「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electronic device in which the contact resistance across an SiC semiconductor and an electrode is reduced.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体と電極との間の接触抵抗が低減された電子装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provided an SiC semiconductor device of an inverted type trench gate structure, capable of both reducing an ON-resistance and improving a withstand voltage.例文帳に追加

オン抵抗低減と耐圧向上の双方を図ることができる反転型のトレンチゲート構造のＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The electrode film/silicon carbide structure is constructed in a manner such that an electrode 13, which contacts with a surface of an SiC substrate 10 exposed through a contact window 12 opened to an insulating film 11 formed on the surface of the SiC substrate 10 and is located extending to a surface opposed to the SiC substrate of the insulating film 11, has a fine blocks structure of stacked fine rectangular crystals.例文帳に追加

本発明に係る電極膜／炭化珪素構造体では、ＳｉＣ基板１０の表面に形成された絶縁膜１１に開口した接触窓１２により露出したＳｉＣ基板１０の表面に接し、絶縁膜１１のＳｉＣ基板対向面に延伸させて設けた電極１３は、微細直方結晶を積上げた微細積木構造を有する。 - 特許庁

This lens molding die is produced by: forming a preform by shaping an SiC reinforcing material having an average particle size of ≤1 μm; preparing an SiC-Si composite material by impregnating the preform with a molten Si; grinding the SiC-Si composite material to make a die shape; and polishing the die surface for lens molding to obtain the surface roughness Ra of ≤5 nm.例文帳に追加

平均粒径が１μm以下のＳｉＣ強化材を成形してプリフォームを形成し、該プリフォームに溶融Ｓｉを浸透させてＳｉＣ−Ｓｉ複合材料となし、さらに、該ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料を研削加工して金型形状とし、次に、該金型のレンズ成形表面を表面粗さＲａが５ｎｍ以下となるように研磨してレンズ成形用金型を製造する。 - 特許庁

It can be produced by applying an aqueous solution of a polyvinyl alcohol to the surface of an SiC whisker preform, heating and drying the solution to obtain a reinforced SiC whisker preform, impregnating a binder solution containing dissolved polycarbosilane into the preform, drying the product, heat-treating at temperature of 700-1700°C in a non-oxidizing atmosphere and forming an SiC coating film by CVD process.例文帳に追加

その製造方法はＳｉＣウイスカープリフォームの表面にポリビニルアルコール水溶液を被着、加熱乾燥して強化したＳｉＣウイスカープリフォームに、ポリカルボシランを溶解したバインダー溶液を含浸し、乾燥した後、非酸化性雰囲気中７００〜１７００℃の温度で熱処理し、次いでＣＶＤ法によりＳｉＣ被膜を形成する。 - 特許庁

A step of epitaxially growing an undoped layer 22 as an SiC layer into which impurities are introduced, and a step of epitaxially growing an impurity doped layer 23 as the SiC layer into which nitrogen is introduced in a pulse-like manner are alternately repeated by a CVD method, to form a restriction layer 30 on a SiC substrate 3b.例文帳に追加

ＣＶＤ法により、不純物を導入しないＳｉＣ層であるアンドープ層２２をエピタキシャル成長させる工程と、パルス状に窒素を導入したＳｉＣ層である不純物ドープ層２３をエピタキシャル成長させる工程とを交互に繰り返し、抑制層３０をＳｉＣ基板３ｂ上に形成する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for an SiC Schottky diode having a guard ring for improving a forward surge breakdown voltage and its manufacturing method.例文帳に追加

ガードリングを有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、順サージ電流耐量を向上させるための電極構造と形成方法を与える． - 特許庁

An n-type silicon carbide board 1 has one main surface on which an n-type SiC layer 2 having a relatively low dopant concentration is formed.例文帳に追加

ｎ型の炭化珪素基板１の一方の主表面にドーパント濃度が比較的低いｎ型のＳｉＣ層２が形成されている。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 2 is formed on the main surface of an n^+-type SiC substrate 1, and a trench 3 is placed in the epitaxial layer 2 side by side.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１の主表面上にｎ^-型エピタキシャル層２が形成され、エピタキシャル層２にはトレンチ３が並設されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which forms an ohmic electrode contacting an SiC semiconductor layer and having low contact resistance.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体層に接する、コンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element including a formation of a gettering layer for capturing and fixing an impurity element of an SiC semiconductor substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a switching element containing a high speed diode which has no need of outside-attaching an anti-parallel diode in an SiC cascode element.例文帳に追加

