「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A storage MISFET comprises a high resistance SiC layer 102 epitaxially grown on a SiC wafer 101, a P-type well region 103, an n-type storage channel layer 104 having a multiple δ dope layer formed on the surface region of the region 103, a contact region 105, a gate insulation film 108, and a gate electrode 110.例文帳に追加

蓄積型ＭＩＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１０１上にエピタキシャル成長された高抵抗ＳｉＣ層１０２と、ｐ型ウェル領域１０３と、ｐ型ウェル領域１０３の表面領域に形成された多重δドープ層を有するｎ型の蓄積チャネル層１０４と、コンタクト領域１０５と、ゲート絶縁膜１０８と、ゲート電極１１０とを備えている。 - 特許庁

A plurality of SiO2 buried layers having trench filling-up shapes is formed (steps S10, S14, S18) and n- and p-type SiC epitaxial layers and an n-type SiC source areas are formed in the circumferences of the buried layers (steps S12, S16, S20, and S22).例文帳に追加

トレンチを埋める形状でありＳｉＯ_2を材料とする複数の埋め込み層を形成し（工程Ｓ１０，Ｓ１４，Ｓ１８）、その周辺にＳｉＣを材料とするｎ型エピ層，ｐ型エピ層，ｎ型ソース領域を形成し（工程Ｓ１２，Ｓ１６，Ｓ２０，Ｓ２２）、フッ酸エッチングにより各埋め込み層をエッチングして（工程Ｓ２４）、ｎ型ソース領域２０の表面からｎ型エピ層１２に達するトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming an SiC thin film free from the occurrence of crack even on a coarse surface of a porous substrate or the like by using a mixed polymer material prepared by mixing polycarbosilane (PCS) with other silicon-based polymer material in the optimum mass ratio to improve the coating performacne and the conversion yield to a ceramic to reduce the shrinkage factor.例文帳に追加

本発明の目的は、PCSに他のケイ素系高分子材料を最適な質量比で混合した混合高分子材料を出発物質として用いることにより、塗布性やセラミックスへの転換収率を改善して収縮率を低下させ、多孔質基材のような粗い表面でもクラック形成の無いSiC薄膜を製造することにある。 - 特許庁

This mechanical seal device includes an SiC-based sintered compact rotating ring and a carbon-based seat ring, where the SiC-based sintered compact ring has following properties: the average crystal grain size is ≤5 μm; the porosity is ≤5.0%; the average pore size is ≤2.0 μm; and the resistivity is ≤1 Ω cm at a room temperature.例文帳に追加

ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が５．０％以下、平均気孔径が２．０μｍ以下であって、比抵抗が室温で１Ω・ｃｍ以下であるＳｉＣ系焼結体リングとする。 - 特許庁

The silicon carbide sintered compact manufactured by the method comprises silicon carbide (SiC) and a grain boundary phase containing an aluminum carbide-based compound such as Al and/or Al_4C_3 or Al_4SiC_4 and has a composition containing 5-7% Al and the balance being substantially of SiC and has ≥95% (density: ≥3.0 g/cm^3) relative density.例文帳に追加

そして、当該方法で製造された炭化ケイ素焼結体は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と、Ａｌ及び／又はＡｌ_4Ｃ_3若しくはＡｌ_4ＳｉＣ_4等の炭化アルミニウム系化合物を含む粒界相とからなるとともに、Ａｌ：０．５〜７％、残部が実質的にＳｉＣの組成であり、かつ、相対密度が９５％（密度：３．０ｇ／cm^3）以上である。 - 特許庁

To provide an oxide bonded silicon carbide-based material which has strength equivalent to those of currently mainly used high strength ceramic materials (e.g., alumina, Si-impregnated SiC, and recrystallization SiC-based refractory), is more excellent in mass-producibility, can be easily produced to have a large size or a complicated shape, and can be produced at a remarkably reduced cost.例文帳に追加

現在、主に使用されている高強度セラミックス材料（例えば、アルミナ、Ｓｉ含浸型ＳｉＣや再結晶型ＳｉＣ質耐火物）と遜色無い強度を有するとともに、量産性の向上と大型品の製造を容易にし、複雑形状の製品も容易に作製することができるだけでなく、製造コストを大幅に軽減することができる酸化物結合炭化珪素質材料を提供する。 - 特許庁

In a method in which a SiC single crystal is grown on the substrate surface by contacting the SiC single crystal substrate with a melt containing a Si-containing raw material, a gas containing hydrocarbons is supplied to the melt under an atmospheric or elevated pressure, and the temperature of the contact area of the substrate and the melt is kept lower than that of the melt.例文帳に追加

