「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The growing chamber 4 used has a main body 41 where the SiC source material is supplied, an upper lid 42 disposed on the top of the body 41, and a seed housing part 425 formed in the upper lid 42 and recessed outward the growing chamber 4 is used.例文帳に追加

成長容器４としては、ＳｉＣ原料が供給される本体部４１とその上部に配置される上蓋４２とを有し、該上蓋４２に上記成長容器４の外部に向けて凹んだ種収容部４２５を形成したものを用いる。 - 特許庁

The present is adapted, such that slug section bricks 12 in which 90 wt.% or higher SiC is contained and sintered in a non-oxidation atmosphere is disposed on an inner peripheral wall of a furnace body 2 located in the vicinity of a slug line L, that is a boundary line between a molten slug 3 and a gaseous atmosphere 11.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ９０ｗｔ％以上が含まれ、かつ非酸化雰囲気で焼成されたスラグ部煉瓦１２を溶融スラグ３とガス雰囲気１１との境界線であるスラグラインＬ付近に位置する炉本体２の内周壁に配置している。 - 特許庁

It is remarkable when the refractive indices of the semiconductor laminating structures 2 to 4 are larger than those of the substrates 1, and an effect is remarkable particularly when the light emitter is formed of the laminating structure of a group III nitride compound semiconductor and sapphire, silicon, SiC or a spinel is used as the substrate.例文帳に追加

これは、基板１の屈折率よりも半導体積層構造２〜４の屈折率の方が大きい場合に顕著であり、III族窒化物系化合物半導体の積層構造で発光部を形成し、サファイア、シリコン、ＳｉＣ又はスピネルを基板とする場合に特に効果が顕著となる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a protective film is deposited on the substrate by an aerosol deposition method in which powder containing silicon compound (SiC or SiN) is sprayed to the substrate together with carrier gas such as helium at the spraying particle speed of ≥ 800 m/s from very small nozzles.例文帳に追加

ケイ素化合物（ＳｉＣ又はＳｉＮ）を含む粉末を、例えばヘリウムのようなキャリアガスと共に微小孔ノズルから８００ｍ／ｓ以上の吹きかけ粒子速度で基板に吹きかけるエアロゾルデポジション法によって基板上に保護膜を成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a process of forming a high-density impurity-doped layer 2 containing impurities of the same conductivity type with a substrate 1 made of SiC to higher density than the substrate 1 and a process of forming an epitaxial growth layer 3 of SiC containing impurities of the same conductivity type with the high-density impurity-doped layer 2 on the high-density impurity-doped layer 2.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、原料ガス及びドーパントガスの供給量を変化させることにより、ＳｉＣからなる基板１と同じ導電型の不純物を基板１よりも高い濃度で含む高濃度不純物ドープ層２を形成する工程と、高濃度不純物ドープ層２の上に高濃度不純物ドープ層２と同じ導電型の不純物を含むＳｉＣからなるエピタキシャル成長層３を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明のＩＩＩ族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、ＳｉＣ基板上またはＩＩＩ族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第１工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記ＳｉＣ基板または上記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の上にＩＩＩ族窒化物系半導体層を選択成長する第２工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The SiC/carbon nanotube composite material has a CNT (carbon nanotube) region on an SiC substrate, the region having a large number of carbon nanotubes rising from the substrate surface, wherein the carbon nanotubes are formed with high orientation and in high density in the CNT region, and the coefficient of friction in the region can be varied by changes in mechanical energy imparted to the CNT region.例文帳に追加

本発明によると、ＳｉＣ基材上に該基材表面から立ち上がる多数のカーボンナノチューブを有するＣＮＴ領域が形成されているＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料であって、該ＣＮＴ領域には前記カーボンナノチューブが高配向かつ高密度に形成されており、前記ＣＮＴ領域に付与される機械的エネルギー量の変化によって該領域の摩擦係数を異ならせることができる、ＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料が提供される。 - 特許庁

This SiC Schottky diode is equipped with a guard ring 4, and a second electrode layer 6 electrically connected to the guard ring 4 and formed of a material different from that of the Schottky electrode layer 5 so as to secure an ohmic contact with the guard ring 4, so that the forward surge breakdown voltage of the SiC Schottky diode is increased without deteriorating its rectifying performance and the reliability is improved.例文帳に追加

