平版印刷版の現像システムは、現像抑制剤を含有する現像液で5m^2/L以上処理した後の現像液中のAl濃度を20〜100ppmとする。 - 特許庁

The thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or the thin line of the SiMC layer 14 doped with Al is formed inside the SiC substrate 11 to allow the SiC substrate 11 to emit light.例文帳に追加

また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 - 特許庁

(2) In the continuous casting method of steel, Al killed steel having no added Ca is casted using the immersing nozzle at an average descending flow speed of the molten steel within the range from 1.0 to 2.5 m/s in the immersed nozzle while blowing Ar gas into the molten steel existing in the immersed nozzle.例文帳に追加

(2)前記の浸漬ノズルを用い、浸漬ノズル内における溶鋼の平均下降流速を1.0〜2.5m/sとし、浸漬ノズル内の溶鋼にArガスを吹き込みながら、Ca非添加のAlキルド鋼を鋳造する鋼の連続鋳造方法である。 - 特許庁