「an a-n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An ethylenediamine-N,N,N',N'-tetraacetate calcium salt or a nitrilotriacetate calcium salt is used as the calcium salt or complex.例文帳に追加

カルシウムの塩または錯体として、エチレンジアミンN,N,N’,N’四酢酸カルシウム塩、またはニトリロ三酢酸カルシウム塩を用いる。 - 特許庁

The relation between an intra prediction residual BD_Intra(n) and a gain G_Intra(n) is that the G_Intra(n) becomes a maximum value when the BD_Intra(n) is a minimum value of 0, and the G_Intra(n) becomes a minimum value of 0 when the BD_Intra(n) is a maximum value.例文帳に追加

イントラ予測残差BD_Intra(n)とゲインG_Intra(n)との関係は、BD_Intra(n)が最小値０のときG_Intra(n)は最大値、BD_Intra(n)が最大値のときG_Intraは最小値０となる。 - 特許庁

An error function deriving section 3 computes an error function e(n), expressing the difference between the combined value Y(n) and a reference signal r(n).例文帳に追加

誤差関数導出部３は、合成値Ｙ(n) と参照信号ｒ(n) との差分を表す誤差関数ｅ(n) を算出する。 - 特許庁

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

n_sp=n_rt/{M+1/2N}, n_sp=n_rt/{M+(2N-1)/2N}, where n_sp is a multiple of N and an even number, and M is 0 or an integer of 1 or more.例文帳に追加

ｎ_sp＝ｎ_rt／｛Ｍ＋１／２Ｎ｝ ｎ_sp＝ｎ_rt／｛Ｍ＋（２Ｎ−１）／２Ｎ｝ ただし、ｎ_spはＮの倍数かつ偶数であり、Ｍは０または１以上の整数である。 - 特許庁

One line (n=1), two lines (n=2), three lines (n=3) fifth lines (n=5) or ten lines (n=10) of a common electrode is set to an OFF signal line (black signal line) to suppress the occurrence of the DMA phenomenon.例文帳に追加

コモン電極の1ライン（n=1）、2ライン（n=2）、3ライン（n=3）、5ライン（n=5）もしくは10ライン（n=10）をオフ信号ライン（黒信号ライン）とすることにより、DMA現象の発生を抑制した。 - 特許庁

To provide a method for producing an N,N,N',N'-tetraarylbenzidine derivative in a good efficiency.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン誘導体を効率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an optimum prediction coefficient to convert a low S/N image into a high S/N image through linear prediction.例文帳に追加

線形予測によって、低S/N画像を高S/N画像に変換するための最適な予測係数を求める。 - 特許庁

in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加

半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書

The circuit 105 updates a coefficient a_3(n), on the basis of LMS algorithm by using an error signal e(n) and the signal x(n).例文帳に追加

非線形歪補償用係数更新回路１０５は誤差信号e(n)とx(n)を用いて、ＬＭＳアルゴリズムによりa_3(n) を更新する。 - 特許庁

FFT is applied to a reference image m(x, y) to acquire M(h, k), and FFT is applied to an image to be inspected n(x, y) to acquire N(h, k) (S402).例文帳に追加

基準画像m(x, y)にFFTを施してM(h, k)を得、被検査画像n(x, y)にFFTを施してN(h, k)を得る（S402）。 - 特許庁

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

A time window of an N point includes N_0 pieces of division windows.例文帳に追加

Nポイントの時間窓はN_0個の分割窓を含む。 - 特許庁

To provide an image pickup device with hyperfine structured pixels and a high S/N.例文帳に追加

画素の微細化と高S/N化とを可能とする。 - 特許庁

(In the formula, R denotes an 8-13C alkyl and n is in a range of 0≤n≤6).例文帳に追加

（ＲはＣ８〜１３のアルキル基を示し、０≦ｎ≦６） - 特許庁

For example, N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(4'-methoxybiphenyl-4-yl)benzidine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(hydroxybiphenyl-4-yl)benzidine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce an acrylic acid ester compound.例文帳に追加

例えば、N,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４´-メトキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してN,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４-ヒドロキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてアクリル酸エステル化合物とする。 - 特許庁

To provide an industrially appropriate manufacturing method of an N, N-dimethylaminoalkenone compound that permits the manufacture of the N, N-dimethylaminoalkenone compound in a high yield under a mild condition by a simple method.例文帳に追加

