「an SiC」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a highly reliable semiconductor element which is excellent in continuous operation property and electrical characteristics at a high temperature by preventing lowering of bonding strength between an SiC substrate and a metallic silicide layer and between a metallic silicide layer and a bonding metal layer due to interdiffusion in high temperature operation.例文帳に追加

高温動作の際の相互拡散によるＳｉＣ基板と金属シリサイド層との間及び金属シリサイド層とボンディングメタル層との間の接着強度の低下を防止し、高温下での連続動作性及び電気的特性に優れた信頼性の高い半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mechanical seal excellent in durability or reliability, by lessening or solving inconvenience of increasing a friction coefficient even in severe environment such as a condition of insufficient lubrication of a sliding part with lubricating liquid or a dry condition, although the mechanical seal has a static seal ring made of an SiC sliding member.例文帳に追加

ＳｉＣ摺動材製の静止密封環を持ちながら、摺動部に十分な潤滑液が回り込まない状況やドライ状況といった厳しい環境下においても、摩擦係数が高くなる不都合を抑制又は解消して、耐久性や信頼性に優れるメカニカルシールを提供する。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

In this glass substrate polishing device, a reinforcement is SiC, and a matrix is an Al alloy, and the content of the reinforcement is set to 30 to 80 volume %.例文帳に追加

ガラス基板研磨装置において、金属基複合材料で形成したことを特徴とするカッタ支持装置、さらに強化材がＳｉＣであり、マトリックスがＡｌ合金であり、強化材の含有率が３０〜８０体積％であることを特徴とするカッタ支持装置およびそれを用いた研磨装置を提供する。 - 特許庁

This is the microwave exothermic body 30 composed of a β-type SiC solidified body or CaO 6Al_2O_3 solidified body, and the microwave exothermic body 30 having an exothermic layer 34 containing a ceramic substrate 32 and ceramic powders which are formed at least on one surface of the substrate 32.例文帳に追加

β型ＳｉＣ固化体、またはＣａＯ・６Ａｌ_２Ｏ_３固化体からなるマイクロ波発熱体３０、およびセラミック製の基材３２と、前記基材３２の少なくとも一表面に形成されてなるセラミック粉末を含む発熱層３４とを有するマイクロ波発熱体３０である。 - 特許庁

It is preferable to adopt, especially, the mechanical seal in which a reinforcing material is SiC, the matrix is aluminum or an aluminum alloy, and in which the rate of content of the metal-ceramics composite material is 40 to 80 vol% of the entire reinforcing material.例文帳に追加

特に、強化材がＳｉＣであり、マトリックスがアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、該強化材の含有率が複合材料全体の４０〜８０体積％である金属−セラミックス複合材料からなるメカニカルシールを採用することが好適である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with use of a carbon silicate substrate having a (000-1) face which is high-quality as compared to (0001) and (11-20) faces, and particularly to provide an SiC semiconductor device having a high-breakdown voltage and a high channel mobility provided by optimizing a heat-treatment process after gate-oxidation.例文帳に追加

（０００１）面や（１１−２０）面よりも優れた（０００−１）面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The impurity dope layer 15 is formed on the back face side of the substrate so that contact resistance can be reduced at the time of forming an ohmic electrode on the back face of the substrate, and that a large capacity of SiC semiconductor element whose power loss is small can be manufactured.例文帳に追加

基板の裏面側に不純物ドープ層１５を形成することにより、基板裏面にオーミック電極を取る場合に接触抵抗が低下し、電力損失が少なく大容量のＳｉＣ半導体素子を製造することができる。 - 特許庁

Al ions are implanted into an N-type 6H-SiC, the N-type 6H-SiC is irradiated with a single pulse or a few pulses of a KrF laser beam which is 248 nm in wavelength and oscillates for one psec or below, by which N-type 6H-SiC recovers from damage caused by implantation of ions without melting SiC crystals.例文帳に追加

ｎ型６Ｈ−ＳｉＣにＡｌイオンを注入した後、波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザを発振時間が１μ秒以下の１または複数のパルスとして照射し、ＳｉＣ結晶を溶融させずにイオン注入による照射損傷を回復させる。 - 特許庁

