「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the Si-layer formation process, an Si layer 71 is formed on the surface of a monocrystal SiC base 70.例文帳に追加

Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in which on-resistance is more reduced.例文帳に追加

よりオン抵抗の低減を図ることができるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the on-resistance of an SiC semiconductor device can be more reduced than the conventional ones.例文帳に追加

したがって、ＳｉＣ半導体装置のオン抵抗を従来よりもさらに低減することが可能になる。 - 特許庁

To provide a logic gate circuit device comprising an SiC MISFET whose operating speed can be made fast.例文帳に追加

動作速度を高速化できる ＳｉＣ ＭＩＳＦＥＴで構成された論理ゲート回路デバイスを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a heater which is usable for the epitaxial growth of an SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing a silicon carbide single crystal, by which the growth of an SiC single crystal of different polymorphism is prevented and a high quality SiC single crystal is produced when the SiC single crystal is grown by using a seed crystal composed of an SiC single crystal of an ON-substrate in which the off-angle is almost zero, e.g., 0.5° or less.例文帳に追加

オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining an SiC single crystal ingot having superior quality and a long size.例文帳に追加

良質で長尺なＳｉＣ単結晶インゴットを得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al-SiC composite material joined body free from the defects of a joining layer, and having high reliability.例文帳に追加

接合層の欠陥がなく信頼性の高いＡｌ−ＳｉＣ複合材料接合体を提供する。 - 特許庁

A mask layer 15 is formed on a part of a SiC substrate 11, and N, as an impurity, is implanted.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１の上の一部にマスク層１５を形成し、不純物としてＮを注入する。 - 特許庁

Selective etching is controlled to attack the SiC layer but not to have an effect on the SiON layer.例文帳に追加

選択性エッチングは、ＳｉＣ層を攻撃するが、ＳｉＯＮ層は影響されないようにする。 - 特許庁

To provide an SiC wafer which is constituted, so that the wafer is put into practical use as a film-thickness monitoring wafer.例文帳に追加

ＳｉＣウェハを膜厚モニタ用のウェハとして実用化できる構造のウェハを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC substrate to remove a process-modified layer under practical conditions.例文帳に追加

実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

SiC element 62 of an inverter device 60 is arranged in the first space S1 in which oil after lubrication flows out.例文帳に追加

潤滑後の油が流出する第１空間（S1）にインバータ装置（60）のＳｉＣ素子（62）を配置する。 - 特許庁

To smoothly provide an SiC/Si composite material having high rigidity and high thermal conductivity.例文帳に追加

高剛性でかつ高熱伝導率のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を支障なく提供する。 - 特許庁

When an SiC substrate 10 is cut from an SiC ingot, the main face of the SiC substrate 10 is off from a basal face, and the SiC substrate 10 is cut by setting an off-direction in plan view so that a direction of a dislocation column DSL is not substantially coincident with a direction of a step STP caused upon an epitaxial growth.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０をＳｉＣインゴットから切り出す際に、ＳｉＣ基板１０の主面をｂａｓａｌ面からオフさせて、かつ、転位列ＤＳＬの方向とエピタキシャル成長の際に生じるステップＳＴＰの方向とが実質的に一致しないように、平面視におけるオフ方向を設定して切り出す。 - 特許庁

To surely and rapidly form a single crystal, such as SiC, in an atmospheric pressure CVD process.例文帳に追加

常圧ＣＶＤ法において、ＳｉＣなどの単結晶を確実にしかも短時間で生成すること。 - 特許庁

To provide a method for continuously growing an SiC single crystal having a large diameter by a solution method.例文帳に追加

溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal that can constrain a crystal defect.例文帳に追加

結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An Si substrate 10 is stuck on the SiC substrate 30 with the amorphous silicon 20 interposed therebetween.例文帳に追加

このアモルファスシリコン２０を介してＳｉＣ基板３０にＳｉ基板１０を貼り合わせる。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in which leakage current is reduced and current properties are improved.例文帳に追加

リーク電流を低減し、電流特性を向上することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The seed shaft 411 can be raised and lowered, and an SiC seed crystal 9 is attached to the bottom surface thereof.例文帳に追加

シードシャフト４１１は、昇降可能であり、下面にＳｉＣ種結晶９が取り付けられる。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process.例文帳に追加