本発明の課題は、簡便な方法により、温和な条件下、高い収率でN,N-ジメチルアミノアルケノン化合物を製造出来る、工業的に好適なN,N-ジメチルアミノアルケノン化合物の製法を提供することにある。 - 特許庁

For example, in a case of obtaining a signal (G_n)_out, a signal of a local color (G_n)_in, a signal of an adjacent color (B_n)_in, and a signal of a next adjacent color (R_n+1)_in are used for the calculation using conversion formula 2.例文帳に追加

例えば、信号（Ｇ_n）_outを得る場合、自色の信号（Ｇ_n）_in，隣接色の信号（Ｂ_n）_in，隣々接色の信号（Ｒ_n+1）_inを用いて変換式２で演算する。 - 特許庁

A coefficient value generator 66 generates as a processing coefficient value αi[n, u] the ratio of the amplitude of the orientation component Zi[n, u] to the amplitude sum of an orientation component Z1[n, u] and an orientation component Z2[n, u].例文帳に追加

係数値生成部６６は、指向成分Ｚ1[n,u]および指向成分Ｚ2[n,u]の振幅和に対する指向成分Ｚi[n,u]の振幅の比を処理係数値αi[n,u]として算定する。 - 特許庁

When the differential value becomes larger than a concentration high threshold value, a concentration high signal is generated, a flap 34 is closed, and then the base value B(n) is calculated by an expression (4): B(n)=B(n-1)+k3[S(n)-B(n-1)]-k4[S(n)-S(n-5)].例文帳に追加

差分値が濃度高しきい値よりも大きくなると、濃度高信号を発生し、フラップ３４を閉じ、以降、ベース値B(n)を式(4)：B(n)＝B(n-1)＋k3[S(n)−B(n-1)]−k4[S(n)−S(n-5)]によって算出する。 - 特許庁

Here, as the chelate agent (1) is set as a nitrilotriacetic acid(NTA), (2) is an ethylenediaminetetraacetic acid(EDTA), (3) is a diethylenediamine-N,N,N",N"-pentaacetic acid(DTPA) and (4) is a cyclohexanediaminetetraacetic acid(CyDTA).例文帳に追加

（１）ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ：nitrilotriacetic acid） （２）エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ：ethylenediaminetetraacetic acid） （３）ジエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸（ＤＴＰＡ：diethylenediamine-N,N,N",N"-pentaacetic acid） （４）シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ：cyclohexanediaminetetraacetic acid） - 特許庁

An editing processing part 24 edits the sound length a3 of each phoneme σ[n] assigned by the phoneme string information SA with a degree of expansion and contraction K[n] according to a pitch P[n] of the phoneme σ[n] assigned by the feature quantity information SB.例文帳に追加

編集処理部２４は、音素列情報ＳAが指定する各音素σ[n]の発音長ａ3を、特徴量情報ＳBが当該音素σ[n]について指定する音高Ｐ[n]に応じた伸縮度Ｋ[n]で変更する。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

A battery pack 20 is constituted by connecting n cells (where n is an integer satisfying an inequality: n≥6) in series.例文帳に追加

組電池２０は、ｎ個（ｎは、ｎ≧６を満たす整数）の単位セルを直列に接続して構成される。 - 特許庁

An N+ diffused layer 22, which is to be a drain, is covered with an N-type well 52, while an N+ diffused layer 23 which is to be a source is covered with an N-type well 2.例文帳に追加

ドレインとなるＮ＋拡散層２２をＮ型ウェル５２で覆うとともに、ソースとなるＮ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆う。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

For example, in a case of obtaining a signal (G_n)_out, a signal of a local color (G_n)_in, a signal of an adjacent color (Bn)in, and a signal of a next adjacent color (R_n+1)_in are used for the calculation using conversion formula 2.例文帳に追加

例えば、信号（Ｇ_n）_outを得る場合、自色の信号（Ｇ_n）_in，隣接色の信号（Ｂ_n）_in，隣々接色の信号（Ｒ_n+1）_inを用いて変換式２で演算する。 - 特許庁

Not every user has a mobile, a email address etc., in this case, an "n/a"should be inserted into that specific cell. 例文帳に追加

そんな場合には、そのセルには "n/a"を入れなければなりません。 - PEAR

To provide a new method of producing an N-substituted or N, N-disubstituted sulfenamide.例文帳に追加

Ｎ−置換あるいはＮ，Ｎ−ジ置換スルフェンアミド化合物の新規な製造法の提供。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is an integer].例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（Ｃ_3Ｈ_6Ｏ_2）_n−Ｈ （Ｉ）（式中、Ｒは炭素数６〜２２の炭化水素基を、ｎは整数を示す。） - 特許庁