To provide a seed crystal which is capable of manufacturing, with good reproducibility, a good qualitative, large caliber ingot which has few void defects, has few minute polycrystalline particles, and has few crystal defects occurring due to these reasons, and to provide a manufacturing method thereof and a manufacturing method of an SiC single crystal ingot.例文帳に追加

本発明は、ボイド欠陥あるいは微小多結晶粒、及び、これらに起因して発生する結晶欠陥の少ない良質の大口径インゴットを再現性良く製造し得る種結晶とその製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC heater, capable of quick rise and fall of the temperature as required, being joined in a precise position, having no risk of severance of the heater wire, having sufficient surface accuracy, free of poor connecting workmanship in the bonding part, and superior in the cost performance.例文帳に追加

要求される急速な昇降温が可能であり、正確な位置で接合でき、ヒータ断線の虞がなく、十分な表面精度を有し、ボンディング部分の接続不良がなく、コストパフォーマンスにも優れたＳｉＣヒータを提供することを課題とする。 - 特許庁

SiC as a foaming agent is added at 1% by weight and compounds of Zr, Cr and Ti as non-melting components are added, respectively at prescribed ratios, to soda-lime-base waste glass having an average grain size of 80 μm and these materials are mixed for 16 hours by a dry process in a ball mill made of alumina earthenware.例文帳に追加

平均粒径８０μｍのソーダライム質の廃ガラスに発泡剤としてＳｉＣを重量比で１％、および、非溶融成分としてＺｒ、Ｃｒ、Ｔｉの化合物をそれぞれ所定量添加し、これらをアルミナ陶器製のボールミルにて乾式で１６時間混合した。 - 特許庁

The composition of the castable refractory for the blast furnace launder is constituted by adding 0.5-8 wt.% aluminum hydroxide having an average particle size of ≤5 μm to 100 wt.% refractory aggregate composition comprising 1-30 wt.% SiC, 1-20 wt.% carbon and the balance MgO.Al2O3 spinel and alumina, being main components.例文帳に追加

高炉樋用キャスタブル耐火物を、炭化珪素1〜30ｗｔ％、炭素1〜20ｗｔ％、残部がＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３系スピネルおよびアルミナを主体とした耐火骨材組成100ｗｔ％に対し、平均粒子径5μｍ以下の水酸化アルミニウム0.5〜8ｗｔ％を添加してなる組成とする。 - 特許庁

Thus, since impurities adhered to the surface Si, C of the surface of the substrate can be simultaneously removed for several atom layers by exposing the surface of an SiC substrate with a high temperature and low oxygen partial pressure, a defect is made very small at the oxide film formation time, and the clean surface can be exposed.例文帳に追加

ＳｉＣ基板表面を高温かつ低酸素分圧下に晒すことにより、表面に付着した不純物と基板表面のＳｉ、Ｃを数原子層分除去することが同時にできるので、酸化膜形成時には欠陥が少なく極めて清浄な表面を露出させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a B4C-SiC complex carbon material having an economically formed dense SiC layer having excellent oxidation resistance and abrasion resistance at a fixed part (the whole face or a part) of the surface layer part of a carbon base by a simpler method than a CVD method or a CVR method.例文帳に追加

ＣＶＤ法やＣＶＲ法に比較して、簡単な方法で耐酸化性、耐摩耗性に優れ、緻密なＳｉＣ層が炭素基材の表層部の所定部位（全面または一部）に、経済的に形成されてなるＢ_4 Ｃ−ＳｉＣ複合炭素材料及びそれを用いた各種の耐熱部品を提供する。 - 特許庁

The housing and supporting body for a precisely measuring instrument consist of a metal-ceramics composite material using ceramics powder or ceramics fiber consisting of SiC, Al2O3 or AlN of 30 to 80 vol.% as a reinforcing material, and an Al-Si-Mg based aluminum alloy as a matrix.例文帳に追加

含有量が３０〜８０体積％のＳｉＣ，Ａｌ_２Ｏ_３またはＡｌＮからなるセラミックス粉末またはセラミックス繊維を強化材とし、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系のアルミニウム合金をマトリックスとする金属−セラミックス複合材料により精密測定装置用筐体および支持部材を構成する。 - 特許庁

