「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal where the occurrence of a different polymorphic crystal and a different orientation crystal is suppressed by forming a temperature distribution to a surface on the way of growing a seed crystal and the SiC single crystal without arranging the seed crystal shifting from the center axis of a crucible.例文帳に追加

種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

A method for producing an SiC-bonded substrate comprises a step S10 to prepare a plurality of single crystal bodies consisting of silicon carbide (SiC), a step S20 to form an assembly, a step S30 to bond the single crystal bodies with each other and a step S60 to slice the assembly.例文帳に追加

ＳｉＣ張り合せ基板の製造方法は、複数の炭化珪素（ＳｉＣ）からなる単結晶体を準備する工程Ｓ１０と、集合体を形成する工程Ｓ２０と、単結晶体同士を接続する工程Ｓ３０と、集合体をスライスする工程Ｓ６０とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, as a substrate 11 for forming thereby a nitride semiconductor field effect transistor, an SiC (11-20) plane having its heat conductivity nearly larger by 40% than the one of an SiC (0001) plane is so used as to obtain thereby the low thermal resistance of a chip without increasing the size and the number of chips.例文帳に追加

窒化物半導体電界効果トランジスタを形成するための基板１１としてＳｉＣ（０００１）面に比べて熱伝導率が４０％程度大きなＳｉＣ（１１−２０）面を用いることにより、チップサイズとチップ数を増加させることなく低いチップ熱抵抗を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prepares a means for restricting a fact that micro-pipe defects in a substrate are inherited to an SiC film, decreases the micro-pipe defects, and comprises an SiC thin film having superior crystallinity; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板中のマイクロパイプ欠陥がＳｉＣ膜に引き継がれることを抑制する手段を講じ、マイクロパイプ欠陥が少なく、結晶性が良好なＳｉＣ薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The rotating ring is manufactured by an atmosphere control pressurizing sintering method after mixing 0-100% of the SiC particles having a purity of 99.9% or more manufactured by a vapor phase synthesizing method (CVD method) into SiC-based raw material particles manufactured by an oxide reduction method and granulating and molding.例文帳に追加

この回転リングは、酸化物還元法で作製したＳｉＣ系原料粉末中に、気相合成法（ＣＶＤ法）により作製した純度が９９．９％以上のＳｉＣ粉末を０〜１００％の割合で混合し、造粒・成形した後で、雰囲気制御加圧焼結法によって製造する。 - 特許庁

A nitride semiconductor laminate 9 including an active layer 5 formed therein with at least a light emitter is provided on an SiC substrate 1, and a pair of upper and lower electrodes 11 and 12 are provided on the rear surface of the SiC substrate 1 and on the front surface of the semiconductor laminate 9, respectively.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に、少なくとも発光部が形成される活性層５を含む窒化物半導体積層部９が設けられ、ＳｉＣ基板１の裏面および半導体積層部９の表面側に、一対の上部電極１１および下部電極１２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus comprises a deposition chamber 2 for forming an SiC epitaxial film on a wafer W loaded on a susceptor S and a cleaning chamber 5 connected to the deposition chamber 2 via a transportation chamber 4 having a transportation robot 17 transporting the susceptor S and removing an SiC film adhered to the susceptor S.例文帳に追加

サセプタＳに載置されるウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜室２と、サセプタＳが搬送される搬送用ロボット１７を有する搬送室４を介して成膜室２に連結され、サセプタＳに付着したＳｉＣ膜を除去するクリーニング室５とを有する。 - 特許庁

Before polishing a target substrate using the polishing pad, the surface conditions of the polishing pad are adjusted by sliding an SiC substrate on the polishing pad, the SiC substrate containing elements other than Si, C, and O in an amount of less than 1.0 mass%.例文帳に追加

研磨パッドを用いて所望の基板を研磨するに先がけて、研磨パッドをＳｉ、Ｃ、およびＯのいずれとも異なる元素の質量分率が、１．０（質量％）未満であるＳｉＣ基板を用いて摺動させて、研磨パッドの表面状態を調整する。 - 特許庁