結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having excellent characteristics and enhanced reliability in which an SiC wafer can be employed.例文帳に追加

優れた特性を有するとともに信頼性が向上し、またＳｉＣウエハを用いることができると。 - 特許庁

In a SiC substrate 10, an off-angle is provided in the (0001) plane, and the off-direction is set at <11-20>.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０は、｛０００１｝面にオフ角を設けるとともにオフ方向を＜１１−２０＞としている。 - 特許庁

The member 80 for sliding is formed by an SiC(silicon carbide) material being impregnated with oil.例文帳に追加

被摺接部材８０は、油が含浸されたＳｉＣ（炭化珪素）材料で形成されている。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device having high voltage resistance and low loss.例文帳に追加

高耐圧かつ低損失のＳｉＣ半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, the impregnated body is gradually cooled so as to obtain an SiC/Al based composite material.例文帳に追加

その後、含浸体を徐々に冷却することによりＳｉＣ／Ａｌ系複合材料を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal increasing C solubility in a solution to improve a growth rate of the SiC single crystal, suppressing fluctuation in a solution composition due to consumption of an SiC component associated with the growth of the single crystal, and stabilizing conditions for single crystal growth.例文帳に追加

溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SiC single crystal is produced by a liquid phase growth method for epitaxially growing SiC on a substrate by bringing a seed crystal substrate into contact with an SiC solution in which a melt of an Si alloy held in a crucible is used as a solvent, wherein a sapphire crystal substrate is used as the seed crystal substrate.例文帳に追加

坩堝に収容されたＳｉ合金の融液を溶媒とするＳｉＣ溶液に種結晶基板を接触させて基板上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる液相成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。 - 特許庁

Its production method comprises the steps for coating the surface of a basic material with SiC film by CVD, for removing the basic material to produce an SiC shaped body, and for heat treating the SiC shaped body at a temperature of 1600-1800°C in an inert atmosphere while applying a load of 15 g/cm^2 or above.例文帳に追加

また、その製造方法は、ＣＶＤ法により基材面にＳｉＣ膜を被着し、次いで基材を除去して得られたＳｉＣ成形体を、不活性雰囲気中で１５g/cm^2 以上の加重を負荷しながら、１６００〜１８００℃の温度で熱処理する。 - 特許庁

An n-type drift area 14 and a p-type well area 3 are formed in the 1st SiC layer 2, an n-type accumulation channel layer 6 is formed on the center part of the 2nd SiC layer 12 and n-type contact layers 4 are formed on both the end parts of the 2nd SiC layer 12.例文帳に追加

そして、第１ＳｉＣ層２にはｎ型のドリフト領域１４とｐ型のウェル領域３とが設けられ、第２ＳｉＣ層１２の中央部にはｎ型の蓄積型チャネル層６が、第２ＳｉＣ層１２の両端部にはｎ型のコンタクト層４が設けられている。 - 特許庁

The MOSFET 1 includes an n^+ SiC substrate 10, an n^- SiC layer 20, a pair of p-wells 21, a gate oxide film 30, a gate electrode 40 and a plurality of p-conductivity-type relief regions 23, arranged separated from each other in the n^- SiC layer 20.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、一対のｐウェル２１と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０内に互いに分離して配置された導電型がｐ型の複数の緩和領域２３とを備えている。 - 特許庁

This filter is provided with: a SiC filter 5 held in a housing 4; a gas introduction means introducing exhaust gas discharged from an engine to the SiC filter 5; and an electric panel heater 7 for burning particulate matter captured by the SiC filter 5.例文帳に追加

ハウジング４に収容されたＳｉＣフィルタ５と、エンジンから排出される排気ガスをＳｉＣフィルタ５に導くガス導入手段と、該ＳｉＣフィルタ５によって捕捉された粒子状物質を燃焼させるための電熱パネルヒータ７とを備えている。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises a step for cutting away or grooving a part of the peripheral region 15 of an SiC substrate 1, and a step for growing the SiC single crystal on the surface of the substrate which has been cut away or grooved as the seed substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。 - 特許庁

When the surface of a base material is coated with an SiC coating by CVD, an SiC plate is fixed or stuck on a part of a face of the base material and the base material is set on a base material holder in a CVD reaction apparatus using the fixed or stuck SiC plate as a holding part.例文帳に追加