Ｓｉを含む原料を融解した融液にＳｉＣ単結晶基板を接触させ基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、大気圧下または加圧下で炭化水素を含むガスを前記融液に供給し、かつ融液の温度と比べて基板と融液との接触部を低温にする。 - 特許庁

A Shottky diode 10 comprises a semiconductor substrate 11 of n-type 4H-SiC, a first SiC layer 12 of 4H-SiC provided on the semiconductor substrate 11, a Schottky electrode 14 of nickel provided on the first SiC layer 12, and an ohmic electrode 15 of nickel provided on the lower surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明のショットキーダイオード１０は、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上に設けられた４Ｈ−ＳｉＣからなる第１ＳｉＣ層１２と、第１ＳｉＣ層１２の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極１４と、半導体基板１１の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極１５とから構成されている。 - 特許庁

Since the inner wall surface of the skirt part 30 is seamlessly coated with the TaC member 31, it is made possible that carbon particles are suppressed from being taken into an SiC single crystal 70, also formation of projections of the SiC single crystal 70 is prevented, and cracks or breakage can be prevented from being easily generated.例文帳に追加

前記ＴａＣ部材３１によってスカート部３０の内壁面が継ぎ目無く覆われるので、ＳｉＣ単結晶７０に炭素粒子が取り込まれることを抑制することが可能になると共に、ＳｉＣ単結晶７０の突起物が形成されることを防止でき、亀裂や割れが生じ易くなることを防止できる。 - 特許庁

The tubular body is composed by forming an SiC layer at least on the outer surface of a tubular fiber-reinforced carbonaceous base material consisting of aggregate made of ceramic fibers and carbonaceous formation filling gaps between them and diffusing silicon atoms toward the inside of the relevant fiber-reinforced carbonaceous base material from a borderline region between the fiber-reinforced carbonaceous base material and the SiC layer.例文帳に追加

セラミック繊維からなる骨材と前記セラミック繊維間に充填された炭素質とからなる管状の繊維強化炭素質基材の少なくとも外表面にＳｉＣ層が形成され、前記繊維強化炭素質基材と前記ＳｉＣ層の境界領域から当該繊維強化炭素質基材の内部に向かってケイ素原子が拡散してなる管状体。 - 特許庁

A silicon carbide semiconductor element has a 4H-SiC substrate 1 and the SiC epitaxial layer 3 formed on a surface of a 4H-SiC substrate 1, which has an OFF angle of 3° to 5°, at least a partial surface of the SiC epitaxial layer 3 having a surface roughness of ≤1 nm.例文帳に追加

炭化珪素半導体素子は、４Ｈ−ＳｉＣ基板１と、４Ｈ−ＳｉＣ基板１の表面に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを備え、４Ｈ−ＳｉＣ基板１は３°より大きく５°以下のオフ角を有しており、ＳｉＣエピタキシャル層３の少なくとも一部の表面は、１ｎｍ以下の表面粗さを有している。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To embed the inside of a trench with an epitaxial layer, and to planarize the epitaxial layer in parallel to the surface of an SiC substrate, when carrying out planarization.例文帳に追加

トレンチ内をエピタキシャル層で埋め込んだ後、平坦化する際にＳｉＣ基板の表面に対して並行に平坦化が行うことができるようにする。 - 特許庁

A plurality of Schottky barrier diode units 10 are formed in an SiC chip 9 and each unit 10 has an independent external output electrode 4.例文帳に追加

ＳｉＣチップ９には、複数個のショットキーバリアダイオードのユニット１０が形成され、各ユニット１０は独立した外部出力電極４を持っている。 - 特許庁

The SiC GTO device can control a surge voltage, generated between an anode electrode 12 and a gate electrode 13 by an off-gate current, by using a zener diode structural part 6.例文帳に追加

このＳｉＣ ＧＴＯ装置によれば、オフゲート電流によって発生するアノード電極１２とゲート電極１３との間のサージ電圧をツェナーダイオード構造部６によって抑制できる。 - 特許庁

To provide a composite material containing an alumite treatment layer having excellent adhesive strength and in which SiC powder is compounded into an aluminum alloy matrix, and to provide its production method.例文帳に追加

付着強度に優れたアルマイト処理層を有する、アルミニウム合金マトリックス中にＳｉＣ粉末が複合された複合材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diode 100 comprises an n-type drift layer 6 on the surface of a SiC substrate 2, a p-type guard ring area 8, an anode electrode 10 and a cathode electrode 12.例文帳に追加