ＳｉＣカスコード素子において、逆並列ダイオードを外付けする必要がない、高速のダイオードを内蔵するスイッチング素子を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor substrate is intended for manufacturing a semiconductor substrate 1 having an SiC layer 30 on an insulating layer 20.例文帳に追加

本発明の半導体基板の製造方法は、絶縁層２０上にＳｉＣ層３０を備えた半導体基板１の製造方法である。 - 特許庁

An Al-Ti alloy 11 is accumulated on a P-type SiC layer 10 as an electrode material, a protection film 12 of TiN is formed on the alloy.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ層１０上に電極材料としてのＡｌ−Ｔｉ合金１１を堆積し、その上にＴｉＮの保護膜１２を形成する。 - 特許庁

An active region 1 functioning as a field effect transistor is formed on an SiC semiconductor substrate 5.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板５上には、電界効果トランジスタとして機能する活性領域１が形成されている。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and plasma etching apparatus which can etch an SiC layer with high selectivity with respect to an SiOC layer.例文帳に追加

ＳｉＯＣ層に対して選択性高くＳｉＣ層をエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently an amorphous SiC layer 12 is formed by sputtering and crystallized by irradiating it with an energy beam.例文帳に追加

続いて、非晶質ＳｉＣ層１２をスパッタリング法により形成し、これをエネルギービームの照射により結晶化させる。 - 特許庁

To provide an electrode for p-type SiC wherein surface morphology is superior and thermal damage to a semiconductor crystal layer which is caused by formation of an electrode is little.例文帳に追加

表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への熱的損傷が少ないｐ型ＳｉＣ用電極を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an SiC substrate is employed and an insulating film is formed by plasma treatment.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、基板としてＳｉＣを採用するとともに、プラズマ処理によって絶縁膜を形成している。 - 特許庁

On a substrate 2, a buffer layer 3, an undoped GaN layer 4, an AlGaN layer 5 and a SiC layer 9 are formed in this order.例文帳に追加

基板２上にバッファ層３、アンドープＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５及びＳｉＣ層９をこの順に形成する。 - 特許庁

The element has a SiC substrate 1A in which an n^- type drift region 2 is formed between a p^+ type source region 4 and an n^+ type drain region 1.例文帳に追加

ｐ^＋形ソース領域４とｎ^＋形ドレイン領域１との間にｎ^−形ドリフト領域２が形成されたＳｉＣ基板１Ａを備える。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal with decreased crystal defects and an enlarged bore diameter; and a growth method therefor.例文帳に追加

結晶欠陥の低減及び大口径化が図られたＳｉＣ単結晶及びその成長方法を提供する。 - 特許庁

Especially, an electroconductive oxide such as an SnO_2 or ITO film, or a wide forbidden band width semiconductor such as GaN or SiC is used.例文帳に追加

特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。 - 特許庁

An SiC bulk substrate 11 whose upper surface is flattened is placed within a vertical thin film growing device, and it is heated by an inert gas atmosphere.例文帳に追加

上面を平坦化処理したＳｉＣバルク基板１１を縦型薄膜成長装置内に設置し、不活性ガス雰囲気で加熱する。 - 特許庁

On the surface layer of the main surface of the p-type SiC substrate 1, an n^+ source region 2 and an n^+ drain region 3 are formed away from each other.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の主表面での表層部にはｎ^+ソース領域２とｎ^+ドレイン領域３が離間して形成されている。 - 特許庁

Then the substrate 11 is stuck to another SiC substrate 13 and the stuck substrates 11 and 13 are disposed in an annealing furnace and heated in an argon atmosphere.例文帳に追加

次いで、ＳｉＣ基板１１とＳｉＣ基板１３とを張り合わせた状態でアニール炉内に設置し、アルゴン雰囲気中で加熱する。 - 特許庁

An AlN layer 12, a GaN layer 13, and an AlGaN layer 14 are sequentially formed on a SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌＮ層１２、ＧａＮ層１３およびＡｌＧａＮ層１４が順番に形成されている。 - 特許庁

To provide an oxide film forming method in which a gate oxide film with high reliability is obtained by thermally oxidizing an SiC substrate.例文帳に追加

信頼性の高いゲート酸化膜をＳｉＣ基板の熱酸化によって得ることができる酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a silicon carbide single directly measurable of the temperature distribution of the crystal surface of an SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の結晶表面の温度分布を直接測定することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an ohmic electrode which is ohmic-bonded to an SiC semiconductor substrate using silicon carbide as a material.例文帳に追加