To provide an SiC-based oxide film field-effect transistor which can suppress the variance in device characteristics, and to provide a method of manufacturing an SiC-based oxide film field-effect transistor which can suppress the variance in the device charactersitics.例文帳に追加

デバイス特性のばらつきを抑制しつつ、耐久性を向上可能なＳｉＣ系酸化膜電界効果トランジスタ、およびデバイス特性のばらつきを抑制することが可能なＳｉＣ系酸化膜電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the Schottky diode 10, where a Schottky electrode 15 is joined to a 4H-type SiC semiconductor 13, the orientation of an SiC semiconductor 13 that comes into contact with the Schottky electrode 15 should have a {03-38} surface, or a surface at an off angle that is within 10° from the surface.例文帳に追加

本発明は、４Ｈ型のＳｉＣ半導体１３にショットキー電極１５が接合されてなるショットキーダイオード１０において、ショットキー電極１５と接するＳｉＣ半導体１３の面方位が、｛０３−３８｝面、またはこの面から１０°以内のオフ角を有する面であることを特徴としている。 - 特許庁

An SiC single crystal with the same polytype as a substrate is epitaxially grown by introducing a raw material gas having an atom number ratio of carbon atoms to silicon atoms (C/Si ratio) of not less than 0.20 and less than 0.75 into the (0001) Si plane of a hexagonal system SiC single crystal substrate.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The device 100 includes: a SiC substrate 11 having a region 17 with its surface or inside exposed, and having a (0001) surface as a principal surface; an electron emission layer 12 formed on a C surface of the substrate 11 and formed out of carbon; and an electrode 18 formed in the region 17.例文帳に追加

本発明における電子放出装置１００は、表面または内部が露出した領域１７を有し、（０００１）面を主面とするSiC基板１１と、基板１１のC面に形成された炭素により構成される電子放出層１２と、領域１７に形成された電極１８とを備える。 - 特許庁

On an n^+ SiC substrate 5, an n^- SiC epitaxial layer 8 is formed which has a body region 12, a drift region 13 and a source region 14, and a gate trench 15 is formed which passes through the source region 14 and the body region 12 and reaches the drift region 13.例文帳に追加

ｎ^＋型のＳｉＣ基板５上に、ボディ領域１２、ドリフト領域１３およびソース領域１４を有するｎ^−型のＳｉＣエピタキシャル層８を形成し、ソース領域１４およびボディ領域１２を貫通し、ドリフト領域１３に達するゲートトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a ceramics matrix composite material by which the conversion rate of an organosilicon polymer into SiC is raised and the filling ratio of the SiC in a polymer impregnating step and an inert baking step can be raised to efficiently produce the ceramics matrix composite material having airtightness in a short period.例文帳に追加

有機珪素ポリマーのＳｉＣへの転化率を高め、ポリマー含浸工程と不活性焼成工程におけるＳｉＣの充填効率を高めて、気密性のあるセラミックス基複合材料を効率的に短期間で製造することができるセラミックス基複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration in an element being energized by reducing not only micropipes but also residual strain and the expansion of dislocation in a base bottom surface to lamination defects caused by the residual strain in an SiC substrate, the manufacturing method of the SiC substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。 - 特許庁

A resist film 12 is formed on the surface of the SiC layer formed by depositing an epitaxial layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 1 comprising a single crystal SiC, and then irradiated with an ultraviolet ray from the rear surface of the substrate, to thereby expose the resist film 12 on the surface.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。 - 特許庁

To provide carbon nanotubes having a specified structure, mainly a staggered structure, and to provide an SiC whisker with carbon nanotubes, a carbon nanotube film, a SiC substrate with a carbon nanotube film, and a carbon nanotube film body comprising the above carbon nanotubes.例文帳に追加

