「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the surface of an n-type SiC substrate 1, an n-type SiC epitaxial layer 2 and a p-type SiC epitaxial layer 3 are grown.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１の表面に、ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層２およびｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３を成長させる。 - 特許庁

An SBD (Schottky Barrier Diode) 1 includes a SiC substrate 10 and an n-SiC layer 20 formed on one main surface 10A of the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳＢＤ１は、ＳｉＣ基板１０と、ＳｉＣ基板１０の一方の主面１０Ａ上に形成されたｎ−ＳｉＣ層２０とを備えている。 - 特許庁

To provide an SiC crystal of which crystallinity is improved, to provide a method for producing the SiC crystal, and to provide an apparatus for producing the SiC crystal, and a crucible.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶、その製造方法、その製造装置および坩堝を提供する。 - 特許庁

Where, it is preferable that an SiC sintered body having a Young's modulus of 200 GPa or more or an SiC-Si composite material is used as the SiC material.例文帳に追加

ここで、前記ＳｉＣ系材料が、ヤング率２００GPa以上のＳｉＣ焼結体、または、ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料であることが好ましい。 - 特許庁

an extremely hard blue-black crystalline compound (SiC) used as an abrasive and a heat refractory material 例文帳に追加

研摩材と熱の耐火物として物質的に使用される非常に固いブルーブラックの結晶化合物（SiC） - 日本語WordNet

The method further comprises the step of growing an SiC spacer layer 105 at this temperature by using an SiH4 (silane) and C3H8 (propane).例文帳に追加

この温度でSiH_4（シラン）およびC_3H_8（プロパン）を用い、SiCスペーサ層１０５を成長する。 - 特許庁

A conductive oxide layer and an ohmic electrode are formed in an n-type SiC substrate, and a diode is formed.例文帳に追加

n形SiC基板に導電性酸化物層とオーミック電極を形成し、ダイオードを作製する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of increasing an amount of the nitrogen in the carrier gas to 50%, and growing an n+-type SIC contact layer 107.例文帳に追加

キャリアガス中の窒素の量を50%に増加させ、ｎ^+-SiCコンタクト層１０７を成長する。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

An SiC semiconductor device comprises the SiC semiconductor and the oxide film formed on the surface of the SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ半導体と、ＳｉＣ半導体の表面上に形成された酸化膜とを備える。 - 特許庁

This method for producing the α-SiC crystal comprises growing the α-SiC crystal on a substrate by a sublimation recrystallization method of an SiC powder.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法である。 - 特許庁

The SiC substrate fitting pedestal 23 is made rotatable and rotates the SiC substrate 25 together with an SiC single crystal growing thereon.例文帳に追加

ＳｉＣ基板取り付け台座２３は回転可能となっており、ＳｉＣ基板２５及びその上に成長したＳｉＣ単結晶を回転させる。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC crystal, by which the crystallinity of the SiC crystal is improved, and to provide the SiC crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法およびＳｉＣ結晶を提供する。 - 特許庁

To control a thickness of an SiC layer by enabling a detection of a flattened position of the SiC layer when the SiC layer is flattened.例文帳に追加

ＳｉＣ層の平坦化の際の平坦化位置の検出を行えるようにし、ＳｉＣ層の厚さ制御が行えるようにする。 - 特許庁

In addition, an SiC semiconductor element can be manufactured inexpensively by using the SiC thin film.例文帳に追加

このＳｉＣ薄膜を用いることにより、低コストでＳｉＣ半導体素子を製造することができる。 - 特許庁

A carbon substrate or an amorphous SiC substrate is used for the carbon atom supply substrate 17.例文帳に追加

前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 - 特許庁

To prevent the spread of oxidation up to an SiC substrate for thermal oxidation of Si deposited on the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に堆積したＳｉを熱酸化する際に、ＳｉＣ基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。 - 特許庁

To provide an SiC substrate whose plane orientation is made distinct, and a method of manufacturing the SiC substrate.例文帳に追加

面方位を明確にしたＳｉＣ基板およびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To planarize the surface of a SiC single crystal substrate to an atomic level at a high speed.例文帳に追加

SiC単結晶基板の表面を原子オーダーのレベルで、かつ高速に平坦化させる。 - 特許庁

To provide an SiC bipolar semiconductor element which has excellent crystal quality consisting of a p-type SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板をｐ型とした結晶品質の良いＳｉＣバイポーラ素子を提供する。 - 特許庁

This heat equalization material consists of an Si-SiC composite material comprising Si and powdery SiC.例文帳に追加

