「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an SiC material that includes a boron-11("11 B") isotope, and a precursor and a method for forming the SiC material, and the SiC material.例文帳に追加

原子力用途のためのホウ素−１１（“１１Ｂ”）同位体を含むＳｉＣ材料、並びに前駆体及びＳｉＣ材料の形成方法、及びＳｉＣ材料の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide (SiC) substrate by which an SiC substrate which is ideal for the manufacturing of semiconductor devices can be manufactured efficiently, and to provide the SiC substrate manufactured by the method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造に好適なＳｉＣ基板を効率的に製造することができるＳｉＣの製造方法とその方法により得られたＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the SiC single crystal 10 comprises growing a bulk SiC single crystal on the growth surface of an SiC seed crystal 1 in a growing vessel 5.例文帳に追加

成長容器５内でＳｉＣ種結晶１の成長面上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて，ＳｉＣ単結晶１０を製造する方法である。 - 特許庁

A hexagonal SiC substrate, with {11-20} surface set as a main surface, is used in an SiC substrate 90, and a trench groove 91 is formed in the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板９０に｛１１−２０｝面を主表面とする六方晶ＳｉＣ基板が用いられるとともにＳｉＣ基板９０にトレンチ溝９１が形成されている。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a SiC single crystal capable of simultaneously growing the SiC single crystal to a plurality of seed crystals and allowing the growth speed of the SiC single crystal to be more uniform in a plane.例文帳に追加

複数枚の種結晶に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることができ、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長速度を面内においてより均一にできるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

A carbon fiber reinforced SiC composite material comprises using a Si-SiC composite material or a SiC composite material as a substrate and at least forming an oxidation resistant layer comprising a phosphate on a surface layer portion of the substrate.例文帳に追加

基材としてＳｉ−ＳｉＣ系複合材料またはＳｉＣ系複合材料を用い、同基材の少なくとも表層部にリン酸塩からなる耐酸化性層を形成させた炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材料により達成。 - 特許庁

To prevent thermal destruction caused by acceleration of current concentration due to an increase in the temperature and lowering of the resistance of a certain SiC semiconductor rectifier when current is concentrated on the SiC semiconductor rectifier in a circuit in which the plurality of SiC semiconductor rectifiers are used in parallel.例文帳に追加

複数のＳｉＣ半導体整流素子を並列に用いた回路内で、一つの素子に電流が集中すると、その素子の温度が上昇し、抵抗が下がるために、電流集中が加速されて引き起こされる熱破壊を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method which can separate and recover SiC usable similarly to an ordinary SiC raw material as a refractory raw material from a used SiC-Al_2O_3 based refractory at high purity.例文帳に追加

使用済みのＳｉＣ−Ａｌ_２Ｏ_３系耐火物から、耐火物原料として通常のＳｉＣ原料と同様に使用できるＳｉＣを高純度で分離回収することができる方法を提供する。 - 特許庁

In a vessel for growing (1,2), an SiC seed crystal 5 is set and a gas as a feed is supplied to it, and the SiC single crystal is grown from the SiC seed crystal 5.例文帳に追加

成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給してＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

The SiC semiconductor substrate has the back electrode 11 including a nickel film 3 formed on a reverse surface of the SiC substrate 1, and a barrier film 2 interposed between the SiC substrate 1 and the nickel film 3 and having an opening part 2a.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ基板１の裏面に形成されたニッケル膜３を含む裏面電極１１と、ＳｉＣ基板１とニッケル膜３との間に介在し、開口部２ａを有するバリア膜２とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 including an SiC substrate 2, a high carbon concentration SiC layer 3 containing more highly concentrated carbon than a surface layer portion on the side of a front surface 21 is formed on a surface layer portion on the side of a rear surface 22 of the SiC substrate 2.例文帳に追加

ＳｉＣ基板２を有する半導体装置１において、ＳｉＣ基板２の裏面２２側の表層部分に、表面２１側の表層部分よりもカーボンが高濃度に含まれる高カーボン濃度ＳｉＣ層３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing SiC single crystals, which method enables stable growth of the SiC single crystals when growing the SiC single crystals by using an apparatus for producing wherein a heat insulating material is arranged around a crucible.例文帳に追加

坩堝の周囲に断熱材を配置した製造装置を用いてＳｉＣ単結晶を成長させるに際し、当該ＳｉＣ単結晶の安定な成長を可能とするＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The heating element can be obtained, after the obtainment of an SiC sintered compact 1 having prescribed shape and electric specific resistance, by coating the surface of the SiC sintered compact 1 with a plurality layers of SiC thin films 2 to 5.例文帳に追加