特定の構造、即ち主としてジグザグ型構造であるカーボンナノチューブ、並びにこのカーボンナノチューブから構成されるカーボンナノチューブ付きＳｉＣウィスカー、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜付きＳｉＣ基板及びカーボンナノチューブ膜体を提供する。 - 特許庁

In this nitride semiconductor, a nitride semiconductor layer of a high impurity concentration and a nitride semiconductor layer of a low impurity concentration are sequentially formed on a conductive SiC substrate, and an ohmic electrode is formed on the back of the conductive SiC substrate.例文帳に追加

本発明による窒化物半導体は、導電性ＳｉＣ基板上に不純物濃度の高い窒化物半導体層と不純物濃度の低い窒化物半導体層を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成することを特徴としている。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor substrate 100 has a silicon carbide mono crystal substrate 101 with an N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 with nitrogen (N) doped and a P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 with a phosporous (P) doped sequentially laminated.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板１００は、炭化珪素単結晶基板１０１上に、窒素（Ｎ）をドープしたＮドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２、およびリン（Ｐ）をドープしたＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３が順に積層されている。 - 特許庁

In the method of forming the silicon carbide (SiC) thin film by applying the silicon-based mixed polymer material on the ceramic substrate, cross-linking by ionizing radiation and firing in an inert gas, the silicon-based mixed high polymer material is a blend of PCS and polyvinyl silane (PVS).例文帳に追加

ケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に塗布し電離放射線により架橋した後、不活性ガス中で焼成して、炭化ケイ素(SiC)薄膜を製造する方法において、ケイ素系混合高分子材料が、ポリカルボシラン(PCS)とポリビニルシラン(PVS)のブレンドである。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide powder, by which it becomes possible to uniformly supply a sublimation gas of SiC and a sublimation gas of a dopant to a seed crystal and the possibility of mixing of impurities is reduced in the case when the dopant is mixed with an SiC raw material powder.例文帳に追加

ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide substrate 10 having a principal face comprises an SiC single crystal substrate 1 formed at least partially on the principal face, and a base member 20 arranged to surround the periphery of the SiC single crystal substrate 1.例文帳に追加

炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the increase in manufacturing costs, improving connection reliability of a metal layer directly bonded on one face of a SiC substrate and further ensuring an ohmic contact of the metal layer with respect to the SiC substrate, and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

製造コストの増加を抑制しつつ、ＳｉＣ基板の一方面に直接接合されるメタル層の接続信頼性を向上でき、さらにはＳｉＣ基板に対するメタル層のオーミック接合を確保することのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a MOSFET 1 as the method for manufacturing the semiconductor device includes processes of: preparing an n^-SiC layer 12 consisting of silicon carbide; and forming a source-contact electrode 16 on the main surface of the n^-SiC layer 12.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなるｎ^−ＳｉＣ層１２を準備する工程と、ｎ^−ＳｉＣ層１２の主表面上にソースコンタクト電極１６を形成する工程とを備えるＭＯＳＦＥＴ１の製造方法である。 - 特許庁

To provide a stable SiC-MOSFET having a threshold voltage not being temporally varied even when channel resistance is restrained and thereafter a high electric field is applied to a gate electrode during operation at high temperature, in an insulated gate type semiconductor device using a wideband gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置において、チャネル抵抗を抑制した上で、高温下における動作時にゲート電極に高電界を印加しても、閾値電圧が経時的に変動しない安定したSiC-ＭＯＳFETを提供する。 - 特許庁

Since JFETs operating in D and E modes are provided on the same substrate by the n-type channel layer 3 having a different thickness, an SiC semiconductor where the D-mode and E-mode JFETs are combined is achieved even by SiC.例文帳に追加

そして、このような厚みが異なるｎ型チャネル層３によってＤモードとＥモードで作動するＪＦＥＴを同一基板上に備えることができるため、ＳｉＣでもＤモードとＥモードのＪＦＥＴを組み合わせたＳｉＣ半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