ＳｉとＳｉＣ粉末とからなるＳｉ−ＳｉＣ複合材料からなることとしたヒーター用均熱材。 - 特許庁

To provide a susceptor that enables an SiC epitaxial film with uniform characteristics to be formed by preventing a gap from being formed between a bottom surface of a counterbore of SiC deposits on a bottom surface of the counterbore of the susceptor and a backside of an SiC single-crystal substrate in a silicon carbide single crystal film-forming device that forms a thin film of SiC single crystal by epitaxial growth.例文帳に追加

SiC単結晶をエピタキシャル成長させて薄膜を作製する炭化珪素単結晶成膜装置において、サセプタの座ぐりの底部表面に堆積するSiC堆積物による座ぐり底面とSiC単結晶基板裏面との間に生じる隙間を防止し、均一な特性のSiCエピタキシャル膜が形成できるサセプタを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal which can provide an SiC single crystal that exhibits high resistivity and an SiC substrate, and can stably manufacture an SiC single crystal that exhibits high resistivity.例文帳に追加

高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶とＳｉＣ基板を提供し、高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶を安定して製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable the convex surface growth of an SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。 - 特許庁

To provide an SiC power transistor of the high performance.例文帳に追加

性能が高いＳｉＣパワートランジスタを提供する。 - 特許庁

An SiC melt is housed in the crucible 6.例文帳に追加

坩堝６には、ＳｉＣ溶液が収納される。 - 特許庁

To grow an SiC single crystal convexly.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。 - 特許庁

Then, in order to improve composition controllability of an Fe_3Si layer and form an ordered structure layer having a half metal structure, an Fe_3Si magnetic layer is formed on a silicon substrate using a semiconductor substrate formed of SiC or having SiC on a surface.例文帳に追加

この際Fe_3Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe_3Si磁性相を形成する。 - 特許庁

N-semiconductor SiC particles are subjected to an oxidation treatment in an SiC oxidizing atmosphere, an oxide layer of thickness 5 to 100 nm is formed on the surfaces of the SiC particles, and the SiC particles coated with the oxide layer are formed into a voltage nonlinear resistor.例文帳に追加

ｎ半導性のＳｉＣ粒子をＳｉＣ酸化雰囲気中で酸化処理を行い、ＳｉＣ粒子表面に酸化層の厚みが５〜１００ｎｍとなるように酸化層を形成した電圧非直線抵抗体。 - 特許庁

The method for forming an SiC single crystal includes forming an epitaxial film 6 of the SiC single crystal by epitaxially growing the SiC single crystal on an SiC substrate 1 having an inclination angle of 0.01-8° with respect to the SiC(0001) plane by metastable solvent epitaxy method and then forming an SiC single crystal 2 on the epitaxial film 6 of the SiC single crystal by a sublimation method.例文帳に追加

ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal which can produce a large-diameter and high quality SiC single crystal and to provide an SiC wafer comprising the SiC single crystal obtained from the method.例文帳に追加

大口径で高品質のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られたＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC crystal, which ensures excellent crystallinity of the SiC crystal, to provide the SiC crystal, and to provide an apparatus for producing the SiC crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法、ＳｉＣ結晶、およびＳｉＣ結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC-containing sheet having suitable strength from a composite sheet comprising silicon and a carbon component required for producing SiC from crutch scrap or the like.例文帳に追加

クラッチ廃材等のSiC生成に必要な珪素と炭素成分を含む複合体シートから、適当な強度を有するSiC含有シートを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an SiC substrate 1, and a thermal conductive body 4, that is formed within the hole 1d of the SiC substrate 1 and is formed of a linear structural body made of carbon.例文帳に追加

SiC基板１と、SiC基板１中の孔１ｄ内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体４とを有することを特徴とする半導体装置による。 - 特許庁

To provide an SiC fiber-reinforced SiC composite material capable of exhibiting excellent heat characteristics and strength characteristics than the SiC fiber-reinforced SiC composite material of a conventional technology.例文帳に追加

従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。 - 特許庁

This inventive SiC-based joining material is characterized in that in an SiC-based joining material containing SiC powder, it contains an SiC-based joining material having an average particle diameter of 5 μm or smaller in a ratio of 15 wt.% or more when the overall SiC powder is 100 wt.%.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ系接合材は、ＳｉＣ粉末を含むＳｉＣ系接合材において、ＳｉＣ粉末全体を１００ｗｔ％としたときに、平均粒径が５μｍ以下のＳｉＣ粉末を１５ｗｔ％以上の割合で含むことを特徴とする。 - 特許庁