発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。 - 特許庁

To achieve a surface of an SiC substrate sufficiently cleaned by planarizing the surface of the SiC substrate with high accuracy sufficiently in a short time and by removing metal contamination or the like on the surface of the SiC substrate.例文帳に追加

十分に短い時間で、ＳｉＣ基板表面を高精度に平坦化し、かつＳｉＣ基板表面のメタルコンタミ等を除去して十分に清浄なＳｉＣ基板表面を実現する。 - 特許庁

The SiC wafer is composed of the SiC single crystal obtained from the method for producing an SiC single crystal and has the number of small tilt angle grain boundaries of 10 or less.例文帳に追加

また、このＳｉＣ単結晶の製造方法により得られたＳｉＣ単結晶からなり、小傾角粒界の数が１０本以下であるＳｉＣウエハである。 - 特許庁

To provide an SiC sintered compact which is extremely denser than heretofore and has no pores, to provide SiC particles, and to provide a method for producing the SiC sintered compact.例文帳に追加

本発明は、従来と比べ非常に緻密で気孔がないＳｉＣ焼結体、ＳｉＣ粒子及びＳｉＣ焼結体の製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁

An MOSFET includes: an n-type SiC drift layer 2 formed on an SiC substrate 1; a pair of p-type base regions 3 formed above the SiC drift layer 2; and an n-type high-concentration layer 9 formed at a depth of the bottom of the base region 3 over the SiC drift layer 2 and having a high impurity concentration than the SiC drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１上に形成されたｎ型のＳｉＣドリフト層２と、ＳｉＣドリフト層２の上部に形成されｐ型の一対のベース領域３と、ＳｉＣドリフト層２におけるベース領域３の底部の深さ一帯に形成され、当該ＳｉＣドリフト層２よりも不純物濃度が高いｎ型の高濃度層９とを備える。 - 特許庁

The SiC single crystal is otherwise obtained as follows: an SiC injection-layer 8 is formed by injecting C ion to the surface of an Si substrate 2, an exciting-layer 12 is formed by irradiating the layer 8 with the exciting beam 10, and the layer 12 is converted into an SiC single crystal layer by heating the SiC substrate 2 which includes the SiC exciting layer 12.例文帳に追加

また、他の単結晶ＳｉＣは、Ｓｉ基板２の表面にＣイオンをイオン注入してＳｉＣ注入層８を形成し、このＳｉＣ注入層８に励起ビーム１０を照射してＳｉＣ励起層１２を形成し、このＳｉＣ励起層１２を有するＳｉ基板２を加熱してＳｉＣ励起層１２をＳｉＣ単結晶層１６に転換させて得られることを特徴としている。 - 特許庁

A contact for a semiconductor device can be formed by forming a metal on a silicon carbide (SiC) substrate, and annealing an interface location between the metal and the SiC substrate to form a metal-SiC material thereat, while avoiding annealing at a location on the SiC substrate to avoid forming the metal-SiC material thereat.例文帳に追加

炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。 - 特許庁

An SiC layer 2 is formed with a CVD process on an Si(111) substrate layer 1 doped to an n-type.例文帳に追加

ｎ型にドーピングしたＳｉ(111)基板層１上に、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層２を形成する。 - 特許庁

This interlayer insulating film laminated structure is provided with an SiC film 4, an SiOC film 5 and an SiO_2 film 6.例文帳に追加

層間絶縁膜積層構造は、ＳｉＣ膜４、ＳｉＯＣ膜５、及びＳｉＯ_２ 膜６を有する。 - 特許庁

To provide a polytype of an optimum combination for an SiC substrate and overgrown III-V group nitride.例文帳に追加

ＳｉＣ基板および過成長III-V族窒化物の双方に最適な組み合わせのポリタイプを提供する。 - 特許庁

An n-type AlGaN buffer layer (12) is formed on an SiC substrate (11) as a buffer layer of the element.例文帳に追加

素子のバッファ層として、ＳｉＣ基板（１１）上にｎ型ＡｌＧａＮバッファ層（１２）を形成する。 - 特許庁

To prevent gate leak failure in an SiC semiconductor device of an MOS structure.例文帳に追加