基材表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ被膜を被着する方法において、基材面の一部にＳｉＣ板を嵌着または貼着し、嵌着または貼着したＳｉＣ板を保持部として基材をＣＶＤ反応装置の基材ホルダーにセットするＳｉＣ被膜の被覆方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The SiC epitaxial wafer is an SiC epitaxial wafer in which an SiC epitaxial layer is formed on a 4H-SIC single crystal substrate made to incline by 0.4°-5° of an off angle, and is characterized in that the defect density of the triangle shape of the surface of the SiC epitaxial layer is at most 1 piece/cm^2.例文帳に追加

本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The inverter 61 for the compressor motor uses an SiC element 64 using silicon carbide (SiC) which is one of wide gap semiconductors as a switching element for the power control, and heats air or hydrogen by heat generation of the SiC element 64.例文帳に追加

コンプレッサモータ用インバータ６１は、ワイドギャップ半導体の一種である炭化珪素（ＳｉＣ）を用いたＳｉＣ素子６４を電力制御用のスイッチング素子として使用し、ＳｉＣ素子６４の発熱により空気または水素を加熱する。 - 特許庁

To provide an SiC-coated carbon nanotube which can exploit excellent characteristics of a carbon nanotube, a boron-doped, SiC-coated carbon nanotube, manufacturing methods for the same and a composite material reinforced with the SiC-coated carbon nanotube.例文帳に追加

カーボンナノチューブの優れた特性を引き出すことが可能なＳｉＣ被覆カーボンナノチューブ、ボロンドープＳｉＣ被覆カーボンナノチューブ、その製造方法およびＳｉＣ被覆カーボンナノチューブ強化複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which includes an SiC diode element on a switching element and suppresses the rise of temperature by securing a heat discharge path of the SiC diode element, by making appropriate the arrangement of the SiC diode element on the switching element.例文帳に追加

スイッチング素子上にＳｉＣ製ダイオード素子を備える半導体モジュールにおいて、スイッチング素子上におけるＳｉＣ製ダイオード素子の配置を適正にして、ＳｉＣ製ダイオード素子の放熱経路を確保することにより、温度上昇を抑制した半導体モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor module including an SiC diode element on a switching element, of which the temperature rise is suppressed by properly arranging the SiC diode element on the switching element to secure a heat dissipation path of the SiC diode element.例文帳に追加

スイッチング素子上にＳｉＣ製ダイオード素子を備える半導体モジュールにおいて、スイッチング素子上におけるＳｉＣ製ダイオード素子の配置を適正にして、ＳｉＣ製ダイオード素子の放熱経路を確保することにより、温度上昇を抑制した半導体モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the rise in the temperature of an SiC diode element (8) is suppressed by facilitating the discharge of heat by heat generation of the SiC diode element (8), by arranging the SiC diode element (8) on the periphery on a switching element (5), rise in the temperature of a semiconductor module is suppressed.例文帳に追加

ＳｉＣ製ダイオード素子（８）をスイッチング素子（５）上の周辺部に配設して、ＳｉＣ製ダイオード素子（８）の発熱による熱を放熱し易くすることにより、ＳｉＣ製ダイオード素子（８）の温度上昇が抑制されるため、半導体モジュールの温度上昇が抑制される。 - 特許庁

The carrier hand includes honeycomb construction consisting of an SiC-Si composite material in which the content rate of SiC is 40-80 vol%, and plates consisting of the SiC-Si composite material are joined to the upper and lower surfaces of the honeycomb construction.例文帳に追加

複合材料中のＳｉＣの含有率が40〜80体積％であるＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなるハニカム構造体を含み、かつ、該ハニカム構造体の上下にＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる平板が接合されていることを特徴とする搬送装置用ハンド。 - 特許庁

The sliding member comprises: a base material 3 composing a structural material; an SiC-introduced layer 2 with a thickness of ≥100 μm formed by introducing SiC into the surface layer of the base material; and a DLC film 1 formed on the surface of the SiC-introduced layer.例文帳に追加

構造材を構成する基材３と、前記基材表層にＳｉＣを導入させて形成された厚みが１００μｍ以上のＳｉＣ導入層２と、前記ＳｉＣ導入層の表面に形成されたＤＬＣ膜１と、を有することを特徴とする摺動部材。 - 特許庁