One frame period is divided into n (n is an integer of n≥3) number of periods (hereinafter referred to as a subframe period).例文帳に追加

１フレーム期間をｎ（ｎ：整数、ｎ≧３）の期間（以下、サブフレーム期間と記す）に分割する。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte secondary cell contains an electrolyte salt represented by a formula: ABF_4-n(C_mF_2m+1)_n (wherein, n=1 to 4; m=1 to 3; A is an alkaline metal).例文帳に追加

化学式ＡBF_4-n(C_mF_2m+1)_n (n=1〜４、ｍ＝１〜３、Ａはアルカリ金属)で示される電解質塩を非水電解質二次電池に含有させる。 - 特許庁

(In the equation, n=a+b and all of n, a and b are an integer of ≥0).例文帳に追加

（ただし、ｎ＝ａ＋ｂで、ｎ、ａ、ｂはいずれも０以上の整数。） - 特許庁

As a result, an N-/N+ type laminated substrate is manufactured with a high yield.例文帳に追加

その結果、Ｎ^−／Ｎ^＋型の張り合わせ基板を高歩留まりで作製できる。 - 特許庁

A code text Z=(E(x_1, r_1), ..., E(X_n, r_n)) of the set X=(x_1, ..., x_n) of n of numerical values is input and calculated while elements of X are kept secret, wherein E is an encrypting function and r_i is a random number.例文帳に追加

ｎ個の数値の集合Ｘ＝（ｘ_1，・・・，ｘ_n）の暗号文Ｚ＝（Ｅ（ｘ_1，ｒ_1），・・・，Ｅ（ｘ_n，ｒ_n））（Ｅ：暗号化関数、ｒ_i：乱数）を入力として、Ｘの要素を秘匿したまま計算することを考える。 - 特許庁

In step S_2, the positions of alignment marks of a target layer X_n (1≤n≤M) and an alignment layer Y_n are measured, by using the superposition measuring instrument to obtain measured data A_n.例文帳に追加

Ｓ_2 で重ねあわせ測定器を使ってターゲット層Ｘ_n （１≦ｎ≦Ｍ）及びアライメント層Ｙ_n のアライメント・マークの位置を測定して測定データＡ_n とする。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

A secondary response component is extracted by subtracting a single impulse response H[δ(n)] inputed by a measuring microphone 2f and an impulse response H[δ (n-Δ)] delayed from the response H [δ(n)] by Δ from a double impulse response H[δ(n)+δ (n-Δ)] inputted by a measuring microphone 2s.例文帳に追加

測定マイク２ｓにて取り込まれた複インパルス応答Ｈ[δ(n)+δ(n-Δ)]から測定マイク２ｆにて取り込まれた単インパルス応答Ｈ[δ(n)]及びこれをΔだけ遅延させたインパルス応答Ｈ[δ(n-Δ)]を引くことにより二次応答成分を抽出する。 - 特許庁

The N-MAA crystal having little caking properties is obtained by subjecting a crystalline N-MAA to exposing treatment to an atmosphere containing an acidic gas or a basic gas.例文帳に追加

結晶状N-MAA を、酸性ガスまたは塩基性ガスを含む雰囲気下に曝露処理し、固結性の小さい N-MAA結晶を得る。 - 特許庁

An AC component of an input image signal XB(n) is multiplied by a PN sequence SPN(n) by a multiplier 34, and spectrally diffused.例文帳に追加

入力画像信号ＸB(n)の交流成分は、乗算器３４でＰＮ系列ＳPN(n) と乗算されてスペクトル拡散される。 - 特許庁

An N-well region NWEL and a P-well region PWEL built in as an intermediate layer are alternately aligned on a N-type layer B-N.例文帳に追加

中間層として埋め込まれるＮ型層Ｂ-N上にＮウェル領域ＮＷＥＬ、Ｐウェル領域ＰＷＥＬが交互に配列されている。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1 +an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ__n)＋ｂ_n・(ｂ_n+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+ bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1+an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ_n)＋ｂ_n・(ｂ_n_+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To provide a new method for producing an N-substituted organic acid amide.例文帳に追加

N−置換有機酸アミドの新たな製造方法の提供する。 - 特許庁

A band movement amount B(n) is increased with an increase in the value of n.例文帳に追加

帯域移動量Ｂ（ｎ）は、ｎの値の増加に伴い、増加する。 - 特許庁