ＭＯＳ構造のＳｉＣ半導体装置において、ゲートリーク不良を防止する。 - 特許庁

To provide a post ion-implantation heat treatment method and an apparatus for improving characteristics of an SiC element.例文帳に追加

ＳｉＣ素子の特性を向上させるイオン注入後熱処理方法及び装置を実現する。 - 特許庁

An aluminum film 7 is formed on the one face of an SiC substrate 9.例文帳に追加

ＳｉＣ基板９の一方面上にはアルミニウム膜７が形成されている。 - 特許庁

An optical lens 11 is made of an optical material consisting of SiC single crystal having a cubic crystal structure.例文帳に追加

立方晶構造のＳｉＣ単結晶からなる光学材料で光学レンズ１１を構成した。 - 特許庁

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet.例文帳に追加

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal restraining an SiC polycrystal from adhering to the wall surface of a reaction vessel located at the sidewall of the base and the circumferential part of the base, and a method for producing an SiC single crystal using the same.例文帳に追加

台座の側壁や台座の周辺部に位置する反応容器の壁面にＳｉＣ多結晶が付着することを抑制することのできるＳｉＣ単結晶の製造装置およびそれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, by which the semiconductor device using an SiC crystal is manufactured by peeling an SiC substrate from a stuck substrate formed by sticking the SiC substrate on an Si substrate without damaging an element such as an IC chip and an LSI chip formed on the surface of the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板がＳｉ基板に貼り付けられた貼り合せ基板から、ＳｉＣ基板の表面に形成されたＩＣチップやＬＳＩチップ等の素子を傷つけることなく、貼り合せ基板からＳｉＣ基板を剥離して、ＳｉＣ結晶を用いた半導体デバイスを製造する、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interface layer comprising SiC_X is not formed on an interface between a Schottky electrode 4 and SiC, and respective particles of metal forming the Schottky electrode 4 are made to be in a state of lattice matching such that an atom arrangement is continuous, on a surface of the SiC.例文帳に追加

ショットキー電極４とＳｉＣとの界面にＳｉＯ_Xにて構成される界面層が形成されることなく、ショットキー電極４を構成する金属の各粒子がＳｉＣの表面において、原子配列が連続的となった格子整合した状態となるようにする。 - 特許庁

A portion of a schottky electrode 4 which directly contacts with SiC is comprised of an oxide layer 4a.例文帳に追加

ショットキー電極４のうちＳｉＣと直接接触する部分を酸化物層４ａにて構成する。 - 特許庁

The mounts at an equal space of Schottky barrier diodes 11a-11d using SiC substrates are performed.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いたショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄを等間隔に実装する。 - 特許庁

An SiC film 3 whose specific dielectric constant is larger than 2.5 is disposed on the surface of the film 2.例文帳に追加

膜２の表面上に比誘電率が２．５よりも大きいＳｉＣ膜３を設ける。 - 特許庁

A main switching element (13) is constituted of a chip consisting of an SiC semiconductor.例文帳に追加

主スイッチング素子（13）をＳｉＣ半導体からなるチップによって構成する。 - 特許庁

A plurality of P-type wells 23 are formed at intervals on an N-type SiC semiconductor substrate 20.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣ半導体基板２０には、間隔を開けて複数のＰ型ウエル２３が形成されている。 - 特許庁

To enable to control degradation of heat insulation materials provided in a production apparatus of an SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

A porous MSQ(2) is formed on a silicon substrate 1 and an SiC mask 3 is then formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板１上にポーラスＭＳＱ（２）を形成し、その上にＳｉＣマスク３を形成する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which can improve resistance to forward-direction surge.例文帳に追加

順方向サージに対する耐性を向上することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The cleaning chamber 5 doubles with a reclaiming chamber for forming an SiC film on a surface of the susceptor S.例文帳に追加

クリーニング室５は、サセプタＳの表面にＳｉＣ膜を形成する再生室を兼ねる。 - 特許庁

The primer layer 9 is formed by sputtering using an SiC target.例文帳に追加

この下地層９は、ＳｉＣターゲットによるスパッタリング等で形成される。 - 特許庁

To provide an SiC/Cu composite material having excellent thermal conductivity and a method of producing the same.例文帳に追加

優れた熱伝導度を有するＳｉＣ／Ｃｕ複合材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Over the whole main surface of the semiconductor layer 102, an interlayer insulating film 106 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２の主面上の全面に層間絶縁膜１０６が形成される。 - 特許庁