本発明によれば、ガードリング４を有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、ガードリング４に電気的接続をとる第２の電極層６としてショットキー電極層５とは別の材料を用いることによって、ガードリング４に対するオーミック性を確保することにより、整流性能を劣化させることなく、順サージ電流に対する耐量を向上させることができ、信頼性の高いＳｉＣショットキーダイオードを得ることができる。 - 特許庁

This honeycomb structure is obtained by forming an impregnation base material containing metal Si and metal Al and an alkaline-earth metal compound on a part of the surface of a honeycomb base material having an SiC phase and an oxide phase containing an Si oxide and impregnating metal Si and metal Al into pores of the honeycomb base material through heating in an inert atmosphere.例文帳に追加

このハニカム構造体は、ＳｉＣ相とＳｉ酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Ｓｉと金属Ａｌとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Ｓｉ及び金属Ａｌをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 - 特許庁

In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer.例文帳に追加

このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を４００℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮＣ膜及びＳｉＣ膜のいずれかとすることが望ましい。 - 特許庁

After forming a collector layer 7, a base layer 8, an etching stopper layer 12 for forming an opening in an ion transmission suppressing layer 14, and the ion transmission suppressing layer 14 on the etching stopper layer 12 in order; impurity ions 38 of a first conductivity type are injected into the collector layer 7 through the opening 14a formed in the ion transmission suppressing film to form an SIC region 21.例文帳に追加

コレクタ層７、ベース層８、イオン透過抑制層１４開口のためのエッチングストッパ層１２、エッチングストッパ層１２の上にイオン透過抑制層１４を順に形成した後、イオン透過抑制膜の開口１４ａを通じて第１の導電型の不純物のイオン３８をコレクタ層７に注入して、ＳＩＣ領域２１を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

An etching layer 18 of an DLC (diamond-like carbon) or TiNc on an original master disk 20 of a ground glass or a silicon compound such as Si, SiC or SiO_2 is formed, an electroforming film 14 is coated by electroforming after forming a conductive layer 13 by spattering thereon, and the substrate is manufactured by exfoliating the etching layer 18 from the master disk 20.例文帳に追加

研磨されたガラス、または、Ｓｉ若しくはＳｉＣ、ＳｉＯ_２ 等のＳｉ化合物たる元原盤２０にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、または、ＴｉＮＣのエッチング層１８を形成し、この上にスパッタリングにより導電層１３を形成後に電鋳して電鋳皮膜１４を付け、元原盤２０から剥離してダイレクトマスタリングの基板とする。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁

This thermoelectric element includes two Cu-made electrodes 1 and 2, an n-shape SiC semiconductor bulk 4 provided on the electrode 1 via an Ni sheet 6, a p-type semiconductor bulk 5 provided on the electrode 2 via an Al sheet 8, and a single Cu-made metal electrode 3 provided on the semiconductor bulks 4 and 5 via Ni and Al sheets 7 and 9.例文帳に追加

熱電素子は、二つのＣｕ製の電極１，２と、電極１上にＮｉシート６を介して設けられるｎ型ＳｉＣ半導体バルク４と、電極２上にＡｌシート８を介して設けられるｐ型ＳｉＣ半導体バルク５と、半導体バルク４及び５上に、それぞれＮｉシート７及びＡｌシート９を介して、設けられる一つのＣｕ製金属電極３とを備えて構成される。 - 特許庁

The crosslinkable polyorganosiloxane material contains: (A) polyorganosiloxane having a group with the aliphatic carbon-carbon-multiple bond and (B) polyorganosiloxane having an Si-bonded hydrogen atom; or, in place of (A) and (B), (C) polyorganosiloxane having an SiC-bonded group with the aliphatic carbon-carbon-multiple bond and an Si-bonded hydrogen atom; and (D) a platinum catalyst.例文帳に追加

（Ａ）脂肪族炭素−炭素−多重結合を有する基を有するポリオルガノシロキサン（Ｂ）Ｓｉ結合水素原子を有するポリオルガノシロキサン、又は（Ａ）及び（Ｂ）の代わりに（Ｃ）脂肪族炭素−炭素−多重結合を有するＳｉＣ結合基及びＳｉ結合水素原子を有するポリオルガノシロキサン、及び（Ｄ）白金触媒を含有する架橋性ポリオルガノシロキサン材料。 - 特許庁