To solve such a problem that it is an urgent necessity to establish a method in which the used material of a catalyst for purifying waste gas using SiC being supposed to increase hereinafter as a carrier (base) material is treated to efficiently recover contained gold and/or platinum group element, because SiC is inactive and difficult to be oxidized.例文帳に追加

ＳｉＣは不活性であって酸化処理しにくいという問題があり、今後使用が増えるであろうＳｉＣを担体（基体）物質として用いた排ガス浄化用触媒の使用済み材料を処理し含有される金および／または白金族元素を効率的に回収する方法の確立が急務となっている。 - 特許庁

A diameter-reduced part 8d is installed on the end part at a reaction vessel 9 side in a heating vessel 8 in an SiC single crystal production apparatus 1, and the diameter-reduced part 8d causes the flux of a raw material gas 3 to have in-plane distribution on the growth face of the SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor which can accelerate the etch rate of even an SiC wafer which requires a high processing temperature, can process a via hole into a rectangular cross-sectional shape with a vertical side wall without extremely thinning the SiC wafer, and allows easy handling of wafers.例文帳に追加

必要とする加工温度が高いＳｉＣウエハでもエッチング速度を早くすることができ、しかもＳｉＣウエハを極度に薄板化せずにバイアホールの断面を側壁が垂直な矩形状に加工でき、ウエハのハンドリングが容易な化合物半導体の製造方法を得る。 - 特許庁

In the manufacturing method, the tubular body is obtained by forming the fiber-reinforced carbonaceous base material in the aggregate through the gas phase growth of pyrocarbon and then reacting and converting the pyrocarbon located at least on the outer surface of the fiber-reinforced carbonaceous base material into SiC with an SiO gas to form the SiC layer.例文帳に追加

上記骨材に熱分解炭素を気相成長させて繊維強化炭素質基材を形成した後、前記繊維強化炭素質基材の少なくとも外表面に位置する熱分解炭素をＳｉＯガスでＳｉＣに反応転化させてＳｉＣ層を形成して上記管状体を得る製造方法。 - 特許庁

In the corrosion resistant member, an SiC film having a crystal structure of 3C, 6H or 4H is provided on the front surface of a carbon base material wherein the ratio of 6H or 4H on the top surface of the SiC film is larger than that on the carbon base material side surface.例文帳に追加

耐食性部材において、カーボン基材の表面に、３Ｃと、６Ｈまたは４Ｈの結晶構造を含むＳｉＣ膜を備え、ＳｉＣ膜において、ＳｉＣ膜の最表面における６Ｈまたは４Ｈの割合が、カーボン基材側の面における６Ｈまたは４Ｈの割合より大きい。 - 特許庁

The method of manufacturing the SiC substrate 4 includes a step of forming an SiC ingot 3, a step of forming a wafer 4a by cutting the ingot 3, and a step of making the radius of curvature of a wafer 4a to ≥35 m by heating the wafer 4a.例文帳に追加

ＳｉＣからなるインゴッド３を形成する工程と、インゴッド３を切断することによりウエハ４ａを形成する工程と、ウエハ４ａを加熱することによりウエハ４ａの曲率半径を３５ｍ以上とする工程とを含むＳｉＣ基板４の製造方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor light-emitting element capable of preventing light absorption on an SiC substrate, easily removing ohmic contact at a side opposite to a side where a nitride semiconductor crystal is laminated on the SiC substrate, and preventing a semiconductor layer containing In from being broken down.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の光吸収が起こらないようにし、ＳｉＣ基板の窒化物半導体結晶を積層する側とは反対側のオーミックコンタクトを取りやすくするとともに、Ｉｎを含む半導体層の破壊を防止することができる窒化物半導体発光素子の製造を提供する。 - 特許庁

In the mechanical seal device including the SiC-based sintered body rotating ring and a carbon-based seal ring, the SiC-based sintered body rotating ring has an average crystal particle diameter of 5 μm or less, and porosity of 1.0% or less.例文帳に追加

ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シールリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体回転リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が１．０％以下であるＳｉＣ系焼結体回転リングとする。 - 特許庁