Further, a high-performance and more preferable washing apparatus is provided by using a transportation roller containing SiC as a reinforcing material, an Al alloy as a matrix, and having the content of the reinforcing material in 30-80% by volume in the entire body.例文帳に追加

又，強化材としてＳｉＣを含み、マトリックスがＡｌ合金であり、該強化材の含有率が全体の３０〜８０体積％であることを特徴とする搬送ローラを用いることによりさらに好適に高性能洗浄機が提供できる。 - 特許庁

At least a first optical lens of a condenser lens 13 comprising the first optical lens 11 and a second optical lens 12 which are arranged in order from the object surface is made of an optical material consisting of SiC single crystal having a cubic crystal structure.例文帳に追加

また、対物面から順に配置された第１の光学レンズ１１と第２の光学レンズ１２とで構成された集光レンズ１３において、少なくとも第１の光学レンズを立方晶構造のＳｉＣ単結晶からなる光学材料で構成した。 - 特許庁

A wiring groove 5 is formed within the porous MSQ(2) with the plasma etching with an SiC mask 3 used as a mask, and a deposited film 7 is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the side surface of the wiring groove 5 using the plasma of deposition gas.例文帳に追加

ＳｉＣマスク３をマスクとしたプラズマエッチングによりポーラスＭＳＱ（２）内に配線溝５を形成し、堆積性ガスのプラズマを用いて配線溝５の側面を含むシリコン基板１全面に堆積膜７を形成する。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method.例文帳に追加

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method of simply manufacturing an Si/SiC/C_G combined sintered compact having self-lubrication at a low cost for a short time at a relatively low temperature using powdery mixture prepared by directly controlling the mixing ratio of Si to carbon as a raw material.例文帳に追加

直接Ｓｉと炭素の混合比を制御した混合粉末を原料として使用して、低コスト、短時間かつ比較的低温で、自己潤滑性を有するＳｉ／ＳｉＣ／Ｃ_Ｇ複合焼結体を簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, it is preferred that plasma having a high concentration and high energy produced by microwaves is used, and the SiC monocrystal is grown with an atomic ratio of carbon and silicon (C/Si ratio) being 100 or above and the concentration of supplied material silicon atoms being 100 mol.ppm or below.例文帳に追加

特に、マイクロ波でプラズマを発生させた高密度・高エネルギーのプラズマを利用すること、炭素と珪素の原子供給比（Ｃ／Ｓｉ比）を１００以上、供給される原料珪素原子濃度を１００ｍｏｌ．ｐｐｍ以下として成長させることが好ましい。 - 特許庁

Afterwards, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are removed, and ion is injected into a high resistance SiC layer 2 at a high temperature of 150°C or higher, by using the silicon dioxide mask 21, so that a p-well region 3 being an impurity diffused layer can be formed.例文帳に追加

その後、レジストマスクＲｅ１，Ａｌマスク２２を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、１５０℃以上の高温で高抵抗ＳｉＣ層２内にイオン注入して、不純物拡散層であるｐウェル領域３を形成する。 - 特許庁

The movable stage which is movable while mounted with a body has a core material 1 having a honeycomb structure, and a surface plate 2 provided at least on its body mount surface side, and the core material 1 and surface plate 2 are both made of an SiC material.例文帳に追加

物体を載置して移動可能な可動ステージであって、ハニカム構造を有するコア材１と、その少なくとも物体載置面側に設けられた表面板２とを有し、コア材１および表面板２がいずれもＳｉＣ質材料からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide mold, by which a mold having a fine periodic structure with an inclined cross-sectional shape suitable for molding of glass or the like, in a mold having a fine periodic structure and using silicon carbide (SiC) as a base material, is formed with satisfactory reproducibility by a relatively simple process.例文帳に追加

炭化ケイ素（炭化ケイ素）を母材とする微細周期構造を有するモールドにおいて、ガラスの成型などの用途に適した傾斜した断面形状の微細周期構造を有するモールドを、比較的簡単な方法によって再現性良く形成出来る方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

To provide a method for processing an SiC film, capable of suppressing the formation of a sub-trench at the edge of a bottom part of a trench while improving the flatness of a side face of the trench, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device, in which the processing method is used.例文帳に追加