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer.例文帳に追加

第１の導電型の炭化ケイ素（ＳｉＣ）コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treating method and a heat treating device forming a low resistance ohmic electrode on an SiC substrate with thermal energy smaller than in the prior art, and preventing damage and degradation of characteristics of an element part of a semiconductor device in heat treatment, and to provide a method of manufacturing the semiconductor using the heat treating method.例文帳に追加

従来技術よりも小さい熱エネルギーで、ＳｉＣ基板上に低抵抗のオーミック電極を形成することができ、熱処理における半導体装置の素子部の損傷および特性の劣化を防止することができる熱処理方法および熱処理装置、ならびに前記熱処理方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The LED luminaire includes an LED light emitting portion 2 including an LED element, and a lighting circuit portion 4 lighting the LED element of the LED light emitting portion, wherein at least a part of semiconductor elements constituting the lighting circuit portion 4 is constituted by a wide gap semiconductor such as a GaN semiconductor element or a SiC semiconductor element, thereby obtaining efficient and stable lighting characteristics.例文帳に追加

ＬＥＤ照明器具は、ＬＥＤ素子からなるＬＥＤ発光部２と、ＬＥＤ発光部のＬＥＤ素子を点灯する点灯回路部４とを備え、点灯回路部４を構成する半導体素子の少なくとも一部を、ＧａＮ系半導体素子またはＳｉＣ系半導体素子などのワイドギャップ半導体で構成することで高効率で安定な点灯特性を得る。 - 特許庁

In the method of manufacturing the silicon wafer for the CMOS device, the SiGe film and the SiC film are formed isolated from each other on a surface of the same silicon substrate using a selective epitaxial method or an ion implantation method, whereby an n-MOS device and a p-MOS device required for configuring the CMOS device are manufactured on the same silicon substrate isolated from each other like islands.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイス用シリコンウェハの製造方法において、同一シリコン基材の表面に、選択エピタキシャル法又はイオン注入法を用い、ＳｉＧｅ膜及びＳｉＣ膜を分離して形成し、ＣＭＯＳデバイスを構成するために必要なｎ−ＭＯＳデバイス、及びｐ−ＭＯＳデバイスを同一シリコン基材上に島状に分離して製造する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that uses a contact charger of a high charging efficiency, keeps high cleaning characteristics for a longer period than before by suppressing the transformation by discharge of an a-SiC surface layer, has a high abrasion resistance, has a long life, has a high chargeability, and secures the image quality with higher order.例文帳に追加

帯電効率の良い接触帯電器を用いた画像形成装置において、ａ−ＳｉＣ表面層の放電による変質を抑制することにより従来に比べ、良好なクリーニング特性が長期間に渡って維持され、耐磨耗性に優れ長寿命で帯電能力、画像品質を高次で満たす画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The switching circuit 33a is provided with: an input side transmission line in which gates of n transistors (FET) M1, M2 to Mn using silicon carbide (SiC) as the semiconductor material are cascade-connected via a coil L1; and an output side transmission line in which drains of the respective transistors M1, M2 to Mn are cascade-connected via a coil L2.例文帳に追加

スイッチング回路３３ａは、炭化珪素（ＳｉＣ）を半導体材料とするｎ個のトランジスタ（ＦＥＴ）Ｍ１，Ｍ２，・・ＭｎのゲートをコイルＬ１を介して縦続接続する入力側伝送線路と、各トランジスタＭ１，Ｍ２，・・ＭｎのドレインをコイルＬ２を介して縦続接続する出力側伝送線路とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁

Then, the method is also provided with (b) a step of detecting the light intensity of the laser light 14, reflected from both the surface and the backside of the SiC substrate 2, calculating an amount of etching, based on an interference waveform indicated by the detected light intensity, and stopping the etching processing in the step (a), when the amount of etching reaches a desired amount of etching.例文帳に追加

そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 - 特許庁

The method for forming the ohmic electrode on the n-type 4H-SiC substrate comprises: a step for sequentially laminating an Ni layer, a Ti layer, and a Pt layer; and a step for alloying to form an alloy layer of the SiC substrate and the Ni layer, by means of thermal treatment in a non-oxidized atmosphere.例文帳に追加

ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、Ｎｉ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層を順次堆積する堆積工程、および非酸化性雰囲気中での熱処理により、上記ＳｉＣ基板と上記Ｎｉ層との合金層を形成する合金化工程を含むことを特徴とするｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上にオーミック電極を形成する方法。 - 特許庁