炭化ケイ素を材料とするＳｉＣ半導体基板にオーミック接合するオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a highly precise method of evaluating an SiC substrate, capable of being carried out as a nondestructive method without using an expensive evaluation instrument or microscope.例文帳に追加

高価な評価機器や顕微鏡を用いることなく、非破壊にて行える精度の高いＳｉＣ基板の評価方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The SiC crystal 10 is characterized by having an Fe concentration of 0.1 ppm or less and an Al concentration of 100 ppm or less.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶１０は、Ｆｅの濃度が０．１ｐｐｍ以下であり、かつＡｌの濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

An edge extending in-plane is formed on the main surface of the SiC substrate 1 having an Si face as the main surface.例文帳に追加

Ｓｉ面を主表面としたＳｉＣ基板１における主表面に面内に延びるエッジを形成する。 - 特許庁

When an intermediate layer 21 composed of an SiC film is formed on the surface of the die 20, ultrananocrystal diamond (UNCD) grows.例文帳に追加

金型２０の表面にＳｉＣ膜から成る中間層２１を形成しておくと、ウルトラ・ナノ・結晶・ダイヤモンド（ＵＮＣＤと呼称）が成長する。 - 特許庁

A jig for polishing treatment is made of an Si-SiC composite material or an CiC composite material.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料又はＳｉＣ系複合材料により形成された研磨処理用治具である。 - 特許庁

The silicide protection film 10 is formed of an SiC film and/or an SiOC film.例文帳に追加

ここで、シリサイドプロテクション膜１０は、ＳｉＣ膜およびＳｉＯＣ膜の少なくとも一方からなるものとする。 - 特許庁

A buffer layer 42 made of an AlN is formed on an SiC substrate 41, and further a Ga layer 43 is deposited on the buffer layer 42 made of the AlN.例文帳に追加

ＳｉＣ基板４１上にＡｌＮからなるバッファ層４２を形成し、更に、ＡｌＮからなるバッファ層４２上にＧａ層４３を堆積させる。 - 特許庁

To maintain high visibility of an engraved pattern and suppress generation of particles during laser marking of an SiC wafer.例文帳に追加

ＳｉＣウェハへのレーザマーキングにおいて、刻印したパターンの高い視認性を確保しつつ、パーティクルの発生を抑制する。 - 特許庁

An abrasive liquid 7, containing same polished abrasive grains and solvent, is fed to the ground surface of an SiC wafer 4 by a liquid-filling vessel 5.例文帳に追加

注液器５により同一の研磨砥粒と溶剤を含む研磨液７をＳｉＣウェハ４の研磨面に供給する。 - 特許庁

To form an impurity diffusion region in an SiC substrate at a low cost, without generating damages on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面にダメージを生じることなく、低コストでＳｉＣ基板に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a jointed SiC sintered articles having improved chemical-proof property (against an alkaline and an acidic slurries).例文帳に追加

耐薬液性（アルカリ性および酸性のスラリー）を向上させたＳｉＣ焼結体の接合体を提供する。 - 特許庁

Marking of an SiC wafer 100 with an identifier 101 is realized by irradiation with a pulsed laser using a harmonic of a wavelength four times that of a YAG laser.例文帳に追加

ＳｉＣウェハ１００への識別子１０１のマーキングは、ＹＡＧレーザの４倍高調波を用いたパルスレーザの照射によって行われる。 - 特許庁

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, a step (b) for depositing an SiC:H film by repeating growth and stopping growth two times or more under a low pressure atmosphere, and a step (c) for forming an insulating cap layer on the SiC film or the SiC:H film.例文帳に追加

（ａ）半導体基板に半導体素子を形成する工程と、（ｂ）ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜方法は、成長、成長停止を繰り返して、減圧雰囲気下で２回以上に分割してＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する工程と、（ｃ）前記ＳｉＣ膜またはＳｉＣ：Ｈ膜上に絶縁キャップ層を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The snubber device 6 comprises: an SiC-MOSFET 3 connected between an output terminal C and a reference terminal E of the switching transistor 1; a Zener diode 4 formed between a gate terminal G and a drain terminal D of the SiC-MOSFET 3; and a resistor 5 formed between the gate terminal G and a source terminal S of the SiC-MOSFET 3.例文帳に追加

スナバデバイス６は、スイッチングトランジスタ１の出力端子Ｃ−基準端子Ｅ間に接続されたＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ドレイン端子Ｄ間に形成されたツェナーダイオード４と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ソース端子Ｓ間に形成された抵抗器５とを備える。 - 特許庁