ダイオード１００は、ＳｉＣ基板２の表面にｎ型のドリフト層６と、ｐ型のガードリング領域８と、アノード電極１０と、カソード電極１２を備えている。 - 特許庁

To provide an epitaxial depositing apparatus for forming an SiC epitaxial film excellent in uniformity of film quality, film thickness, and impurity concentration or the like under various process conditions.例文帳に追加

様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性が良好なＳｉＣエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dielectric oxide film formed of an SiCyOx film of which the transmissivity is controlled, with a dual-cathode magnetron sputtering apparatus using an SiC target.例文帳に追加

ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide high-surface area SiC ceramics having oxidation resistance and high strength with which the ceramics is usable as an adsorbent carrier and reactive catalyst carrier even under an oxidative atmosphere or high temperature.例文帳に追加

酸化性雰囲気でも、高温でも吸着剤担体や反応触媒担体として使用可能な耐酸化性、高強度を有する高表面積ＳｉＣセラミックスを提供する。 - 特許庁

This semiconductor processing component is formed of SiC, and an outer surface portion of the semiconductor processing component has a surface impurity level that is not greater than 10 times an internal impurity level.例文帳に追加

半導体加工用部品はＳｉＣで形成され、および、この半導体加工用部品の外側表面部分が、内部不純物レベルの１０倍以下である表面不純物レベルを有する。 - 特許庁

The blade is constituted by joining to the metal plate a metal- ceramic composite material that is constituted of an SiC powder of the content 40-80 vol.% as a reinforcement and of an Al-Si-Mg-series aluminum alloy as a matrix.例文帳に追加

含有量が４０〜８０体積％のＳｉＣ粉末を強化材とし、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系のアルミニウム合金をマトリックスとする金属−セラミックス複合材料を金属板に接合することによりブレードを構成する。 - 特許庁

More preferably, the sintered compact having the above composition comprises carbon nanofibers of 3 to 15 vol% by an external ratio to SiC in an almost homogeneously dispersed state.例文帳に追加

さらに、上記組成からなる焼結体中に、ＳｉＣに対して外割りで３〜１５ｖｏｌ％のカーボンナノファイバーを略均質に分散させた状態で含むことがより好ましい。 - 特許庁

Between an anode and a gate of the SiC-GTO connected to the gate drive circuit, a capacitor for suppressing an increase in gate voltage is connected through the shortest connection wire.例文帳に追加

ゲート駆動回路に接続されるＳｉＣ−ＧＴＯのアノードとゲート間に、ゲート電圧の上昇を抑制するためのコンデンサを最短の接続線で接続している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an SiGe layer 15 formed on SiC (11, 12); and an ohmic electrode 18 formed on the SiGe layer 15.例文帳に追加

ＳｉＣ１１、１２上に形成されたＳｉＧｅ層１５と、前記ＳｉＧｅ層１５上に形成されたオーミック電極１８とを備えている半導体装置とする。 - 特許庁

To form a dopant layer having an excellent periodicity and a high activity by suppressing the development of polytypism and crystal defects when forming the dopant layer on an SiC c-plane substrate.例文帳に追加

ＳｉＣのｃ面基板に不純物層を形成する場合において、ポリタイプや結晶欠陥が形成されることを抑制し、周期性が優れた高い活性率の不純物層を形成する。 - 特許庁

In the activation annealing step, the wafer 3 is heated in an atmosphere containing silicon carbide vapor generated from an SiC piece 61 which is a generation source different from the wafer 3.例文帳に追加

そして、活性化アニール工程においては、ウェハ３が、ウェハ３とは別の発生源であるＳｉＣ片６１から発生した炭化珪素の蒸気を含む雰囲気中において加熱される。 - 特許庁

This housing for the nuclear magnetic resonance apparatus comprises a reinforcing material of an SiC powder of a content of 20 to 80 vol% and a metal and ceramics composite material containing an aluminum alloy of Al-Si-Mg as a matrix.例文帳に追加

含有量が２０〜８０体積％のＳｉＣ粉末を強化材とし、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系のアルミニウム合金をマトリックスとする金属−セラミックス複合材料により核磁気共鳴装置用筐体を構成する。 - 特許庁

The acceleration cavity is formed with a copper electric casting layer after an active silver brazing material layer is formed at an acceleration cavity with SiC (silicon carbide) as a base structure.例文帳に追加

ＳｉＣ（炭化珪素）を基本骨格とした加速空洞に、活性銀ろう材層を形成した後に銅電鋳層を形成してなることを特徴とする加速空洞。 - 特許庁

An SiNx gate insulating film 108, a p-type polycrystalline SiC layer 109 and a Pt/Au gate electrode 110 as an ohmic electrode are successively formed on the ALGaN barrier layer 104.例文帳に追加

