「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor wafer of an SiC single crystal and a method of producing the same, by which the formation of warp in the single crystal can be prevented.例文帳に追加

反りの防止を容易に達成できる、ＳｉＣ単結晶の半導体ウェーハと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

In a hot wall epitaxy apparatus, a substrate 34 to be treated has at least a vapor deposition surface composed of an SiC single crystal.例文帳に追加

ホットウォール型エピタキシー装置において、被処理基板３４として少なくとも蒸着面がＳｉＣ単結晶からなるものを用いる。 - 特許庁

A support 9b of each support pin 9 has an approximately conical shape which tapers upward, and its top face is covered with SiC.例文帳に追加

各支持ピン９の支持部９ｂは、上方に先細りになる略円錐形状を有しており、かつその上面が炭化シリコン（ＳｉＣ）で被覆されている。 - 特許庁

SiC wafer is annealed at a temperature included in the range of 1,500°C-2,000°C and in an atmosphere of pressure smaller than 10^-2 Pa.例文帳に追加

ＳｉＣウェハーを、１５００℃から２０００℃の範囲に含まれる温度、かつ１０^-2Ｐａよりも小さい圧力の気中でアニールする。 - 特許庁

An elevating/lowering pin 57 is constituted of a supporting main body 58 made of a ceramic and a conductive section 59, which is made of SiC and directly supports a wafer W.例文帳に追加

昇降ピン５７をセラミックスからなる支持本体５８と，ＳｉＣからなり，かつウェハＷを直接支持する導電部５９とで構成する。 - 特許庁

To provide an SiC tool for gas phase development, which exhibits a good temperature following property even when used in a rapid temperature-raising/lowering device in which a sudden temperature difference occurs.例文帳に追加

急激な温度差が発生する急速昇降温装置で使用しても、温度追従性が良い気相成長用ＳｉＣ製治具を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a porous MSQ(2) on a silicon substrate 1, and forming an SiC mask 3 on the porous MSQ(2).例文帳に追加

シリコン基板１上にポーラスＭＳＱ（２）を形成し、その上にＳｉＣマスク３を形成する。 - 特許庁

The main body of the pot is made of a graphite member, and has a double-layered oxidation-resisting coating film on the surface consisting of a lower layer of SiC and an upper layer of SiO2 glass.例文帳に追加

本体が黒鉛質部材からなり、その表面にＳｉＣの下層とＳｉＯ２系ガラス上層の二重層とした耐酸化皮膜を具備する。 - 特許庁

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 1 and the metal film 2 by high-temperature annealing.例文帳に追加

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板１と金属膜２との界面にオーミック接触領域３が形成される。 - 特許庁

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 2 and the metal film 1 by high-temperature annealing.例文帳に追加

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板２と金属膜１との界面にオーミック接触領域３が形成される。 - 特許庁

Before a CMP processing process, a substrate defect present on a surface of an SiC substrate 1 is exposed by executing a heat treatment process.例文帳に追加

ＣＭＰ加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでＳｉＣ基板１の表面に存在する基板欠陥を顕在化させる。 - 特許庁

The SiC semiconductor device has a structure in which a p-type deep layer 10 is formed in the entire outer edge portion of a cell region to reach an outer peripheral region.例文帳に追加

セル領域の外縁部において、ｐ型ディープ層１０が外周領域に至るまで全域形成された構造とする。 - 特許庁

To provide a structure hardly thermally broken by switching surge, in an accumulation type SiC semiconductor device.例文帳に追加

蓄積型のＳｉＣ半導体装置において、スイッチングサージによって熱破壊し難い構造を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method for planarizing the surface of an SiC substrate which gives a smooth surface, under the condition in a reaction chamber with the supply of carbon being suppressed.例文帳に追加

カーボンの供給を抑えた反応室内条件での平滑な表面を与えるＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC power device that achieves a low resistance wiring and a via plug with a low resistance and a high aspect ratio.例文帳に追加

低抵抗配線および低抵抗高アスペクト比ビアプラグを実現するＳｉＣパワーデバイスを提供する。 - 特許庁

To prevent lowering of breakdown strength of a gate insulating film involved in formation of an ohmic contact to SiC.例文帳に追加

ＳｉＣに対するオーミック・コンタクトの形成にともなうゲート絶縁膜の耐圧低下を防止することを課題とする。 - 特許庁

A module 2 including an SiC switching element 11 is attached to a lower part on one surface of a heat spreader 1.例文帳に追加

ヒートスプレッダ１の一方の表面の下部には、ＳｉＣスイッチング素子１１を含むモジュール２が取り付けられている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an SiC semiconductor device realizing a high activating rate while maintaining a smooth surface as it is.例文帳に追加

平滑な表面を維持したまま高い活性化率を実現するＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses an SiC semiconductor substrate and has a high breakdown voltage, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板を用いた高耐圧の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An embedded layer 103 composed of n-type SiC is formed in the low concentration layer 102 so as to make contact with the high concentration layer 101.例文帳に追加

低濃度層１０２内には、高濃度層１０１と接するように、ｎ型ＳｉＣからなる埋め込み層１０３が形成されている。 - 特許庁

An insulator 101 is formed of SiC ceramic and manufactured by rolling up and then baking a mesh-like processed sheet.例文帳に追加

絶縁体１０１はSiＣセラミクス製であり、メッシュ状に加工したシートを円筒形状に丸めてから焼成して製作される。 - 特許庁

To achieve simplification of a manufacturing process in a SiC semiconductor device in which a MOSFET and an SBD are formed on the same substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤとを同じ基板に形成したＳｉＣ半導体装置において製造工程の簡略化を図る。 - 特許庁

Further, the element resistance is suppressed lower by forming an ohmic electrode 430 to the rear side of the SiC substrate 402.例文帳に追加