The SiC/SiC 10 is one prepared by forming an Si-rich carbon nitride layer 14 on the surface of an SiC/SiC substrate 12, forming a fibrous composite material layer 16 on the surface of the Si-rich carbon nitride layer 14, and forming an SiC covering layer 18 on the surface of the fibrous composite material layer 16.例文帳に追加

ＳｉＣ／ＳｉＣ１０は、ＳｉＣ／ＳｉＣ基材１２の表面にＳｉリッチ炭・窒化物層１４が形成され、Ｓｉリッチ炭・窒化物層１４の表面に繊維複合材料層１６が形成され、繊維複合材料層１６の表面にＳｉＣ被覆層１８が形成されたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the heat dissipation structure is characterized in supplying a current to an SiC substrate or a substrate having an SiC layer on at least one surface, heating SiC with Joule heat generated when the current is supplied, and forming an SiC whisker layer on the SiC surface of the substrate.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造の製造方法は、ＳiＣ基板、又は少なくとも一の表面がＳiＣ層である基板に電流を流し、該電流を流したときに発生するジュール熱によってＳiＣを加熱し、基板のＳiＣ表面にＳiＣウィスカー層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To solve problems that in the present condition, it is hard to produce a SiC microtube with an arbitrary wall thickness of ≤10 μm and it is impossible to manufacture hollow SiC fibers with an arbitrary wall thickness suitable for a purpose from the SiC fibers with diameter of 15 μm produced in an industrial scale.例文帳に追加

現状では、壁厚が10μｍ以下の任意の壁厚に制御してSiCマイクロチューブを製造することが困難であり、工業的に量産されている直径15μｍのSiC繊維を、用途に適した任意の壁厚に制御して中空化することは不可能である。 - 特許庁

This porous molded SiC has an SiC coating layer formed by CVD process on the surface of a porous molded SiC article composed of a constitution structure comprising an SiC whisker skeleton integrated with SiC formed by the heat-treatment of a polycarbosilane.例文帳に追加

ＳｉＣウイスカーの骨格と、ポリカルボシランを熱処理して生成したＳｉＣとが一体化した組織構造からなる多孔質炭化珪素成形体の表面に、ＣＶＤ法によるＳｉＣ被膜が形成されてなる多孔質ＳｉＣ成形体。 - 特許庁

According to a diode element 1 presented here, a p-type SiC anode layer 12, a p-type SiC drift layer 13 and an n+ type SiC cathode layer 14 are formed on an n-type SiC substrate 21 by epitaxial growth and then the n-type SiC substrate 21 is removed.例文帳に追加

このダイオード素子１によれば、ｐ型のＳｉＣアノード層１２,ｐ型のＳｉＣドリフト層１３とｎ＋型ＳｉＣカソード層１４をｎ型ＳｉＣ基板２１上にエピタキシャル成長により形成してから、ｎ型ＳｉＣ基板２１を除去した。 - 特許庁

On the surface layer of one main side of a P-type SiC substrate 10, a P^+-type SiC region 20, an N^+-type SiC source region 30, and both N-type SiC drain region 40 and N^+-type SiC drain region 50, located away from the P^+-type SiC region 20 and the N^+-type SiC source region 30, are formed.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ基板１０の一主面側の表層にＰ＋型ＳｉＣ領域２０と、Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０と、Ｐ＋型ＳｉＣ領域２０及びＮ＋型ＳｉＣソース領域３０から離隔してＮ型ＳｉＣドレイン領域４０とＮ＋型ＳｉＣドレイン領域５０がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The SiC joined body having a joining layer containing Si and SiC is characterized by having a relation of a center part>an outer periphery in the values of the containing ratio of SiC in the joining layer denoted as SiC/(Si+SiC) at the center part and the outer periphery.例文帳に追加

接合層にＳｉとＳｉＣを含むＳｉＣ接合体であって、前記接合層のＳｉＣの含有割合であるＳｉＣ／（Ｓｉ＋ＳｉＣ）が前記接合層の中央部と外周部において、中央部＞外周部の関係を有することを特徴とするＳｉＣ接合体。 - 特許庁

A P-type SiC area 30 is formed in a part of the surface layer of an N-type SiC epitaxial area 20, and a gate electrode is formed through a gate insulating film 40 on the surface of the P-type SiC area 30 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 adjacent to this P-type SiC area 30.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表層の一部にＰ型ＳｉＣ領域３０を設け、Ｐ型ＳｉＣ領域３０とこれに隣接するＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面にゲート絶縁膜４０を介してゲート電極を設ける。 - 特許庁