The edge susceptors 723 arranged in an annular region facing the edge of the wafer W, and the outer periphery susceptors 724 on the outside thereof are made of an material which is opaque from ultraviolet ray to infrared ray and has a thermal conductivity larger than that of quartz, e.g. silicon (Si), sintered ceramics (sintered SiC), or a metal (e.g. AlN).例文帳に追加

ウエハＷの端縁部に対向する円環状の領域に配置されるサセプタ端縁723と、その外側のサセプタ外周724とは、石英よりも熱伝導率が大きく、紫外線から赤外線にかけて不透明な素材であるシリコン（Ｓｉ）、焼結セラミックス（焼結ＳｉＣ）、金属（例えばＡｌＮ）などから作られる。 - 特許庁

This method comprises employing a gas obtained by means of gasifying hexamethyldisilane as a material gas, and spraying the gas on a substrate in a film forming chamber, while generating an ion beam of argon from an ion source, and irradiating the substrate with the ion beam at 300 eV or less while simultaneously spraying the material gas, to form the SiC thin-film at 300°C or lower.例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴンのイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、３００℃以下でＳｉＣ薄膜を形成する。 - 特許庁

An HFET 1 has a non-doped GaN layer 11 and a non-doped AlGaN layer 12 stacked on a substrate 10 made of SI-SiC, and also has a source electrode 13, a gate electrode 14, and a drain electrode 15 formed on the AlGaN layer 12 and isolated from other elements by an element isolation region 16.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１は、ＳＩ−ＳｉＣからなる基板１０上に、ノンドープのＧａＮ層１１、ノンドープのＡｌＧａＮ層１２が積層され、ＡｌＧａＮ層１２上にソース電極１３、ゲート電極１４、ドレイン電極１５が形成され、素子分離領域１６によって他の素子と分離されている構造である。 - 特許庁

The base material 10 for growing single crystal diamond includes an iridium film or a rhodium film 12 heteroepitaxially grown on a side of a single crystal SiC substrate 11 where single crystal diamond is to be grown, wherein the iridium film or rhodium film 12 functions as a good buffer layer in growing single crystal diamond.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。 - 特許庁

To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁

Two Schottky barrier diodes (SBDs) which are connected in parallel to a field effect transistor that is a switching element, and composed of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), respectively, are configured to vary a rate of change of a current with respect to a forward voltage in accordance with the level of an ON voltage which is started to be conducted forward.例文帳に追加

スイッチング素子である電界効果トランジスタに並列に接続されており、夫々炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる２つのショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）について、順方向に導通し始めるオン電圧の高低に応じて、順方向の電圧に対する電流の変化率が大小となるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＯＣｘＨｙからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、ＲＣ遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the silicon carbide sintered material is a method of heating and sintering a green compact composed of the powder of a silicon carbide (SiC) as a chief material in a sintering atmosphere and comprises adding and mixing additive materials consisting of either or both of an aluminum carbide (Al_43) and a silicon nitride (Al_3N_4) to and with the chief material.例文帳に追加

この発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）の粉体を主材とした圧粉体を焼結雰囲気中で加熱して焼結する方法において、上記主材に対し炭化アルミニウム（Ａｌ_4Ｃ_3）と窒化珪素（Ｓｉ_3Ｎ_4）のいずれか一方又は両方からなる添加材を添加混合して焼結する炭化珪素焼結材の製造方法に関する。 - 特許庁

A heat radiation plate 2 made of an Al/SiC composite has a plurality of fins 2c on the backside 2b covered with a cover case 5 the peripheral edge of which is fixed to the plate 2 with tightening bolts 7 through a rubber packing 8, thus forming a refrigerant passage 6 between the cover case 5 and the backside 2b of the plate 2.例文帳に追加

Ａｌ／ＳｉＣ複合材からなる放熱板２の裏面２ｂに複数のフィン２ｃが形成されており、この放熱板２の裏面２ｂがカバーケース５で覆われ、放熱板２とカバーケース５の周縁部をゴムパッキン８を介して締結ボルト７で固着することにより、カバーケース５と放熱板２の裏面２ｂとの間に冷媒通路６が区画形成される。 - 特許庁