また、ＳｉＣ基板４０２の裏面にオーミック電極４３０を形成することによって素子抵抗を低く抑えることができる。 - 特許庁

High-purity silicon carbide (SiC) is used as raw material and is kneaded with an organic binder and the mixture is molded.例文帳に追加

原料として高純度炭化珪素（ＳｉＣ）を用い、これを有機バインダに混練して成形し、これを形状維持と加工容易な硬さまで仮焼成する。 - 特許庁

To provide a constitution in which an ohmic electrode of low resistance is formed on a substrate comprised of SiC without thermal processing under a high temperature, and a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＳｉＣよりなる基板上に低抵抗のオーミック電極を高温の熱処理なしで形成する構成とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Si-SiC sintered compact hardly causing deterioration, damage or the like due to oxidation even in a thickened shape.例文帳に追加

肉厚形状にしても、酸化劣化、破損等が生じ難いＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を提供する。 - 特許庁

An outer ring 3 fixed to the same potential to the SiC substrate 5 is provided at the peripheral edge of the substrate 5.例文帳に追加

さらに、ＳｉＣ半導体基板５の周縁部には、当該基板５と同電位に固定された外側リング３が設けられている。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a substrate with an SiC layer whose surface is less roughened.例文帳に追加

ＳｉＣ層の表面の荒れの程度がより小さいＳｉＣ層を有する基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An electric heater 5 for burning the captured particulate matter is disposed around the SiC porous body 4.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体４の周囲には捕捉された粒子状物質を燃焼させるための電気ヒータ５が配設されている。 - 特許庁

The n-type substrate 11 has a primary surface 11A with an off angle of 32° or more with respect to the {0001} plane and is composed of silicon carbide (SiC).例文帳に追加

ｎ型基板１１は、{０００１}面に対するオフ角が３２°以上である主表面１１Ａを有し、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる。 - 特許庁

To provide a production method for an SiC single crystal suitable as a substrate material for electronic and optical devices, by a solution growth method.例文帳に追加

電子デバイス、光学デバイス用基板材料として好適な炭化珪素単結晶の溶液成長法による製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has high breakdown voltage and in which the contact resistance of a GaN semiconductor layer with an SiC substrate is small.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層とＳｉＣ基板との接触抵抗を小さくすること、および高耐圧化すること。 - 特許庁

With such a structure, a low resistance buffer layer having a flat surface is yielded to realize low resistance of an electronic device on the SiC substrate.例文帳に追加

この構造により、表面が平坦でかつ低抵抗のバッファ層が得られ、ＳｉＣ基板上の電子デバイスの低抵抗化が実現できる。 - 特許庁

To provide an SiC mold superior in durability, never having a recessed part or the like on its surface, high in precision, and at a low cost.例文帳に追加

耐久性に優れるとともに、モールド表面に凹部等が生じることがなく、高精度であり、且つ安価なＳｉＣモールドを提供する。 - 特許庁

Thereby, an intermediate layer 14b composed of a SiOC-based film and a surface layer 14a composed of a SiC-based film are formed.例文帳に追加

これにより、ＳｉＯＣ系膜から構成される中間層１４ｂと、ＳｉＣ系膜から構成される表面層１４ａと、が形成される。 - 特許庁

The top surface of the W plug 20 is coated with the laminated film comprising an SiC film 21 and a TiC/TiSi layer 26 whose thickness is not larger than about ten-odd nano-meters.例文帳に追加

ＳｉＣ膜２１とＴｉＣ／ＴｉＳｉ層２６とからなる十数ｎｍ程度以下の積層膜で、Ｗプラグ２０の上面を覆う。 - 特許庁

The SiC substrate 101 has a major surface 101a inclined toward a {0001} surface forming an angle of 30-60°.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０１は、｛０００１｝面に対して３０°以上６０°以下傾斜した主面１０１ａを有する。 - 特許庁

Accordingly, an impurity concentration of a silicon carbide film formed on the SiC wafer B1 is made uniform, so that a local increase in the impurity concentration can be prevented.例文帳に追加

よって、ＳｉＣウエハＢ１上に形成する炭化珪素膜の不純物濃度を均一にし、局所的に高くなることを防止できる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for producing an SiC single crystal whereby the amount of growth of the single crystal can be kept uniform.例文帳に追加

成長量を均一に保って成長させることのできるＳｉＣ単結晶の製造方法及びＳｉＣ単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which has L-load surge resistance and also has breaking electric field intensity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｌ負荷サージ耐量があり、かつ、破壊電界強度もあるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide CVD-SiC having an electrical resistivity of 0.9 Ω-cm or less and no deterioration of thermal conductivity and high-temperature stability.例文帳に追加

電気抵抗が０．９オーム−ｃｍ未満で、熱伝導率および高温安定性を低下させることのないＣＶＤ−ＳｉＣを提供する。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor device including JBS for preventing breakdown of an element caused by concentrated electric field when surge current is generated.例文帳に追加

サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in the structure for improving a yield by preventing fluctuation in product characteristics, and also to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

製品特性にバラツキを防止でき、歩留まり向上を図ることができる構造のＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC/carbon nanotube composite material which is a composite material having a region where carbon nanotubes with high orientation are densely formed on an SiC substrate and which shows high wear resistance and/or shock absorption characteristics.例文帳に追加

ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an epitaxial wafer of high surface flatness while reducing crystal defect in an SiC epitaxial wafer, the SiC epitaxial wafer obtained by it and a semiconductor device produced on the wafer.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャルウエハ中の結晶欠陥を低減しながら表面の平坦性の高いエピタキシャルウエハを作製する方法、これによって得られたＳｉＣエピタキシャルウエハ、及び同ウエハ上に作製された半導体装置を提供する。 - 特許庁