トレンチ側面の平坦性を向上させつつ、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制できるＳｉＣ膜の加工方法およびその加工方法が用いられる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an Al-SiC composite material capable of preventing deformation and damage by relaxing the strain of thermal stress caused by the diference in thermal expansion coefficients, easily joinable with the other parts at excellent strength, moreover having high thermal conductivity and suitable as a heat radiating substrate or the like.例文帳に追加

熱膨張係数差による熱応力の歪を緩和して変形や損傷を防止でき、他の部品と簡単に且つ優れた強度で接合できると共に、高熱伝導率であって、放熱基板等として好適なＡｌ−ＳｉＣ系複合材料を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium consists of a substrate, a lower protective layer, a phase transition recording layer consisting essentially of a Sb_3Te metastable phase, an upper protective layer consisting of ZnS-SiO_2, a sulfuration resistance barrier layer consisting essentially of SiC and AlN and a silver based reflective radiation layer.例文帳に追加

基板、下部保護層、Ｓｂ_3 Ｔｅ準安定相を主成分とする相変化型記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ_2 からなる上部保護層、ＳｉＣとＡｌＮを主成分とする耐硫化バリヤ層及び銀系反射放熱層からなる光記録媒体。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

To provide a surface cleaning method of a boat for semiconductor wafer heat treatment which prevents metal contamination to a semiconductor wafer by easily removing metal contamination in an oxide film on the surface of the SiC boat and which shortenes a manufacturing time and manufacturing cost of the semiconductor wafer.例文帳に追加

ＳｉＣボート表面の酸化膜中の金属汚染を簡便に除去することによって半導体ウェーハへの金属汚染を防止し、半導体ウェーハの製造時間および製造コストの抑制を可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a surface protective film 16 composed of SiO_2 and coating the surface of an SiC pn junction diode 10, a polyimide resin film 22 coating the surface protective film 16 (1 μm thick), and a coating part 23 composed of a silicon resin and coating the polyimide resin film 22.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６と表面保護膜１６(膜厚１μｍ)を被覆するポリイミド樹脂膜２２、およびポリイミド樹脂膜２２を被覆するシリコン樹脂で作製された被覆部２３を備えた。 - 特許庁

The surface layer of an n^--type drift layer located below a recess 20 in a p-type RESURF layer 21 is connected, by migration of SiC, to a part formed on the surface layer of a p-type base region 3 in the p-type RESURF layer 21.例文帳に追加

ＳｉＣのマイグレーションによってｐ型リサーフ層２１のうち凹部２０の下方に位置するｎ^-型ドリフト層２の表層部と、ｐ型リサーフ層２１のうちｐ型ベース領域３の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which can carry out sufficient heat treatment while minimizing aggravation of the surface state of an SiC wafer, and to provide a semiconductor device which is fabricated by the fabrication process and exhibiting excellent characteristics.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの表面状態の悪化を抑制しつつ、十分な熱処理を実施することが可能な半導体装置の製造方法、および当該製造方法により製造されることにより、優れた特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can remove a multi-layer structure SiC film equipped with an antirelection function and a hard mask function efficiently and absolutely, simplifies a film removal process in the gate electrode formation process, and minimizes negative influences to the device.例文帳に追加

反射防止機能とハードマスク機能を兼備した多層構造のＳｉＣ系膜を効率良く、確実に除去し、併せてゲート電極形成プロセスにおける膜の除去工程を簡素化し、デバイスへの悪影響を極力低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate support device is provided with an SiC susceptor 11 which horizontally supports only one wafer W and has a recessed substrate support section 13 on which the wafer W is placed on its upper surface and five through holes 14 at a portion including the peripheral edge section of the support section 13.例文帳に追加

基板支持装置は、ウェハＷを１枚だけ水平に支持するＳｉＣ製のサセプタ１１を備えており、このサセプタの上面部には、ウェハが載置される凹状の基板支持部１３が形成され、基板支持部の周縁部を含む部位には、５つの貫通穴１４が設けられている。 - 特許庁