A semiconductor substrate for a light emitting element which has unevenness provided on a surface and also has SiC laminated is characterized in that a semiconductor is single-crystal silicon, a projection portion is a hollow 7, and an SiC layer 11 is formed on a surface of the projection portion.例文帳に追加

表面に凹凸が設けられ、ＳｉＣが積層された発光素子用半導体基板において、半導体は単結晶シリコンであり、凸部は中空７となっており、凸部の表面にＳｉＣ層１１が形成されることを特徴とする。 - 特許庁

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4.例文帳に追加

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁

In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is almost spherical, a pn junction is constituted by coating a p-type amorphous SiC (abbreviated name a-SiC) plies or layers 8 with large optical band gap rather than a-Si on the periphery of an n-type amorphous silicon (abbreviated name a-Si) plies or layers 7 by the side of centrum.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

For instance, a conductive n^+-type AlGaN layer of the high impurity concentration (Al composition >0) and an AlBGaN layer of the low impurity concentration (Al composition ≥0; B composition ≥0) are sequentially formed on the surface of the conductive SiC substrate, and the ohmic electrode is formed on the back of the conductive SiC substrate.例文帳に追加

例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。 - 特許庁

This method for producing a SiC shaped article, characterized by bringing an expanded graphite sheet having a bulk density 0.5 to 1.6 into contact with molten silicon and reacting them at a temperature not lower than the melting point of the silicon in the inert atmosphere of nitrogen, helium, argon or the like under the atmospheric pressure or under a reduced pressure of ≤1 arm to produce to SiC product.例文帳に追加

かさ比重０．５〜１．６の膨張黒鉛シ−トを窒素，ヘリウム，アルゴン等の不活性雰囲気中で、大気圧又は１気圧以下の減圧下、シリコンの融点以上の温度で溶融シリコンと接触させて反応させ、ＳｉＣ化するＳｉＣ成型体の製造方法。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a SiC single crystal by which the temperature of a seed crystal, the temperature of a raw material and the temperature distribution in a growth space area can be easily controlled by a heating method not depending on self-heating of a crucible, in the production of the SiC single crystal by a sublimation and redeposition method.例文帳に追加

昇華再析出法によるＳｉＣ単結晶の製造において、坩堝の自己発熱によらない加熱方法により、種結晶の温度、原料の温度、及び成長空間領域の温度分布を容易に制御できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production method, upon production of a magnesium-based composite material in which pure magnesium or a magnesium alloy is used as a matrix metal and SiC particles are used as a dispersant, the dispersant raw material and the molten metal of the magnesium alloy or the like are contacted in an inert atmosphere and are compounded.例文帳に追加

この製造方法は、マトリクス金属を純マグネシウム又はマグネシウム合金とし、分散材をSiC粒子とするマグネシウム基複合材料を製造するにあたり、分散材原料とマグネシウム合金などの溶湯とを不活性雰囲気下で接触させ、複合する。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor substrate which can form a vertical semiconductor device, can be produced without a sticking process requiring the planarization of an intermediate interposing member such as a base substrate and a substrate surface, and can reduce the use amount of a high quality single crystal SiC.例文帳に追加

縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ、ベース基板のような中間介在物や基板表面の平坦化が必要な貼り合せ工程を必要とせずに製造でき、高品質な単結晶ＳｉＣの使用量を減らすことが可能なＳｉＣ半導体基板を提供する。 - 特許庁

The lightweight and high rigidity metallic fiber-reinforced composite material having improved strength is obtained by compositing the metallic long fiber having higher coefficient of thermal expansion and higher melting point than those of Si and SiC as reinforcing materials with an Si matrix.例文帳に追加

Siマトリックス中に融点がSiの融点より高く、かつ、熱膨張係数がSiの熱膨張係数より大きい金属長繊維と、およびSiCを強化材として複合させて軽量で高剛性であり強度を改善した金属繊維強化複合材料を得る。 - 特許庁