On an aluminum plate 13 warmed at 100°C, a laminate film 28 comprised of copper foil and a polyimide film is formed while bringing a copper foil side into contact with the aluminum plate 13 and a rigid ring 23 coated with a thermosetting adhesive and comprised of SiC and a ring-shaped SUS weight stone 14 (whose weight is about 2.5 kg) are sequentially installed thereon.例文帳に追加

１００℃に温められたアルミニウム板１３の上に、銅箔とポリイミドフィルムとからなる積層フィルム２８を、銅箔側をアルミニウム板１３に接して設置し、その上に、熱硬化性接着剤が塗布されたＳｉＣからなる剛性のリング２３およびリング状のＳＵＳ製重石１４（重さ約２．５ｋｇ）を順次設置する。 - 特許庁

A source gas 3 is supplied in multiple stages by disposing first to third reaction vessels 9 to 11 in multiple stages and providing gas flow holes 10b, 11b in the bottoms of the second and third reaction vessels 10, 11, respectively, and an SiC single crystal 6 is grown on the surfaces of a plurality of seed crystals 5 disposed respectively in the multiple stages.例文帳に追加

第１〜第３反応容器９〜１１を多段に配置すると共に、第２、第３反応容器１０、１１の底面にガス流動孔１０ｂ、１１ｂを設けることにより、多段にわたって原料ガス３が供給されるようにし、多段それぞれに配置された複数の種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６を成長させられるようにする。 - 特許庁

In the composite member for heat sinks, a reinforcement is composed in an Si metal matrix, and the reinforcement is to be carbon fiber and SiC, thus obtaining the composite member for heat sinks, having the high heat conduction and a small thermal coefficient of expansion, without increasing the weight of the heat sink section.例文帳に追加

Ｓｉ金属マトリックス中に強化材が複合されたヒートシンク用複合部材であって、前記強化材が炭素繊維およびＳｉＣであることを特徴とするヒートシンク用複合部材とすることにより、ヒートシンク部の重量を増加させることなく、高い熱伝導と小さな熱膨張係数を有するヒートシンク用複合部材を得る。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: growing a first GaN layer 18 on an SiC substrate 10; and forming a second GaN layer 20, grown under a condition that a ratio of a lateral growth speed to a longitudinal growth speed is smaller than that in the growth of the first GaN layer 18, on the first GaN layer 18.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide an inexpensive heat resisting material for a space shuttle having higher heat resistance than that of a heat resisting material having a conventional SiC coating system and allowing easy forming into a desired shape, hot structure members using the heat resisting materials for the space shuttle, the space shuttle provided with the hot structure members and a manufacturing method for the heat resisting material for the space shuttle.例文帳に追加

従来のＳｉＣコーティングシステムを有する耐熱材よりも高い耐熱性能を有し、なおかつ、所望の形状に容易に成形加工することができる安価な宇宙往還機用耐熱材と、この宇宙往還機用耐熱材を用いたホットストラクチャー部材と、このホットストラクチャー部材を備えた宇宙往還機と、宇宙往還機用耐熱材の製造方法との提供を目的とする。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

A hetero-junction type FET has an SiC substrate 1, a channel layer 3 formed on the substrate 1, a nitride semiconductor barrier layer 8 having a top surface 8a forming a hetero-junction with the channel layer 3, a gate electrode 5 formed on the top surface 8a, and a source electrode and a drain electrode 6 formed on the top surface 8a.例文帳に追加

ヘテロ接合型ＦＥＴは、ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成されたチャネル層３と、頂面８ａを有し、チャネル層３との間にヘテロ接合を形成し、窒化物半導体からなるバリア層８と、頂面８ａ上に形成されたゲート電極５と、頂面８ａ上に形成されたソース電極およびドレイン電極６とを備える。 - 特許庁

A bump 11 (having a diameter of several tens to several hundreds μm) is formed only on the external output electrode 4 of an acceptable unit out of the units 10 formed in the SiC chip 9, and a bump is not formed on the external output electrode 4 of a rejectable unit having no breakdown voltage or a large leakage current.例文帳に追加

ＳｉＣチップ９に形成されたユニット１０のうち良品ユニットの外部出力電極４のみに、バンプ１１（直径が数１０〜数１００μｍ）が形成され、耐圧がなかったりリーク電流が多かったりする不良品ユニットの外部出力電極４の上にはバンプは形成されていない。 - 特許庁