ＡｌＧａＮバリア層１０４上にＳｉＮｘゲート絶縁膜１０８、ｐ型多結晶ＳｉＣ層１０９、オーミック電極であるＰｔ／Ａｕゲート電極１１０が順次形成されている。 - 特許庁

The objective lens fixing member disposed inside the proximity type exposure device is formed of a metal group composite material containing 30 to 80 vol.% of an SiC reinforcement material in an Si matrix.例文帳に追加

プロキシミティタイプの露光装置内に配置される対物レンズ取り付け部材を、Ｓｉマトリックス中にＳｉＣ強化材を３０〜８０体積％含有する金属基複合材料により形成する。 - 特許庁

To provide a method for removing surely even a crystal defect formed on a position deep from the surface of an SiC layer deposited by an epitaxial growth method.例文帳に追加

エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。 - 特許庁

In a hybrid die and its manufacturing method, the constitution is made by laminating an SiO_XC_Y (0<X<2, 0<Y<1) layer, an SiC layer and a hard carbon film in this order from the surface of glass.例文帳に追加

ハイブリッド型、及びその製造方法で、ガラス面より、ＳｉＯ_ＸＣ_Ｙ（０＜Ｘ＜２、０＜Ｙ＜１）層、ＳｉＣ層、硬質炭素膜を順次積層した構成とする。 - 特許庁

After an SiO_2 film is formed on an n-type SiC substrate 10 by plasma CVD, heat treatment is performed in NO gas atmosphere at 1,250°C for one hour and a passivation film 23 is formed by nitriding the SiO_2 film.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１０上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ_2膜を形成した後、ＮＯガス雰囲気中で１２５０℃の温度で１時間熱処理を行うことで、ＳｉＯ_2膜を窒化してパッシベーション膜２３とする。 - 特許庁

This semiconductor device has an active region 12A formed with a GaN based semiconductor growing on a SiC substrate 11, and an insulating oxide film 12B formed with the GaN based semiconductor oxidized around the active region 12A.例文帳に追加

半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for growing an SiC single crystal of high flatness, while restraining three-dimensional growth and convex growth in a solvent method.例文帳に追加

溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。 - 特許庁

To grow an SiGeC crystal that can be applied to a semiconductor device, and has uniformity (there is no local structure such as an SiC crystal) and excellent crystallinity on a substrate.例文帳に追加

半導体デバイスへの応用が可能な、均質性を有し（ＳｉＣ結晶等の局所的構造がない）、良好な結晶性を持つＳｉＧｅＣ結晶を基板上に成長させる。 - 特許庁

A stuck substrate 10 is immersed in a fluoronitric acid solution charged in an immersion container 34 in a state that an SiC wafer 12 is coated with wax 19 and a sapphire substrate 21 is placed on the wax 19.例文帳に追加

貼り合せ基板１０は、ＳｉＣウェハ１２がワックス１９で被覆され、サファイア基板２１がワックス１９上に載せられた状態で、浸漬容器３４に充填されたフッ硝酸溶液３６に浸漬される。 - 特許庁

To provide a technique for stably manufacturing an SiC single crystal substrate having high flatness and high quality suitable as a substrate for a light emitting device and an electronic device.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device allowing a depletion layer smooth from the inside toward the outside to be formed in an end region of a semiconductor substrate using silicon carbide as a material.例文帳に追加

炭化珪素を材料とする半導体基板の終端領域に、内側から外側に向かって滑らかな空乏層を形成することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of variations in the quality of a raw material wafer in an annealing step after an ion implantation of the raw material wafer made from silicon carbide (SiC).例文帳に追加

炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする原料ウェハのイオン注入後のアニール工程において、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制する。 - 特許庁

To provide an efficient manufacturing method that can realize a semiconductor device having flatness and sufficient electrical activity, in a method of manufacturing a semiconductor device using a substrate at least whose surface is configured by an SiC layer.例文帳に追加

少なくとも表面がＳｉＣ層で構成される基板を用いた半導体素子の製造方法において、平坦度及び十分な電気的活性を有する半導体素子を実現する効率的な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a silicon carbide semiconductor device, which achieves high reliability and insulation strength of an SiO_2 film formed on an SiC layer and can control the threshold voltage of the device.例文帳に追加

ＳｉＣ層上に形成されたＳｉＯ_2膜において高い信頼性および絶縁強度を実現でき、デバイスの閾値電圧を制御可能にした炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents carbon produced when SiC is oxidized from remaining as an impurity in an oxide film (SiO_2), and improves channel mobility.例文帳に追加

ＳｉＣを酸化する際に生成された炭素が不純物として酸化膜（ＳｉＯ_２）中に残留してしまうことを抑制し、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