In annealing, the temperature is given a distribution in the plane of an SiC wafer 1, and the part of the boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 which is parallel to the <11-20> or <1-100> is activated first and crystals are reoriented.例文帳に追加

そして、アニール処理においてＳｉＣウェハ１の面内において温度分布を持たせ、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線のうち＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行な部分からアクティブ化すると共に結晶を再配列させるようにする。 - 特許庁

The objective AlN single crystal is formed on an SiC single crystal substrate 2 by as follows: a melt 4 of the abcd alloy is prepared in a nitrogen atmosphere and, while the melt 4 is being kept in the nitrogen atmosphere, the melt 4 is cooled and/or at least either of components (a) and (b) is evaporated.例文帳に追加

そして、窒素雰囲気下に保持したまま、このａｂｃｄ系合金の融液４を冷却するか、および／またはそれから前記成分ａとｂの少なくともいずれかを蒸発させることによって、AlＮ単結晶をSiＣ単結晶基板２の上に晶出させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a dense Si-SiC composite material without using a complicated mechanism or an expensive device and by a simple and easy method, and a manufacturing method capable of easily controlling a supply speed for Si.例文帳に追加

開気孔を持つ多孔質ＳｉＣ中にＳｉを含浸する方法において、複雑な含浸機構や高価な装置を用いずに、簡便かつ容易な方法によって緻密なＳｉ−ＳｉＣ複合材を得る製造方法、またＳｉの供給速度を容易に制御できる製造方法を提供する。 - 特許庁

A preform 10 containing SiC powder and an organic binder, a vessel 11 in which solid Al 12 is stored having non-permeability to molten Al and having permeability by being reacted with molten Si, and solid Si 13 are installed in a furnace, and heating is performed to a temperature exceeding the melting point of Si.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末と有機バインダとを含むプリフォーム１０と、溶融Ａｌに対して非透過性であり、溶融Ｓｉと反応することで透過性となる容器１１に固体Ａｌ１２を収容したものと、固体Ｓｉ１３とを炉内に設置して、Ｓｉの融点を超える温度に加熱する。 - 特許庁

To reduce cost in mass production of an SiCOI construction substrate with regard to a method to grow a cubic silicon carbide (3 C-SiC) crystal film with orientation (100) at relatively low substrate temperature.例文帳に追加

３Ｃ−ＳｉＣによる高周波デバイスやセンサー等の電子デバイスの作製において、ＳｉＣＯＩ構造が知られているものの、３Ｃ−ＳｉＣ膜をＳｉの熱酸化膜上へ直接成長させることによってＳｉＣＯＩ構造を形成する技術はこれまで報告されていない。 - 特許庁

The vertical furnace for monolithic refractory which is refractory comprising ZrO_2 as an essential ingredient, wherein ≥25 mass% of aggregate having ≥1 mm size is a particle comprising ZrO_2 as the essential ingredient and fine aggregate having <1 mm contains 3-25 mass% C and 0.5-20 mass% SiC, is used.例文帳に追加

ＺｒＯ_2を主成分とする耐火物であって、１ｍｍ以上の骨材のうち２５ｍａｓｓ％以上がＺｒＯ_2を主成分とする粒子であり、かつ１ｍｍ未満の細骨材で、Ｃを３〜２５ｍａｓｓ％、ＳｉＣを０．５〜２０ｍａｓｓ％含有することを特徴とする竪型炉用不定形耐火物を用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a sufficient heat treatment is carried out while deterioration in surface state of an SiC wafer is suppressed, and the semiconductor device which has excellent characteristics by being manufactured by the use of the manufacturing method.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの表面状態の悪化を抑制しつつ、十分な熱処理を実施することが可能な半導体装置の製造方法、および当該製造方法により製造されることにより、優れた特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, when a surface of the SiC substrate 1 is flattened, a state where a recessed part 7 with a surface recessed is formed in a part where the second trench 4 was formed can be made, and the recessed part 7 can be used as an alignment mark.例文帳に追加

このため、ＳｉＣ基板１の表面を平坦化した際に、第２のトレンチ４が形成されていた部分に表面が凹まされた凹部７が形成されている状態にすることができ、この凹部７をアライメントマークとして利用することができる。 - 特許庁